半導(dǎo)體制程用化學(xué)品應(yīng)用演示幻燈片

集成電路工業(yè)體系原料產(chǎn)業(yè)集成電路製造業(yè)電子產(chǎn)品矽石還原反應(yīng)純化還原精製多晶矽長(zhǎng)單晶切片研磨拋光磊晶矽晶圓氧化光罩校準(zhǔn)蝕刻雜質(zhì)擴(kuò)散離子植入化學(xué)氣相沉積電極金屬蒸著晶片檢查晶片製造資訊產(chǎn)品消費(fèi)性產(chǎn)品通訊產(chǎn)品其他系統(tǒng)產(chǎn)品製程服務(wù)邏輯設(shè)計(jì)電路設(shè)計(jì)圖形設(shè)計(jì)電路設(shè)計(jì)製作光罩模光罩製作切割置放銲線塑模測(cè)試晶片封裝9/1/2023BasicStructureofaProductionProcessDeposition(Oxidation,CVD,PVD)PhotolithograpyDoping(Implantation,Diffusion)Structuring(Dryetch/Wetetch)9/1/2023WetChemicalProcessProcesstype

Numberinthe64MproductionStripping about20Etching about15Cleaning about309/1/2023WetChemicalsinICProductionWaferPhotoResistsBulkGasesSpecialtygasesPhotoancillariesWetChemicalsEstimatedmaterialscostsforSCmanufacturingworldwide2002DepositionmaterialsOthersIn%9/1/2023UseofKeyChemicalsintheSemiconductorProductionPhotoresiststrippingResistremovalEdgebeadremoverResist/PolyimidtreatmentEtchingOxideNitrideSiliconTiN...CleaningPostCMPcleaningParticleremovalHeavymetals,IonsorganiccontaminationsPostPolymerremoversPostPlasmaEtchPolymerremoversPassivationofmetallayersPadpassivationH2SO4H2O2org.SolventsDMSONMP...H2SO4H2O2NH4OHHClHFCitricacidorg.SolventsHFHClH3PO4H2O2NH4OHHNO3KOH/NaOHHydroxyamineEthanoldiamineAlkyldiolWetChemistry9/1/2023濕式清潔技術(shù)與化學(xué)品濕式清潔技術(shù)自60年代RCA公司研發(fā)出來(lái)後使用至今已有30多年。雖然目前有許多新的清潔方式推出，然RCA清潔技術(shù)仍被廣泛使用，這乃是可能有效地去除在晶片表面的各式污染源，並不會(huì)對(duì)晶片產(chǎn)生缺陷或刻痕，且使用操作方便安全，因此被廣為採(cǎi)用。濕式清潔在目前半導(dǎo)體業(yè)界仍以RCASC-1,SC-2兩段步驟搭配SPM及DHF為主流，其主要清洗機(jī)制為：SC-1：清除微粒子SC-2：清除金屬粒子SPM：清除有機(jī)物DHF：清除表層氧化物9/1/2023濕式清潔技術(shù)與化學(xué)品RCAStandardClean1(SC-1，又稱APM)

NH4OH/H2O2/H2O主要應(yīng)用在微粒子之清除。利用NH4OH之弱鹼性來(lái)活化Si晶圓表層，將附著於表面之微粒子去除，此外NH4OH具強(qiáng)化合力，也可同時(shí)去除部份金屬離子。一般是以NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5之體積比例混合液在70oC溫度下進(jìn)行5-10分鐘之浸泡清洗。RCAStandardClean2(SC-2，又稱HPM)

