半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路_第1頁(yè)
半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路_第2頁(yè)
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半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第1頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月1.1PN結(jié)

1.1.1半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)

圖1.1表示的是由二極管、燈泡、限流電阻、開(kāi)關(guān)及電源等組成的簡(jiǎn)單電路。電路演示如下:

按圖1.1(a)所示,閉合開(kāi)關(guān)S,燈泡發(fā)光,說(shuō)明電路導(dǎo)通。若二極管管腳調(diào)換位置,如圖1.1(b)所示,閉合開(kāi)關(guān)S,燈泡不發(fā)光,

由以上演示結(jié)果可知:二極管具有單向?qū)щ娦?。?頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.1半導(dǎo)體二極管導(dǎo)電性能的實(shí)驗(yàn)第3頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.半導(dǎo)體的特性自然界中的各種物質(zhì),按導(dǎo)電能力劃分為:導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體。半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。它具有熱敏性、光敏性和摻雜性。利用光敏性可制成光電二極管和光電三極管及光敏電阻;利用熱敏性可制成各種熱敏電阻;利用摻雜性可制成各種不同性能、不同用途的半導(dǎo)體器件,例如二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等。第4頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2.半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)在電子器件中,用得最多的材料是硅和鍺,硅和鍺都是四價(jià)元素,最外層原子軌道上具有4個(gè)電子,稱為價(jià)電子。每個(gè)原子的4個(gè)價(jià)電子不僅受自身原子核的束縛,而且還與周圍相鄰的4個(gè)原子發(fā)生聯(lián)系,這些價(jià)電子一方面圍繞自身的原子核運(yùn)動(dòng),另一方面也時(shí)常出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上。這樣,相鄰的原子就被共有的價(jià)電子聯(lián)系在一起,稱為共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。如圖1.2所示。第5頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.2硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)

第6頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月當(dāng)溫度升高或受光照時(shí),由于半導(dǎo)體共價(jià)鍵中的價(jià)電子并不像絕緣體中束縛得那樣緊,價(jià)電子從外界獲得一定的能量,少數(shù)價(jià)電子會(huì)掙脫共價(jià)鍵的束縛,成為自由電子,同時(shí)在原來(lái)共價(jià)鍵的相應(yīng)位置上留下一個(gè)空位,這個(gè)空位稱為空穴,如圖1.3所示。第7頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.3本征激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對(duì)示意圖第8頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月自由電子和空穴是成對(duì)出現(xiàn)的,所以稱它們?yōu)殡娮涌昭▽?duì)。在本征半導(dǎo)體中,電子與空穴的數(shù)量總是相等的。我們把在熱或光的作用下,本征半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對(duì)的現(xiàn)象,稱為本征激發(fā),又稱為熱激發(fā)。由于共價(jià)鍵中出現(xiàn)了空位,在外電場(chǎng)或其他能源的作用下,鄰近的價(jià)電子就可填補(bǔ)到這個(gè)空穴上,而在這個(gè)價(jià)電子原來(lái)的位置上又留下新的空位,以后其他價(jià)電子又可轉(zhuǎn)移到這個(gè)新的空位上,如圖1.4所示。為了區(qū)別于自由電子的運(yùn)動(dòng),我們把這種價(jià)電子的填補(bǔ)運(yùn)動(dòng)稱為空穴運(yùn)動(dòng),認(rèn)為空穴是一種帶正電荷的載流子,它所帶電荷和電子相等,第9頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月符號(hào)相反。由此可見(jiàn),本征半導(dǎo)體中存在兩種載流子:電子和空穴。而金屬導(dǎo)體中只有一種載流子——電子。本征半導(dǎo)體在外電場(chǎng)作用下,兩種載流子的運(yùn)動(dòng)方向相反而形成的電流方向相同,如圖1.5所示。第10頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.4電子與空穴的移動(dòng)

第11頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.5兩種載流子在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)第12頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

