半導(dǎo)體制造技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下上海工程技術(shù)大學(xué)

半導(dǎo)體制造技術(shù)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下上海工程技術(shù)大學(xué)上海工程技術(shù)大學(xué)

第一章測試

“摩爾定律”是（）提出的？

A:1958年B:1965年C:1960D:1970年

答案:1965年

第一個晶體管是（）材料晶體管？

A:硅B:鍺C:碳

答案:鍺

戈登摩爾是（）科學(xué)家。

A:德國B:英國C:美國D:法國

答案:美國

第一個集成電路在（）被研制。

A:1965B:1955C:1960D:1958

答案:1958

（）被稱為中國“芯片之父”。1、

A:沈緒榜B:鄧中翰C:吳德馨D:許居衍

答案:鄧中翰

第二章測試

硅在地殼中的儲量為（）。

A:第四B:第一C:第三D:第二

答案:第二

脫氧后的沙子主要以（）的形式。

A:硅B:二氧化硅C:碳化硅

答案:二氧化硅

半導(dǎo)體級硅的純度（）。

A:99.9999999％B:99.999999％C:99.999％D:99.99999％

答案:99.9999999％

西門子工藝制備得到的硅為單晶硅。（）

A:對B:錯

答案:錯

一片硅片只有一個定位邊。（）

A:對B:錯

答案:錯

晶面指數(shù)（m1m2m3）：m1、m2、m3分別為晶面在X、Y、Z軸上截距的倒數(shù)。（）

A:錯B:對

答案:對

第三章測試

通過薄膜淀積方法生長薄膜不消耗襯底的材料。（）

A:對B:錯

答案:對

熱氧化法在硅襯底上制備二氧化硅需要消耗硅襯底。（）

A:對B:錯

答案:對

二氧化硅可以與氫氟酸發(fā)生反應(yīng)。（）

A:錯B:對

答案:對

薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:錯B:對

答案:錯

電阻率，表征導(dǎo)電能力的參數(shù)，同一種物質(zhì)的電阻率在任何情況下都是不變的。（）

A:對B:錯

答案:錯

第四章測試

光刻本質(zhì)上是光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)。（）

A:對B:錯

答案:對

一個透鏡的數(shù)值孔徑越大就能把更少的衍射光會聚到一點(diǎn)。（）

A:錯B:對

答案:錯

使用正膠進(jìn)行光刻時，晶片上所得到的圖形與掩膜版圖形相同。（）

A:對B:錯

答案:對

使用負(fù)膠進(jìn)行光刻時，晶片上得到的圖形與掩膜版上的圖形相反。（）

A:對B:錯

答案:對

正性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:對B:錯

答案:對

負(fù)性光刻膠經(jīng)過曝光后，可以溶解于顯影液。（）

A:對B:錯

答案:錯

第五章測試

刻蝕是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。（）

A:錯B:對

答案:錯

濕法刻蝕是各向同性腐蝕。（）

A:對B:錯

答案:對

干法刻蝕有各向同性腐蝕，也有各向異性腐蝕。（）

A:對B:錯

答案:對

選擇比指在不同刻蝕條件下，刻蝕一種材料對另一種材料的刻蝕速率之比。（）

A:對B:錯

答案:錯

同一晶體不同晶面的原子鍵密度不一樣，導(dǎo)致刻蝕速率不一樣。（）

A:錯B:對

答案:對

第六章測試

雜質(zhì)摻雜只能改變半導(dǎo)體的類型，不能改變其電阻率。（）

A:錯B:對

答案:錯

擴(kuò)散是一種人為現(xiàn)象，是微觀粒子熱運(yùn)動的形式，結(jié)果使其濃度趨于均勻。（）

A:對B:錯

答案:錯

菲克第一擴(kuò)散定律中的負(fù)號代表從高濃度向低濃度運(yùn)動。（）

A:對B:錯

答案:對

半導(dǎo)體常用的摻雜方式有擴(kuò)散和離子注入。（）

A:對B:錯

答案:對

離子注入摻雜是物理過程。（）

A:對B:錯

答案:對

第七章測試

選擇比指在同樣的條件下對兩種無圖形覆蓋材料拋光速率的比值。（）

A:對B:錯

答案:對

尖楔現(xiàn)象是鋁硅接觸時，較多的鋁溶解到硅中形成尖刺的現(xiàn)象。（）

A:對B:錯

答案:錯

雙大馬士革中采用CMP，銅需要被刻蝕。（）

A:對B:錯

答案:錯

高溫回流：一般是在高溫下進(jìn)行，可適用于所有金屬層間介質(zhì)。（）

A:對B:錯

答案:錯

肖特基接觸在某種條件下可以轉(zhuǎn)變?yōu)闅W姆接觸（高摻雜）。（）

A:對B:錯

答案:對

第八章測試

物質(zhì)有三種形態(tài)。（）

A:對B:錯

答案:錯

霜是有水汽直接在地面或近地面的物體上凝華形成的。（）

A:對B:錯

答案:對

半導(dǎo)體制造工藝中用的氣體可以隨便運(yùn)輸。（）

A:對B:錯

答案:錯

工藝腔是指一個受控的常壓環(huán)境。（）

A:對B:錯

答案:錯

等離子體是不導(dǎo)電的。（）

A:錯B:對

答案:錯

第九章測試

芯片測試完成時，合格的芯片用墨水標(biāo)出。（）

A:對B:錯

答案:錯

芯片成品率等于合格芯片數(shù)占總芯片數(shù)的百分比。（）

A:錯B:對

答案:對

半導(dǎo)體制造工藝中不同硅片之間測試數(shù)據(jù)差別過大是可以接受的。（）

A:對B:錯

答案:錯

泊松模