常用電子元器件型號說明

常用電子元器件型號說明介紹元器件型號所代表的意思電子元器件的根本學(xué)問qcb整理2023-6-9名目第1章局部電氣圖形符號 4電阻器、電容器、電感器和變壓器 4半導(dǎo)體管 5其它電氣圖形符號 6\l“_TOC_250000“第2章常用電子元器件型號命名法及主要技術(shù)參數(shù) 7電阻器和電位器 7電阻器和電位器的型號命名方法 7電阻器的主要技術(shù)指標 9電阻器的標志內(nèi)容及方法 10電位器的主要技術(shù)指標 12電位器的一般標志方法 13第3章電容器 14電容器型號命名法 14電容器的主要技術(shù)指標 15電容器的標志方法 16第4章電感器 17電感器的分類 17電感器的主要技術(shù)指標 17電感器電感量的標志方法 17第5章半導(dǎo)體分立器件 18半導(dǎo)體分立器件的命名方法 18我國半導(dǎo)體分立器件的命名法 18國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件命名法 20美國半導(dǎo)體器件型號命名法 22日本半導(dǎo)體器件型號命名法 23常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù) 26常用整流橋的主要參數(shù) 27常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 27常用半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù) 28常用場效應(yīng)管主要參數(shù) 34第6章模擬集成電路 35模擬集成電路命名方法〔國產(chǎn)〕 35局部模擬集成電路引腳排列 36局部模擬集成電路主要參數(shù) 36第1章局部電氣圖形符號電阻器、電容器、電感器和變壓器圖形符號圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明電阻器一般符號扼流圖。注：符號中半3個可變電阻器或可調(diào)電阻器滑動觸點電位器帶磁芯連續(xù)可調(diào)的電感器雙繞組變壓器極性電容注：可增加繞組數(shù)目可變電容器或可調(diào)電容器繞組間有屏蔽的雙繞組變壓器注：可增加繞組數(shù)目雙聯(lián)同調(diào)可變電容器。注：可增加同調(diào)聯(lián)數(shù)在一個繞組上有抽頭的變壓器微調(diào)電容器半導(dǎo)體管圖形符號圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明(1)二極管的符號(2)JFET結(jié)型場效應(yīng)管N溝道P溝道發(fā)光二極管光電二極管PNP型晶體三極管穩(wěn)壓二極管NPN型晶體三極管變?nèi)荻O管全波橋式整流器其它電氣圖形符號圖形符號圖形符號名稱與說明圖形符號名稱與說明具有兩個電極的壓電加或接機殼或底板熔斷器導(dǎo)線的連接指示燈及信號燈導(dǎo)線的不連接揚聲器動合(常開)觸點開關(guān)蜂鳴器動斷(常閉)觸點開關(guān)接大地手動開關(guān)第2章常用電子元器件型號命名法及主要技術(shù)參數(shù)2.1電阻器和電位器第一局部：主稱其次局部：材料第三局部：特征分類第四局部：序號對主稱、材料一樣，僅第一局部：主稱其次局部：材料第三局部：特征分類第四局部：序號對主稱、材料一樣，僅性能指標、尺寸大小有差異，但根本不影響互換使用的產(chǎn)品，賜予同一序號；假設(shè)性能指標、尺寸大小明顯影響互換時，那么在序號后面用大寫字母作為區(qū)分代號。符號意義意義符號意義符號R電阻器T碳膜1電阻器一般電位器一般W電位器H合成膜2一般一般S有機實芯3超高頻――N無機實芯4高阻――J金屬膜5高溫――Y氧化膜6――――C沉積膜7周密周密I玻璃釉膜8高壓特別函數(shù)P硼碳膜9特別特別U硅碳膜G高功率――X線繞T可調(diào)――M壓敏W――微調(diào)G光敏D――多圈R熱敏B溫度補償用――C溫度測量用――P旁熱式――W穩(wěn)壓式――Z正溫度系數(shù)――例如：周密金屬膜電阻器第四局部：序號第三局部：類別〔周密〕第四局部：序號第三局部：類別〔周密〕其次局部：材料〔金屬膜〕第一局部：主稱〔電阻器〕多圈線繞電位器第四局部：序號第三局部：類別〔多圈〕第四局部：序號第三局部：類別〔多圈〕其次局部：材料〔線繞〕第一局部：主稱〔電位器〕電阻器的主要技術(shù)指標額定功率器在電路工作中所允許消耗的最大功率2所示。名稱額定功率〔W〕實芯電阻器名稱額定功率〔W〕實芯電阻器線繞電阻器薄膜電阻器125－126101525355075100150125102550100標稱阻值3所示。E24、E12和E6系列也適用于電位器和電容器。標稱值系列精度電阻器〔標稱值系列精度電阻器〔PF〕E245%E1210%－－E620%－10n，其中n為正整數(shù)或負整數(shù)。