DS18B20數(shù)據(jù)手冊(cè)-中文版

精選精選概述DS18B20數(shù)字溫度傳感器供給9-Bit到個(gè)數(shù)據(jù)線〔以及地〕與微把握器進(jìn)展通信。該在溫度范圍超過(guò)-10℃至85℃之外時(shí)還具有據(jù)線供電而不需要外部電源供電。在建筑、設(shè)備及機(jī)械的溫度監(jiān)控系統(tǒng)，以及溫度過(guò)程把握系統(tǒng)中有著很大的優(yōu)勢(shì)。特性1-Wire總線接口僅需要一個(gè)管腳來(lái)通信。64位序列號(hào)。簡(jiǎn)潔。無(wú)需外圍元件。能夠承受數(shù)據(jù)線供電；供電范圍為3.0V至5.5V在建筑、設(shè)備及機(jī)械的溫度監(jiān)控系統(tǒng)，以及溫度過(guò)程把握系統(tǒng)中有著很大的優(yōu)勢(shì)。特性1-Wire總線接口僅需要一個(gè)管腳來(lái)通信。64位序列號(hào)。簡(jiǎn)潔。無(wú)需外圍元件。能夠承受數(shù)據(jù)線供電；供電范圍為3.0V至5.5V?！?55℃至+125℃〔-67℉至+25℉?！囟确秶^(guò)-10℃至85℃之外時(shí)具有+-0.5℃的精度。

DS18B20區(qū)分率可編程12-Bit的攝氏溫度測(cè)量精度和一個(gè)用戶可編程的非易失性且具有過(guò)溫存低溫觸發(fā)報(bào)警的報(bào)警12-Bit的攝氏溫度測(cè)量精度和一個(gè)用戶可編程的非易失性且具有過(guò)溫存低溫觸發(fā)報(bào)警的報(bào)警通信即僅承受一時(shí)到達(dá)750ms。用戶自定義非易失性的的溫度報(bào)警設(shè)置。自定義的設(shè)定值時(shí)。(150mils),8-PinμSOP，3-PinTO-92封裝。DS1822程序兼容。溫度傳感器，或者任何溫度檢測(cè)系統(tǒng)中。管腳定義圖·內(nèi)部溫度采集精度可以由用戶自定義為9-Bits12-Bits。DS18B20DS18B20精選精選訂購(gòu)信息零件溫度范圍-封裝頂部標(biāo)號(hào)DS18B20-55℃至+125℃3TO-9218B20DS18B20+-55℃至+125℃3TO-9218B20DS18B20/T&R-55℃至+125℃3TO-92〔2023片〕18B20DS18B20+T&R-55℃至+125℃3TO-92〔2023片〕18B20DS18B20-SL/T&R-55℃至+125℃3TO-92〔2023片〕*18B20DS18B20-SL+T&R-55℃至+125℃3TO-92〔2023片〕*18B20DS18B20U-55℃至+125℃8uSOP18B20DS18B20U+-55℃至+125℃8uSOP18B20DS18B20U/T&R-55℃至+125℃8uSOP〔3000片〕18B20DS18B20+T&R-55℃至+125℃8uSOP〔3000片〕18B20DS18B20Z-55℃至+125℃8SODS18B20DS18B20Z+-55℃至+125℃8SODS18B20DS18B20Z/T&R-55℃至+125℃8SO〔2500片〕DS18B20DS18B20Z+T&R-55℃至+125℃8SO〔2500片〕DS18B20“+”號(hào)表示的是無(wú)鉛封裝?！?”會(huì)消滅在無(wú)鉛封裝的頂部標(biāo)號(hào)處。T&R=卷帶包裝。*TO-92封裝管腳管腳名管腳管腳名功能描述置空VDD引腳。VDD必需連接到地當(dāng)承受“寄生電源”供電時(shí)。1-Wire生電源”供電方式時(shí)，同時(shí)向設(shè)備供給電源?！苍斠?jiàn)“DS18B20的供電”章節(jié)〕地SOuSOPTO-92— N.C7、8 6、7383VDD412DQ5綜述41GND1DS18B20的內(nèi)部框圖。內(nèi)部的64位的ROM存儲(chǔ)其獨(dú)一無(wú)二的序列號(hào)。暫存存儲(chǔ)器〔Thescratchpadmemory〕2個(gè)字節(jié)寬度的溫度存放器。另外，暫9、10、11、12位精度。