阿斯麥企業(yè)分析

阿斯麥企業(yè)分析公司概況：全球光刻機龍頭，EUV光刻機唯一供應商公司概覽：EUV光刻機唯一供應商，專注于提高光刻機分辨率阿斯麥：專注于高端光刻機生產，不斷取得行業(yè)突破性進展。公司成立于1984年，專注于高端光刻機的設計與生產，提供包括光刻機、光刻模擬、光刻監(jiān)測及配套服務等在內的全套光刻解決方案。公司于1995年3月上市，歷史最高漲幅超過470倍，2023年6月1日，公司市值約2870億美元，是全球最大市值的光刻機企業(yè)?；仡櫣景l(fā)展歷史，主要分為以下幾個階段：1）創(chuàng)立階段（1984年-1995年）：阿斯麥成立于1984年，其技術團隊及創(chuàng)業(yè)團隊來自于飛利浦公司，一直從事于光刻機設備的研發(fā)和生產。公司于1990年左右推出PAS5500系列光刻機，打破美日光刻機巨頭壟斷。2）拓展產品線階段(1999-2007)：該階段公司通過兼并收購，持續(xù)優(yōu)化產品線，市場份額快速提升。2001年，阿斯麥收購了美國的硅谷集團（SVG），SVG擁有成熟的157nm光學技術，這使得阿斯麥成為全球領先的光刻機制造商之一。此外，公司在2001年推出采用雙工作臺的設備，并在2004年推出第一臺浸入式光刻機樣機（直到2023年這兩項技術依舊是行業(yè)重要的領先技術），并至此確立較佳能、尼康的技術優(yōu)勢。3）技術升級階段(2007至今)：該階段公司技術不斷升級，推出一系列創(chuàng)新產品，于2010年推出全球首臺EUV光刻機NXE3100，并于2016年推出首臺可量產光刻機NXE3600B（2017年開始上量），由此確立高端光刻機系統(tǒng)龍頭地位。公司主營業(yè)務：產品包括光刻機、量測系統(tǒng)和計算光刻系統(tǒng)，主要營收來自于光刻機銷售。公司業(yè)務包括光刻機銷售、計量與檢測系統(tǒng)、計算光刻系統(tǒng)三大部分，其中，1）光刻機銷售：主營業(yè)務為光刻機銷售，主要包括極紫外光（EUV）光刻機、浸入式深紫外光（DUV）光刻機和干式深紫外光（DUV）光刻機。2）量測與檢驗系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于測量半導體制造過程中的光學參數，幫助芯片制造商在芯片制造過程中評估性能，有助于提高精度、性能和質量控制。3）計算光刻系統(tǒng)：該系統(tǒng)是一款高級輔助仿真軟件，幫助芯片制造商進行光刻模擬、光學模擬和物理模擬等多項仿真和分析，實現更精確的監(jiān)測和控制。其中，三種業(yè)務的具體產品包括：光刻機銷售：產品包括EUV與DUV，主要區(qū)別在于光源的不同。1）EUV光刻機：EUV光刻機采用極紫外光（EUV）技術生產先進微電子芯片，是目前光刻機領域的最尖端技術。公司EUV光刻機主要包括NXE:3600D與NXE:3400C，可分別支持5nm&3nm節(jié)點、7nm&5nm節(jié)點的批量生產。2）浸入式DUV光刻機：浸入式DUV光刻機采用浸入式光刻技術生產先進的微電子芯片，主要光源為ArF，是目前使用范圍最廣的光刻機。浸入式光刻技術通過液體層減少光學散射和波動，從而實現更高的分辨率和更小的特征尺寸。公司主要產品為TWINSCANNXT系列，包括2050i、2000i與1980Di。3）干式DUV光刻機：干式DUV光刻機采用干式光刻技術，其核心部件為投影鏡頭，光源為ArF、KrF與i-line。相對于浸入式光刻機，干式DUV光刻機的制程節(jié)點較低，公司主要產品為XT與NXT系列。量測與檢驗系統(tǒng)：通過測量工藝參數，實現高良率及高性能。1）YieldStar光學量測系統(tǒng)：YieldStar光學量測系統(tǒng)用于檢測半導體芯片制造過程中的光學性能，具體用于測量制造過程中的光學參數，如焦距、曝光均勻性、聚焦深度等，幫助制造商更準確地控制制造過程，提高制造的良率和質量。