電子元器件的質(zhì)量檢測技術(shù)正文

目錄電子元器件檢測方法………………31．1電阻器的檢測方法與經(jīng)驗…………………31．1．1固定電阻器的檢測……31．1．2水泥電阻的檢測………31．1．3熔斷電阻器的檢測……31．1．4電位器的檢測…………31.5正溫度系數(shù)熱敏電阻（PTC）的檢測 41.6負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻（NTC）的檢測 41.7壓敏電阻的檢測..……41.8光敏電阻的檢測………41.2電容器的檢測方法與經(jīng)驗…………………51.2.1固定電容器的檢測……51.2.2電解電容器的檢測……51.2.3可變電容器的檢測……63電感器、變壓器檢測方法與經(jīng)驗…………61.3.1色碼電感器的的檢測…………………61.3.2中周變壓器的檢測……61.3.3電源變壓器的檢測……6提高電子元器件質(zhì)量檢測能力的途徑……………71GJB548的結(jié)構(gòu)剖析…………72GJB548的實踐性與科學(xué)性…………………83技術(shù)內(nèi)涵豐富………………94GJB548的發(fā)展………………10參考文獻……………11附錄電子元器件檢驗標(biāo)準(zhǔn)………12電子元器件的質(zhì)量檢測技術(shù)摘要：元器件的檢測是家電維修的一項基本功，如何準(zhǔn)確有效地檢測元器件的相關(guān)參數(shù)，判斷元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必須根據(jù)不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件的正常與否。特別對初學(xué)者來說，熟練掌握常用元器件的檢測方法和經(jīng)驗很有必要，以下對常用電子元器件的檢測經(jīng)驗和方法進行介紹供對考。通過對GJB548“微電子器件試驗方法和程序”頂層結(jié)構(gòu)的剖析和典型具體細(xì)微內(nèi)容的研究，對本標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性、涉及學(xué)科的廣泛性和先進性、可操作性及整體水平做出了評價；對如何學(xué)習(xí)、使用GJB548“微電子器件試驗方法和程序”闡述了意見；倡導(dǎo)在正確使用的基礎(chǔ)上，深入研究標(biāo)準(zhǔn)中執(zhí)行條款的依據(jù)；最后對如何通過吐故納新使GJB548“微電子器件試驗方法和程序”與時俱進，以適應(yīng)高可靠電子元器件發(fā)展對質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)的要求提出了建議。關(guān)鍵字：電子元器件質(zhì)量檢測電子半導(dǎo)體1電子元器件檢測方法1．1電阻器的檢測方法與經(jīng)驗：1．1．1固定電阻器的檢測：A將兩表筆（不分正負(fù)）分別與電阻的兩端引腳相接即可測出實際電阻值。為了提高測量精度，應(yīng)根據(jù)被測電阻標(biāo)稱值的大小來選擇量程。由于歐姆擋刻度的非線性關(guān)系，它的中間一段分度較為精細(xì)，因此應(yīng)使指針指示值盡可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20%?80%弧度范圍內(nèi)，以使測量更準(zhǔn)確。根據(jù)電阻誤差等級不同。讀數(shù)與標(biāo)稱阻值之間分別允許有±5％、±10％或±20％的誤差。如不相符，超出誤差范圍，則說明該電阻值變值了。B注意：測試時，特別是在測幾十kQ以上阻值的電阻時，手不要觸及表筆和電阻的導(dǎo)電部分；被檢測的電阻從電路中焊下來，至少要焊開一個頭，以免電路中的其他元件對測試產(chǎn)生影響，造成測量誤差；色環(huán)電阻的阻值雖然能以色環(huán)標(biāo)志來確定，但在使用時最好還是用萬用表測試一下其實際阻值。1．1．2水泥電阻的檢測：檢測水泥電阻的方法及注意事項與檢測普通固定電阻完全相同。1．1．