(3) 允許誤差等級4電阻的精度等級允許誤差(%) 等級符號 EXY HUWB允許誤差(%) 1 251020等級符號 CDF GJ〔I〕K〔II〕M〔III〕電阻器的標志內(nèi)容及方法文字符號直標法：用阿拉伯數(shù)字和文字符號兩者有規(guī)律的組合來表示標稱阻值，額和其次位小數(shù)阻值，其文字符號所表示的單位如表51R5表示，2K7表示，文字符號R文字符號RKMGT表示單位 歐姆() 千歐姆(103) 兆歐姆(106) 千兆歐姆(109) 兆兆歐姆(1012)例如：允許誤差允許誤差10%標稱阻值)1/8W型號1/8W，標稱阻值為，允許誤差為10%。色標法：色標法是將電阻器的類別及主要技術(shù)參數(shù)的數(shù)值用顏色〔色環(huán)或色點〕標注在它的外外表上。色標電阻〔色環(huán)電阻〕器可分為三環(huán)、四環(huán)、五環(huán)三種標法。其含義如圖12所示。黑00100棕11101紅22102橙33103黃44104綠55105藍66106紫77107灰88108白99109―20%~+50%金1015%銀10210%無色20%標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字0標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字0的個數(shù)允許誤差顏色第一位有效值其次位有效值倍率允許偏差三色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱電阻值〔允許誤差均為20%10102＝20%的電阻器。15103＝15k5%的電阻器。五色環(huán)電阻器的色環(huán)表示標稱值〔三位有效數(shù)字〕及精度。例如，色環(huán)為紅紫綠黃棕表示275104＝1%的電阻器。一般四色環(huán)和五色環(huán)電阻器表示允許誤差的色環(huán)的特點是該環(huán)離其它環(huán)的距離較遠的表示應(yīng)是表示允許誤差的色環(huán)的寬度是其它色環(huán)的〔1.5~2〕倍。有些色環(huán)電阻器由于廠家生產(chǎn)不標準，無法用上面的特征推斷，這時只能借助萬用表推斷。顏色第一位有效值其次位有效值第三位有效值倍率允許偏差黑000100棕1111011%紅2221022%橙333103黃444104綠5551050.5%藍666106紫7771070.1%灰888白999109金101銀102標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字標稱值第三位有效數(shù)字標稱值第一位有效數(shù)字標稱值其次位有效數(shù)字標稱值第三位有效數(shù)字0的個數(shù)允許誤差電位器的主要技術(shù)指標額定功率電位器的兩個固定端上允許耗散的最大功率為電位器的額定功率等于中心抽頭與固定端的功率。標稱阻值標在產(chǎn)品上的名義阻值，其系列與電阻的系列類似。允許誤差等級實測阻值與標稱阻值誤差范圍依據(jù)不同精度等級可允許20%、10%、5%、2%、1%的誤差。周密電位器的精度可達0.1%。阻值變化規(guī)律數(shù)形式，常用的有直線式、對數(shù)式和反轉(zhuǎn)對數(shù)式〔指數(shù)式在使用中，直線式電位器適合于作分壓器；反轉(zhuǎn)對數(shù)式〔指數(shù)式〕電位器適合于作收音機、錄音機、電唱機、電視機中的音量掌握器。修理時假設(shè)找不到同類品，可用直線式代替，但不宜用對數(shù)式代替。對數(shù)式電位器只適合于作音調(diào)掌握等。電位器的一般標志方法允許誤差10%標稱阻值允許誤差10%標稱阻值2W碳膜電位器允許誤差5%510允許誤差5%510額定功率1W線繞電位器第3章電容器電容器型號命名法部：主稱其次局部：部：主稱其次局部：材料第三局部：特征、分類第四局部：序號符意符符意義意義對主稱、材料相同，僅尺寸、性能指標略有不同，但根本不影響互使用的產(chǎn)品，賜予同一序號；假設(shè)尺寸性器SHDANGTE聚碳酸復(fù)合介JW金屬膜能指標的差異明微調(diào)顯；影響互換使鋁用時，那么在序鉭鈮號后面用大寫字母作為區(qū)分代合金號。鈦其他號義號號瓷介云母玻璃電解其他C瓷介1圓片非密－箔式非密封Y云母2管形非密－箔式非密封I玻璃釉3迭片密封－燒結(jié)粉密封O玻璃膜4獨石密封－燒結(jié)粉密封Z紙介5穿心－－－穿心J金屬化6支柱－－－－B聚苯乙7－－－無極性－電L滌綸8高壓高壓－－高壓C容Q漆膜9－－－特別特別例如：鋁電解電容器第四局部：序號第三局部：特征分類〔箔式〕其次局部：材料〔鋁〕第四局部：序號第三局部：特征分類〔箔式〕其次局部：材料〔鋁〕第一局部：主稱〔電容器〕圓片形瓷介電容器C C 1 1紙介金屬膜電容器第四局部：序號第三局部：特征分類〔金屬膜〕其次局部：材料〔紙介〕第四局部：序號第三局部：特征分類〔金屬膜〕其次局部：材料〔紙介〕第一局部：主稱〔電容器〕

