GB/T 1555-2023半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1555—2023

代替GB/T1555—2009

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

Testmethodsfordeterminingtheorientationofasemiconductivesinglecrystal

2023-08-06發(fā)布2024-03-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1555—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)

GB/T1555—2009《》,GB/T1555—2009,

整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了射線衍射定向法的適用范圍見第章年版的第章

a)X(1,20091);

增加了試驗(yàn)條件見第章

b)(4);

更改了射線衍射法定向法的原理見年版的第章

c)X(5.1,20094);

增加了樣品的要求見和

d)(5.46.4);

更改了試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理見年版的第章

e)(5.6,200914);

更改了射線衍射法定向法的精密度見年版的第章

f)X(5.7,200915);

更改了光圖定向法的干擾因素見年版的

g)(6.2.1,200912.1);

更改了研磨工序中使用的研磨材料見年版的

h)(6.4.1,200911.1);

更改了硅單晶材料的腐蝕溫度范圍見年版的

i)(6.4.2,200911.2);

增加了半導(dǎo)體晶體部分晶面布拉格角見附錄

j)(A)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公

:、

司浙江金瑞泓科技股份有限公司有研國(guó)晶輝新材料有限公司浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司哈爾

、、、、

濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司云南馳宏國(guó)際鍺業(yè)有限公司北京通美晶體技術(shù)股份有

、、

限公司浙江旭盛電子有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所丹東新東方晶體儀器有限公司

、、、、

國(guó)標(biāo)北京檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司新美光蘇州半導(dǎo)體科技有限公司

()、()。

本文件主要起草人許蓉劉立娜李素青龐越馬春喜張海英林泉尚鵬麻皓月潘金平

:、、、、、、、、、、

廖吉偉崔丁方任殿勝王元立陳躍驊孫聶楓趙松彬王書明李曉嵐史艷磊趙麗麗夏秋良

、、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為和

———1979GB1555—1979GB1556—1979;

年第一次修訂為和

———1985GB5254—1985GB5255—1985;

年第二次修訂時(shí)合并為

———1988GB8759—1988;

年第三次修訂為年第四次修訂

———1997GB/T1555—1997;2009;

本次為第五次修訂

———。

Ⅰ

GB/T1555—2023

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

1范圍

本文件描述了射線衍射定向和光圖定向測(cè)定半導(dǎo)體單晶晶向的方法

X。

本文件適用于半導(dǎo)體單晶晶向的測(cè)定射線衍射定向法適用于測(cè)定硅鍺砷化鎵碳化硅氧化

。X、、、、

鎵氮化鎵銻化銦和磷化銦等大致平行于低指數(shù)原子面的半導(dǎo)體單晶材料的表面取向光圖定向法適

、、;

用于測(cè)定硅鍺等大致平行于低指數(shù)原子面的半導(dǎo)體單晶材料的表面取向

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

固結(jié)磨具用磨料粒度組成的檢測(cè)和標(biāo)記第部分粗磨粒

GB/T2481.11:F4~F220

固結(jié)磨具用磨料粒度組成的檢測(cè)和標(biāo)記第部分微粉

GB/T2481.22:

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4試驗(yàn)條件

環(huán)境溫度相對(duì)濕度

:23℃±5℃;:20%~75%。

5X射線衍射定向法

51原理

.

以三維周期性晶體結(jié)構(gòu)排列的單晶原子其晶體可以看作原子排列于空間晶面間距d的一系列

,()

平行平面所形成當(dāng)一束平行的單色射線射入該平面上且射線照在相鄰平面之間的光程差為其

,X