HCl/H2O2/H2O主要應(yīng)用在金屬離子之去除，利用HCl所形成之活性離子易與金屬離子化合之原理。一般是以HCl:H2O2:H2O=1:1:6之體積比例混合液在70oC溫度下進(jìn)行5-10分鐘之浸泡清洗。9/1/2023濕式清潔技術(shù)與化學(xué)品PiranhaClean(SPM)H2SO4/H2O2主要應(yīng)用在有機(jī)物之去除，利用H2SO4之氧化性來(lái)破壞有機(jī)物中之碳?xì)滏I結(jié)。一般是以4:1之體積比例混合液在120oC溫度下進(jìn)行10-15分鐘之浸泡清洗。DiluteHFClean(DHF)HF/H2O主要應(yīng)用在清除矽晶圓表面自然生成之二氧化矽層，由於此氧化物層厚度有限，一般均使用經(jīng)稀釋處理之氫氟酸(HF1%最為普遍)在室溫下與SiO2形成H2SiF6之方式去除之。清洗時(shí)間一般在15秒-30秒。在完成上述濕式清潔技術(shù)程序後，可以IPA來(lái)進(jìn)行蒸氣乾燥，以避免在晶圓表面上流下水痕。9/1/2023微影技術(shù)用化學(xué)品光刻膠稀釋液光刻膠乃是經(jīng)由旋轉(zhuǎn)塗佈程序而在晶片上形成薄膜，然若其黏度溫過(guò)高經(jīng)常會(huì)在晶片邊緣形成珠狀殘餘物（EdgeBead）．若加入光刻膠稀釋液則可有效控制此現(xiàn)象之發(fā)生． 目前工業(yè)上較常使用之光刻膠稀釋液包括乙醇鹽類如PropyleneGlycolMonomethylEther(PGME)及PropyleneGlycolMonomethylEtherAcetate(PGMEA)混合物；乳酸鹽類如EthylLactate及酮類如MethylEthylKetone等．9/1/2023微影技術(shù)用化學(xué)品顯影劑光刻膠材料在經(jīng)過(guò)曝光過(guò)程，須再經(jīng)顯影過(guò)程將圖案顯現(xiàn)出來(lái)，而顯影製程之原理乃是利用鹼性顯影液與經(jīng)曝光之有機(jī)酸性光刻膠層部份進(jìn)行酸鹼中和反應(yīng)，使其與未經(jīng)光刻膠層結(jié)構(gòu)部份形成對(duì)比而達(dá)到顯像效果．在以往顯影劑為如NaOH、KOH之溶液，但由於金屬離子可能會(huì)造成對(duì)IC元件之污染，近年來(lái)已改用有機(jī)鹼溶液取代，如四甲基氫氧化銨（TMAH）及四乙基氫氧化銨(TEAH)等．9/1/2023微影技術(shù)用化學(xué)品去光刻膠劑