其應用范圍主要包括晶圓制造、光刻機調試、光刻模板檢測等多個領域。公司在售系統(tǒng)包括YieldStar1385等4款光學計量設備。2）HMI電子束量測系統(tǒng)：HMI電子束量測系統(tǒng)主要用于電子束刻蝕和電子束光刻過程的質量控制，通過精確測量電子束系統(tǒng)的性能參數，并檢測電子束曝光系統(tǒng)的缺陷，幫助制造商提高產品的制造質量和良率，提高生產效率。計算光刻系統(tǒng)：光刻仿真分析軟件，幫助優(yōu)化工藝與產品設計。公司計算光刻解決方案是一種高級的仿真軟件，主要用于半導體工藝的設計和優(yōu)化。計算光刻的目的是模擬當前光刻方案的成像結果，計算出優(yōu)化結果所需要進行的光源和掩膜調整。通過進行光刻模擬、光學模擬和物理模擬等多項仿真和分析，優(yōu)化制造工藝和產品設計，提高產品的制造質量和生產效率。該解決方案主要包括光刻模擬軟件、光學模擬軟件和物理仿真軟件等多個部分。財務概覽：營收受下游需求持續(xù)驅動，產品結構優(yōu)化提高盈利能力營業(yè)收入：近年來穩(wěn)定增長，受到邏輯與存儲市場雙驅動。2018-2022年，公司營業(yè)收入持續(xù)增長，2022年總營收為212億歐元（同比增長14%），對應2018-2022年CAGR為18%，其中：1）分產品看，EUV、ArFi光刻機為主要營收來源，二者皆用于先進制程芯片生產，2022年營收占比分別為33%與25%。此外，公司IBM業(yè)務（InstalledBaseManagement，主要包括設備升級與相關服務等）亦隨著設備安裝量的提高而提高，收入占比由2018年的25%提升至2022年的27%。2）分下游領域看，公司過取營業(yè)收入增長受到下游邏輯與存儲芯片雙驅動，其中邏輯芯片主要受益于數字化轉型（包括5G、AI、VR等），存儲芯片主要受益于服務器需求的持續(xù)強勁。盈利能力：近年來持續(xù)提高，主要受益于產品組合優(yōu)化。毛利率：隨產品組合優(yōu)化而提升，短期受通脹影響成本上行。2018-2022年，公司整體毛利率實現顯著提升，主要由于EUV光刻機出貨量提升帶來的產品結構優(yōu)化。其中2022年全年毛利率降低主要由于通貨膨脹帶來的材料、運費和勞動力支出增加，以及提高生產能力和滿足客戶需求所帶來的工廠成本增加。凈利潤實現明顯增長，主要受益于毛利增長。根據公司財報，公司2022年GAAP凈利潤為56億歐元（同比-4%），凈利率角度看，公司2022年GAAP凈利率為26.6%。2022年公司盈利水平有所下降，主要受到毛利率水平下降，以及更高的研發(fā)費用率影響。近兩年毛利率接近50%，較競爭對手略為領先。2021-2022年公司毛利率分別為50.6%/49.7%，均略高于競爭對手。同時，公司2021-2022年毛利率較2018年的43.1%有所提高，主要受益于公司EUV光刻機上量對產品組合的優(yōu)化，進而推動毛利率上行。我們預計公司未來毛利率將隨EUV光刻機的出貨量提升而持續(xù)提升。行業(yè)分析：先進與成熟制程雙驅動，EUV為主要推手發(fā)展趨勢：制程工藝持續(xù)精進，下一代光刻機將于2025年推出光刻機：芯片生產的核心設備之一，直接影響制程工藝。芯片生產主要包括沉積、光刻、蝕刻等7個步驟，其中光刻為核心步驟之一，主要負責把芯片設計圖案通過光學顯影技術轉移到芯片表面，進而實現在半導體晶片表面上制造微小結構。光刻機生產具備高技術門檻，需要高度精密的物理設備和嚴格的控制流程，以達到所需的制造精度。而先進的芯片制程工藝需要先進的、高分辨率的光刻機進行適配，因此光刻機直接影響芯片的工藝制程與性能。演變趨勢：從UV到EUV，正在向High-NAEUV發(fā)展。光刻機的技術演進主要分為以下幾個階段。1）UV光刻機：用于0.25微米及以上制程節(jié)點，UV為紫外光，光源類型包括g-line、i-line等。