標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 1555-1997 半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法》相比于之前的標(biāo)準(zhǔn)《GB 1555-1979, GB 1556-1979, GB 5254-1985, GB 5255-1985, GB 8759-1988》，主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了調(diào)整和完善：

  1. 整合性更新：新標(biāo)準(zhǔn)將多個(gè)舊標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容進(jìn)行了整合，形成一個(gè)統(tǒng)一的規(guī)范，旨在提供一個(gè)全面且系統(tǒng)的半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法指南，便于使用者查閱和執(zhí)行。

  2. 技術(shù)方法的改進(jìn)：隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，新的檢測(cè)技術(shù)和設(shè)備不斷涌現(xiàn)?！禛B/T 1555-1997》可能引入了更精確、高效的晶向測(cè)定技術(shù)，比如X射線衍射分析技術(shù)的更新方法，提高了測(cè)定的準(zhǔn)確性和效率。

  3. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的明確：新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)半導(dǎo)體單晶材料的種類和應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行了更加明確的界定，確保標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍更加清晰，方便不同類型的半導(dǎo)體材料晶向測(cè)定有據(jù)可依。

  4. 測(cè)試程序的標(biāo)準(zhǔn)化：詳細(xì)規(guī)定了從樣品準(zhǔn)備到數(shù)據(jù)分析的全過程操作步驟，增強(qiáng)了可操作性和重復(fù)性，有助于減少因操作差異導(dǎo)致的測(cè)量誤差。

  5. 精度與誤差要求的提升：新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)測(cè)定結(jié)果的精度提出了更高要求，明確了允許的誤差范圍，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性和一致性。

  6. 術(shù)語(yǔ)和定義的更新：根據(jù)行業(yè)發(fā)展的需要，對(duì)相關(guān)專業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂或新增，使得標(biāo)準(zhǔn)的表述更為準(zhǔn)確，便于行業(yè)內(nèi)溝通交流。

  7. 質(zhì)量控制和校準(zhǔn)要求：強(qiáng)調(diào)了測(cè)試過程中的質(zhì)量控制措施和儀器校準(zhǔn)的重要性，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和實(shí)驗(yàn)室間的一致性。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1555-2009
  • 1997-12-22 頒布
  • 1998-08-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29.045H21中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1555-1997半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法Testmethodsfordeterminingtheorientationofasemiconductorsinglecrystal1997-12-22發(fā)布1998-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T1555-1997本標(biāo)準(zhǔn)等效采用ASTMF26—87a《半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法》,對(duì)GB1555—79《硅單晶晶向光圖測(cè)量方法》、GB1556—79《硅單晶晶向X光衍射測(cè)量方法》GB5254—85《錯(cuò)單品晶向X光衍射測(cè)定方法》GB5255—85《錯(cuò)單晶晶向光反射圖像測(cè)定方法》及GB8759—88《化合物半導(dǎo)體單晶晶向X光反射測(cè)量方法》行修訂，將上述5個(gè)標(biāo)準(zhǔn)合并為本標(biāo)準(zhǔn)，本標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容與ASTMF26等效，分為方法AX射線衍射方法和方法B光圖定向法兩種方法。等效采用ASTMF26時(shí),刪去"安全措施”的內(nèi)容，使用X射線的安全措施按我國(guó)有關(guān)規(guī)定執(zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容比原5個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都詳細(xì)、完整，結(jié)構(gòu)上科學(xué)、合理。本標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施之日起，代替GB1555—79、GB1556-79、GB5254-85、GB5255-85、GB8759-88。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由峨嵋半導(dǎo)體材料廠負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：康自衛(wèi)、劉文魁、王鴻高。本標(biāo)準(zhǔn)于1979年6月首次發(fā)布,1997年第一次修訂。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1555-1997代背GB1555-半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法7GB1556-79GB5254-15CB8759Testmethodsfordeterminingtheorientation-88ofasemiconductorsinglecrystal1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向X射線衍射定向和光圖定向的方法，本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定半導(dǎo)體單品材料大致平行于低指數(shù)原子面的晶體的表面取向。1.2本標(biāo)準(zhǔn)包括兩種試驗(yàn)方法：1.2.1方法AX射線衍射定向法。該方法可用于所有半導(dǎo)體單品的定向。1.2.2方法B光圖定向法。該方法目前主要用于單一元素半導(dǎo)體單品的定向。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成本標(biāo)準(zhǔn)的條文。在標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB2477—83磨料粒度及其組成3意義3.1測(cè)定半導(dǎo)體單品和晶片的取向是材料驗(yàn)收的一項(xiàng)重要要求，因?yàn)椴牧系木驔Q定著制造半導(dǎo)體器件的各種參數(shù)。3.2X射線衍射法是一種非破壞性的高精度定向方法，但使用設(shè)備時(shí)應(yīng)嚴(yán)格遵守其安全操作規(guī)程3.3光圖定向法需腐蝕試樣，因此要破壞拋光片表面。該方法的精度低于X射線衍射法，但設(shè)備要求不那么復(fù)雜。方法AX射線衍射定向法方法提要4.1以三維周期性品體結(jié)構(gòu)排列的單品的原子，其品體可以看作原子排列于空間垂直距離為的系列平行平面所形成，當(dāng)一束平行的單色X射線射入該平面上,且X射線照在相鄰平面之間的光程差為其波長(zhǎng)的整數(shù)倍即倍時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生衍射(反射)。利用計(jì)數(shù)器探測(cè)衍射線，根據(jù)其出現(xiàn)的位置即可確定單品的品向，如圖1所示。當(dāng)入射光束與反射平面之間夾角6、X射線波長(zhǎng)入、品面間距及衍射級(jí)數(shù)機(jī)同時(shí)滿足下面布喇格定律取值時(shí),X射線衍射光束強(qiáng)度將達(dá)到最大值：n一2dsin0······

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