3熔斷電阻器的檢測：在電路中，當(dāng)熔斷電阻器熔斷開路后，可根據(jù)經(jīng)驗作出判斷：若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，可斷定是其負(fù)荷過重，通過它的電流超過額定值很多倍所致；如果其表面無任何痕跡而開路，則表明流過的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值。對于表面無任何痕跡的熔斷電阻器好壞的判斷，可借助萬用表RXI擋來測量，為保證測量準(zhǔn)確，應(yīng)將熔斷電阻器一端從電路上焊下。若測得的阻值為無窮大，則說明此熔斷電阻器已失效開路，若測得的阻值與標(biāo)稱值相差甚遠(yuǎn)，表明電阻變值，也不宜再使用。在維修實踐中發(fā)現(xiàn)，也有少數(shù)熔斷電阻器在電路中被擊穿短路的現(xiàn)象，檢測時也應(yīng)予以注意。1．1．4電位器的檢測：檢查電位器時，首先要轉(zhuǎn)動旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動是否平滑，開關(guān)是否靈活，開關(guān)通、斷時“喀噠”聲是否清脆，并聽一聽電位器內(nèi)部接觸點和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說明質(zhì)量不好。用萬用表測試時，先根據(jù)被測電位器阻值的大小，選擇好萬用表的合適電阻擋位，然后可按下述方法進行檢測。A用萬用表的歐姆擋測“1”“2”兩端，其讀數(shù)應(yīng)為電位器的標(biāo)稱阻值，如萬用表的指針不動或阻值相差很多，則表明該電位器已損壞。B檢測電位器的活動臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測“1”、“2”（或“2”、“3”）兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時針方向旋至接近“關(guān)”的位置，這時電阻值越小越好。再順時針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐漸增大，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時，阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。如萬用表的指針在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動過程中有跳動現(xiàn)象，說明活動觸點有接觸不良的故障。1.1.5正溫度系數(shù)熱敏電阻（PTC）的檢測：檢測時，用萬用表RX1擋，具體可分兩步操作：A常溫檢測（室內(nèi)溫度接近25°C）；將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測出其實際阻值，并與標(biāo)稱阻值相對比，二者相差在土2Q內(nèi)即為正常。實際阻值若與標(biāo)稱阻值相差過大，則說明其性能不良或已損壞。B加溫檢測；在常溫測試正常的基礎(chǔ)上，即可進行第二步測試一加溫檢測，將一熱源（例如電烙鐵）靠近PTC熱敏電阻對其加熱，同時用萬用表監(jiān)測其電阻值是否隨溫度的升高而增大，如是，說明熱敏電阻正常，若阻值無變化，說明其性能變劣，不能繼續(xù)使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻靠得過近或直接接觸熱敏電阻，以防止將其燙壞。1.1.6負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻（NTC）的檢測：（1） 、測量標(biāo)稱電阻值Rt 用萬用表測量NTC熱敏電阻的方法與測量普通固定電阻的方法相同，即根據(jù)NTC熱敏電阻的標(biāo)稱阻值選擇合適的電阻擋可直接測出Rt的實際值。但因NTC熱敏電阻對溫度很敏感，故測試時應(yīng)注意以下幾點：ARt是生產(chǎn)廠家在環(huán)境溫度為25C時所得的，所以用萬用表測量Rt時，亦應(yīng)在環(huán)境溫度接近25C時進行，以保證測試的可信度。B測量功率不得超過規(guī)定值，以免電流熱效應(yīng)引起測量誤差。C注意正確操作。測試時，不要用手捏住熱敏電阻體，以防止人體溫度對測試產(chǎn)生影響。