2）干式DUV光刻機：可用于65nm-0.35μm制程節(jié)點，干式DUV是指在光刻過程中使用干式透鏡和深紫外線光源，該技術在20世紀90年代初得到了廣泛應用。3）浸入式DUV光刻機：可用于7nm-45nm制程節(jié)點，隨著芯片制造技術對先進制程的需求持續(xù)增加，干式DUV光刻機已無法滿足其精度要求。浸入式DUV光刻機通過把物鏡與晶圓之間的填充由空氣改變?yōu)樗M而獲得更高的數值孔徑（NA），使光刻機具有更高的分辨率與成像能力。4）Low-NAEUV光刻機：用于3nm-7nm制程節(jié)點，EUV為極紫外光，該光源的波長較此前光源明顯減小，顯著提升光刻機的分辨率。5）High-NAEUV光刻機：用于3nm以下制程節(jié)點，High-NA是指高數值孔徑（0.33→0.55），是下一代光刻機技術，將在已有EUV基礎上進一步提高分辨率與成像能力，從而實現更先進制成的生產。當前該技術由阿斯麥公司研發(fā)中，公司預計在2025年實現出貨。產業(yè)鏈：所需供應組件眾多，供應鏈管理難度高。光刻機涉及的內部零件種類眾多，且越高端的光刻機組成越復雜，如EUV內部零件多達8萬件以上，其核心組件包括光源系統(tǒng)、雙工作臺、物鏡系統(tǒng)、對準系統(tǒng)、曝光系統(tǒng)、浸沒系統(tǒng)、光柵系統(tǒng)等，其中光源、晶圓曝光臺、物鏡和對準系統(tǒng)的技術門檻較為顯著。因此，光刻機企業(yè)往往具備高外采率、與供應商共同研發(fā)的特點，而其下游應用主要包括芯片制造、功率器件制造、芯片封裝等。市場層面：EUV市場份額持續(xù)提升，龍頭效應日益顯著市場規(guī)模：2022年光刻機市場規(guī)模198億美元，占晶圓生產設備總市場的21%。1）光刻機市場前三大供應商占據了絕大多數市場份額，2018-2022年，三大供應商的光刻機營收合計由123億美元增長至198億美元，對應CAGR為13%。結合三大供應商的彭博一致預期，以及佳能的公司指引及歷史收入結構，我們測算2023-2025年三大供應商光刻機收入合計分別為252/275/328億美元。在半導體設備細分市場中，光刻機設備在半導體設備總市場（包含蝕刻、薄膜沉積等）的24%，為市場占比最大的細分設備。2）展望未來，根據阿斯麥在投資者日公布的信息，近年來光刻機市場在半導體總市場中的占比持續(xù)提升，且未來該趨勢有望得以延續(xù)，主要考慮到半導體產業(yè)近年來快速發(fā)展帶來Capex提升，而Capex中設備支出占比提升有望為光刻機帶來持續(xù)增量。出貨量：光刻機出貨量穩(wěn)定提升，成熟制程出貨量增長明顯。阿斯麥、尼康、佳能三大廠商占據了光刻機絕大多數市場份額，通過統(tǒng)計三家公司的出貨量我們發(fā)現：1）按設備類型分，EUV、ArFi、ArFdry三類光刻機的銷量較為平穩(wěn)，而KrF與i-line兩類成熟光刻機增長較快，主要受生產能力限制所致。2019-2022年，EUV光刻機出貨量分別為26/31/42/40臺，ArFi光刻機出貨量分別為93/79/85/85臺，ArFdry光刻機出貨量分別為35/33/25/32臺。2）按供應商分，2019年-2022年，阿斯麥出貨量增長較為明顯，出貨量分別為229/258/309/345臺，對應CAGR為15%；佳能四年出貨量分別為84/122/140/176臺，對應CAGR為28%，主要銷量增長主要來自成熟光刻機；尼康四年出貨量分別為46/31/35/30臺，對應CAGR為-13%。ASP：EUV光刻機單價增長明顯，其余價格較為穩(wěn)定。2018-2022年，EUV光刻機ASP保持高位且持續(xù)上升，由2018年的1.0億歐元提升至2022年的1.8億歐元，與其余產品相比價格上漲較為明顯。我們認為，隨著下游芯片性能需求不斷提高，市場對先進制程需求有望反映于光刻機的需求增長，進而推動EUV光刻機價格持續(xù)上升。競爭格局：三大供應商占據主要市場，阿斯麥為絕對龍頭。