第四局部：序號第三局部：特征分類〔圓片〕其次局部：材料〔瓷介質(zhì)〕第一局部：主稱〔電容器〕電容器的主要技術(shù)指標電容器的耐壓：常用固定式電容的直流工作電壓系列為1016254063，100V，160V，250V，400V。電容器容許誤差等級：常見的有七個等級如表7所示。+20%-30%+50%+20%-30%+50%-20%+100%-10%IVVVI容許誤差2%5%10%20%級別IIIIII標稱電容量：系列代號E24E12E6容許誤差系列代號E24E12E6容許誤差5%〔I〕或〔J〕10%〔II〕或〔K〕20%〔IIIm〕標稱容量10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,對應(yīng)值 33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,9010,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,68注：標稱電容量為表中數(shù)值或表中數(shù)值再乘以10n，其中n為正整數(shù)或負整數(shù)，單位為pF。電容器的標志方法直標法容量單位：FFnFpF1法拉=106微法=1012微微法，1微法=103納法=106微微法納法=103微微法例如：4n7—表示或4700pF，—表示F，51—表示51pF。1的兩位以上的數(shù)字表示單位為pF101100pF1的數(shù)字表示單位為F0.10.1F。pF10i10-223J代表示方法最為常見?！?〕色碼表示法這種表示法與電阻器的色環(huán)表示法類似，顏色涂于電容器的一端或從頂端向引線排列。色碼一般只有三種顏色，前兩環(huán)為有效數(shù)字，第三環(huán)為位率，單位為pF。有時色環(huán)較寬，如紅紅橙，兩個紅色環(huán)涂成一個寬的，表示22023pF。第4章電感器電感器的分類常用的電感器有固定電感器、微調(diào)電感器、色碼電感器等。變壓器、阻流圈、振蕩線圈、偏轉(zhuǎn)線圈、天線線圈、中周、繼電器以及延遲線和磁頭等，都屬電感器種類。電感器的主要技術(shù)指標電感量:在沒有非線性導(dǎo)磁物質(zhì)存在的條件下，一個載流線圈的磁通量與線圈中的電流成正比其比例常數(shù)稱為自感系數(shù)，用L表示，簡稱為電感。即：LI式中：＝磁通量 I＝電流強度固有電容：線圈各層、各匝之間、繞組與底板之間都存在著分布電容。統(tǒng)稱為電感器的固有電容。品質(zhì)因數(shù)：電感線圈的品質(zhì)因數(shù)定義為：QLR式中：－工作角頻率，L－線圈電感量，R－線圈的總損耗電阻額定電流：線圈中允許通過的最大電流。線圈的損耗電阻：線圈的直流損耗電阻。電感器電感量的標志方法直標法。單位HmHH數(shù)碼表示法。方法與電容器的表示方法一樣。色碼表示法。這種表示法也與電阻器的色標法相像，色碼一般有四種顏色，前兩種顏色為有效數(shù)字，第三種顏色為倍率，單位為H，第四種顏色是誤差位。