第三章msp430基本外設3 11 flash編程

嵌入式系統(tǒng)中嵌入式系統(tǒng)中存儲器介–––嵌入式系統(tǒng)中常用存儲器分Flash存儲器介RAM存儲器介MSP430存儲器介–––Flash存儲器讀寫操Flash存儲器分段結Flash存儲器寄存RAMRAMROM?FLASH模塊邏512????256位口令可以保護通過BSL對Flash???FlashFlash存儲器通過BLKWRT，WRT，MERAS和30、字節(jié)/字/長字（32位）寫31、塊寫33、扇區(qū)擦除（針對主存儲區(qū)34、主存擦除（所有的主存儲扇區(qū)0110（一個扇區(qū)110110（一個扇區(qū)11可以可以通過WRT和BLKWRT位來選擇寫模作，ACCVIFG將置位。在塊寫入模式下，WAIT=1時，允許對FCTL1進行寫操作，但是當WAIT=0時，對FCTL1的寫操作為非法操作，ACCVIFG置位當BUSY=1時，對FCTL2的任何寫入操作是非法操作當BUSY=1時，可以讀FCTLx寄存器。讀操作不會產生非法訪問當當1時，從RAM（BUSY0）,CPUBUSY0時，F(xiàn)lash控制器才允許CPU位76543210 位76543210 位98 位76543210位98位76543210位98 位76543210沒有擦除操 段擦 位76543210沒有擦除操 段擦 扇區(qū)擦 位98 位76543210位76543210位98 位76543210位76543210位98 位76543210非法訪問中斷標 1沒有中斷產2位位76543210非法訪問中斷標 1沒有中斷產2位98 位76543210 位76543210 位98 位76543210不 位位76543210不 位98 位76543210位98 位76543210位98 位76543210位76543210位98 位76543210 位76543210 0位98 位76543210位位76543210位98 位76543210位98 位76543210位98 實現(xiàn)實現(xiàn)對SegD進行擦除和寫入數(shù)據(jù)操作，將value值寫void｛void｛ unsignedlong*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)0x1800;unsignedlongvalue=//判斷是否處于忙碌狀WDTCTL=While(FCTL3& 置位ERASE位，選擇段擦 空寫操作，地址可以為段范圍內的任意寫FCTL3=FCTL1=*FLASH_ptrD=FCTL1=*FLASH_ptrD=//判斷是否處于忙碌狀清除WRTFCTL1=FWKEY;FCTL3=｝unsignedlong*FLASH_ptrD=(unsignedlong*)0x1800;unsignedlongvalue=0x12345678;voidmain{unsignedint//關閉看門狗定時 擦除FLASHInfoD段do{擦除FLASHInfoD段do{Flash_segmentErase( (unsignedint*)FLASH_ptrDstatus=Flash_eraseCheck( 128);}while(status==寫FLASHFlash_write32( (unsignedlong*)(FLASH_ptrD),1);????? ????? //初始化FLASH信息段SegC與SegD的指 *FLASH_ptrC=(uint8_t*) *FLASH_ptrD=(uint8_t*)void{uint8_tvalue=WDTCTL=WDTPW+FLASH_ptrC=(uint8_t*)0x1880;FLASH_ptrD=(uint8_t*) }//遞增變量寫入信息段//信息段SegC的內容寫入信息段//無限循環(huán)，在此設置斷????? ????? 初始化FLASH信息段SegC與SegD *FLASH_ptrC=(uint8_t*) *FLASH_ptrD=(uint8_t*)void{uint8_tvalue