光刻機行業(yè)屬于明顯的寡頭壟斷格局，前三供應商（荷蘭阿斯麥、日本佳能、日本尼康）占據絕大多數市場份額。1）從供應商角度看，阿斯麥在市占率上具備明顯優(yōu)勢，2022年按出貨量（345臺）市占率為63%，按營收看市占率為81%，兩類市占率之間差異較大，主要由于EUV單價明顯高于其它光刻機。2）從光刻機類型角度看，高端光刻機（EUV、浸入式ArF、干式ArF）主要玩家為阿斯麥，按出貨量市場占比分別為100%/95%/87%。3）我們認為，考慮到阿斯麥公司的領先技術優(yōu)勢、EUV的唯一供貨能力、在手專利充足等因素，阿斯麥在高端光刻機的優(yōu)勢短期內難以被追平，未來有望隨高端光刻機需求增長而持續(xù)獲得市場份額，行業(yè)龍頭效應將更加集中。需求分析：先進制程受手機與服務器驅動，成熟制程受汽車與工業(yè)驅動下游需求：服務器、汽車與工業(yè)領域為重要驅動，預計晶圓需求量2030年達2億片。1）從需求領域看，根據阿斯麥在投資者日公布的信息，2022年半導體市場下游領域主要包括智能手機（23%）、PC（19%）、服務器（16%）、工業(yè)電子（12%）、消費電子（11%）、汽車（10%）與通信（9%）。放眼未來，全球半導體市場的主要增長動力來源于服務器、汽車與工業(yè)，阿斯麥預計2022-2030年對應細分市場CAGR分別為12%/11%/10%，推動2030年全球半導體市場規(guī)模超過1萬億美元。2）從產品類型看，按照不同的制程，光刻機下游產品可分成先進芯片（包括先進邏輯、DRAM與NAND）與成熟芯片（包括功率芯片、傳感器芯片、成熟邏輯/模擬芯片）。根據SEMI數據，2022年全球晶圓出貨面積為147億平方英寸，等效12英寸晶圓出貨量為1.3億片。阿斯麥預測，2022年成熟芯片、先進邏輯、DRAM、NAND的晶圓需求占比（按晶圓片數）分別為52%/14%16%/18%；到2030年全球晶圓需求量將接近2億片（等效12英寸），其中先進邏輯芯片增長最為明顯。1）先進制程芯片：需求來自技術持續(xù)迭代，服務器與智能手機為主要驅動需求來源：主要來自晶體管數量提升，服務器與智能手機為主要驅動力。當前先進制程光刻機主要用于生產先進邏輯芯片、DRAM與NAND，在未來10年內將持續(xù)進行技術演進，進而驅動先進光刻機的需求。1）先進邏輯芯片：迭代周期約2年，2022年量產產品達到5nm，阿斯麥預計2022-2024年將進入3nm時代，2025年進入2nm時代，3nm與2nm技術處于發(fā)展與研究階段（臺積電與三星分別于2022年12月末、2022年6月末宣布3nm量產），同時預計先進邏輯芯片對晶圓需求量將在2025年與2030年分別達到2500萬片與3800萬片（等效12英寸）。2）DRAM：迭代周期約1.5年，2022年DRAM量產節(jié)點為1A，阿斯麥預計在2022年與2024年開始應用1B與1C技術，同時預計DRAM芯片對晶圓需求量將在2025年與2030年分別達到2300萬與2600萬片（等效12英寸）。3）NAND：迭代周期約1.0-1.5年，2022年量產NAND層數可達176層，阿斯麥預計2026-2027年NAND層數將提高至400層以上，同時預計NAND芯片對晶圓需求量將在2025年與2030年分別達到2500萬與3100萬片（等效12英寸）。先進邏輯芯片：高端制程性能不斷提高，生產架構持續(xù)革新。根據IMEC（比利時微電子研究中心）的研究成果，2022年世界商用先進制程可達3nm，對應Pitch為22nm，而IMEC預計這一數字將在2030年降低至14-16nm。架構上，目前臺積電3nm先進制程主要采用FinFET（鰭式場效電晶體）架構，未來隨著制程的進一步發(fā)展，未來有望向GAA（環(huán)繞式柵極技術晶體管）與CFET（互補場效應晶體管）演進。DRAM：位密度不斷提高，設計規(guī)則持續(xù)縮小。