電子與通信技術(shù)：集成電路工藝原理考試試題（題庫版）

電子與通信技術(shù)：集成電路工藝原理考試試題（題庫版）1、判斷題

對于大馬士革工藝，重點是在于金屬的刻蝕而不是介質(zhì)的刻蝕。正確答案：錯2、判斷題

雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴散來制作p（江南博哥）n結(jié)，取而代之的是離子注入。正確答案：對3、判斷題

人員持續(xù)不斷地進出凈化間，是凈化間沾污的最大來源。正確答案：對4、問答題

倒裝焊芯片凸點的分類、結(jié)構(gòu)特點及制作方法？正確答案：蒸鍍焊料凸點：蒸鍍焊料凸點有兩種方法，一種是C4技術(shù)，整體形成焊料凸點；電鍍焊料凸點：電鍍焊料是一個成熟的工藝。先整體形成UBM層并用作電鍍的導(dǎo)電層，然后再用光刻膠保護不需要電鍍的地方。電鍍形成了厚的凸點。印刷焊料凸點：焊膏印刷凸點是一種廣泛應(yīng)用的凸點形成方法。印刷凸點是采用模板直接將焊膏印在要形成凸點的焊盤上，然后經(jīng)過回流而形成凸點釘頭焊料凸點：這是一種使用標(biāo)準(zhǔn)的球形導(dǎo)線鍵合技術(shù)在芯片上形成的凸點方法?？捎肁u絲線或者Pb基的絲線?；瘜W(xué)凸點：化學(xué)鍍凸點是一種利用強還原劑在化學(xué)鍍液中將需要鍍的金屬離子還原成該金屬原子沉積在鍍層表面形成凸點的方法。5、問答題

簡要說明IC制造的平坦化工藝的作用是什么？主要有哪些方式？并解釋各種方式的詳細(xì)內(nèi)容。正確答案：在多層布線立體結(jié)構(gòu)中，把成膜后的凸凹不平之處進行拋光研磨，使其局部或全局平坦化。A.關(guān)于ECMP（電化學(xué)機械研磨方法），其工作步驟如下：首先，用電能使Cu氧化，再用絡(luò)合劑使之生成Cu的絡(luò)合物，最終研磨掉Cu絡(luò)合物。從對加工面進行研磨加工的原理觀察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同樣的，而且加工面獲得的平坦度性能也是同等水平。但是，ECMP的必要條件是底座盤應(yīng)具備導(dǎo)電性。B.關(guān)于電解研磨ECP方法，利用電鍍的逆反應(yīng)。從電場集中之處開始進行刻蝕，可獲得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蝕平坦的區(qū)域只限于突起部分。C.關(guān)于化學(xué)蝕刻CE構(gòu)成的平坦化技術(shù)，它是把Si的精細(xì)加工等領(lǐng)域里使用的各向異性刻蝕用濕式刻蝕法實現(xiàn)的。關(guān)于濕式刻蝕法雖然對于平坦化無能為力，但是，若把圓片一面旋轉(zhuǎn)一面加工，則產(chǎn)生各向異性，體現(xiàn)出平坦化能力。6、問答題

簡述MCM的概念、分類與特性？正確答案：概念：將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。分類：MCM-L是采用片狀多層基板的MCM、MCM-C是采用多層陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技術(shù)的MCM。特性：尺寸小、技術(shù)集成度高、數(shù)據(jù)速度和信號質(zhì)量高、可靠性高、成本低、PCB板設(shè)計簡化、提高圓片利用率、降低投資風(fēng)險?？纱蠓忍岣唠娐愤B線密度，增加封裝效率；可完成輕、薄、短、小的封裝設(shè)計；封裝的可靠性提升。7、名詞解釋

濺射鍍膜正確答案：濺射鍍膜是利用電場對輝光放電過程中產(chǎn)生出來的帶電離子進行加速，使其獲得一定的動能后，轟擊靶電極，將靶電極的原子濺射出來，沉積到襯底形成薄膜的方法。8、判斷題

光刻的本質(zhì)是把電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。正確答案：對9、判斷題

有光刻膠覆蓋硅片的三個生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴散區(qū)。正確答案：對10、判斷題

