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文檔簡介

DSP中電源噪聲問題具有較高時(shí)鐘率和速度的高速DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)正在變得日益復(fù)雜。結(jié)果,增加了噪聲源數(shù)?,F(xiàn)在,高端DSP的時(shí)鐘率(1GHz)和速度(500MHZ)產(chǎn)生可觀的諧波,這些是由于PCB線跡的作用如同天線所致。由此引起的噪聲使音頻、視頻、圖像和通信功能降低并對達(dá)到FCC/CE商標(biāo)認(rèn)證造成問題。為了降低電源噪聲,對于高速DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員來講,識別和找出可能的噪聲原因以及采用良好的高速設(shè)計(jì)實(shí)踐是關(guān)鍵。本文說明交擾、鎖相環(huán)(PLL)、去耦/體電容器在降低噪聲中的重要性。降低交擾交擾是一個(gè)重要的噪聲源。在高速系統(tǒng)中,信號地通路依賴于工作頻率。對于低速信號(<10MHZ),電流經(jīng)過最小電阻地通路(最短通路)返回到源。在10MHz以上,情況就不同。經(jīng)電流最小電感地通路返回。重要的是返回信號以電流分布傳播(圖1),這意味著相鄰信號的返回通路可能容易重疊,導(dǎo)致交擾。信號戰(zhàn)跡圖1加倍線跡可使交插最小降低交擾的技術(shù)有:線跡間距加大,增加地線,降低諧波分量和線跡端接技術(shù)。在高速DSP系統(tǒng)中,加倍信號間的線跡間距,可降低環(huán)路重疊,使交擾降低4倍。對于差分信號(Earthnet或USB),建議間距所產(chǎn)生的信號對應(yīng)具有所需的匹配阻抗。另外,關(guān)鍵信號(即時(shí)鐘)應(yīng)屏蔽,路由信號在電源和地平板之間的內(nèi)層,或把一個(gè)地平板放置在關(guān)鍵信號下面層上。在再制板上加信號線時(shí),應(yīng)包括一個(gè)并聯(lián)地線。這可能提供高速電流返回通路并在電流環(huán)路中產(chǎn)生最小面積。這個(gè)附加的通路,確保返回電流不產(chǎn)生大的環(huán)路和拾取噪聲。在降低交擾時(shí),評價(jià)快速沿所引起的諧波和干擾是重要的。例如,在線跡上增加串聯(lián)終端電阻器,會使上升時(shí)間(Tr)減慢,這是有效地降低諧波分量的方法。噪聲幅度曲線在低頻能較好地衰減諧波分量(圖2)。線跡可做為傳輸線(在上升時(shí)間Tr小于2倍傳播延遲時(shí))。因此,應(yīng)保持線跡盡可能的短。若線跡的長度足以做為傳輸線,則用串聯(lián)終端(電阻器與輸出驅(qū)動器串聯(lián))或并聯(lián)終端(在負(fù)載處電阻器到地)接線。若電阻器與所用線跡PCB阻抗匹配,則可以降低傳輸線反射和瞬變。鎖相環(huán)鎖相環(huán)(PLL)是另一個(gè)重要的噪聲源。在某些DSP中正日益采用模擬和數(shù)字版本PLL(圖3)。隔離到PLL電源時(shí),用n形濾波器去除高頻噪聲是有效的。但它對去除低噪聲作用不大,需要用多級濾波器網(wǎng)絡(luò)。然而,在快速開關(guān)電路中,一個(gè)低壓降(LDO)穩(wěn)壓器是更適合的,因?yàn)檫@種器件在低頻具有高電源抑制比(PSRR)。若設(shè)計(jì)的系統(tǒng)運(yùn)行在噪聲環(huán)境(如汽車、電/機(jī)裝置),具有較大的低頻瞬變,則應(yīng)選擇高PSRR穩(wěn)壓器??谑?。卜TOPLL口十打。卜TOPLL RMp 圖3模擬和數(shù)字PLL舞M風(fēng)/irf分離模擬和數(shù)字地對于隔離來自模擬部分的數(shù)字噪聲有幫助。對于低速電路這樣做也是良好的。然而,對于高速電路(例如視頻部分)應(yīng)避免分離地??焖匍_關(guān)電流需用最小的電流環(huán)路,而隔離地阻止來自選擇通路的電流。因此,將選擇另外通路到源,這最終導(dǎo)致勢差、電流流和輻射。在數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)入點(diǎn)把模擬和數(shù)字地短接在一起,可提供一個(gè)直接通路而不影響低頻信號。