（2） 、估測溫度系數(shù)先在室溫t1下測得電阻值Rtl,再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測出電阻值RT2，同時用溫度計測出此時熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進行計算。1.1.7壓敏電阻的檢測：用萬用表的RX1k擋測量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無窮大，否則，說明漏電流大。若所測電阻很小，說明壓敏電阻已損壞，不能使用。1.1.8光敏電阻的檢測：A用一黑紙片將光敏電阻的透光窗口遮住，此時萬用表的指針基本保持不動，阻值接近無窮大。此值越大說明光敏電阻性能越好。若此值很小或接近為零，說明光敏電阻已燒穿損壞，不能再繼續(xù)使用。B將一光源對準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口，此時萬用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動，阻值明顯減些此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C將光敏電阻透光窗口對準(zhǔn)入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動，使其間斷受光，此時萬用表指針應(yīng)隨黑紙片的晃動而左右擺動。如果萬用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動而擺動，說明光敏電阻的光敏材料已經(jīng)損壞。1．2電容器的檢測方法與經(jīng)驗1．2．1固定電容器的檢測A檢測10pF以下的小電容因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬用表進行測量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測量時，可選用萬用表RXIOk擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個引腳，阻值應(yīng)為無窮大。若測出阻值（指針向右擺動）為零，則說明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。B檢測1OPF?001》F固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進而判斷其好壞。萬用表選用RX1k擋。兩只三極管的P值均為100以上，且穿透電流要些可選用3DG6等型號硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用，把被測電容的充放電過程予以放大，使萬用表指針擺幅度加大，從而便于觀察。應(yīng)注意的是：在測試操作時，特別是在測較小容量的電容時，要反復(fù)調(diào)換被測電容引腳接觸A、B兩點，才能明顯地看到萬用表指針的擺動。C對于0 01》F以上的固定電容，可用萬用表的RX10k擋直接測試電容器有無充電過程以及有無內(nèi)部短路或漏電，并可根據(jù)指針向右擺動的幅度大小估計出電容器的容量。1．2．2電解電容器的檢測A因為電解電容的容量較一般固定電容大得多，所以，測量時，應(yīng)針對不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗，一般情況下，1?47》F間的電容，可用RX1k擋測量，大于47》F的電容可用RX100擋測量。B將萬用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度（對于同一電阻擋，容量越大，擺幅越大），接著逐漸向左回轉(zhuǎn)，直到停在某一位置。此時的阻值便是電解電容的正向漏電阻，此值略大于反向漏電阻。實際使用經(jīng)驗表明，電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kQ以上，否則，將不能正常工作。在測試中，若正向、反向均無充電的現(xiàn)象，即表針不動，則說明容量消失或內(nèi)部斷路；如果所測阻值很小或為零，說明電容漏電大或已擊穿損壞，不能再使用。