在使用薄膜蝕刻程序?qū)⑽唇?jīng)光刻膠覆蓋之部份去除後，即可將殘餘之光刻膠層卻除．在半導(dǎo)體製程中通常有兩種去除光刻膠材料之方法，一為濕式去光刻膠法，另一則為乾式去光刻膠法．濕式去光刻膠法利用有機(jī)溶液將光刻膠材料溶解而達(dá)到去光刻膠之目的，所使用之有機(jī)溶劑如N-Methyl-Pyrolidinone(NMP)、DimethylSulfoxide(DMSO)、Hydroxyamine或Aminoethoxyethanol等。另一則是使用無(wú)機(jī)溶液如硫酸和雙氧水，但這種溶液含政擊金屬薄膜而造成缺陷，目前已較少使用。9/1/2023蝕刻技術(shù)用高純度化學(xué)品蝕刻製程之功能乃是要將微影製程中未被光刻膠覆蓋或保護(hù)的部份以化學(xué)反應(yīng)或物理作用的方式加以去除，而完成轉(zhuǎn)移光罩圖案到薄膜上面的目的．一般而言，蝕刻製程可大致分為兩類：一是濕式蝕刻（WetEtching），它是利用化學(xué)反應(yīng)如酸與材料之反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜之蝕刻，另一種為乾式蝕刻(DryEtching)它乃是利用物理方法如電漿蝕刻來(lái)進(jìn)行薄膜侵蝕的一種技術(shù)．9/1/2023濕式蝕刻技術(shù)與化學(xué)品濕式蝕刻技術(shù)是屬於化學(xué)品（液相）與薄膜（固相）之表面反應(yīng)，此技術(shù)之優(yōu)點(diǎn)在於其製程簡(jiǎn)且產(chǎn)量速度快，而由於化學(xué)反應(yīng)並無(wú)方向性乃是屬於一種等方向性蝕刻．一般而言，濕式蝕刻在半導(dǎo)體製程可用於下列幾個(gè)方面：二氧化矽層之圖案蝕刻（Pattern）或去除氮化矽（Nitride）層之圖案蝕刻或去除金屬層(如Al)之圖案蝕刻或去除多晶矽（PolycrystallineSi）層之圖案蝕刻或去除非等向性矽層蝕刻減低矽晶圓蝕刻矽晶圖表層拋光矽晶圖表層粗糙化矽晶圓回收（WaferReclaim）9/1/2023二氧化矽層蝕刻一般是以氫氟酸及氟化銨（HF/NH4F）所混合成之緩衝溶液(BufferedOxideEtchant,BOE)來(lái)蝕刻SiO2層，化學(xué)反應(yīng)式如下：SiO2+4HF+2NH4F(NH4)2SiF6+2H2O利用HF來(lái)去除SiO2層，而緩衝溶液中NH4F是用來(lái)補(bǔ)充所消耗之F-，使得蝕刻率能保持穩(wěn)定。而影響蝕刻率之因素包括：SiO2層之型態(tài)：結(jié)構(gòu)較鬆散(含水份較高)，蝕刻率較快。反應(yīng)溫度：溫度較高，蝕刻率較快。緩衝液之混合比例：HF比例愈高，蝕刻率愈快。9/1/2023一般是以熱磷酸（140oC以上）溶液作為Nitride層蝕刻液，反應(yīng)溫度愈高，磷酸組成在水份蒸發(fā)後也隨之升高，蝕刻率也會(huì)加快，在140oC時(shí)，蝕刻率約在20?/min，當(dāng)溫度上升至200oC時(shí)，蝕刻率可達(dá)200?/min，實(shí)務(wù)上多使用85%之H3PO4溶液?；瘜W(xué)反應(yīng)式如下： Si3N4+6H2O3SiO2+4NH3

H3PO4actasacatalystinSi3N4etching氮化矽層蝕刻9/1/2023鋁層蝕刻鋁常在半導(dǎo)體製程中作為導(dǎo)電層材料，濕式鋁層蝕刻可使用下列無(wú)機(jī)酸鹼來(lái)進(jìn)行，包括： (1)HCl (2)NaOH或KOH (3)H3PO4/HNO3

(4)H3PO4/HNO3/CH3COOH 因第(4)項(xiàng)之混合溶液之蝕刻效應(yīng)最為穩(wěn)定，目前被廣泛運(yùn)用在半導(dǎo)體製程中。主要之製程原理是利用HNO3與Al層之化學(xué)反應(yīng)，再由H3PO4將Al2O3溶解去除。2Al+6HNO3Al2O3+3H2O+6NO2