3.雜質(zhì)半導(dǎo)體

1)N型半導(dǎo)體在純凈的半導(dǎo)體硅(或鍺)中摻入微量五價(jià)元素(如磷)后,就可成為N型半導(dǎo)體,如圖1.6(a)所示。在這種半導(dǎo)體中,自由電子數(shù)遠(yuǎn)大于空穴數(shù),導(dǎo)電以電子為主,故此類半導(dǎo)體亦稱電子型半導(dǎo)體。

2)P型半導(dǎo)體在硅(或鍺)的晶體內(nèi)摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì),如硼(或銦)等。硼原子只有3個(gè)價(jià)電子,它與周圍硅原子組成共價(jià)鍵時(shí),因缺少一個(gè)電子,在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)

第13頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月空穴。這個(gè)空穴與本征激發(fā)產(chǎn)生的空穴都是載流子,具有導(dǎo)電性能。P型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)如圖1.6(b)所示。第14頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.6摻雜質(zhì)后的半導(dǎo)體(a)N型半導(dǎo)體;(b)P型半導(dǎo)體第15頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月在P型半導(dǎo)體中,空穴數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子數(shù),空穴為多數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱“多子”),自由電子為少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱“少子”)。導(dǎo)電以空穴為主,故此類半導(dǎo)體又稱為空穴型半導(dǎo)體。第16頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.1.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦?/p>

1.PN結(jié)的形成在一塊完整的晶片上,通過(guò)一定的摻雜工藝,一邊形成P型半導(dǎo)體,另一邊形成N型半導(dǎo)體。在交界面兩側(cè)形成一個(gè)帶異性電荷的離子層,稱為空間電荷區(qū),并產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng),其方向是從N區(qū)指向P區(qū),內(nèi)電場(chǎng)的建立阻礙了多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),隨著內(nèi)電場(chǎng)的加強(qiáng),多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)逐步減弱,直至停止,使交界面形成一個(gè)穩(wěn)定的特殊的薄層,即PN結(jié)。因?yàn)樵诳臻g電荷區(qū)內(nèi)多數(shù)載流子已擴(kuò)散到對(duì)方并復(fù)合掉了,或者說(shuō)消耗盡了,因此空間電荷區(qū)又稱為耗盡層。第17頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2.PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦栽赑N結(jié)兩端外加電壓,稱為給PN結(jié)以偏置電壓。

1)PN結(jié)正向偏置給PN結(jié)加正向偏置電壓,即P區(qū)接電源正極,N區(qū)接電源負(fù)極,此時(shí)稱PN結(jié)為正向偏置(簡(jiǎn)稱正偏),如圖1.7所示。由于外加電源產(chǎn)生的外電場(chǎng)的方向與PN結(jié)產(chǎn)生的內(nèi)電場(chǎng)方向相反,削弱了內(nèi)電場(chǎng),使PN結(jié)變薄,有利于兩區(qū)多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U(kuò)散,形成正向電流,此時(shí)PN結(jié)處于正向?qū)顟B(tài)。第18頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.7PN結(jié)加正向電壓第19頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2)PN結(jié)反向偏置給PN結(jié)加反向偏置電壓,即N區(qū)接電源正極,P區(qū)接電源負(fù)極,稱PN結(jié)反向偏置(簡(jiǎn)稱反偏),如圖1.8所示。第20頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.8PN結(jié)加反向電壓

第21頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月由于外加電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向一致,因而加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng),使PN結(jié)加寬,阻礙了多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。在外電場(chǎng)的作用下,只有少數(shù)載流子形成的很微弱的電流,稱為反向電流。

應(yīng)當(dāng)指出,少數(shù)載流子是由于熱激發(fā)產(chǎn)生的,因而PN結(jié)的反向電流受溫度影響很大。綜上所述,PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?即加正向電壓時(shí)導(dǎo)通,加反向電壓時(shí)截止。

