GB/T 24582-2023多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測(cè)定酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法

ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T24582—2023

代替GB/T24582—2009

多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測(cè)定

酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Testmethodformeasuringsurfacemetalimpuritycontentofpolycrystalline

silicon—Acidextraction-inductivelycoupledplasmamassspectrometrymethod

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T24582—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)與

GB/T24582—2009《-》,

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

GB/T24582—2009,,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20091);

刪除了術(shù)語與縮略語見年版的第章

b)“”“”(20093);

更改了方法原理見第章年版的第章

c)(4,20094);

更改了干擾因素見第章年版的第章

d)(5,20095);

更改了試劑和材料見第章年版的第章

e)(6,20096);

更改了儀器設(shè)備見第章年版的第章

f)(7,20097)

更改了樣品要求見第章年版的第章

g)(8,20098);

更改了多晶硅塊表面金屬雜質(zhì)浸取方式見年版的

h)(9.4,20099.2);

更改了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理見第章年版的第章

i)(10,200910);

更改了精密度見第章年版的第章

j)(11,200911);

更改了試驗(yàn)報(bào)告見第章年版的第章

k)(12,200912)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位亞洲硅業(yè)青海股份有限公司內(nèi)蒙古通威高純晶硅有限公司宜昌南玻硅材料

:()、、

有限公司青海芯測(cè)科技有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新疆大全新能源股份有限公司陜

、、、、

西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司洛陽中硅高科技有限公司新疆新特新能材料檢測(cè)中心有限公

、、

司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司江蘇鑫華半導(dǎo)體科技股份有限公司新疆協(xié)鑫新能源材料

、、、

科技有限公司

。

本文件主要起草人尹東林鄭連基劉軍魏東亮蔡延國(guó)李素青侯海波田洪先劉文明

:、、、、、、、、、

薛心祿王彬于生海徐巖曹巖德姜士兵邱艷梅趙培芝萬首正趙娟龍申梅桂劉海月王春明

、、、、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2009,。

Ⅰ

GB/T24582—2023

多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測(cè)定

酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法

警示———使用本文件的人員應(yīng)有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)本文件并未指出所有可能的安全問

。

題使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧┎⒈ＷC符合國(guó)家有關(guān)法律規(guī)定的條件

,,。

1范圍

本文件描述了用酸從多晶硅表面浸取金屬雜質(zhì)并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測(cè)多晶硅表面

,

金屬雜質(zhì)含量的方法

。

本文件適用于太陽能級(jí)多晶硅和電子級(jí)多晶硅表面堿金屬堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉

、、

鉀鈣鐵鎳銅鋅鋁等雜質(zhì)元素含量的測(cè)定測(cè)定范圍為

、、、、、、,0.01ng/g。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

電子級(jí)水

GB/T11446.1

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20211:

3術(shù)語和定義

本文件沒有需要界定的術(shù)語和定義

。

4方法原理

試料在硝酸氫氟酸去離子水的混合液中浸取一定的時(shí)間后通過進(jìn)樣系統(tǒng)將浸取液送進(jìn)高溫等

、、,

離子體源中并在高溫矩管中蒸發(fā)離解原子化和電離絕大多數(shù)金屬離子成為單價(jià)離子這些離子通

,、、,,

過錐接口進(jìn)入質(zhì)量分析器后根據(jù)質(zhì)荷比的不同依次分開在電感耦合等離子質(zhì)譜儀上測(cè)定

,。(ICP-MS)

待分析金屬元素的含量

。

5干擾因素

51取樣應(yīng)在潔凈室內(nèi)進(jìn)行并確認(rèn)取樣夾子以及樣品收納袋等無污染如需異地取樣應(yīng)將樣品密封

.,,,

在雙層袋中并保證傳遞過程中無破損取樣過程中避免樣品沾污

,。。

52測(cè)試前應(yīng)確認(rèn)