第5章半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體分立器件的命名方法我國半導(dǎo)體分立器件的命名法第一局部其次局部第三局部第四局部第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用數(shù)字表示器件電極的數(shù)目用漢語拼音字母表示器件的材料和極性用漢語拼音字母表示器件的類型符號D意義低頻大功率管(f＜3MHz,AC高頻大功率管(f3MHzP1W)T管(f＜3MHz,P<1W)GC高頻小功率管(f3MHzP<1W)YBJCSBTFHPINJGCC半導(dǎo)體閘流管(可控硅整流器)體效應(yīng)器件雪崩管階躍恢復(fù)管場效應(yīng)器件半導(dǎo)體特別器件復(fù)合管PIN型管激光器件P1W)用漢語用數(shù)字拼音表表示器示規(guī)格件序號的區(qū)分代號符號意義符號意義符號意義2二極管AN型，鍺材料P 一般管BP型，鍺材料V 微波管CN型，硅材料W 穩(wěn)壓管DP型，硅材料C 參量管Z 整流管3三極管APNP型，鍺材料L 整流堆BNPNS 隧道管CPNP型，硅材料N 阻尼管DNPNU 光電器件E化合物材料K 開關(guān)管X 低頻小功率例：鍺材料PNP型低頻大功率三極管：3 A D 5 C規(guī)格號序號低頻大功率規(guī)格號序號低頻大功率PNP型、鍺材料三極管硅材料NPN型高頻小功率三極管：3 D G 201 B規(guī)格號序號高頻小功率規(guī)格號序號高頻小功率NPN型、鍺材料三極管N型硅材料穩(wěn)壓二極管：序號序號穩(wěn)壓管N型、硅材料二極管單結(jié)晶體管：3 A D 5 C規(guī)格號規(guī)格號耗散功率三個電極特種管半導(dǎo)體國際電子聯(lián)合會半導(dǎo)體器件命名法第一局部其次局部第三局部第四局部用字母表示第一局部其次局部第三局部第四局部用字母表示用數(shù)字或字母加數(shù)用字母對同一型號用字母表示類型及主要特性使用的材料字表示登記號者分檔符符符符符意義 意義 意義 意義 號 號 號 號 號檢波、開關(guān)和封閉磁路中的霍A MA鍺材料混頻二極管爾元件通用半導(dǎo)體B變?nèi)荻O管P光敏元件三器件的登記低頻小功率位C Q 發(fā)光器件 一類三極管 數(shù)B硅材料型器件使用低頻大功率 字R 小功率可控硅 同一登記號〕A三極管B隧道二極管 S 小功率開關(guān)管 同一型號器件CC 砷化鎵 高頻小功率一按某一參數(shù)進T 大功率可控硅 D三極管 個 行分檔的標志E復(fù)合器件 字 專用半導(dǎo)體U 大功率開關(guān)管D銻化銦及其它器件母器件的登記H磁敏二極管X倍增二極管加序號(同一類開放磁路中兩型器件使用K Y 整流二極管的霍爾元件 位 同一登記號)R復(fù)合材料高頻大功率穩(wěn)壓二極管即齊數(shù)L Z三極管 納二極管 字AF239AF239型某一參數(shù)的S檔一般用登記序號高頻小功率三極管鍺材料國際電子聯(lián)合會晶體管型號命名法的特點：A，B，C，D或R的晶體管，大都是歐洲制造的產(chǎn)品，或是按歐洲某一廠家專利生產(chǎn)的產(chǎn)品。第一個字母表示材料〔A表示鍺管，BNPN型或PNPC表示低頻小功率管，D表示低頻大功率管，F(xiàn)表示高頻小功率管，L表示高頻大功率管等等。假設(shè)記住了這些字母的意義，不查手冊也可以推斷出類別。例如，BL49型，一見便知是硅大功率專用三極管。第三局部表示登記挨次號。三位數(shù)字者為通用品；一個字母加兩位數(shù)字者為專用品，順序號相鄰的兩個型號的特性可能相差很大。例如，AC184為PNP型，而AC185那么為NPN型。第四局部字母表示同一型號的某一參數(shù)〔如hFEN

