標準解讀

《GB/T 43662-2024 藍寶石圖形化襯底片》是一項國家標準,主要針對用于半導體器件制造中的藍寶石圖形化襯底片進行了詳細規(guī)定。該標準涵蓋了此類產品的術語定義、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及包裝、標志、運輸和貯存等方面的要求。

在術語與定義部分,明確了“藍寶石圖形化襯底片”的具體含義,即通過特定工藝處理,在藍寶石基板上形成具有一定圖案結構的襯底材料,這些圖案可以是周期性的也可以是非周期性的,目的是為了改善后續(xù)生長薄膜的質量或實現特定功能。

技術要求方面,標準對藍寶石圖形化襯底片的關鍵性能指標提出了明確要求,包括但不限于表面形貌、圖形尺寸精度、位置偏差、清潔度等。此外,還涉及到了襯底材料本身的物理化學性質如厚度均勻性、光學透過率等。

對于試驗方法,《GB/T 43662-2024》提供了詳細的測試流程和技術參數,確保能夠準確評估產品是否符合上述技術規(guī)格。這其中包括了使用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察圖形細節(jié)、原子力顯微鏡(AFM)測量表面粗糙度等多種先進檢測手段的應用指南。

檢驗規(guī)則則進一步規(guī)范了生產過程中質量控制的具體步驟,從原材料進廠到成品出廠整個鏈條上的每一個環(huán)節(jié)都應遵循嚴格的標準操作程序(SOP),并通過定期或不定期抽查來保證產品質量穩(wěn)定可靠。

最后,在包裝、標志、運輸和貯存章節(jié)中,標準強調了如何正確地對藍寶石圖形化襯底片進行保護以避免損壞,并對其標識信息做出了具體指導,同時指出了適宜的儲存條件及運輸方式,以確保產品在整個供應鏈過程中的安全性和完整性。


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  • 現行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2024-03-15 頒布
  • 2024-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標準

GB/T43662—2024

藍寶石圖形化襯底片

Patternedsapphiresubstrate

2024-03-15發(fā)布2024-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T43662—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位廣東中圖半導體科技股份有限公司有色金屬技術經濟研究院有限責任公司

:、、

華燦光電浙江有限公司黃山博藍特半導體科技有限公司北京大學東莞光電研究院云南藍晶科技

()、、、

有限公司南京理工宇龍新材料科技股份有限公司通遼精工藍寶石有限公司蘇州恒嘉晶體材料有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人張能賀東江張小瓊李素青肖桂明王子榮朱廣敏康凱劉建哲丁曉民

:、、、、、、、、、、

王新強何永杰戴生伢閆殿軍徐永亮

、、、、。

GB/T43662—2024

藍寶石圖形化襯底片

1范圍

本文件規(guī)定了藍寶石圖形化襯底片以下簡稱襯底的技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包

(“”)、、、、

裝運輸貯存隨行文件和訂貨單內容

、、、。

本文件適用于藍寶石圖形化襯底片的研發(fā)生產測試檢驗及性能質量的評價

、、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

計數抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

GB/T8758

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術語

GB/T14264

納米級長度的掃描電鏡測量方法通則

GB/T20307

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

圖形化襯底patternedsubstrate

通過光刻或壓印圖形掩膜工藝再經等離子體刻蝕技術制成的表面具有一系列類圓錐體的周期性

,,

陣列排布的微納米圖形結構的襯底

注圖形化襯底用于提升氮化鎵發(fā)光二極管的光電性能

:。

32

.

圖形排布patternarrangement

襯底表面圖形按最密堆積原則進行位置及方向上的陣列分布排布如圖所示排布如圖所示

。0°1

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