根據三星電子公布的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）發(fā)展路線圖，單芯片的位密度將由24Gb提升至48Gb或以上，這推動了設計規(guī)則的縮小，預計未來將往14nm以下制程發(fā)展。NAND：增加3DNAND層數為行業(yè)主流趨勢，多用于數據中心、智能手機等。垂直方向提高3DNAND層數為NAND芯片的主要發(fā)展方向，根據TechInsights的NANDRoadmap，2022年前沿技術能夠達到176層，未來有望向400-500層，甚至更高層數發(fā)展，這將持續(xù)提高NAND對高端生產工藝及設備的需求。對光刻機的驅動：EUV光刻花費主要來自先進邏輯芯片與DRAM。先進芯片（先進邏輯芯片、DRAM與NAND）隨著節(jié)點的持續(xù)精進，光刻花費持續(xù)增長，而不同類型與不同節(jié)點的芯片，在不同類型光刻機的光刻花費比例不同，具體體現為：1）先進邏輯與DRAM芯片：EUV在生產費用中的占比隨制程節(jié)點的精進不斷提高。2）NAND：主要使用浸入式ArF光刻機與干式光刻機，隨著技術的精進，不同光刻機費用比例保持穩(wěn)定（ArFi：干式光刻機約為6:4）。2）成熟芯片：主要受功率與感知驅動，受益于汽車與工業(yè)高景氣需求來源：主要受汽車與工業(yè)驅動，包括功率芯片、傳感芯片等。成熟芯片對應制程≥28nm，其需求來源于：1）從下游領域看，成熟制程芯片（≥28nm）的需求主要受到汽車與工業(yè)領域的高景氣驅動，阿斯麥預計成熟芯片對晶圓的需求將從2020年的5800萬片/年提升至2025年的8000萬片/年，以及2030年的1.0億片/年。2）從產品類型看，成熟晶圓需求主要受益于功率芯片、傳感器（光學&非光學）以及模擬芯片帶來的需求驅動。對光刻機的驅動：高端光刻機主要用于光學傳感器與成熟邏輯芯片。成熟芯片中，主要包括功率芯片、傳感器、成熟邏輯/模擬芯片：1）ArFi光刻機主要應用在光學傳感（ArFi光刻花費占比約40%）與成熟邏輯芯片（ArFi光刻花費占比約60%）。2）其余光刻機主要用于功率芯片（KrF45%、i-line55%）、非光學傳感（KrF30%、i-line70%）、模擬芯片（ArF、KrF、i-line光刻花費占比相近）的生產。公司分析：競爭優(yōu)勢穩(wěn)固，中長期成長性明確核心優(yōu)勢：具備EUV唯一供應能力，供應鏈、高研發(fā)為核心門檻綜合來看，我們認為公司在光刻機領域的競爭優(yōu)勢包括：全球唯一的EUV光刻機生產能力、通過投資或入股實行上下游管理、持續(xù)高研發(fā)等，其中上下游管理為核心優(yōu)勢。ASML的發(fā)展歷史悠久，公司與其產業(yè)鏈的上游與下游皆具備深遠的合作關系：1）下游客戶關系：由于光刻機前期研發(fā)需要巨額投入，公司2012年曾以股權融資與優(yōu)先供貨權的方式，獲得下游客戶（英特爾、臺積電、三星）的研發(fā)投資并最終實現EUV量產，與下游客戶并非簡單的供需關系。2）上游供應管理：為確保供應穩(wěn)定與提高競爭門檻，公司入股或收購上游核心供應商管理供應鏈，同時與核心供應商具備長期深遠的合作關系（如阿斯麥母公司飛利浦曾于1994年為物鏡供應商蔡司的產線升級提供資金支持）。3）我們認為：公司能夠成為EUV的唯一供應商，最重要原因在于其對上下游的長期持續(xù)滲透與深度合作，以及公司在技術專利與研發(fā)投入上亦與競爭對手形成的顯著差距，這為公司發(fā)展的高成長性與高確定性提供了關鍵支撐。競爭優(yōu)勢1——產品優(yōu)勢：全球唯一的EUV光刻機供應商，提供完整的光刻解決方案。公司在產品布局上具備領先行業(yè)的絕對優(yōu)勢：一方面，公司擁有全球唯一的EUV光刻機供應能力，能夠實現7nm及以下制程工藝的光刻，以滿足下游消費電子等對高端制程芯片的需求。