過(guò)溫存低溫〔THTL〕溫度報(bào)警存放器是非易失性的〔EEPROM，所以其可以在設(shè)備斷電的狀況下保存。DS18B20DS18B20精選精選Maxim1-Wire總線協(xié)議，該總線協(xié)議僅需要一個(gè)把握信號(hào)進(jìn)展3〔DQ64為序列號(hào)來(lái)識(shí)別該總線上的設(shè)備。由于每個(gè)設(shè)備都有一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的序列號(hào)，掛在一個(gè)總線上的設(shè)備理論上關(guān)系。DS18B20的另外一個(gè)特性就是可以無(wú)需外部電源供電。當(dāng)數(shù)據(jù)線DQ為高的時(shí)候由其為設(shè)備DS18B20VDD供電。說(shuō)明-溫度測(cè)量

1DS18B20內(nèi)部方框圖DS18B20的核心功能是直接溫度-數(shù)字測(cè)量。其溫度轉(zhuǎn)換可由用戶自定義為9、10、11、12位0.5℃、0.25℃、0.125℃、0.062512位轉(zhuǎn)換精度。DS18B20上電后工作在低功耗閑置狀態(tài)下。主設(shè)備必需向DS18B20發(fā)送溫度轉(zhuǎn)換命令[44h]才能開(kāi)頭溫度轉(zhuǎn)換。溫度轉(zhuǎn)換后，溫度轉(zhuǎn)換的值將會(huì)保存在暫存存儲(chǔ)器的溫度存放器中，并且DS18B20將會(huì)恢復(fù)到閑置狀態(tài)。假設(shè)DS18B20是由外部供電，當(dāng)發(fā)送完溫度轉(zhuǎn)換命令[44h]后，DS18B2001DS18B20是由“寄生電源”供電，供電方式將會(huì)在“DS18B20的供電”章節(jié)中具體講解。DS18B20的溫度輸出數(shù)據(jù)時(shí)在攝氏度下校準(zhǔn)的；假設(shè)是在華氏度下應(yīng)用的話，可以用查表法或16〔詳2。符號(hào)標(biāo)志位S〕S=0S=1DS18B20被定義為1211bit0為未10bit1bit09bit2、bit1bit01為在12位轉(zhuǎn)換精度下溫度輸出數(shù)據(jù)與相對(duì)應(yīng)溫度之間的關(guān)系表。2溫度存放器格式1溫度/數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)關(guān)系*上電復(fù)位時(shí)溫度存放器中的值為+85℃。說(shuō)明-溫度報(bào)警DS18B20THTL存放器〔3〕中的值進(jìn)展比較。符號(hào)標(biāo)志位〔S〕S=0S=1。過(guò)溫存低溫THTL〔EEPROM下保存。過(guò)溫存低溫〔THTL〕溫度報(bào)警存放器在“存放器”章節(jié)中可以解釋為暫存存放器2、3個(gè)字節(jié)。3過(guò)溫存低溫〔THTL〕溫度報(bào)警存放器〔THTL〕8位的存放器，所以在于其比較時(shí)溫度411TL及大于或等于TH，DS18B20內(nèi)部的報(bào)警標(biāo)志位將會(huì)被置位。該標(biāo)志位在每次溫度轉(zhuǎn)換之后都會(huì)更，因此，如報(bào)警把握消逝，該標(biāo)志位在溫度轉(zhuǎn)換之后將會(huì)關(guān)閉。主設(shè)備可以通過(guò)報(bào)警查詢命令[Che]DS18B20設(shè)備的報(bào)警標(biāo)志位。任何一個(gè)DS18B20〔THTL〕溫度報(bào)警存放器已經(jīng)被轉(zhuǎn)變，則下一個(gè)溫度轉(zhuǎn)換值必需驗(yàn)證其溫度報(bào)警標(biāo)志位。DS18B20的供電DS18B20可以不承受當(dāng)?shù)氐耐獠侩娫垂╇姸鴮?shí)現(xiàn)其功能1DS18B20的“寄生電源”把握電路，其由DQ口拉高時(shí)向其供電?？偩€拉高的時(shí)候?yàn)閮?nèi)部電容〔Cpp〕充電，當(dāng)總線拉低是由該電容向設(shè)備供電。