第22頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.2半導(dǎo)體二極管

1.2.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)及類型

1.結(jié)構(gòu)符號(hào)二極管的結(jié)構(gòu)外形及在電路中的文字符號(hào)如圖1.9所示,在圖1.9(b)所示電路符號(hào)中,箭頭指向?yàn)檎驅(qū)娏鞣较?。?3頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第24頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.9二極管結(jié)構(gòu)、符號(hào)及外形舉例

(a)結(jié)構(gòu);(b)符號(hào);(c)外形第25頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2.類型

(1)按材料分:有硅二極管,鍺二極管和砷化鎵二極管等。

(2)按結(jié)構(gòu)分:根據(jù)PN結(jié)面積大小,有點(diǎn)接觸型、面接觸型二極管。

(3)按用途分:有整流、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)、發(fā)光、光電、變?nèi)?、阻尼等二極管。

(4)按封裝形式分:有塑封及金屬封等二極管。

(5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二極管。第26頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.2.2半導(dǎo)體二極管的命名方法

半導(dǎo)體器件的型號(hào)由五個(gè)部分組成,如圖1.10所示。其型號(hào)組成部分的符號(hào)及其意義見(jiàn)附錄一。如2AP9,“2”表示電極數(shù)為2,“A”表示N型鍺材料,“P”表示普通管,“9”表示序號(hào)。第27頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.10半導(dǎo)體器件的型號(hào)組成第28頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.2.3半導(dǎo)體二極管的伏安特性

半導(dǎo)體二極管的核心是PN結(jié),它的特性就是PN結(jié)的特性——單向?qū)щ娦?。常利用伏安特性曲線來(lái)形象地描述二極管的單向?qū)щ娦浴H粢噪妷簽闄M坐標(biāo),電流為縱坐標(biāo),用作圖法把電壓、電流的對(duì)應(yīng)值用平滑的曲線連接起來(lái),就構(gòu)成二極管的伏安特性曲線,如圖1.11所示(圖中虛線為鍺管的伏安特性,實(shí)線為硅管的伏安特性)。下面對(duì)二極管伏安特性曲線加以說(shuō)明。

第29頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.11二極管伏安特性曲線第30頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.正向特性

二極管兩端加正向電壓時(shí),就產(chǎn)生正向電流,當(dāng)正向電壓較小時(shí),正向電流極?。◣缀鯙榱悖?這一部分稱為死區(qū),相應(yīng)的A(A′)點(diǎn)的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓(也稱閾值電壓),硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V,如圖1.6中OA(OA′)段。當(dāng)正向電壓超過(guò)門檻電壓時(shí),正向電流就會(huì)急劇地增大,二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導(dǎo)通狀態(tài)。這時(shí)硅管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.7V,鍺管約為0.2~0.3V,如圖1.11中AB(A′B′)段。第31頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月二極管正向?qū)〞r(shí),要特別注意它的正向電流不能超過(guò)最大值,否則將燒壞PN結(jié)。

2.反向特性二極管兩端加上反向電壓時(shí),在開(kāi)始很大范圍內(nèi),二極管相當(dāng)于非常大的電阻,反向電流很小,且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱之為反向飽和電流IR,見(jiàn)圖1.11中OC(OC′)段。

第32頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

3.反向擊穿特性二極管反向電壓加到一定數(shù)值時(shí),反向電流急劇增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓,用UBR表示,如圖1.11中CD(C′D′)段。

4.溫度對(duì)特性的影響由于二極管的核心是一個(gè)PN結(jié),它的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān),溫度升高時(shí)二極管正向特性曲線向左移動(dòng),正向壓降減小;反向特性曲線向下移動(dòng),反向電流增大。第33頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.2.4半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)

1.最大整流電流IF2.最大反向工作電壓URM3.反向飽和電流IR4.二極管的直流電阻R5.最高工作頻率fM

第34頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.2.5二極管的簡(jiǎn)易測(cè)試將萬(wàn)用表置于R×100或R×1k(Ω)擋(R×1擋電流太大,用R×10k(Ω)擋電壓太高,都易損壞管子)。如圖1.12所示,第35頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.12萬(wàn)用表簡(jiǎn)易測(cè)試二極管示意圖