〕進展分檔。F型號中的符號均不反映器件的極性〔指NPN或PNP美國半導(dǎo)體器件型號命名法美國晶體管或其它半導(dǎo)體器件的型號命名法較混亂法，即美國電子工業(yè)協(xié)會〔EIA〕規(guī)定的晶體管分立器件型號的命名法。如表11所示。第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用符號表示用數(shù)字表示美國電子工業(yè)協(xié)會美國電子工業(yè)協(xié)會用字母表示用途的類型PN結(jié)的數(shù)目(EIA)注冊標志(EIA)登記挨次號器件分檔n個PN字挨次號n記結(jié)器件符號意義符號意義符號意義符號意義符號意義JAN1二極管J軍用品2三極管該器件已多該器件在美A在美國電B同一型3三個PNN子工業(yè)協(xié)位國電子工業(yè)C號的不無非軍用品結(jié)器件會注冊登數(shù)協(xié)會登記的D同檔別例：1)JAN2N2904JAN 2 N 29042)1N40011 N 4001

EIA登記序號EIA注冊標志三極管軍用品EIAEIA登記序號EIA注冊標志二極管美國晶體管型號命名法的特點：型號命名法規(guī)定較早，又未作過改進，型號內(nèi)容很不完備。例如，對于材料、極性、主要特性和類型，在型號中不能反映出來。例如，2N開頭的既可能是一般晶體管，也可能是場效應(yīng)管。因此，仍有一些廠家按自己規(guī)定的型號命名法命名。組成型號的第一局部是前綴，第五局部是后綴，中間的三局部為型號的根本局部。1N2N或3N或按美國專利在其它國家制造的產(chǎn)品。第四局部數(shù)字只表示登記序號，而不含其它意義。因此，序號相鄰的兩器件可能特性相差很大。例如，2N3464為硅NPN2N3465為N溝道場效應(yīng)管。不同廠家生產(chǎn)的性能根本全都的器件，都使用同一個登記號。同一型號中某些參數(shù)的差特別用后綴字母表示。因此，型號一樣的器件可以通用。登記序號數(shù)大的通常是近期產(chǎn)品。日本半導(dǎo)體器件型號命名法業(yè)標準〔JIS〕規(guī)定的命名法〔JIS－C－702〕命名的。義如表12所示。第六、七局部的符號及意義通常是各公司自行規(guī)定的。第六局部的符號表示特別的用途及特性，其常用的符號有：M－松下公司用來表示該器件符合日本防衛(wèi)廳海上防衛(wèi)隊參謀部有關(guān)標準登記的產(chǎn)品。N－松下公司用來表示該器件符合日本播送協(xié)會〔NHK〕有關(guān)標準的登記產(chǎn)品。Z－松下公司用來表示專用通信用的牢靠性高的器件。H－日立公司用來表示專為通信用的牢靠性高的器件。K－日立公司用來表示專為通信用的塑料外殼的牢靠性高的器件。T－日立公司用來表示收發(fā)報機用的推舉產(chǎn)品。G－東芝公司用來表示專為通信用的設(shè)備制造的器件。S－三洋公司用來表示專為通信設(shè)備制造的器件。第七局部的符號，常被用來作為器件某個參數(shù)的分檔標志。例如，三菱公司常用R，G，Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作為直流放大系數(shù)hFE的分檔標志。第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部S表示日本電子工用數(shù)字表示在日用字母表示用數(shù)字表示類型 用字母表示器件業(yè)協(xié)會〔EIAJ〕的 本電子工業(yè)協(xié)會 號或有效電極數(shù) 的極性及類型注冊產(chǎn)品 登記的挨次號 的改進產(chǎn)品符符符符符意義 意義 意義 意義 號 號 號 號 號光電(即光敏)A PNP型高頻管B PNP型低頻管0管及其組合C NPN型高頻管管11開頭，D NPN型低頻管表示在日本1二極管F P掌握極可控硅電子工業(yè)協(xié) AG N掌握極可控硅四會注冊登記 B兩個以上PN表示已在日本H N基極單結(jié)晶體管位2 的挨次號， C 用字母表結(jié)的其他晶 電子工業(yè)協(xié)會JP溝道場效應(yīng)管以不同公司性 D示對原來體管S (EIAJ)注冊登KN溝道場效應(yīng)管上能一樣的器 E型號的改具有四個有記的半導(dǎo)體分M雙向可控硅的3件可以使用F良產(chǎn)品效電極或具立器件數(shù)有三個PN結(jié)字號，其數(shù)字的晶體管越大越是近具有n個有效期產(chǎn)品n-電極或具有1n-1個PN結(jié)的晶體管例如：1〕2SC502A〔日本收音機中常用的中頻放大管〕S C 502 A2SC5022SC502型的改進產(chǎn)品日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號NPN型高頻三極管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品三極管〔兩個PN結(jié)〕2〕2SA495〔日本夏普公司GF－9494收錄機用小功率管〕日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號PNP日本電子工業(yè)協(xié)會登記挨次號PNP高頻管日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品三極管〔兩個PN結(jié)〕日本半導(dǎo)體器件型號命名法有如下特點：型號中的第一局部是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1〞表示二極管，用“2〞表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。其次局部均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品，而不表示材料和極性。A表示PNPJ表示P溝道場效應(yīng)三極管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。第四局部只表示在日本工業(yè)協(xié)會〔EIAJ〕注冊登記的挨次號，并不反映器件的性能，順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如， 2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記挨次號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記挨次號的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。第六、七兩局部的符號和意義各公司不完全一樣。日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標記的型號，常承受簡化標記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡化為D764，2SC502A簡化為C502A。在低頻管〔2SB和2SD型〕中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT100MHz，所以，它們也可當高頻管用。日本通常把Pcm1W的管子，稱做大功率管。常用半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)表13 局部半導(dǎo)體二極管的參數(shù)類型參數(shù)型號2AP9