硼是VA族元素，其摻雜形成的半導(dǎo)體是P型半導(dǎo)體。正確答案：錯11、填空題

單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。正確答案：CZ法；區(qū)熔法；硅錠12、判斷題

P是VA族元素，其摻雜形成的半導(dǎo)體是P型半導(dǎo)體。正確答案：對13、判斷題

離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。正確答案：對14、判斷題

與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。正確答案：對15、名詞解釋

化學(xué)氣相沉積正確答案：化學(xué)氣體或蒸氣和晶圓表面的固體產(chǎn)生反應(yīng)，在表面上以薄膜形式產(chǎn)生固態(tài)的副產(chǎn)品，其它的副產(chǎn)品是揮發(fā)性的會從表面離開。16、判斷題

外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延兩大類。正確答案：對17、判斷題

阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。正確答案：錯18、填空題

擴散是物質(zhì)的一個基本性質(zhì)，分為三種形態(tài)（）擴散、（）擴散和（）擴散。正確答案：氣相；液相；固相19、填空題

隨著銅布線中大馬士革工藝的引入，金屬化工藝變成刻蝕（）以形成一個凹槽，然后淀積（）來覆蓋其上的圖形，再利用（）把銅平坦化至ILD的高度。正確答案：介質(zhì)；金屬；CMP20、填空題

淀積膜的過程有三個不同的階段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。正確答案：晶核形成；聚焦成束；匯聚成膜21、填空題

目前常用的CVD系統(tǒng)有（）、（）和（）。正確答案：APCVD；LPCVD；PECVD22、判斷題

投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。正確答案：錯23、填空題

從半導(dǎo)體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號是（）、（）和（）。正確答案：100；110；11124、判斷題

離子注入的缺點之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。正確答案：對25、問答題

簡述CSP的封裝技術(shù)？正確答案：所謂CSP，即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個特點：（1）體積?。篊SP是目前體積最小的LSI芯片封裝之一。（2）可容納的引腳最多：相同尺寸的LSI芯片的各類封裝中，CSP的引腳最多。（3）電性能好：CSP寄生電容很小，信號傳輸延遲時間短。（4）散熱性能優(yōu)良：大多數(shù)CSP都將芯片面向下安裝，能從芯片背面散熱，且效果良好。26、填空題

終點檢測是指（）的一種檢測到平坦化工藝把材料磨到一個正確厚度的能力。兩種最常用的原位終點檢測技術(shù)是（）和（）。正確答案：CMP設(shè)備；電機電流終點檢測；光學(xué)終點檢測27、問答題

常用的半導(dǎo)體材料為何選擇硅？正確答案：1）硅的豐裕度。硅是地球上第二豐富的元素，占地殼成分的25%；經(jīng)合理加工，硅能夠提純到半導(dǎo)體制造所需的足夠高的純度而消耗更低的成本。2）更高的熔化溫度允許更寬的工藝容限。硅1412℃>鍺937℃。3）更寬的工作溫度。用硅制造的半導(dǎo)體件可以用于比鍺更寬的溫度范圍，增加了半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍和可靠性。4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一種高質(zhì)量、穩(wěn)定的電絕緣材料，而且能充當(dāng)優(yōu)質(zhì)的化學(xué)阻擋層以保護硅不受外部沾污；氧化硅具有與硅類似的機械特性，允許高溫工藝而不會產(chǎn)生過度的硅片翹曲。28、判斷題

關(guān)鍵層是指那些線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。正確答案：對29、判斷題

在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預(yù)淀積、推進和激活。正確答案：對30、判斷題

快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng)，帶有輻射熱和冷卻源，通常一次處理一片硅片。正確答案：對31、判斷題