C對于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。D使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進行正、反向充電的方法，根據(jù)指針向右擺動幅度的大小，可估測出電解電容的容量。1．2．3可變電容器的檢測A用手輕輕旋動轉(zhuǎn)軸，應(yīng)感覺十分平滑，不應(yīng)感覺有時松時緊甚至有卡滯現(xiàn)象。將載軸向前、后、上、下、左、右等各個方向推動時，轉(zhuǎn)軸不應(yīng)有松動的現(xiàn)象。B用一只手旋動轉(zhuǎn)軸，另一只手輕摸動片組的外緣，不應(yīng)感覺有任何松脫現(xiàn)象。轉(zhuǎn)軸與動片之間接觸不良的可變電容器，是不能再繼續(xù)使用的。C將萬用表置于RXIOk擋，一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動幾個來回，萬用表指針都應(yīng)在無窮大位置不動。在旋動轉(zhuǎn)軸的過程中，如果指針有時指向零，說明動片和定片之間存在短路點；如果碰到某一角度，萬用表讀數(shù)不為無窮大而是出現(xiàn)一定阻值，說明可變電容器動片與定片之間存在漏電現(xiàn)象。1．3電感器、變壓器檢測方法與經(jīng)驗1.3.1色碼電感器的的檢測 將萬用表置于RX1擋，紅、黑表筆各接色碼電感器的任一引出端，此時指針應(yīng)向右擺動。根據(jù)測出的電阻值大小，可具體分下述三種情況進行鑒別：A被測色碼電感器電阻值為零，其內(nèi)部有短路性故障。B被測色碼電感器直流電阻值的大小與繞制電感器線圈所用的漆包線徑、繞制圈數(shù)有直接關(guān)系，只要能測出電阻值，則可認(rèn)為被測色碼電感器是正常的。1.3.2中周變壓器的檢測A將萬用表撥至RX1擋，按照中周變壓器的各繞組引腳排列規(guī)律，逐一檢查各繞組的通斷情況，進而判斷其是否正常。B檢測絕緣性能 將萬用表置于RXIOk擋，做如下幾種狀態(tài)測試：初級繞組與次級繞組之間的電阻值；初級繞組與外殼之間的電阻值；次級繞組與外殼之間的電阻值。上述測試結(jié)果分出現(xiàn)三種情況：(1)阻值為無窮大：正常；阻值為零：有短路性故障；阻值小于無窮大，但大于零：有漏電性故障。1.3.3電源變壓器的檢測：A通過觀察變壓器的外貌來檢查其是否有明顯異?，F(xiàn)象。如線圈引線是否斷裂，脫焊，絕緣材料是否有燒焦痕跡，鐵心緊固螺桿是否有松動，硅鋼片有無銹蝕，繞組線圈是否有外露等。B絕緣性測試。用萬用表RX10k擋分別測量鐵心與初級，初級與各次級、鐵心與各次級、靜電屏蔽層與衩次級、次級各繞組間的電阻值，萬用表指針均應(yīng)指在無窮大位置不動。否則，說明變壓器絕緣性能不良。C線圈通斷的檢測。將萬用表置于RXI擋，測試中，若某個繞組的電阻值為無窮大，則說明此繞組有斷路性故障。D判別初、次級線圈。電源變壓器初級引腳和次級引腳一般都是分別從兩側(cè)引出的，并且初級繞組多標(biāo)有220V字樣，次級繞組則標(biāo)出額定電壓值，如15V、24V、35V等。再根據(jù)這些標(biāo)記進行識別。E空載電流的檢測。（a） 直接測量法。將次級所有繞組全部開路，把萬用表置于交流電流擋（500mA串入初級繞組。當(dāng)初級繞組的插頭插入220V交流市電時，萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿載電流的10%?20%。一般常見電子設(shè)備電源變壓器的正常空載電流應(yīng)在100mA左右。如果超出太多，則說明變壓器有短路性故障。（b） 間接測量法。在變壓器的初級繞組中串聯(lián)一個10 /5W的電阻，次級仍全部空載。把萬用表撥至交流電壓擋。加電后，用兩表筆測出電阻R兩端的電壓降U，然后用歐姆定律算出空載電流I空，即I空=U/R。F空載電壓的檢測。將電源變壓器的初級接220V市電，用萬用表交流電壓接依次測出各繞組的空載電壓值（U21、U22、U23、U24）應(yīng)符合要求值，允許誤差范圍一般為：高壓繞組W±10%，低壓繞組W土5%，帶中心抽頭的兩組對稱繞組的電壓差應(yīng)W土2%。G一般小功率電源變壓器允許溫升為40°C?50°C,如果所用絕緣材料質(zhì)量較好，允許溫升還可提高。