/mA16

電流/mA

(在左欄電流值下)/V1

反向擊 穿電壓 /V /V40 20

反向電 零偏壓 流/A 電容/pF 時間/nsfH(MHz)15250 1一般檢波

2AP72AP11

25

5102AP17152AP1715101002AK12AK215013040102032002AK5200604021502AK101017050

150

10010

250

01 fH(MHz)40

2AK13

250

60 40 2 1502AK14

70 502CK70A~E102CK70A~E102CK71A~E20A30A202CK72A~E2CK73A~E3050B45C60B30C4042CK74A~D

1002CK75A~D1502CK75A~D150E90E602CK76A~D2002CZ52BH21256002CZ53BM615010002CZ54BM101501000整流二2CZ55BM2011501000極管2CZ56BB6532510001N4001400730150100051N5391539950501000101N54005408200350100010

D75

D50

1 5常用整流橋的主要參數(shù)參數(shù)不重復(fù)正向整流正向電反向漏參數(shù)不重復(fù)正向整流正向電反向漏最高工作反向工作電壓/V結(jié)溫/oC常見的分檔為：25，50，100，200，400，130500，600，700，800，900，1000型號浪涌電流/A電流/A壓降/V電/AQL11QL22QL4610QL510QL6201QL7QL840602315常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)表15 局部穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)工作電流為穩(wěn)定電環(huán)境溫度穩(wěn)定電環(huán)境溫度測試條件穩(wěn)定電流壓下<50oC流下穩(wěn)定電流下＜10oC參數(shù)穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電最大穩(wěn)定反向漏電動態(tài)電電壓溫度系最大耗散型號/V流/mA電流/mA流阻/數(shù)/10-4/oC功率/W2CW5171560-92CW5255270-82CW532CW5410413815030-6~4-3~52CW56271572CW57262082CW592CW60520193040992CW10350165120-6~42CW110207620912CW11316~19105240112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C103010常用半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù)3AX51(3AX31)型PNP型鍺低頻小功率三極管極限參數(shù)直流參數(shù)極限參數(shù)直流參數(shù)hFE40~15040~15030~10025~70VCE＝-1V IC＝50mAVCB＝-6V IE＝1mAVCB＝-2V IE＝0.5mA VCB＝-6VIE＝1mAf＝1kHzhfehFE色標分檔－－－－(紅)25~60；(綠)50~100；(藍)90~150B管腳EC原型號3AX31測試條件型號3AX51A3AX51B 3AX51C3AX51DPCM(mW)100100 100100Ta＝25oCICM(mA)100100 100100TjM(oC)7575 7575BVCBO(V)3030 3030IC＝1mABVCEO(V)1212 1824IC＝1mAICBO(A)1212 1212VCB＝-10VICEO(A)500500 300300VCE＝-6VIEBO(A)1212 1212VEB＝-6V交f(kHz)NF(dB)500－5008500－500－流參hie(k)hre(10)數(shù)hoe(s)80808080〔2〕3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管溝通68參數(shù)f(kHz)溝通68參數(shù)f(kHz)VCB＝-6V IE＝10mAhFE色標分檔(黃)40~55(綠)55~80(藍)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400B管腳EC型號3AX81A3AX81BPCM(mW)200200ICM(mA)200200極限TjM(oC)7575參數(shù)BVCBO(V)-20-30IC＝4mABVCEO(V)-10-15IC＝4mABVEBO(V)-7-10IE＝4mAICBO(A)3015VCB＝-6V直流ICEO(A)IEBO(A)10003070015VCE＝-6VVEB＝-6V參數(shù)VBES(V)VCE＝-1V