表面起伏的硅片進行平坦化處理，主要采用將低處填平的方法。正確答案：錯32、問答題

引線鍵合技術(shù)的分類及結(jié)構(gòu)特點？正確答案：1、熱壓焊：熱壓焊是利用加熱和加壓力，使焊區(qū)金屬發(fā)生塑性形變，同時破壞壓焊界面上的氧化層，使壓焊的金屬絲與焊區(qū)金屬接觸面的原子間達(dá)到原子的引力范圍，從而使原子間產(chǎn)生吸引力，達(dá)到“鍵合”的目的。2、超聲焊：超聲焊又稱超聲鍵合，它是利用超聲波（60-120kHz）發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過磁致伸縮換能器，在超高頻磁場感應(yīng)下，迅速伸縮而產(chǎn)生彈性振動經(jīng)變幅桿傳給劈刀，使劈刀相應(yīng)振動；同時，在劈刀上施加一定的壓力。于是，劈刀就在這兩種力的共同作用下，帶動Al絲在被焊區(qū)的金屬化層（如Al膜）表面迅速摩擦，使Al絲和Al膜表面產(chǎn)生塑性形變。這種形變也破壞了Al層界面的氧化層，使兩個純凈的金屬面緊密接觸，達(dá)到原子間的“鍵合”，從而形成牢固的焊接。3、金絲球焊：球焊在引線鍵合中是最具有代表性的焊接技術(shù)。這是由于它操作方便、靈活，而且焊點牢固，壓點面積大，又無方向性?，F(xiàn)代的金絲球焊機往往還帶有超聲功能，從而又具有超聲焊的優(yōu)點，有的也叫做熱（壓）（超）聲焊?？蓪崿F(xiàn)微機控制下的高速自動化焊接。因此，這種球焊廣泛地運用于各類IC和中、小功率晶體管的焊接。33、判斷題

在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。正確答案：錯34、問答題

測試過程4要素？正確答案：檢測：確定被測器件（DUT）是否具有或者不具有某些故障。診斷：識別表現(xiàn)于DUT的特定故障。器件特性的描述：確定和校正設(shè)計或者測試中的錯誤。失效模式分析（FMA.：確定引起DUT缺陷制造過程中的錯誤。35、填空題

縮略語PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是（）、（）、高密度等離子體化學(xué)氣相淀積和（）。正確答案：等離子體增強化學(xué)氣相淀積；低壓化學(xué)氣相淀積；常壓化學(xué)氣相淀積36、名詞解釋

橫向擴散正確答案：由于光刻膠無法承受高溫過程，擴散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當(dāng)原子擴散進入硅片，它們向各個方向運動：向硅的內(nèi)部，橫向和重新離開硅片。假如雜質(zhì)原子沿硅片表面方向遷移，就發(fā)生了橫向擴散。37、判斷題

離子注入是一個物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。正確答案：對38、判斷題

在CMP設(shè)備中被廣泛采用的終點檢測方法是光學(xué)干涉終點檢測。正確答案：對39、判斷題

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。正確答案：對40、問答題

BGA的封裝結(jié)構(gòu)和主要特點？正確答案：封裝結(jié)構(gòu)：BGA球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陣列載體（PAC.。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。焊球材料為低熔點共晶焊料合金，直徑約1mm，間距范圍1.27-2.54mm，焊球采用低熔點焊料合金連接在基板底部，組裝時焊球熔融，與PCB表面焊盤接合在一起，呈現(xiàn)桶狀。特點：BGA引腳很短，使信號路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能。BGA有利于散熱。BGA也適合MCM的封裝，有利于實現(xiàn)MCM的高密度、高性能。41、問答題

簡述干氧氧化與濕氧氧化各自的特點，通常用哪種工藝制備較厚的二氧化硅層？正確答案：干氧氧化：（優(yōu)）結(jié)構(gòu)致密，表面平整光亮；對雜質(zhì)掩蔽能力強；鈍化效果好；生長均勻性、重復(fù)性好；表面對光刻膠的粘附好，（缺）生長速率非常慢。濕氧氧化：（優(yōu)）生長速率介于干O2與水汽氧化之間；可由水溫、爐溫調(diào)節(jié)生長速率，工藝靈活性大；對雜質(zhì)的掩蔽能力、鈍化效果能滿足工藝要求，（缺）表面存在羥基使其對光刻膠的粘附不好。通常用濕氧氧化工藝制備較厚的二氧化硅層。在實際生產(chǎn)中，對于制備較厚的二氧化硅層來說往往采用干氧-濕氧-干氧相結(jié)合的氧化方式，既保證了二氧化硅層表面和Si-SiO2界面的質(zhì)量，有解決了生長效率的問題。42、問答題

與普通濺射法相比，磁控濺射的特點是什么？正確答案：普通濺射法有兩個缺點：一是濺射方法淀積薄膜的速率低；二是所需的工作氣壓較高，這兩者綜合效果是氣體分子對薄膜產(chǎn)生的污染的可能性提高。磁控濺射：使電子的路徑不再是直線，而是螺旋線，增加了與氣體原子發(fā)生碰撞的幾率，在同樣的電壓和氣壓下可以提高電離的效率，提高了沉積速率.該方法淀積速率可比其他濺射方法高出一個數(shù)量級，薄膜質(zhì)量好。這是磁場有效地提高了電子與氣體分子的碰撞幾率，因而工作氣壓可以明顯下降，較低的氣壓條件下濺射原子被散射的幾率減小。這一方面降低了薄膜污染的傾向，另一方面也將提高入射到襯底表面原子的能量，因而可以很到程度上改善薄膜質(zhì)量。43、填空題