DS18B20VDD引腳必需連接到地。Cpp可以供給應(yīng)DS18B20足夠的電流來(lái)完成各種工作以及滿足供電電壓〔/。然而，當(dāng)DS18B20EEPROM時(shí)，其工作電流將會(huì)高至1.5mA1-Wire總線上的上拉電阻供給的電流將會(huì)引起不行承受的電壓跌落，同時(shí)將會(huì)有很DS18B201-Wire總線上供給一個(gè)強(qiáng)有力的上拉，不管此時(shí)在進(jìn)展溫度轉(zhuǎn)換還是正將暫存存放器中的值拷貝至EEPROM中。圖4或暫存存放器拷貝命令[48h]10uS后供給一個(gè)強(qiáng)有力的上拉，同時(shí)在期間總線必需始終強(qiáng)制拉高。當(dāng)強(qiáng)制拉高1-Wire總線上不允許有任何其他動(dòng)作。固然，DS18B20VDD引腳的供電方式，如圖5所示。這種供電方式具有不需要上拉的MOSFET1-Wire總線在溫度轉(zhuǎn)換期間可執(zhí)行其他動(dòng)作的優(yōu)點(diǎn)。“寄生電源”供電方式在溫度超過(guò)+100℃時(shí)不推舉使用，由于在超過(guò)該溫度下時(shí)將會(huì)有很大DS18B20由外部供電電源供電。在某些狀況下，總線上的主設(shè)備可能不知道連接到該總線上的DS18B20是由“寄生電源”供電還是由外部電源供電。此時(shí)該主設(shè)備就需要得到一些信息來(lái)打算在溫度轉(zhuǎn)換期間是否要強(qiáng)制拉高。為了得到這些信息，主設(shè)備可以在發(fā)送一個(gè)跳過(guò)ROM命令[CCh]之后再發(fā)送一個(gè)讀取供電方式命令[B4h]再緊跟一個(gè)“讀取數(shù)據(jù)時(shí)序DS18B20將會(huì)將總線拉低，但是，由外部供電方式的DS18B20將會(huì)讓該總線連續(xù)保持高。所以，假設(shè)總線被拉低，主設(shè)備就必需要在溫度轉(zhuǎn)換期間將總線強(qiáng)制拉高。4“寄生電源”供電方式DS18B20DS18B20精選精選5外部電源供電方式64ROM編碼每片DS18B20的片內(nèi)ROM中都存有一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的64位的編碼。在該內(nèi)ROM編碼的低8DS18B20的分類編碼：28h。中間的48位保存有獨(dú)一無(wú)二的序列號(hào)。最高8位保存片內(nèi)ROMDS18B201-Wire總線協(xié)議上的設(shè)備。64ROM編碼存儲(chǔ)器DS18B20的存儲(chǔ)器組織構(gòu)造如圖7SRAM暫存存放器和存儲(chǔ)著過(guò)溫存的溫度報(bào)警功能沒(méi)有用到的時(shí)候，過(guò)溫存低溫〔THTL〕溫度報(bào)警存放器可以當(dāng)做通用功能的存儲(chǔ)單元。全部的存儲(chǔ)命令在“DS18B20功能命令”章節(jié)有具體描述。3作為過(guò)溫存低溫〔THTL〕溫度報(bào)警存放器。Byte4保存著配置存放器的數(shù)據(jù)，詳見(jiàn)“配置存放器”章節(jié)。Byte5、6、7作為內(nèi)部使用的字節(jié)而保存使用，不行被寫(xiě)入。Byte8Byte0Byte7的循環(huán)冗余校章節(jié)中有具體描述。[4Eh]Byte2、3、4DS18B20中的數(shù)據(jù)Byte2中最低位開(kāi)頭。為了驗(yàn)證寫(xiě)入數(shù)據(jù)的完整性，該暫存存放器可以在寫(xiě)入后再讀出來(lái)〔承受讀暫存存放器命令[BEh]。當(dāng)從暫存存放器中讀數(shù)據(jù)時(shí)，從1-Wire總線傳送的數(shù)據(jù)是以〔THTL〕溫度報(bào)警值及配置存放EEPROM中，主設(shè)備必需承受拷貝暫存存放器命令[48h]。EEPROM的值將會(huì)EEPROM存放器中的數(shù)據(jù)也可以通過(guò)將數(shù)據(jù)裝載至?xí)捍娲娣牌髦?。