另一方面，公司圍繞光刻場景提供光刻模擬、光刻計量檢測兩大服務，幫助晶圓生產商優(yōu)化與檢測光刻過程，進而提供一站式全面的解決方案。競爭優(yōu)勢2——供應鏈優(yōu)勢：入股或收購上游供應商，以提高供應穩(wěn)定性。公司能夠成為EUV唯一供應商，對上游的供應鏈管理為核心原因之一。公司具備廣闊的供應鏈（超過5000家供應商），超過90%的零部件來自于外部采購。而對于部分核心構件供應商，公司則采取收購或入股的方式對其進行管理。EUV光刻機由超過10萬個零件組成，核心部件主要包括EUV光源、光學鏡頭（主要是物鏡）、雙工作臺等。其中，公司對光源與光學鏡頭方面的供應鏈管理具備明顯優(yōu)勢，其具體合作如下：光源系統(tǒng)：收購頂級光源供應商Cymer。光源系統(tǒng)用于產生穩(wěn)定的、用于光刻的激光，光刻機的工藝能力首先取決于光源的波長，是光刻機的重要門檻之一。EUV正是通過顯著降低光源波長（193nm→13.5nm），實現分辨率的大幅提高。美國頂級光源企業(yè)Cymer占據全球光刻機設備光源70%的市場份額，但由于EUV光源研發(fā)始終無法突破瓶頸，ASML于2012年將其收購，并在2015年實現EUV出貨。公司通過收購上游光源供應商與合作研發(fā)，掌握光源技術的同時提高光刻機光源供應的穩(wěn)定性。物鏡系統(tǒng)：入股頂級物鏡供應商蔡司。物鏡用于把掩膜版上的電路圖按比例縮小，被激光映射到硅片上，并補償各種光學誤差。目前公司物鏡供應商為德國蔡司，而溫控、光路修正等軟件上的專利由公司掌握。ASML與德國蔡司具備深度綁定的合作關系，主要來自于兩家公司長期發(fā)展過程中的相互交織，二者合作可以追述到20世紀90年代初期，1994年ASML母公司飛利浦曾出借資金給蔡司升級產線，ASML亦在2017年收購了蔡司半導體光學部門25%的股權。競爭優(yōu)勢3——客戶優(yōu)勢：與客戶共同分擔風險和回報，訂單具備高確定性。公司下游客戶主要為英特爾、臺積電、三星、美光等，一方面，考慮到光刻產品的重要性以及復雜性，產品的研發(fā)過程離不開客戶的深度參與，公司與客戶之間具備極為緊密的合作關系。另一方面，公司曾通過股權融資以及在研發(fā)上吸引客戶投資，與客戶形成利益共同體，同時亦給予客戶優(yōu)先供貨權，在確保產品滿足客戶需求的同時，亦提高了客戶忠誠度與訂單確定性：合作研發(fā)：深度合作研發(fā)以滿足客戶Roadmap需求，而非簡單的訂單關系。公司產品具有高單價、高定制化特點，研發(fā)生產過程需要客戶深度參與以滿足客戶產品迭代的Roadmap，而并非簡單的訂單關系。公司重點客戶主要包括英特爾、臺積電、三星電子、美光、SK海力士等晶圓代工廠與存儲芯片廠商，具備歷史悠久的共同研發(fā)經歷，如2004年阿斯麥和臺積電成功合作研發(fā)全球首臺浸入式光刻機，直至2023年浸入式光刻機仍具備高技術門檻。客戶投資：下游客戶通過投資獲得優(yōu)先供貨權，形成利益共同體。由于光刻機研發(fā)需要巨額的研發(fā)投入，研發(fā)階段公司往往需要引進客戶投資。2012年，英特爾、臺積電和三星參與公司的客戶共同投資計劃（CCIP），以加速當時EUV光刻機的開發(fā)進度，英特爾、臺積電與三星分別投資41億美元、14億美元與6.3億美元，分別獲得了阿斯麥15%、5%與3%的股權，同時亦獲得EUV研發(fā)成功后的優(yōu)先供貨權。EUV光刻機開始供貨后，三大代工廠通過出售ASML股權獲得豐厚收益，目前公司股權主要集中在BlackRock、Vanguard等機構手中。下游Capex：三大代工廠Capex保持同比增長，靜待行業(yè)需求復蘇。1）近年來智能手機、PC、服務器等下游領域快速發(fā)展，帶動晶圓代工廠與存儲芯片廠商的訂單需求，公司主要客戶（臺積電、三星、英特爾、美光等）Capex持續(xù)走高。