IC＝175mAVCES(V)VCE＝VBE VCB＝0 IC＝200mAhFE40~27040~270VCE＝-1V IC＝175mA〔3〕3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管溝通參數(shù)f(kHz)－－8f溝通參數(shù)f(kHz)－－8f465VCB＝-6V IE＝10mAhFE色標分檔(黃)40~55(綠)55~80(藍)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400B管腳EC型號3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C測試條件PCM(mW)125125125125Ta=25oCICM(mA)125125125125極限TjM(oC)75757575參數(shù)BVCBO(V)-15-20-30-40IC＝1mABVCEO(V)-6-12-18-24IC＝2mABVEBO(V)-6-10-10-10IE＝1mAICBO(A)2520126VCB＝6VICEO(A)1000800600400VCE＝6V直流IEBO(A)2520126VEB＝6V參數(shù)VBES(V)VCE＝6V IC＝100mAVCES(V)VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mAhFE80~40040~18040~18040~180VCE＝1V IC＝100mA3DG100(3DG6)型NPN型硅高頻小功率三極管原型 號3DG6測試條件B管腳EC表原型 號3DG6測試條件B管腳EC型號3DG100A3DG100B3DG100C3DG100DPCM(mW)100100100100極ICM(mA)20202020限BVCBO(V)30403040IC＝100μA參BVCEO(V)20302030IC＝100μA數(shù)BVEBO(V)4444IE＝100AICBO(A)VCB＝10V直ICEO(A)VCE＝10V流IEBO(A)VEB＝參VBES(V)1111IC＝10mA IB＝1mA數(shù)VCES(V)1111IC＝10mA IB＝1mAhFE30303030VCE＝10VIC＝3mA交fT(MHz)150150300300V＝10VI＝3mAf＝100MHzR＝5CB E L流KP(dB)7777＝-6V I＝3mA f＝100MHzVCB E參數(shù)Cob(pF)4444VCB＝10VIE＝0hFE色標分檔(紅)30~60(綠)50~110(藍)90~160(白)>1503DG130(3DG12)NPN型硅高頻小功率三極管原型 號3DG12型 號3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D原型 號3DG12型 號3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D測試條件極限參數(shù)直流參數(shù)KP(dB)Cob(pF)hFE色標分檔610610610610VCB＝10V E50mA ＝100MHzVCB＝10V IE＝0(紅)30~60 (綠)50~110 (藍)90~160 (白)>150B管腳ECPCM(mW)700700700700ICM(mA)300300300300BVCBO(V)40604060IC＝100μABVCEO(V)30453045IC＝100μABVEBO(V)4444IE＝100AICBO(A)VCB＝10VICEO(A)1111VCE＝10VIEBO(A)VEB＝參數(shù)VBES(V)1111IC＝100mAIB＝10mAVCES(V)IC＝100mAIB＝10mAhFE30303030VCE＝10VIC＝50mAV＝10VI＝50mAf＝100MHzR＝fT(MHz)150150300300CB E L溝通5(5)9011~9018塑封硅三極管極限參數(shù)直流參數(shù)hFE極限參數(shù)直流參數(shù)hFE30303030303030管腳EBC型號(3DG)(3CX)(3DX)(3DG)(3CG)(3DG)(3DG)9011901290139014901590169018PCM(mW)200300300300300200200ICM(mA)203003001001002520BVCBO(V)20202025252530BVCEO(V)18181820202020BVEBO(V)5554444ICBO(A)0,5ICEO(A)11IEBO(A)0,5VCES(V)VBES(V)111111交fT(MHz)1008080500600流Cob(pF)44參數(shù)KP(dB)10hFE色標分檔(紅)30~60(綠)50~110(藍)90~160(白)>150常用場效應(yīng)管主要參