主設(shè)備可以在產(chǎn)生讀時(shí)序后，緊跟著EEPROMDS18B200電平，假設(shè)重裝載1電平。DS18B20存儲(chǔ)器圖配置存放器Byte482R0R1的值DS18B20的區(qū)分率。上電默認(rèn)為R0=1R1=1〔12位區(qū)分率。需要留意的是，轉(zhuǎn)換時(shí)間與區(qū)分率之間是有制約關(guān)系的。Bit7Bit0Bit4作為內(nèi)部使用而保存使用，不行被寫(xiě)入。7配置存放器2溫度區(qū)分率配置循環(huán)冗余校驗(yàn)〔CRC〕計(jì)算算字節(jié)。ROM編碼的循環(huán)冗余校驗(yàn)〔CRC〕ROM56位計(jì)算而來(lái)，并且該CRC計(jì)算值存儲(chǔ)在ROM編碼的最高8CRC值是由存儲(chǔ)在暫存存放器中的值計(jì)算而來(lái)，故當(dāng)暫存存放器中的值發(fā)生轉(zhuǎn)變后，該CRC值也會(huì)隨之發(fā)生轉(zhuǎn)變。當(dāng)總線上的主設(shè)備從DS18B20中讀取數(shù)據(jù)時(shí)循環(huán)冗余校驗(yàn)〔CRC〕值給主設(shè)備供給一個(gè)數(shù)據(jù)驗(yàn)證碼。為了驗(yàn)證讀取到的數(shù)據(jù)是正確的，主設(shè)備必需依據(jù)讀取到的數(shù)據(jù)重進(jìn)展CRC計(jì)算，計(jì)算得到的值再與ROM編CRC〔64位ROM中讀取到的〕或者暫存存放器CRC〔從暫存存放器中讀取到的〕作比較。假設(shè)主設(shè)備計(jì)算得到的CRC值與讀取到的CRC值相匹配，則讀取到的數(shù)據(jù)為正確的。CRC計(jì)算值與讀取值的比較以及是否執(zhí)行下一個(gè)動(dòng)作都是由總線上的主設(shè)備打算的。假設(shè)主設(shè)備計(jì)算的DS18B20中〔ROM或暫存存放器〕CRC值不匹配，DS18B20內(nèi)部沒(méi)有任何電路能夠阻擋從主設(shè)備發(fā)送過(guò)來(lái)的命令。CRC校驗(yàn)〔ROM或暫存存放器〕的多項(xiàng)式等效公式為：CRCX8X5X419CRCDS18B20中讀取得到的值進(jìn)展比較。該電路包括有左移存放器和異或門(mén)〔XO0ROM編碼的最低位或暫存存放器的Byte0字節(jié)的最低位開(kāi)頭，每一步都必需有一位左移進(jìn)入左移存放器中。當(dāng)ROM56Byte7字節(jié)的最高位左移后，該多項(xiàng)式計(jì)算式將會(huì)保存CRC校驗(yàn)值。下一步，將從DS18B20中的ROM編碼中或暫存存放器中讀取到的CRC校驗(yàn)值左CRC值為正確的，則該計(jì)算式中的全部左移存放UnderstandingandUsingCyclicRedundancyCheckswithMaximiButtonProducts.CRC計(jì)算式1-Wire總線系統(tǒng)DS18B20始終是一個(gè)從設(shè)備。當(dāng)總線上只有一個(gè)從設(shè)備時(shí)，此系統(tǒng)被稱為“單節(jié)點(diǎn)”系統(tǒng)；當(dāng)總線上有多個(gè)從設(shè)備連接時(shí)，此系統(tǒng)被稱之為“多節(jié)點(diǎn)”系統(tǒng)。1-Wire總線上全部的命令或者數(shù)據(jù)的發(fā)送送都是遵循低位先發(fā)送的原則。1-Wire總線信號(hào)〔信號(hào)定義和時(shí)序。硬件配置1-Wire總線被定義為僅有一根數(shù)據(jù)線。每個(gè)設(shè)備〔主設(shè)備或從設(shè)備〕3態(tài)門(mén)引腳連接至數(shù)據(jù)線上。這就允許每個(gè)設(shè)備“釋放”數(shù)據(jù)線，當(dāng)設(shè)備沒(méi)有傳遞數(shù)據(jù)的時(shí)其他設(shè)總線接口〔DQ引腳〕是其內(nèi)部電路組成的漏極開(kāi)路〔10所示。