H檢測判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時，有時為了得到所需的次級電壓，可將兩個或多個次級繞組串聯(lián)起來使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須正確連接，不能搞錯。否則，變壓器不能正常工作。I.電源變壓器短路性故障的綜合檢測判別。電源變壓器發(fā)生短路性故障后的主要癥狀是發(fā)熱嚴(yán)重和次級繞組輸出電壓失常。通常，線圈內(nèi)部匝間短路點越多，短路電流就越大，而變壓器發(fā)熱就越嚴(yán)重。檢測判斷電源變壓器是否有短路性故障的簡單方法是測量空載電流（測試方法前面已經(jīng)介紹）。存在短路故障的變壓器，其空載電流值將遠(yuǎn)大于滿載電流的10%。當(dāng)短路嚴(yán)重時，變壓器在空載加電后幾十秒鐘之內(nèi)便會迅速發(fā)熱，用手觸摸鐵心會有燙手的感覺。此時不用測量空載電流便可斷定變壓器有短路點存在。2提高電子元器件質(zhì)量檢測能力的途徑2．1GJB548的結(jié)構(gòu)剖析在GJB548的適用范圍條目中寫到本標(biāo)準(zhǔn)“規(guī)定了軍用微電子器件的環(huán)境、機械電氣試驗方法和試驗程序，以及為保證微電子器件滿足預(yù)定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制和限制措施”，其主體結(jié)構(gòu)由試驗方法和試驗程序兩部分組成。環(huán)境試驗方法編號范圍為1001?1999；機械試驗方法編號范圍為2001?2999；電學(xué)試驗方法編號范圍為3001?4999；試驗程序范圍為5001?5999；這些方法編號均沒有占滿，空號是為新方法預(yù)留的。如即將頒布的GJB548B-2005版環(huán)境試驗最大方法編號為1034，中間還有6個空號。機械試驗最大方法編號為2035，中間有3個空號。電學(xué)試驗方法僅有方法3015靜電放電敏感度的分級一個方法（電參數(shù)試驗方法我國大部分都采用國標(biāo)的相應(yīng)方法）。試驗程序只有從方法5001到方法5013共13個方法。所以即將頒發(fā)的新版GJB548共計有方法和程序74個。MIL-STD-883在歷次更新版本時其方法的編號是不變的，GJB548也是如此。例如方法2019在歷次MIL-STD-883及GJB548的版本中都是“芯片剪切強度”。如果芯片剪切強度的具體方法有變化，僅在方法號后加標(biāo)識。如在即將頒發(fā)的新版GJB548中,“方法2019芯片剪切強度”用“方法2019.2芯片剪切強度”表示，意味著此方法是經(jīng)過兩次改版。GJB548中的每個方法通常由“目的”、“設(shè)備”、“程序”、“說明”四部分組成。在“目的”中主要闡明本項試驗在器件質(zhì)量與可靠性保證中起作用。例如“方法1032封裝引起的軟錯誤試驗程序”的“目的”表述為：“本試驗用于測試集成電路在已知試驗條件下對于由a粒子所產(chǎn)生錯誤的敏感程度。本試驗特定用于測定器件承受a粒子撞擊的能力，同時還可以確定芯片表面保護層的效能。通過試驗確定由器件封裝、芯片和芯片表面保護層材料中的a輻射源引起的器件失效率”。部分試驗方法的目的中還有相關(guān)的技術(shù)術(shù)語定義?！霸O(shè)備”部分主要闡述該項目試驗所用的儀器、設(shè)備、器具和材料的要求。這些要求都是十分具體的量化要求。例如對測量器件內(nèi)部的水汽含量的質(zhì)譜儀提出了“譜范圍：讀取到的最小譜范圍應(yīng)在1?100原子質(zhì)量單位（AMUs）。檢測精度：對給定的封裝再現(xiàn)地檢測出規(guī)定的水汽含量，其精度為20:1。即對于0.1cm3，允許水汽含量為5X10-3，質(zhì)譜儀應(yīng)具有檢測出0.01cm3封裝體積內(nèi)水汽含量小于2.5X10-4的最小檢測精度”的要求。“程序”中主要的內(nèi)容是試驗的具體程序、方法和判據(jù)?！罢f明”中提示用戶在采購文件中應(yīng)規(guī)定的本試驗沒有明確的有關(guān)內(nèi)容。