《集成電路封裝用低α放射性球形二氧化硅微粉》（征求意見稿）編制說明

《集成電路封裝用低α放射性球形二氧化硅微粉》（征求意見稿）編制說明），日本龍森公司（TATSΜMORI）和日本新日鐵（NSC）公司三家企業(yè)占據(jù)了全5G通訊技術(shù)的快速發(fā)展及強(qiáng)勢倒逼，我國對球形二氧化硅制備技術(shù)重視程中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)2022年11-12月，對集成電路封裝用低α放射性球形二氧化硅微粉的標(biāo)準(zhǔn)日本龍森公司（TATSΜMORI）和日本新日鐵（NSC）公司、日本雅都瑪公司（ADMATECHS）等現(xiàn)有產(chǎn)品質(zhì)量，填補(bǔ)行業(yè)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)體系空白，改變國內(nèi)中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)務(wù)，對于測試結(jié)果的適用性和穩(wěn)定性等部分[項(xiàng)目來源：內(nèi)容包括任務(wù)主管部門、項(xiàng)目發(fā)布文件號(hào)、本項(xiàng)目編號(hào)和發(fā)起單位完整名稱、聯(lián)合發(fā)起單位或主要參與起草單位完整名稱、主要工作過程、主要起草人及其所做的工作等]二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則和確定主要內(nèi)容的論據(jù)及解決的主要問題中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)燒失量、電導(dǎo)率、磁性物含量、放射性元素、萃取液電導(dǎo)率、pH等。上述評(píng)測持高端EMC、CCL行業(yè)健康發(fā)展，落實(shí)國家標(biāo)準(zhǔn)化戰(zhàn)略，提升國家在相關(guān)市[如技術(shù)指標(biāo)、參數(shù)、公式、性能要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則等的論據(jù)，包括試驗(yàn)、統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，解決的主要問題。修訂標(biāo)準(zhǔn)時(shí)應(yīng)列出與原標(biāo)準(zhǔn)的主要差異和水平對比]三、主要試驗(yàn)[或驗(yàn)證]情況分析[相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)情況的說明。如果在標(biāo)準(zhǔn)編制過程中識(shí)別出標(biāo)準(zhǔn)的某些技術(shù)內(nèi)容涉及專利，則應(yīng)列出相關(guān)專利的目錄及其使用理由]五、產(chǎn)業(yè)化情況、推廣應(yīng)用論證和預(yù)期達(dá)到的經(jīng)濟(jì)效果六、轉(zhuǎn)化國際標(biāo)準(zhǔn)和國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)情況[轉(zhuǎn)化國際標(biāo)準(zhǔn)和國外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的程度，以及與國際、國外同類標(biāo)準(zhǔn)水平的對比情況，國內(nèi)外關(guān)鍵指標(biāo)對比分析或與測試的國外樣品、樣機(jī)的相關(guān)數(shù)據(jù)對比情況]七、與現(xiàn)行相關(guān)法律、法規(guī)、規(guī)章及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性[與相關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和規(guī)章的符合性，特別是與強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性，以及與同類標(biāo)準(zhǔn)和標(biāo)準(zhǔn)體系中其他標(biāo)準(zhǔn)的協(xié)調(diào)性說明]中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會(huì)[內(nèi)容包括組織措施、技術(shù)措施、