1-Wire5kΩ左右的外部上拉電阻；因此，1-Wire總線在閑置狀況下是高電平。假設(shè)由于任何緣由一個(gè)大事需要被取消，且該大事要重開(kāi)頭則該總線必需先進(jìn)入閑置狀態(tài)。Infiniterecoverytimecanoccurbetweenbitssolongasthe1-Wirebusisintheinactive(high)stateduringtherecoveryperiod480uS，則該總線上的全部設(shè)備都會(huì)復(fù)位。硬件配置大事序列第一步：初始化DS18B20DS18B20精選精選其次步：ROM命令〔緊跟任何數(shù)據(jù)交換懇求〕第三步：DS18B20功能命令〔緊跟任何數(shù)據(jù)交換懇求〕每次對(duì)DS18B20沒(méi)有執(zhí)行，則DS18B20將不會(huì)響應(yīng)。除了ROM搜尋命令[F0h]和報(bào)警搜尋命令[ECh]之外。當(dāng)執(zhí)ROM命令之后，主設(shè)備必需回到上述步驟中的第一步。初始化1-Wire總線上的全部大事都必需以初始化為開(kāi)頭。初始化序列由總線上的主設(shè)備發(fā)出的復(fù)位脈沖以及緊跟著從設(shè)備回應(yīng)的存在脈沖構(gòu)成。該回應(yīng)脈沖讓總線上的主設(shè)備知道在該總線上有從設(shè)備〔DS18B2，并且已經(jīng)預(yù)備好進(jìn)展操作。復(fù)位及存在脈沖時(shí)序詳見(jiàn)“1-Wire節(jié)。ROM命令ROM無(wú)二的64位ROM編碼進(jìn)展操作的，當(dāng)總線上連接有多個(gè)設(shè)備時(shí)，可以通過(guò)這些命令識(shí)別各個(gè)設(shè)備。這些命令同時(shí)也可以使主設(shè)備確定該總線上有多少個(gè)什么類型的設(shè)備或者有溫度報(bào)警信號(hào)的設(shè)備?？偣舶?種ROM命令，每個(gè)命令的長(zhǎng)度都是8Bit。主設(shè)備在執(zhí)行DS18B20功能命令ROM命令。ROM11所示。ROM[F0h]ROM編碼，這樣就可以使ROM編碼是一個(gè)去除的過(guò)程，則主設(shè)備要依據(jù)需要循環(huán)地發(fā)送搜尋ROM[F0h]〔搜尋ROM命令跟隨著數(shù)據(jù)交換來(lái)確定總線上全部ROM命令〔下一段落有詳解〕ROM的過(guò)程。ROM[33h]該命令在總線上僅有一個(gè)從設(shè)備時(shí)才能使用。該命令使得總線上的主設(shè)備不需要搜尋ROM命令過(guò)程就可以讀取從設(shè)備的64位ROM則當(dāng)全部從設(shè)備都會(huì)回應(yīng)時(shí)，將會(huì)引起數(shù)據(jù)沖突。ROM[55h]該匹配ROM命令之后跟隨發(fā)送64位的ROM編碼使得總線上的主設(shè)備能夠匹配特定的從設(shè)備。只有完全匹配該64位ROM編碼的從設(shè)備才會(huì)響應(yīng)總線上的主設(shè)備發(fā)出的功能命令；總線上的其他從設(shè)備將會(huì)等待下下一個(gè)復(fù)位脈沖。跳過(guò)ROM[CCh]ROM編碼命令。例如，主設(shè)備通過(guò)向總線上全部的DS18B20ROM命令后再發(fā)送溫度轉(zhuǎn)換[44h]全部設(shè)備將會(huì)同時(shí)執(zhí)行溫度轉(zhuǎn)。需要留意的是，當(dāng)總線上僅有一個(gè)從設(shè)備時(shí)，讀取暫存存放器[BEh]命令后面可以跟隨跳過(guò)64ROM編碼。當(dāng)總線ROM命令后再發(fā)送讀取暫存存放器命令，則全部的從設(shè)備將會(huì)同時(shí)開(kāi)頭傳送數(shù)據(jù)而導(dǎo)致總線上的數(shù)據(jù)沖突。警報(bào)搜尋[ECh]ROM命令根本一樣，但是不同的是只有警報(bào)標(biāo)志置位的從設(shè)備才會(huì)響DS18B20〔初始化。