制備半導(dǎo)體級硅的過程：1、（）；2、（）；3、（）。正確答案：制備工業(yè)硅；生長硅單晶；提純44、判斷題

純凈的半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。正確答案：錯45、問答題

簡述焊接材料？正確答案：焊接材料是指焊接時所消耗材料，有軟焊接材料，Sn—Pb，低于450攝氏度，還有硬焊接材料。46、判斷題

離子注入會將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。正確答案：對47、判斷題

世界上第一塊集成電路是用硅半導(dǎo)體材料作為襯底制造的。正確答案：錯48、判斷題

摻雜的雜質(zhì)和沾污的雜質(zhì)是一樣的效果。正確答案：錯49、填空題

在干法刻蝕中發(fā)生刻蝕反應(yīng)的三種方法是（）、（）和（）。正確答案：化學(xué)作用；物理作用；化學(xué)作用與物理作用混合50、問答題

簡述MCM的BGA封裝？正確答案：BGA封裝適用于MCM封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)MCM的高密度，高性能。51、問答題

簡述引線框架材料？正確答案：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。引線框架材料的要求為：熱匹配，良好的機械性能，導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能好，使用過程無相變，材料中雜質(zhì)少，低價，加工特性和二次性能好。52、問答題

片式瓷介電容器主要有哪幾種類型？各有什么主要特點？正確答案：片式瓷介電容器：單層的電極燒結(jié)構(gòu)成陶瓷芯片，再外加電極，形成電容器。多層片式瓷介電容器：由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨石電容器。53、問答題

簡述MCM的測試技術(shù)？正確答案：測試費用高：高測試費用提醒設(shè)計者在做設(shè)計決策時必須仔細(xì)考慮測試問題。一種新設(shè)計的MCM所要進行的測試比一種成熟的MCM測試更為復(fù)雜。測試獨特：裸芯片需要用探針臺測試，因此現(xiàn)在可以向封裝廠提供良品單芯片（KGD.或高可靠芯片來提高在封裝、老化和環(huán)境試驗以后的成品率。測試復(fù)雜：封裝后MCM的測試一般包括對每一個獨立芯片的測試，測試檢查它在封裝過程包括內(nèi)部芯片互連中是否損壞功能測試：MCM的功能測試從數(shù)字矢量到環(huán)境測試，從高頻到大功率，可能包含非常不同的測試類型。54、填空題

制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。正確答案：硅襯底；微芯片；芯片55、填空題

集成電路制造中摻雜類工藝有（）和（）兩種。正確答案：熱擴散；離子注入56、判斷題

外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，即外延層。正確答案：對57、填空題

硅片上的氧化物主要通過（）和（）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（）。正確答案：熱生長；淀積；薄膜58、問答題

說明APCVDLPCVDPECVD各自的含義及特點。正確答案：含義：APCVD——常壓化學(xué)氣相沉積法；LPCVD——低壓化學(xué)氣相沉積法；PECVD——等離子體增強型化學(xué)氣相沉積法。特點：APCVD制程發(fā)生在大氣壓力常壓下，適合在開放環(huán)境下進行自動化連續(xù)生產(chǎn)。APCVD易于發(fā)氣相反應(yīng)，沉積速率較快，可超過1000A/min，適合沉積厚介質(zhì)層。但由于反應(yīng)速度較快，兩種反應(yīng)氣體在還未到達(dá)硅片表面就已經(jīng)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生生成物顆粒，這些生成物顆粒落在硅片表面，影響硅片表面的薄膜生長過程，比較容易形成粗粗糙的多孔薄膜，使得薄膜的形貌變差.低氣壓（133.3PA.下的CVD較長的平均自由路徑可減少氣相成核幾率，減少顆粒，不需氣體隔離，成膜均勻性好；晶圓垂直裝載和提高生產(chǎn)力；但是反應(yīng)速率較低，需要較高的襯底溫度。APCVD通常使用稀釋的硅烷（在氮中占3%）和LPCVD使用純硅烷。PECVD低溫下有高的沉積速率；射頻在沉積氣體中感應(yīng)等離子體場；表面所吸附的原子不斷受到離子與電子的轟擊容易遷移使成膜均勻性好臺階覆蓋性好；射頻控制沉積薄膜的應(yīng)力；反應(yīng)室可用等離子體清洗。59、填空題