2）短期來看，盡管半導體行業(yè)增長短期內受宏觀因素壓制，三大代工廠Capex仍實現同比增長，23Q1臺積電/三星/英特爾/美光四家公司Capex分別為100/109/74/22億美元，同比變化分別為15%/50%/55%/-15%。3）展望2023年，多家公司公布其Capex規(guī)劃，根據各公司22Q4與23Q1業(yè)績交流會分別發(fā)布的信息，臺積電預計2023年Capex為320-360億美元（同比下降0%-11%），三星電子預計2023年Capex將與2022年持平（約400億美元），美光預計2023年Capex約為70億美元（同比-42%）。整體上看，公司下游客戶受行業(yè)周期與宏觀經濟影響，Capex預期維持或略微下降，其中主要客戶臺積電與三星受到影響相對較小。競爭優(yōu)勢4——研發(fā)優(yōu)勢：基于高研發(fā)投入，High-NA技術持續(xù)領先行業(yè)。1）研發(fā)投入：公司始終維持技術水平顯著領先的另一原因，在于公司對先進光刻技術的高研發(fā)投入。公司2018-2022年研發(fā)費用持續(xù)提高，2022年全年研發(fā)費用為23億歐元，對應研發(fā)費用率為11%。公司研發(fā)人員占比亦由2020年的1.05萬人提高至1.42萬人。2）High-NA技術：根據公司在投資者日與業(yè)績交流會披露，公司計劃在2025年發(fā)布下一代High-NAEUV光刻機TWINSCANEXE:5200，目前所有的EUV客戶都已經提交了High-NAEUV的訂單。展望未來：先進與成熟制程芯片需求雙增長，高成長性與高確定性兼?zhèn)湔w上看，公司在先進制程設備、成熟制程設備以及IBM業(yè)務皆有望保持中長期增長。1）先進制程（＜28nm）：看好EUV產能、ASP雙提升帶來的業(yè)績增長。1）出貨量：用于先進制程的光刻機主要為EUV與ArFi，2022年公司EUV與ArFi出貨量分別為40臺與81臺，公司預計到2025年EUV相對ArFi的銷量將顯著提升。2）ASP：2022年公司EUV與ArFi平均售價分別為1.8億歐元與6250萬歐元，而根據中國電子報報道，High-NAEUV單價有望超過3億美元（約2.8億歐元），幾乎為當前EUV的兩倍。Low-NAEUV的銷量提升，以及High-NAEUV的開啟交付，都將持續(xù)推高公司整體ASP。3）產能：為應對未來快速增長的光刻機需求，公司持續(xù)提高自身產能（非交付量），預計2025-2026年DUV光刻機年產能將達到600臺/年，Low-NAEUV光刻機將達到90臺/年，到2027-2028年High-NAEUV光刻機產能將達到20臺/年。同時，公司還將通過提高單光刻機的晶圓產能，到2025-2026年分別將DUV與Low-NAEUV的總晶圓產能提升至2020年的3倍與5倍。4）我們認為：EUV持續(xù)供不應求，公司有望通過Low-NAEUV的擴產與High-NAEUV的出貨實現整體光刻機業(yè)務的量價齊升；公司2025-2030年的營收增長中，將有超過半數以上的增長貢獻將來自于EUV（100億歐元），我們持續(xù)看好由EUV主導的業(yè)績提升。2）成熟制程（≥28nm）：需求持續(xù)增長，28nm/40nm需求增速較為明顯。2015-2021年，成熟制程光掩膜的銷量累計增長40%，反映半導體成熟制程市場需求的持續(xù)提升，這主要受益于下游應用的拓寬和單產品含硅量的提升（如汽車）。其中，28nm與40nm的銷量與增速皆高于65nm與90-130nm，說明相對先進制程產品（28/40nm）更受市場青睞。我們認為，成熟制程亦存在高端化趨勢，主要反映下游需求對性能的需求提升，有望帶動包含ArFi在內的DUV光刻機需求持續(xù)增長。3）IBM業(yè)務：為已安裝的光刻機提供設備升級與相關服務，受益于光刻機累計安裝量的提升。1）公司IBM業(yè)務（InstalledBaseManagement）：主要為已安裝的光刻機提供設備升級與相關現場服務（netserviceand