詳見(jiàn)“操作報(bào)警信號(hào)”章節(jié)。DS18B20功能命令DS18B20能夠進(jìn)展通信時(shí)，主設(shè)備可以向其中DS18B20DS18B20的暫存存放器寫(xiě)入或者讀出DS18B203中總結(jié)及12中的流程圖。溫度轉(zhuǎn)換[44h]2個(gè)字節(jié)長(zhǎng)度的溫度存放器中，之后DS18B20恢復(fù)到低功耗的閑置狀態(tài)。假設(shè)該設(shè)備是承受的“寄生電10u〔最大“DS18B20。假設(shè)該設(shè)備是承受的外部供電模式，主設(shè)備在溫度轉(zhuǎn)換命令之后可以執(zhí)行讀取數(shù)據(jù)時(shí)序，假設(shè)DS18B20正在進(jìn)展溫度轉(zhuǎn)換則會(huì)響應(yīng)0電平，溫度轉(zhuǎn)換完成則響應(yīng)1電平。在“寄生電源”供電模式下，由于在整個(gè)溫度轉(zhuǎn)換期間總線都是強(qiáng)制拉高的狀態(tài)，故不會(huì)有上述響應(yīng)。寫(xiě)入暫存存放器[4Eh]DS18B203個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)。第一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入TH存放器〔暫存存放器的Byte2TL存放器〔Byte3數(shù)據(jù)寫(xiě)入配置存放器〔Byte寫(xiě)入之前主設(shè)備必需先對(duì)從設(shè)備復(fù)位，否則數(shù)據(jù)將會(huì)損壞。讀取暫存存放器[BEh]該命令使得主設(shè)備可以讀取暫存存放器中存儲(chǔ)的值。Byte09個(gè)字節(jié)〔Byte8CRC〕主設(shè)備假設(shè)只需要暫存存放器中的局部數(shù)據(jù)，則可以在讀取數(shù)據(jù)中通過(guò)復(fù)位來(lái)終止?？截悤捍娲娣牌鱗48h]TH、TL及配置存放器〔Byte2，Byte3Byte4〕的值拷貝至EEPROM中。假設(shè)該設(shè)備承受的“寄生電源”供電模式，在該命令發(fā)送后10us〔最大〕內(nèi)主設(shè)備1-Wire10ms。如“DS18B20的供電”章節(jié)中詳述。EEPROM[B8h]Byte2，Byte3Byte4EEPROM命令之后執(zhí)行讀取數(shù)據(jù)時(shí)序，假設(shè)DS18B20EEPROM0電平，召回EEPROM1電平。召回?cái)?shù)據(jù)操作在上電初始化后會(huì)自動(dòng)執(zhí)行一次，所以設(shè)備在上電期間暫存存放器中始終會(huì)有有效的數(shù)據(jù)。讀取供電模式[B4h]DS18B20DS18B20DS18B20則會(huì)釋放總線讓其保持在高電平。更多具體請(qǐng)參閱“DS18B20的供電”章節(jié)3DS18B20的功能命令DS18B20DS18B20精選精選11ROM命令流程圖12DS18B20功能命令流程圖1-Wire總線信號(hào)DS18B20承受嚴(yán)謹(jǐn)?shù)?-Wire總線通信協(xié)議來(lái)保證數(shù)據(jù)的完整性。該協(xié)議定義多個(gè)信號(hào)形式：復(fù)位脈沖，存在脈沖，寫(xiě)0，寫(xiě)1，讀0，讀1。主設(shè)備執(zhí)行除了存在脈沖外的全部其他信號(hào)。初始化程序—復(fù)位和存在脈沖與DS18B20DS18B20響應(yīng)的存在脈沖組成。如圖13所示。當(dāng)DS18B20響應(yīng)復(fù)位信號(hào)的存在脈沖后，則其向主設(shè)備說(shuō)明其在該總線上，并且已經(jīng)做好操作命令。DS18B20DS18B201-Wire總線超過(guò)480us〔TX〕復(fù)位脈沖。之后主設(shè)備釋放總線而進(jìn)入接收模式RX5kΩ1-Wire總線DS18B2015us60us1-Wire總線拉60us240us來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)送一個(gè)存在脈沖。