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文檔簡(jiǎn)介

電力資產(chǎn)管理超高頻RFID標(biāo)簽

技術(shù)規(guī)范

(草案)

遼寧電力公司

2018-10-18

1

電力資產(chǎn)管理超高頻RFID標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電力資產(chǎn)管理超高頻RFID標(biāo)簽的術(shù)語(yǔ)定義、技術(shù)指標(biāo)、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、安裝規(guī)范等

要求。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于全國(guó)電力行業(yè)聯(lián)盟企業(yè)及所屬單位的電力設(shè)備(強(qiáng)電環(huán)境)資產(chǎn)管理,指導(dǎo)超高頻RFID標(biāo)簽

的招標(biāo)、檢驗(yàn)、驗(yàn)收、粘貼與管理。

凡本標(biāo)準(zhǔn)中未述及,但在有關(guān)國(guó)家、電力行業(yè)或IEC等標(biāo)準(zhǔn)中做了規(guī)定的條文,應(yīng)按相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡

是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。

GB/T29768信息技術(shù)射頻識(shí)別800/900MHZ空中接口協(xié)議

GB/T2423.22-2012環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法

GB/T2423.5電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則:沖擊

HG/T2406—2014通用型壓敏膠標(biāo)簽紙

GB/T2408塑料燃燒性能的測(cè)定水平法和垂直法

GB/T1768色漆和清漆耐磨性的測(cè)定旋轉(zhuǎn)橡膠砂輪法

GB/T2423.17電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka:鹽霧

GB4208外殼防護(hù)等級(jí)(IP代碼)

GB9254-2008信息技術(shù)設(shè)備的無(wú)線電騷擾限值和測(cè)量方法

GBT17215.211交流電測(cè)量設(shè)備通用要求、試驗(yàn)和試驗(yàn)條件

GB/T17618-2015信息技術(shù)設(shè)備抗擾度限值和測(cè)量方法

3術(shù)語(yǔ)定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

標(biāo)簽芯片tagchip

應(yīng)用于射頻標(biāo)簽中實(shí)現(xiàn)收發(fā)、存儲(chǔ)等核心功能的集成電路。

3.2

射頻RFradiofrequency

2

無(wú)線發(fā)射使用的頻率,范圍為:30kHz~3GHz。

3.3

射頻識(shí)別RFIDradiofrequencyidentification

利用射頻方式進(jìn)行非接觸的通信,以達(dá)到識(shí)別并交換數(shù)據(jù)的技術(shù)。

3.4

射頻識(shí)別系統(tǒng)RFIDSystem

以射頻標(biāo)簽與讀寫(xiě)器為基礎(chǔ),實(shí)現(xiàn)非接觸自動(dòng)識(shí)別功能的系統(tǒng)。

3.5

無(wú)源射頻識(shí)別系統(tǒng)passiveRFIDSystem

射頻標(biāo)簽內(nèi)沒(méi)有電池、不具有主動(dòng)向讀寫(xiě)器發(fā)送信息能力的射頻識(shí)別系統(tǒng)。簡(jiǎn)稱無(wú)源系統(tǒng)。

3.6

電子標(biāo)簽electricaltag

用于物體或物品標(biāo)識(shí)、具有信息存儲(chǔ)機(jī)制的、能接收讀寫(xiě)器的電磁場(chǎng)調(diào)制信號(hào)并返回響應(yīng)信號(hào)的數(shù)據(jù)載

體,一般也簡(jiǎn)稱標(biāo)簽、射頻卡。

3.7

天線antenna

無(wú)線收發(fā)設(shè)備的基本單元,用于向空中輻射或從空中接收射頻信號(hào)。

3.8

標(biāo)簽壽命taglife

射頻標(biāo)簽正常使用條件下的平均工作時(shí)間。

3.9

識(shí)別電場(chǎng)強(qiáng)度閾值Identificationelectromagneticfieldthreshold

允許識(shí)別標(biāo)簽的最小電場(chǎng)強(qiáng)度。

3.10

讀電場(chǎng)強(qiáng)度閾值Readingelectromagneticfieldthreshold

允許讀取標(biāo)簽的最小電場(chǎng)強(qiáng)度。

3.11

寫(xiě)電場(chǎng)強(qiáng)度閾值Writingelectromagneticfieldthreshold

允許寫(xiě)標(biāo)簽的最小電場(chǎng)強(qiáng)度。

3.12

抗靜電resistelectrostaticdischarge

射頻標(biāo)簽抵抗靜電瞬間放電沖擊的能力。

3.13

抗壓力resistpressure

射頻標(biāo)簽抵抗一定壓力擠壓的能力。

3

3.14

抗沖擊能力resiststrike

射頻標(biāo)簽抵抗一定沖擊的能力。

4電子標(biāo)簽技術(shù)要求

4.1通信規(guī)約

RFID電子標(biāo)簽通信規(guī)約應(yīng)符合ISO/IEC18000—6C或GB/T29768空中接口要求。

4.2芯片靈敏度

在強(qiáng)電場(chǎng)和強(qiáng)磁場(chǎng)干擾下,標(biāo)簽讀取靈敏度不低于-18dBm,從而保證標(biāo)簽正常工作。芯片具有強(qiáng)場(chǎng)干擾