Al2O3+2H3PO4 2AlPO4+3H2O 一般之蝕刻率約控制在3000?/min。9/1/2023單晶矽/多晶矽層蝕刻單晶矽之非等向性蝕刻多用來(lái)進(jìn)行(1,0,0)面蝕刻，常用在以矽晶片為基板之微機(jī)械元件製程中，一般是使用稀釋之KOH在約80oC之溫度下進(jìn)行反應(yīng)。多晶矽之蝕刻在實(shí)務(wù)上多使用HNO3、HF及CH3COOH三種成份之混合溶液，其製程原理包含二道反應(yīng)步驟： Si+4HNO3SiO2+2H2O+4NO2 SiO2+6HFH2SiF6+2H2O 先利用HNO3之強(qiáng)酸性將多晶矽氧化成為SiO2，再由HF將SiO2去除而CH3COOH則扮演類似緩衝溶液中H+提供者來(lái)源，使蝕刻率能保持穩(wěn)定．此種通稱為“Poly-Etch”之混合溶液也常作為控片回收使用。9/1/2023晶背蝕刻隨著半導(dǎo)體元件走向更高精密度及「輕薄短小」之趨勢(shì)，晶背蝕刻（BacksideEtching）已逐漸取代傳統(tǒng)機(jī)械式晶背研磨（Grinding）製程，除了能降低矽晶片應(yīng)力（Stress）減少缺陷（Defect）外，並能有效清除晶背不純物，避免污染到正面之製程。由於晶背表層常包含了各類材料如二氧化矽、多晶矽、有機(jī)物、金屬、氮化矽、多晶矽等，因此濕式晶背蝕刻液也含蓋了多種無(wú)機(jī)酸類之組成，包括H3PO4、HNO3、H2SO4及HF等，如此才能有效去除複雜之晶背表層結(jié)構(gòu)。9/1/2023化學(xué)機(jī)械研磨用材料及化學(xué)品CMPisanewplanarizationtechnologyusingslurries.Deviceswiththreeandmoremetallayerswithgeometriesof0.35

morlessrequireahighdegreeofplanarityAdvantagesRoomtemperatureprocessDefectdensityimprovementVisibleprocessatatmosphericpressureSafeusage(Notoxicgas)HighprocessyieldLessprocesstimethanalternatives9/1/2023化學(xué)機(jī)械研磨用材料及化學(xué)品PolishedSubstancesInterlayerDielectric(ILD):SiO2,BPSG,ShallowTrechIsolation(STI),Polysilicon.MetalLayer:W,Alalloy,Cu,Ti,TiN,Ta,TaNetc.SlurryForILDsubstrates:SiO2abrasive(particlesize~100nm,solidcontent10~30%),alkali(NH4OHorKOH),surfactant,pH9.0~11.0.Formetalsubstrates:Al2O3orSiO2abrasiveparticle,acid/alkali,oxidizer(H2O2,Fe(NO3)3,...),surfactant,pH3~49/1/2023化學(xué)機(jī)械研磨後清洗UseofWetChemistry:DIW,NH4OH,H2O2,HF,CitricAcid,SurfactantsBasicsolutionwereusedforremovalparticlesbychangingthechargeatthecontrolledpH.Anionic,cationicandnonionictypessurfactantswereusedtoreducesurfacetension.Useofhydrofluoricacid(HF):Athinoxide(20~50?)wasremovedtonotonlyadheredandembeddedparticlesbutalsoioniccontamination.UseofMechanicalEnergyMechanicallyremovingadheredandembeddedparticlesbybrushscrubbingormegasonicspray.9/1/2023WaferThinFilmprocess

Oxidation:SiO2PVD:Al,WCVD:Si,SiO2(TEOS),Si3N4

Spinon:SiLKElectroplating:Cu9/1/2023WaferPhoto-resistCoatingSpinonPuddlePrintingEdgeBeadPhoto-resist9/1/2023WaferEdgeBeadRemove

IC:PGME/PGMEA(OK-73,EBR7030)TFT:NBA,OK-82OtherFPD:KOH,NaOH,NBAPhoto-resist9/1/2023WaferExposureTMCPMCPhoto-resistPhotoMask9/1/2023WaferDevelopingIC:(2.38%TMAH)TFT:5(25%TMAH)Others:Na2CO3,K2CO3,,KOHPhoto-resist9/1/2023WaferEtchingPhoto-resist

SiO2:BOE,SIOseriesPolySi:PolyEtchantSi3N4:H3PO4,HFMo:MOE-01

Al:ALE-seriesCr:(Cr-Tseries)Cu:CUE-110

TaN:NPE-2009/1/2023WaferStrip