(a)電阻?。?b)電阻大第36頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.2.6二極管使用注意事項(xiàng)

二極管使用時(shí),應(yīng)注意以下事項(xiàng):

(1)二極管應(yīng)按照用途、參數(shù)及使用環(huán)境選擇。

(2)使用二極管時(shí),正、負(fù)極不可接反。通過(guò)二極管的電流,承受的反向電壓及環(huán)境溫度等都不應(yīng)超過(guò)手冊(cè)中所規(guī)定的極限值。

(3)更換二極管時(shí),應(yīng)用同類型或高一級(jí)的代替。

(4)二極管的引線彎曲處距離外殼端面應(yīng)不小于2mm,以免造成引線折斷或外殼破裂。第37頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月1.3整流濾波電路

1.3.1整流電路

1.單相半波整流電路

1)電路的組成及工作原理圖1.14(a)所示為單相半波整流電路。由于流過(guò)負(fù)載的電流和加在負(fù)載兩端的電壓只有半個(gè)周期的正弦波,故稱半波整流。

第38頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第39頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.14單相半波整流電路及波形圖

(a)電路圖;(b)波形圖第40頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2)負(fù)載上的直流電壓和直流電流直流電壓是指一個(gè)周期內(nèi)脈動(dòng)電壓的平均值。即(1.1)流過(guò)負(fù)載RL上的直流電流為(1.2)

3)整流二極管參數(shù)由圖1.14(a)可知,流過(guò)整流二極管的平均電流IV與流過(guò)負(fù)載的電流相等,即

第41頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月(1.3)當(dāng)二極管截止時(shí),它承受的反向峰值電壓URM是變壓器次級(jí)電壓的最大值,即(1.4)第42頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.單相橋式整流電路

1)電路的組成及工作原理橋式整流電路由變壓器和四個(gè)二極管組成,如圖1.15所示。由圖(a)可見(jiàn),四個(gè)二極管接成了橋式,在四個(gè)頂點(diǎn)中,相同極性接在一起的一對(duì)頂點(diǎn)接向直流負(fù)載RL,不同極性接在一起的一對(duì)頂點(diǎn)接向交流電源。輸出波形如圖1.17所示。第43頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第44頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.15單相橋式整流電路(a)電路畫法一;(b)電路畫法二;(c)電路畫法三第45頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第46頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.16單相橋式電路的電流通路

(a)u2正半周時(shí);(b)u2負(fù)半周時(shí)第47頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.17橋式整流電路輸出波形圖第48頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2)負(fù)載上的直流電壓和直流電流由上述分析可知,橋式整流負(fù)載電壓和電流是半波整流的兩倍。(1.5)(1.6)

3)整流二極管的參數(shù)在橋式整流電路中,因?yàn)槎O管V1、V3和V2、V4在電源電壓變化一周內(nèi)是輪流導(dǎo)通的,所以流過(guò)每個(gè)二極管的電流都等于負(fù)載電流的一半,即第49頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月橋式整流電路與半波整流電路相比,電源利用率提高了1倍,同時(shí)輸出電壓波動(dòng)小,因此橋式整流電路得到了廣泛應(yīng)用。電路的缺點(diǎn)是二極管用得較多,電路連接復(fù)雜,容易出錯(cuò),為了解決這一問(wèn)題,生產(chǎn)廠家常將整流二極管集成在一起構(gòu)成橋堆,內(nèi)部結(jié)構(gòu)及外形如圖1.18所示。(1.7)從圖1.16可知,每個(gè)二極管在截止時(shí)承受的反向峰值電壓為(1.8)第50頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.18橋堆內(nèi)部結(jié)構(gòu)及外形圖

(a)半橋堆;(b)全橋堆第51頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月使用一個(gè)“全橋”或連接兩個(gè)“半橋”,就可代替四只二極管與電源變壓器相連,組成橋式整流電路,非常方便。選用時(shí),應(yīng)注意橋堆的額定工作電流和允許的最高反向工作電壓應(yīng)符合整流電路的要求。第52頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.3.2濾波電路