如“方法1033寫/擦疲勞壽命”的“說明”給出了下面的內(nèi)容：有關(guān)的采購文件應(yīng)規(guī)定以下內(nèi)容：（a）寫/擦循環(huán)次數(shù)；（b）數(shù)據(jù)維持烘焙條件，包括持續(xù)時間和溫度；（c）電學(xué)測試時外殼溫度和定時條件；（d）適用時預(yù)處理條件和過程（若與第3章條件規(guī)定不同）；（e）環(huán)條件，包括溫度、方式（例如采用“塊”、“字節(jié)”或“位”）以及寫/擦脈沖的持續(xù)時間和重復(fù)速率；（f）抽樣方案，包括進行循環(huán)試驗的器件數(shù)和接收數(shù)。在GJB548的一些方法中還采用了大量的圖、表和曲線等方式描述“設(shè)備”和“程序”中的內(nèi)容。2．2GJB548的實踐性與科學(xué)性GJB548是大量電子元器件應(yīng)用實踐的經(jīng)驗與現(xiàn)代科學(xué)相結(jié)合的產(chǎn)物。GJB548中的方法是對電子元器件在使用過程中大量出現(xiàn)的失效模式進行機理分析，并將這些失效機理對應(yīng)的元器件的材料、結(jié)構(gòu)缺陷和隱患與現(xiàn)代檢測技術(shù)相結(jié)合形成的，所以這些方法針對性很強，有很好的實踐性與科學(xué)性。為了便于闡述，下面通過幾個實例說明GJB548的實踐性與科學(xué)性。對密封空腔封裝的微電路應(yīng)用中多次出現(xiàn)的批次性腐蝕開路失效模式，經(jīng)失效機理分析，結(jié)論是由沾污與空腔內(nèi)水汽含量過高引起的化學(xué)反應(yīng)，其中水汽含量過高是發(fā)生這種失效的必要條件。所以控制空腔內(nèi)水汽含量是控制腐蝕開路失效模式的有效手段。為了解決這一實踐應(yīng)用的需求，還必須解決空腔內(nèi)水汽含量控制在什么范圍和如何測量器件空腔內(nèi)水汽含量問題。軍用微電路內(nèi)部水汽含量不得大于5X10-3的判據(jù)是要通過理論研究和大量的試驗才能獲得，而測量方法是利用了質(zhì)譜分析等大量現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的成果。GJB548方法1018.1內(nèi)部水汽含量的實踐性與科學(xué)性不僅體現(xiàn)在方法的形成過程，而更重要的方面體現(xiàn)在這一方法經(jīng)過大量實踐的驗證?？臻g環(huán)境下工作的微電路由于受電離輻射的作用，在總劑量達(dá)到某一閾值時，由于電離輻射損傷的積累效應(yīng)使微電路的性能，特別是與漏電有關(guān)的電性能會劣化，導(dǎo)致微電路失效。為了解決微電路在進入空間環(huán)境前確定其適應(yīng)空間環(huán)境的工作能力，GJB548給出了用鉆60y射線源照射微電路評價微電路在低劑量率環(huán)境下抗電離輻射能力的方法“1019.2電離輻射（總劑量）試驗程序”。它是將對航天器的輻照環(huán)境的研究成果、輻照核物理現(xiàn)代研究成果與微電路在空間環(huán)境下實際受電離輻射的應(yīng)力及微電路在受電離輻射過程的物理變化等研究成果融合而成的，充分體現(xiàn)了GJB548中方法的實踐性與科學(xué)性。靜電對微電路的損傷曾給工程造成重大損失。定量表述的微電路抗靜電損傷能力是元器件使用和制造部門渴求的可靠性指標(biāo)。GJB548中“方法3015靜電放電敏感度的分級”給出了完整的微電路抗靜電損傷能力定量評定方法。方法中給出了人體靜電放電的等效電路，給出了試驗設(shè)備對微電路放電的放電電流時間曲線，給出了對器件外引線具體的放電試驗程序。顯而易見，沒有對靜電損傷機理的全面深入的研究，沒有對大量人體靜電放電規(guī)律的研究是無法給出方法3015中的具體試驗程序和對試驗設(shè)備性能的定量要求的。從上述的例子可以看出GJB548中的方法是有深厚的應(yīng)用需求背景的，是以大量卓有成效的失效分析為基礎(chǔ)的，并采用了相關(guān)現(xiàn)代科學(xué)成果，所以它具備很好的實踐性與科學(xué)性。2．3技術(shù)內(nèi)涵豐富GJB548內(nèi)涵豐富首先表現(xiàn)在它的技術(shù)內(nèi)容十分廣泛。GJB548幾乎涉及到除天文學(xué)、醫(yī)學(xué)和人文科學(xué)以外的所有自然科學(xué)領(lǐng)域。