材料現(xiàn)代分析方法試題

材料現(xiàn)代分析方法試題4〔參考答案〕一、根本概念題〔105〕XFeX射線管的原則是為避開或削減產(chǎn)生熒光輻射，應(yīng)當(dāng)避開使用2~6〔2〕X射線管。XX射線管與樣品之間一個(gè)濾波片，K1β2的材料。CoFeXFeMn。試述獵取衍射把戲的三種根本方法及其用途？末法主要用于物相分析。3．原子散射因數(shù)的物理意義是什么？某元素的原子散射因數(shù)與其原子序數(shù)有何關(guān)系？原子散射波振幅fX射線向某一個(gè)方向散射時(shí)的散射效率。原子散射因數(shù)與其原子序數(shù)有何關(guān)系，Z越大，f越大。因此，重原子對X射線散射的力量比輕原子要強(qiáng)。取德拜圖相，應(yīng)當(dāng)承受什么樣的底片去記錄？答：用單色X射線照耀圓柱多晶體試樣，其衍射線在空間將形成一組錐心什么是缺陷不行見判據(jù)?如何用不行見判據(jù)來確定位錯(cuò)的布氏矢量?0。確定位錯(cuò)的布氏矢量可按如下步驟：g1＝0。這就是說，bg1g2所對應(yīng)的晶面〔h1k1l1〕he〔h2k2l2〕內(nèi)，即b二次電子像和背散射電子像在顯示外表形貌襯度時(shí)有何一樣與不同之處?說明二次電子像襯度形成原理。答：二次電子像:局部的亮度較大。SE在深的凹槽底部盡管能產(chǎn)生較多二次電子，使其不易被掌握到，因此相5.5度原理及其應(yīng)用5.5像子成像原理1〕BESESE因檢測器無法收集到BE而變成一片陰影，因此，其圖象襯度很強(qiáng)，襯度太失去細(xì)節(jié)的層次，不利于分析。因此，BE形貌分析效果遠(yuǎn)不及SE，BE成成幾感。子產(chǎn)額增如下圖，隨入射束與試樣外表法線夾角增大，二次電子產(chǎn)額增大。5-10nm體積內(nèi)逸出外表的二次電子數(shù)量增多。簡要說明多晶〔納米晶體、單晶及非晶衍射把戲的特征及形成原理。0電子衍射把戲就是(uvw)*零層倒易截面的放大像。0{hkl}晶面族晶面的衍射線軌跡形成以入射電子束為軸、2為半錐角的衍射圓錐，不同晶面2不同，但各衍射圓錐共頂、共軸。非晶的衍射把戲?yàn)橐粋€(gè)圓斑。進(jìn)展？Bragg和一個(gè)強(qiáng)衍射斑點(diǎn)。緣由：在近似雙光束條件下，產(chǎn)生強(qiáng)衍射，有利于對樣品的分析有吸取峰，則可能含有幾種什么基團(tuán)？答：可能含有碳碳雙鍵，或碳氧雙鍵，或碳氮雙鍵，或水等。10．你如何用學(xué)過的光譜來分析確定乙炔是否已經(jīng)聚合成為聚乙炔？以確定是否有共軛雙鍵生成，以及一些共軛雙鍵長度的信息。二、綜合及分析題〔510〕多晶體衍射的積分強(qiáng)度表示什么？今有一張用CuK攝得的鎢〔體心立方〕α〔A〔θ〕e-2M，以最1004θ值如下：線條 θ1 20.202 29.203 36.704 43.60答：多晶體衍射的積分強(qiáng)度表示晶體構(gòu)造與試驗(yàn)條件對衍射強(qiáng)度影響的總和。3 e2 2V

PF

2()A()e2Mc032Rmc2V2c〔P314，可知：20.20

PF

21cos2 = 14.1229.20

rPF

sin2cos21cor si2co

= 6.13536.70

PF

21co = 3.777r43.60

PF

si2cos21cor si2co

= 2.911A〔θ、e-2M、PF2I=1001I=6.135/14.12=43.452I=3.777/14.12=26.753I=2.911/14.12=20.6244100、43.45、26.75、20.62。試總結(jié)衍射把戲的背底來源，并提出一些防止和削減背底的措施。〔1〕靶材的選用影響背底；濾波片的作用影響到背底；樣品的制備對背底的影響。1〕X〔常用Kα射線〕的熒光輻射，以降低衍射把戲背底，使圖像清楚。的產(chǎn)生兩套方位不同的衍射把戲；選擇濾波片材料，使λα射線因激發(fā)濾波片的熒光輻射而被吸取。

＜λ ＜λ ，Kkβ靶 k濾 kαafc樣品，樣品晶粒為5μm背底。什么是衍射襯度?畫圖說明衍襯成像原理，并說明什么是明場像、暗場像和中心暗場像。:由樣品各處衍射束強(qiáng)度的差異形成的襯度。衍射襯度成像原理如以下圖所示。由樣品各處衍射束強(qiáng)度的差異形成的襯度稱為衍射襯度?；蚴怯蓸悠犯魈帩M足布拉格條件程度的差異造成的。衍射襯度成像原理如以下圖所衍射襯度成像原理如以下圖所示。設(shè)薄膜有A、B兩晶粒IhklIO-Ihkl兩局部ABragg角相差較大，不能產(chǎn)生衍射。像〔明場AB晶粒的光強(qiáng)度或亮度不同，分別為0AI I0A0BI I-I0BhklBA晶粒的像襯度為I I I I( ) A B hklI B I IA 0暗場成像：只讓某一衍射束通過物鏡光欄形成的衍襯像稱為暗場像。中心暗場像：入射電子束相對衍射晶面傾斜角，此時(shí)衍射斑將移到透鏡的中心位置，該衍射束通過物鏡光欄形成的衍襯像稱為中心暗場成像。4〔1f.c.cb.c.c.當(dāng)兩相共存且具有對稱取向關(guān)系時(shí)，其一幅衍射把戲中常常消滅很多斑點(diǎn)群，這時(shí)，可能疑心其為二次衍射，請問應(yīng)當(dāng)如何鑒定其為二次衍射?！?〕BccF0h +k+l=偶數(shù)假設(shè)〔hkl〕和〔hkl〕之間發(fā)生二次衍射，二次衍射斑點(diǎn)111 222〔hkl〕=〔hkl〕+〔hkl〕333

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222h+k+l=偶數(shù)3 3 3〔hkl〕Fhkl0，即應(yīng)當(dāng)消滅的。333 333即不會消滅多余的斑點(diǎn)，僅是斑點(diǎn)強(qiáng)度發(fā)生了變化。fcc構(gòu)造， 的條件是：h,k,l全奇數(shù)或全偶數(shù)〔hkl〕=〔hkl〕+〔hkl〕333

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222明顯h3、k3、l3 為全奇數(shù)或全偶數(shù)，