常見(jiàn)的電路形式如圖1.19所示。第53頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.19各種濾波電路第54頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

1.電容濾波電路

1)電路組成及工作原理圖1.20(a)為單相半波整流電容濾波電路,它由電容C和負(fù)載RL并聯(lián)組成。第55頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.20半波整流電容濾波電路及波形第56頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月其工作原理如下:

當(dāng)u2的正半周開(kāi)始時(shí),若u2>uC(電容兩端電壓),整流二極管V因正向偏置而導(dǎo)通,電容C被充電:由于充電回路電阻很小,因而充電很快,uC和u2變化同步。當(dāng)ωt=π/2時(shí),u2達(dá)到峰值,C兩端的電壓也近似充至

u2值。第57頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月在橋式整流電路中加電容進(jìn)行濾波器與半波整流濾波電路工作原理是一樣的,不同點(diǎn)是在u2全周期內(nèi),電路中總有二極管導(dǎo)通,所以u(píng)2對(duì)電容C充電兩次,電容器向負(fù)載放電的時(shí)間縮短,輸出電壓更加平滑,平均電壓值也自然升高。這里不再贅述。橋式整流電容濾波電路及波形如圖1.21所示。第58頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第59頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.21橋式整流電容濾波電路及波形

(a)電路;(b)波形第60頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

3)元件選擇

(1)電容選擇:濾波電容C的大小取決于放電回路的時(shí)間常數(shù),RLC愈大,輸出電壓脈動(dòng)就愈小,通常取RLC為脈動(dòng)電壓中最低次諧波周期的3~5倍,即

2)負(fù)載上電壓的計(jì)算(半波)(1.9)(半波、全波)(1.10)(橋式、全波)(1.11)(半波)(1.12)第61頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

4)電容濾波的特點(diǎn)電容濾波電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、輸出電壓高、脈動(dòng)小。但在接通電源的瞬間,將產(chǎn)生強(qiáng)大的充電電流,這種電流稱為“浪涌電流”;同時(shí),因負(fù)載電流太大,電容器放電的速度加快,會(huì)使負(fù)載電壓變得不夠平穩(wěn),所以電容濾波電路只適用于負(fù)載電流較小的場(chǎng)合。

(2)整流二極管的選擇。正向平均電流為(半波)(1.13)(橋式)(1.14)第62頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2.電感濾波電路電感線圈L和負(fù)載的串聯(lián)電路,同樣具有濾波作用,電路如圖1.22所示。整流濾波輸出的電壓,可以看成由直流分量和交流分量疊加而成。因電感線圈的直流電阻很小,交流電抗很大,故直流分量順利通過(guò),交流分量將全部降到電感線圈上,這樣在負(fù)載RL得到比較平滑的直流電壓。電感濾波電路的輸出電壓為(1.17)第63頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第64頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖1.22橋式整流電感濾波電路及波形

(a)電路;(b)波形第65頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月1.4特殊二極管前面主要討論了普通二極管,另外還有一些特殊用途的二極管,如穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管、光電二極管和變?nèi)荻O管等,現(xiàn)介紹如下。

1.穩(wěn)壓二極管

1)穩(wěn)壓二極管的工作特性穩(wěn)壓二極管簡(jiǎn)稱穩(wěn)壓管,它的特性曲線和符號(hào)如圖1.23所示。第66頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖1.23穩(wěn)壓二極管的特性曲線和符號(hào)

(a)伏安特性曲線;(b)符號(hào)第67頁(yè),課件共73頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

2)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)

(1)穩(wěn)定電壓UZ。穩(wěn)定電壓UZ即反向擊穿電壓。

(2)穩(wěn)定電流IZ。穩(wěn)定電流IZ是指穩(wěn)壓管工作至穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)流過(guò)的電流。當(dāng)穩(wěn)壓管穩(wěn)定電流小于最小穩(wěn)定

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