方法1005.1穩(wěn)態(tài)壽命的理論依據(jù)是半導(dǎo)體器件物理、表面物理；方法1001低氣壓、方法1014.2密封方法涉及真空物理的有關(guān)內(nèi)容；方法1018.1內(nèi)部水汽含量涉及原子物理的基本理論；方法1017中子輻射、方法1019.2電離輻射（總劑量）試驗程序是以核輻射物理為基礎(chǔ)的；方法2014內(nèi)部目檢和結(jié)構(gòu)檢查和方法2017.1內(nèi)部目檢（混合電路）應(yīng)用了物理光學(xué)；方法1013.1露點和方法1014.2密封涉及了氣體分子運動論的理論；方法1012熱性能利用了熱力學(xué)基本理論；方法2003.1可焊性和方法1006間歇壽命是以冶金學(xué)為基礎(chǔ)的；方法2002.1機械沖擊和方法2007掃頻振動等的基礎(chǔ)是機械力學(xué)；方法1003絕緣電阻及方法3015靜電放電敏感度的分級涉及大量電學(xué)知識；方法1004.1耐濕涉及流體力學(xué)的基礎(chǔ)；方法2035載帶自動焊焊接質(zhì)量的超聲檢測的理論基礎(chǔ)是聲學(xué)；方法1009.2鹽霧（鹽汽）和方法1031薄膜腐蝕試驗的基本理論是無機化學(xué)；方法5011聚合材料的評價和驗收程序和方法2015.1耐溶劑性應(yīng)用了有機化學(xué)知識；方法5001參數(shù)平均值控制和方法5002參數(shù)分布控制是以統(tǒng)計數(shù)學(xué)為基礎(chǔ)等。從GJB548中還可以獲得諸如鹽霧試驗箱、交變潮熱試驗箱、核質(zhì)譜檢漏儀、X光檢測儀、內(nèi)部氣氛檢測儀、機械沖擊臺、掃頻振動臺、掃描電子顯微鏡、粒子碰撞噪聲檢測等多種儀器設(shè)備的性能。GJB548的技術(shù)內(nèi)涵豐富還表現(xiàn)在它包含著大量的元器件可靠性實踐經(jīng)驗的結(jié)晶。例如方法2014內(nèi)部目檢和結(jié)構(gòu)檢查；方法2017.1內(nèi)部目檢（混合電路）；方法2032無源元件的目檢給出的目檢項目和接受判據(jù)大都是取自于成功的實踐經(jīng)驗。例如在方法2014內(nèi)部目檢和結(jié)構(gòu)檢查中對拍攝放大的彩色照片的規(guī)定“當(dāng)有規(guī)定時，應(yīng)拍攝放大的彩色照片或透明膠片來顯示在芯片和基板上形成的元件布局圖和金屬化圖形。照片應(yīng)至少放大80倍，但是如果放大80倍使照片的尺寸大于20cmX25cm，可以減小放大倍數(shù)使照片的尺寸為20cmX25cm”。又如方法2010.1內(nèi)部目檢（單片）中金屬化層劃傷的檢查要求“S級MOS結(jié)構(gòu)產(chǎn)品金屬空洞使未受破壞的部分小于原來柵氧化層上金屬化層面積的75%；B級MOS結(jié)構(gòu)產(chǎn)品金屬空洞使未受破壞的部分小于原來柵氧化層上金屬化層面積的60%”其中的75%、60%等要求大都是可靠性實踐的結(jié)果，并不來源于嚴(yán)格的理論計算。GJB548的技術(shù)內(nèi)容不僅有物理學(xué)和化學(xué)的經(jīng)典知識，還含有許多現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)新成果的應(yīng)用。方法5012數(shù)字微電路的故障覆蓋率測量，方法1032封裝引起的軟錯誤試驗程序，方法2031倒裝片拉脫試驗等都反映了大規(guī)模MOS微電路新的測試技術(shù)、新失效機理和新封裝技術(shù)的研究成果。深入掌握與自己工作相關(guān)的試驗方法的技術(shù)內(nèi)容是十分必要的。只知道“要求什么”、“做什么”和“怎么做”是不夠的，還必須明白“為什么”，才能用GJB548正確地處理在試驗中遇到的各種實際問題。如果我國從事元器件檢測試驗工作的技術(shù)人員和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)化工作者有10%的人能夠回答GJB548中的“要求什么”、“做什么”和“怎么做”的理論和試驗依據(jù)，那么我國的檢測水平就會躍升一個大臺階。2．4GJB548的發(fā)展我國的技術(shù)人員在依據(jù)MIL-STD-883從E版修改GJB548A版的過程中就對MIL-STD-883E版中的部分缺陷進行了修正。在我們實施航天電子元器件可靠性增長工程的過程中，通過試驗研究也豐富和發(fā)展了元器件的檢測理論和方法。