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光刻技術的重要性集成電路不同的技術時代是以其所加工的器件特征尺寸為標志的.特征尺寸是指集成電路技術所能夠加工的器件的最小尺寸.由于器件特征尺寸的不斷縮小、硅片尺寸的持續(xù)增加和電路設計技術的不斷優(yōu)化，才使得集成電路芯片的集成度和性能得到不斷提高，同性能集成電路產(chǎn)品的價格持續(xù)下降，才保證了半導體工業(yè)和集成電路技術發(fā)展按指數(shù)增長率飛速發(fā)展.不斷追求集成電路產(chǎn)的性能/價格比和市場競爭力的提高，是微電子技術和產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的原動力.器件特征尺寸的縮小主要依賴于光刻技術的改進和發(fā)展

離子束光刻

離子束投影曝光系統(tǒng)的結構和工作原理與光學投影曝光的結構與原理類似，所不同的是曝光粒子是離子、光學系統(tǒng)采用離子光學系統(tǒng)，而掩模版則由可通過和吸收離子的材料制備.離子束曝光掩模版通常采用Si材料制成透射/散射式的二相掩模版技術，即使照射在黑色圖形部分的離子被散射，不能照射到光刻膠，而照射在白色圖形部分的離子透射穿過掩模版后照射到光刻膠上使之曝光.離子束投影光學系統(tǒng)一般也采用4:1縮小的投影方式，透鏡實際上是一個可對離子進行聚焦作用的多電極靜電系統(tǒng).光刻技術原理離子束光刻優(yōu)點

高的分辨率和焦深性能（離子的質(zhì)量遠遠大于電子，在相同的加速電壓下，離子具有更短的波長，因此離子束曝光比電子束曝光有更高的分辨率，R=κλ/NA，DOF=κλ/（NA）2）沒有鄰近效應（最輕的離子質(zhì)量都比電子重2000倍左右，離子束在感光膠中散射范圍極小，離子束曝光基本不存在鄰近效應）曝光速率（離子射入感光膠材料內(nèi)的射程要比電子的短，入射離子的能量能被感光材料更為充分的吸收，所以對于相同的感光膠，離子束曝光的靈敏度要高于電子束曝光，即曝光速率要高于電子束曝光）常見離子束光刻技術

聚焦離子束光刻（FocusedIonbeam）（FIB離子束直接寫入，聚焦的離子束直接撞擊靶材實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)換的過程。）離子投影光刻（Ionprojectionlimography（IPL平行的離子束穿過掩膜，將縮小的掩膜圖形投射到基底上。）聚焦離子束原理FIB系統(tǒng)采用液態(tài)金屬離子源，加熱同時伴隨著一定的拔出電壓，獲得金屬離子束，通過質(zhì)量選擇器來選擇離子，通過電子透鏡精細聚焦的金屬離子，在偏轉(zhuǎn)線圈的作用下，形成掃描光柵。離子束可通過濺射對樣品進行表面成像。聚焦式離子束技術是

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