信號朝實(shí)際的最短返回路徑到源,而不是短路的通路。電容器應(yīng)用適當(dāng)?shù)貞?yīng)用電容器是降低噪聲的有效方法。去耦電容器提供一個(gè)低阻抗到地通路來旁路不希望的高頻能量??梢杂皿w電容器來旁路低頻到地,以及用去耦電容器提供本地電荷存儲。對于去耦電容器沒有最好的值,這是因?yàn)榉醋饔糜绊?。通常,電容器阻抗隨頻率和電容降低。當(dāng)信號頻率超過諧振頻率時(shí),電容器變成電感而不再是一個(gè)有效的濾波器。盡管低阻抗和更多電荷存儲能降低下降,但對于高頻信號,高值電容器不是最佳的。理想地,在電源地應(yīng)包含一個(gè)高值和一個(gè)較低值電容器。若不能實(shí)現(xiàn),用一個(gè)0.01碉電容器是一個(gè)可接受的折衷方案。應(yīng)該用較對大的體電容器,至少10倍于總?cè)ヱ铍娙萜?。例如,?00KHZ,100碉電解電容具有0.6Q左右的等效串聯(lián)電阻(ESR),同樣值的鉭電容具有0.12Q左右的ESR,這使得鉭電容更適合體電容器。對于去耦陶瓷電容優(yōu)于聚酯電容器。例如,在1MHZ,0.1碉陶瓷電容器具有0.12Q左右的ESR,而1.0碉聚酯電容器具有0.11Q的ESR。去耦電容器應(yīng)放置在PCB底端靠近器件引腳處。對于高速DSP,去耦電容器應(yīng)放置在每個(gè)電源引腳處。若空間不允許這樣做,也應(yīng)盡可能地放置在器件周圍。復(fù)雜DSP去耦的一種有效方法是從對角劃兩個(gè)虛線構(gòu)成一個(gè)X(圖4)。然后獨(dú)立分析4個(gè)區(qū)域的每個(gè)區(qū)域。為使得體電容器靠近去耦電容器,把它們放置在板的頂端。這種定位使線蹤最短,同時(shí)可降低輻射和寄生電感。以TI公司的OMAP5910DSP為例,特別注意包含數(shù)字PLL和外部存儲器接口的區(qū)域(圖4中左邊區(qū)域)。該器件有13個(gè)芯核電壓引腳,峰值芯核電流耗電170mA(平均每個(gè)引腳13mA)。在該區(qū)域的3個(gè)芯核電壓引腳包括數(shù)字PLL和外部存儲器接口,耗電39皿八。為了保證精度,在確定電容器大小時(shí),增加100%容限(即78mA)是合適的。必須消除峰值I/O電流。應(yīng)采用謹(jǐn)慎的方法,假定在此區(qū)域所有54個(gè)I/O線同時(shí)開關(guān)4mA,這將導(dǎo)致216mA通過此區(qū)域的8個(gè)I/O電壓引腳。W.wwii0.01Ifr.KWIIHl圖4OMAP591CDSP專容值W.wwii0.01Ifr.KWIIHl圖4OMAP591CDSP專容值OPj]10.011M同0Q0O471LWiJ隨著芯核和I/O電壓工作不同頻率,必須用合適大小的電容器去耦電源。在此實(shí)例中,用下面的公式計(jì)算,計(jì)算的芯核電容為0.0078碉,對于216mAI/O電流所需電容為0.22碉:C=I(dv/dt)其中I為峰值電流,dv為最大所允許的紋波電壓(假定10mV),dt為上升時(shí)間(假定1ns,OMAP5910典型值)。所以,芯核電容C=78mAx(1ns/10mv)=0.0078碉在OMAP5910BGA封裝中,對于每個(gè)區(qū)域的4個(gè)電容器都有足夠的空間,沒有一個(gè)是用于每個(gè)芯核電源引腳的。因此,為了去耦芯核電壓引腳,最好選擇兩個(gè)電容器,其總值為0.0078碉(配置兩個(gè)0.0047碉陶瓷電容器,以使從引腳到地有最短距離)。必須考慮開關(guān)頻率。芯核部分在150MHz開關(guān)轉(zhuǎn)換,而8個(gè)I/O引腳在75MHz開關(guān)轉(zhuǎn)換??梢杂昧硗鈨蓚€(gè)電容器位置來去耦I(lǐng)/O電壓引腳(即用兩個(gè)自諧波振頻率75MHz以上的0.01碉陶瓷電容器提供0.022碉)。體電容器值在此實(shí)例中,DSP總芯核電壓電流為338mA。用上面的公式計(jì)算電容為0.0338碉。做為體電容應(yīng)該是10倍去耦電容值,大約為0.39碉。對于I/O電壓,進(jìn)行同樣的處理,得至1」0.84碉電容,給出總電容1.23碉

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