例如對于小腔體器件內(nèi)部水汽含量的檢測方法提出了“腔體小于0.01cm3的器件，只要封裝時處于高壓氣壓環(huán)境仍可測量；低氣壓環(huán)境封裝的器件即便腔體大于0.01cm3獲得的數(shù)據(jù)也會偏真實值。是否可檢測的關(guān)鍵是腔體內(nèi)氣體的總含量”這一論點得到了實踐和理論的驗證。關(guān)于小芯片、小間距芯片剪切強度的檢測方法，關(guān)于晶體器件晶振片鍵合強度的檢測方法等，我國的檢測人員提出了包括設(shè)備、程序、判據(jù)等完整的檢測方法，其科學(xué)性和可操作性得到了實踐的驗證。隨著我國軍用電子元器件檢測技術(shù)的發(fā)展和技術(shù)人員素質(zhì)的提高GJB548也會不斷的豐富和發(fā)展。3參考文獻《半導(dǎo)體技術(shù)》/view/630ea35f312b3169a451a4dc.html/view/fe0f5012a216147917112834.html新型電子元器件研發(fā)生產(chǎn)制造新工藝新技術(shù)與材料選用及質(zhì)量檢測標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范實用全書/view/fee22ef90242a8956bece4ca.html/%C2%DE%BF%FD/blog/item/e2b1f545c098b82ecffca3cb.html4附錄電子元器件檢驗標(biāo)準(zhǔn)一、三極管：1、標(biāo)志正確、清晰。2、三極管主體部分無殘缺、傷痕，管腳不得發(fā)黃、露銅、無油污，易上錫3、電氣參數(shù)：（1）KSE13003-H1參數(shù)符號數(shù)值單位集電極-射極電壓（VBE=O）Vces700V集電極-射極電壓（IB=0）Vceo400V射極-基極電壓力（Ic=O）Vebo9V集電極電流Ic1.5A集電極電峰值電流Icm3A基極電流Ib0.75A總功耗（TC=25C）Pc20W最大工作結(jié)溫度Tj150C存貯溫度Tstg-65~150C電氣特性（TC=25°C）參數(shù)符號測試條件MINTypMAXunit集電極-射極持續(xù)電壓（IB=0）Vceo(sus)Ic=5ma,Ib=0400VEmittbrCutoffCurrentIeboVeb=9V,Ic=010UADC直流增益hfeVce=2V,Ic=0.5A820Vce=2V,Ic=lA525集電極-射極飽和電壓Vce(sat)Ic=0.5A,Ib=0.1A0.5VIc=lA,Ib=0.25A1VIc=1.5A,Ib=0.5A3V基極-射極飽和電壓Vbe(sat)Ic=0.5A,Ib=0.1A1VIc=lA,Ib=0.25A1.2VCurrent Cain BandwldtnProductfTVce=10V,Ib=0.1A4MHzTumOnTimetcnV=125V1.1USStoyageTimetsTcIc=1A4USFafftimetFIbi=0.2A,Ibz=0.2A0.7US2)、BUL128-A參數(shù)符號值單位集電極-射極電壓（VBE=0）集電極-射極電壓（IB=0）射極-基極電壓（IC=0）VcesVceoVebo700400集電極電流集電極峰值電流IcIcm基極電流基極峰值電流IbIbm總功耗=TC=25C最大工作結(jié)溫度PcTj70-65-150°C存貯溫度Tj150熱數(shù)據(jù)：Rthj-case熱阻結(jié)一殼（最大）1.78C/WRthj—amb熱阻結(jié)一環(huán)境（最大）62.5C/W電氣特性 （Tcase=25C）：StmbolParameterTestConditionsMin.TypMax.UnitIces集電極斷開電流（Vbe=1.5V）Vce=700VVce=700VTj=125C100500UAUAVebo射極-基極電壓Ie=10mA9UAVceo(svs)集電極-射極持續(xù)電壓（Ib=0）Ic=100mAL=25mH400VIceo基極開路集電極斷開電流Vce=400V250UAVce(sat)Collector—EmitterSaturationvoltage集電極-射極飽和電壓Ic=0.5A,Ib=0.1AIc=1A,Ib=0.2AIc=2.5A, Ib=0.5AIc=4A,Ib=1A0.50.711.5VVVVbe(sat)Base-EmitterSatur