13初始化時(shí)序讀/寫(xiě)時(shí)段主設(shè)備通過(guò)寫(xiě)時(shí)段向DS18B20中寫(xiě)入數(shù)據(jù)，通過(guò)讀時(shí)段從DS18B20中讀取數(shù)據(jù)。1-Wire總線上每一個(gè)讀寫(xiě)時(shí)段只能傳送一個(gè)位的數(shù)據(jù)。寫(xiě)時(shí)段1”時(shí)段和“寫(xiě)0”時(shí)段。主設(shè)備通過(guò)寫(xiě)1DS18B20中寫(xiě)入10DS18B20060us的持續(xù)時(shí)間且獨(dú)立的寫(xiě)時(shí)段間至少有1us的恢復(fù)時(shí)間。兩個(gè)寫(xiě)時(shí)段都是由主設(shè)備通過(guò)將1-Wire總線拉低來(lái)進(jìn)展初始化〔14。為了形成寫(xiě)1時(shí)段，在將1-Wire總線拉低后，主設(shè)備必需在15us之內(nèi)釋放總線。當(dāng)總線釋放后，5kΩ的上拉電阻將總線拉至高。為了形成寫(xiě)0時(shí)段，在將1-Wire總線拉低后，在整個(gè)時(shí)段期間主設(shè)備必需始終拉低總線〔60us。在主設(shè)備初始化寫(xiě)時(shí)段后，DS18B20將會(huì)在15us至60us的時(shí)間窗口內(nèi)對(duì)總線進(jìn)展采樣。假設(shè)總線在采樣窗口期間是高電平，則規(guī)律1被寫(xiě)入DS18B20；假設(shè)總線是低電平，則規(guī)律0被寫(xiě)入DS18B20。14讀/寫(xiě)時(shí)段時(shí)序圖精選DS18B20DS18B20精選精選讀時(shí)段能向主設(shè)備傳送數(shù)據(jù)因此主設(shè)備在執(zhí)行完讀暫存存放器[BEh]或讀取供電模式[B4h]后，必需準(zhǔn)時(shí)地生成讀時(shí)段，這樣DS18B20才能供給所需的數(shù)據(jù)。此外，主設(shè)備可以在執(zhí)行完轉(zhuǎn)換溫度 [44h]或拷貝EEPROM[B8h]命令后生成讀時(shí)段，以便獲得在“DS18B20功能命令”章節(jié)中提到的操作信息。每個(gè)讀時(shí)段最小必需有60us的持續(xù)時(shí)間且獨(dú)立的寫(xiě)時(shí)段間至少有1us1us再釋放總線來(lái)實(shí)現(xiàn)初始化〔14DS18B2001。DS18B201，將總線拉至低來(lái)發(fā)送規(guī)律0。當(dāng)發(fā)送完0后，DS18B20將會(huì)釋放總線，則通過(guò)上拉電阻該總線將會(huì)恢復(fù)到高電平的閑置狀態(tài)。從DS18B20中輸出的數(shù)據(jù)在初始化讀時(shí)序后僅有15us的有效時(shí)間。因此，主設(shè)備在15us之內(nèi)必需釋放總線，并且對(duì)總線進(jìn)展采樣。Tsample15us。TinitTrc盡可能的短，同時(shí)主設(shè)備必需在讀時(shí)段15us時(shí)間內(nèi)采樣。相關(guān)應(yīng)用筆記ThefollowingapplicationnotescanbeappliedtotheDS18B20andareavailableonourwebsiteat“://maxim-ic/“maxim-ic.ApplicationNote27:UnderstandingandUsingCyclicRedundancyCheckswithMaximiButtonProductsApplicationNote122:UsingDallas”1-WireICsin1-CellLi-IonBatteryPackswithLow-SideN-ChannelSafetyFETsMasterApplicationNote126:1-WireCommunicationThroughSoftwareApplicationN