標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 24582-2023 多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定 酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法》與《GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定 多晶硅表面金屬雜質(zhì)》相比,在多個方面進(jìn)行了更新和改進(jìn)。
首先,新版標(biāo)準(zhǔn)對術(shù)語定義進(jìn)行了更加明確的界定,增加了部分新的專業(yè)術(shù)語,以適應(yīng)當(dāng)前技術(shù)的發(fā)展需求。同時,對于一些原有的術(shù)語也進(jìn)行了修訂,使得表述更為準(zhǔn)確,避免了可能存在的歧義。
其次,在樣品處理方法上,《GB/T 24582-2023》優(yōu)化了酸浸取步驟的具體操作流程,包括但不限于使用的酸種類、濃度以及處理時間等參數(shù),旨在提高金屬雜質(zhì)提取效率的同時保證數(shù)據(jù)的一致性和可靠性。
再者,關(guān)于儀器設(shè)備的要求,《GB/T 24582-2023》細(xì)化了電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)的技術(shù)指標(biāo),比如靈敏度、分辨率等,并新增了一些推薦使用條件下的最佳實踐指南,幫助實驗室更好地控制實驗過程中的變量因素,從而獲得更高質(zhì)量的數(shù)據(jù)結(jié)果。
此外,《GB/T 24582-2023》還擴(kuò)大了可檢測金屬元素范圍,并針對每種元素制定了詳細(xì)的分析方法及質(zhì)量控制措施,確保能夠全面覆蓋多晶硅生產(chǎn)過程中可能出現(xiàn)的各種微量金屬污染源。
最后,新版本加強(qiáng)了對實驗室內(nèi)質(zhì)量管理體系的要求,強(qiáng)調(diào)了通過實施有效的內(nèi)部審核程序來持續(xù)監(jiān)控并改善整個測試流程的重要性,以期達(dá)到國際先進(jìn)水平。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-08-06 頒布
- 2024-03-01 實施
下載本文檔
GB/T 24582-2023多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS77040
CCSH.17
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T24582—2023
代替GB/T24582—2009
多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定
酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
Testmethodformeasuringsurfacemetalimpuritycontentofpolycrystalline
silicon—Acidextraction-inductivelycoupledplasmamassspectrometrymethod
2023-08-06發(fā)布2024-03-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T24582—2023
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件代替酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)與
GB/T24582—2009《-》,
相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動外主要技術(shù)變化如下
GB/T24582—2009,,:
更改了適用范圍見第章年版的第章
a)(1,20091);
刪除了術(shù)語與縮略語見年版的第章
b)“”“”(20093);
更改了方法原理見第章年版的第章
c)(4,20094);
更改了干擾因素見第章年版的第章
d)(5,20095);
更改了試劑和材料見第章年版的第章
e)(6,20096);
更改了儀器設(shè)備見第章年版的第章
f)(7,20097)
更改了樣品要求見第章年版的第章
g)(8,20098);
更改了多晶硅塊表面金屬雜質(zhì)浸取方式見年版的
h)(9.4,20099.2);
更改了試驗數(shù)據(jù)處理見第章年版的第章
i)(10,200910);
更改了精密度見第章年版的第章
j)(11,200911);
更改了試驗報告見第章年版的第章
k)(12,200912)。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草單位亞洲硅業(yè)青海股份有限公司內(nèi)蒙古通威高純晶硅有限公司宜昌南玻硅材料
:()、、
有限公司青海芯測科技有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新疆大全新能源股份有限公司陜
、、、、
西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司洛陽中硅高科技有限公司新疆新特新能材料檢測中心有限公
、、
司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司新疆協(xié)鑫新能源材料
、、、
科技有限公司
。
本文件主要起草人尹東林鄭連基劉軍魏東亮蔡延國李素青侯海波田洪先劉文明
:、、、、、、、、、
薛心祿王彬于生海徐巖曹巖德姜士兵邱艷梅趙培芝萬首正趙娟龍申梅桂劉海月王春明
、、、、、、、、、、、、。
本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂
2009,。
Ⅰ
GB/T24582—2023
多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定
酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法
警示———使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實驗室工作的實踐經(jīng)驗本文件并未指出所有可能的安全問
。
題使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧┎⒈WC符合國家有關(guān)法律規(guī)定的條件
,,。
1范圍
本文件描述了用酸從多晶硅表面浸取金屬雜質(zhì)并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測多晶硅表面
,
金屬雜質(zhì)含量的方法
。
本文件適用于太陽能級多晶硅和電子級多晶硅表面堿金屬堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉
、、
鉀鈣鐵鎳銅鋅鋁等雜質(zhì)元素含量的測定測定范圍為
、、、、、、,0.01ng/g。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
電子級水
GB/T11446.1
潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級
GB/T25915.1—20211:
3術(shù)語和定義
本文件沒有需要界定的術(shù)語和定義
。
4方法原理
試料在硝酸氫氟酸去離子水的混合液中浸取一定的時間后通過進(jìn)樣系統(tǒng)將浸取液送進(jìn)高溫等
、、,
離子體源中并在高溫矩管中蒸發(fā)離解原子化和電離絕大多數(shù)金屬離子成為單價離子這些離子通
,、、,,
過錐接口進(jìn)入質(zhì)量分析器后根據(jù)質(zhì)荷比的不同依次分開在電感耦合等離子質(zhì)譜儀上測定
,。(ICP-MS)
待分析金屬元素的含量
。
5干擾因素
51取樣應(yīng)在潔凈室內(nèi)進(jìn)行并確認(rèn)取樣夾子以及樣品收納袋等無污染如需異地取樣應(yīng)將樣品密封
.,,,
在雙層袋中并保證傳遞過程中無破損取樣過程中避免樣品沾污
,。。
52測試前應(yīng)確認(rèn)
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