熱氧化工藝的基本設(shè)備有三種（）、（）和（）。正確答案：臥式爐；立式爐；快速熱處理爐60、填空題

CZ直拉法生長單晶硅是把（）變?yōu)椋ǎ┎⑶遥ǎ┑墓腆w硅錠。正確答案：融化了的半導(dǎo)體級硅液體；有正確晶向的；被摻雜成p型或n型61、填空題

寫出三種半導(dǎo)體制造業(yè)的金屬和合金（）、（）和（）。正確答案：Al；Cu；鋁銅合金62、判斷題

化學(xué)機械平坦化，簡稱CMP，它是一種表面全局平坦化技術(shù)。正確答案：對63、判斷題

平滑是一種平坦化類型，它只能使臺階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，但高度沒有顯著變化。正確答案：對64、判斷題

傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。正確答案：錯65、判斷題

用于亞0.25μm工藝的選擇性氧化的主要技術(shù)是淺槽隔離。正確答案：對66、判斷題

光刻是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力。正確答案：對67、判斷題

離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴散。正確答案：錯68、問答題

簡述引線材料？正確答案：用于集成電路引線的材料，需要注意的特性為電特性、絕緣性質(zhì)、擊穿、表面電阻熱特性，玻璃化轉(zhuǎn)化溫度、熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)，機械特性，揚氏模量、泊松比、剛度、強度，化學(xué)特性，吸潮、抗腐蝕。69、判斷題

氧化物有兩個生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。正確答案：對70、判斷題

集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作。簡而言之，這些操作可以分為四大基本類：薄膜制作、刻印、刻蝕和摻雜。正確答案：對71、判斷題

區(qū)熔法是20世紀(jì)50年代發(fā)展起來的，能生產(chǎn)到目前為止最純的硅單晶，含氧量非常少。正確答案：對72、判斷題

大馬士革工藝的名字來源于幾千年前敘利亞大馬士革的一位藝術(shù)家發(fā)明的一種技術(shù)。正確答案：對73、判斷題

硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒有被電學(xué)激活。正確答案：對74、填空題

CZ直拉法的目的是（）。正確答案：實現(xiàn)均勻摻雜的同時并且復(fù)制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中75、判斷題

半導(dǎo)體級硅的純度為99.9999999%。正確答案：對76、名詞解釋

間隙式擴散正確答案：間隙式擴散指間隙式雜質(zhì)從一個間隙位置運動到相鄰的間隙位置。77、問答題

堆疊封裝的發(fā)展趨勢？正確答案：當(dāng)前半導(dǎo)體封裝發(fā)展的趨勢是越來越多的向高頻、多芯片模塊（MCM），系統(tǒng)集成（SiP）封裝，堆疊封裝（PiP，PoP）發(fā)展，出現(xiàn)了半導(dǎo)體裝配與傳統(tǒng)電路板裝配間的集成，如倒裝晶片直接在終端產(chǎn)品裝配。元件堆疊技術(shù)是在業(yè)已成熟的倒裝晶片裝配技術(shù)上發(fā)展起來的。78、填空題

雜質(zhì)在硅晶體中的擴散機制主要有兩種，分別是（）擴散和（）擴散。雜質(zhì)只有在成為硅晶格結(jié)構(gòu)的一部分，即（），才有助于形成半導(dǎo)體硅。正確答案：間隙式擴散機制；替代式擴散機制；激活雜質(zhì)后79、判斷題

冶金級硅的純度為98%。正確答案：對80、判斷題

大馬士革工藝來源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術(shù)品的圖案。正確答案：對81、判斷題

多層金屬化指用來連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。正確答案：錯82、判斷題

濺射是個化學(xué)過程，而非物理過程。正確答案：錯83、判斷題

在刻蝕中用到大量的化學(xué)氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅。正確答案：對84、判斷題

CZ直拉法是按照在20世紀(jì)90年代初期它的發(fā)明者的名字來命名的。正確答案：對85、名詞解釋

保形覆蓋正確答案：保形覆蓋是指無論襯底表面有什么樣的傾斜圖形在所有圖形的上面都能沉積有相同厚度的薄膜。86、判斷題

熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導(dǎo)致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。正確答案：