抑制能力和自我保護(hù)電路。

4.3芯片要求

RFID電子標(biāo)簽為無(wú)源超高頻抗金屬電子標(biāo)簽,芯片要求如下:

a)RFID電子標(biāo)簽物品標(biāo)識(shí)區(qū)存儲(chǔ)容量應(yīng)不小于128bits,用戶數(shù)據(jù)區(qū)存儲(chǔ)容量應(yīng)不小于256bits,各專業(yè)

部門可根據(jù)業(yè)務(wù)管理需求選擇容量大小。

b)電網(wǎng)資產(chǎn)實(shí)物“ID”宜采用BCD編碼格式,宜存儲(chǔ)于物品標(biāo)識(shí)區(qū),且物品標(biāo)識(shí)區(qū)應(yīng)具備編碼鎖定

功能,編碼鎖定后不可更改。在滿足使用條件的情況下,編碼可存儲(chǔ)于用戶數(shù)據(jù)區(qū),但應(yīng)采取數(shù)據(jù)安全防

護(hù)措施。

4.4封裝要求

RFID電子標(biāo)簽的使用壽命應(yīng)達(dá)到十年以上。標(biāo)簽封裝宜采用板上芯片或表面貼裝技術(shù),標(biāo)簽封裝要求如

下:

a)芯片與天線應(yīng)采用焊接連接,且應(yīng)保證焊接牢靠,防止出現(xiàn)虛焊、假焊或偏焊等缺陷;

b)標(biāo)簽外殼封裝宜采用高密封工藝,防止出現(xiàn)密封不嚴(yán)或開(kāi)裂等缺陷;

c)特殊使用環(huán)境下,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景在防水密封性、耐候性等方面進(jìn)行特殊處理。

4.5安全防護(hù)

RFID電子標(biāo)簽應(yīng)具備國(guó)密安全算法功能,符合挑戰(zhàn)應(yīng)答雙向身份鑒別機(jī)制,標(biāo)簽信息應(yīng)滿足《國(guó)家電網(wǎng)

公司網(wǎng)絡(luò)與信息系統(tǒng)安全管理辦法》,應(yīng)杜絕非授權(quán)的設(shè)備和程序獲取相關(guān)信息。

4.6擦寫(xiě)次數(shù)

RFID電子標(biāo)簽可擦寫(xiě)次數(shù)不少于10萬(wàn)次。

4.7數(shù)據(jù)保持時(shí)間

RFID電子標(biāo)簽數(shù)據(jù)保持時(shí)間為10年以上。

4.8物理性能要求

4.8.1耐濕溫度

在63kPa~106kPa(海拔4000m及以下)的大氣壓力下,標(biāo)簽的工作和貯存運(yùn)輸溫濕度條件應(yīng)符合表

4

3的要求。標(biāo)簽應(yīng)能耐受高低溫交變環(huán)境,在符合表1對(duì)工作溫度下限值至上限值區(qū)間的變溫環(huán)境下按GB/T

2423.22—2012中規(guī)定的方法進(jìn)行高低溫交變測(cè)試后,標(biāo)簽外觀應(yīng)無(wú)變化、無(wú)起翹,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

表1標(biāo)簽?zāi)蜏貪穸纫?/p>

環(huán)境條件

溫度工作-40℃~85℃

貯存運(yùn)輸極限范圍-25℃~85℃

年平均<75%

相對(duì)濕度30天,一年中這些天以自然方式分95%

其余時(shí)間有時(shí)為85%

在極端溫度范圍外,貯存和運(yùn)輸最長(zhǎng)期限僅限于6h。環(huán)境的突然變化可

能造成標(biāo)簽

扭曲。因此,包含標(biāo)簽的包裝在被打開(kāi)之前需要在周圍的環(huán)境條件下穩(wěn)定放置30

分鐘。

4.8.2耐輻射

對(duì)需要暴露于陽(yáng)光下的戶外標(biāo)簽,標(biāo)簽應(yīng)耐受陽(yáng)光輻射,在總輻射強(qiáng)度≤1120W/m2的情況下,標(biāo)簽表

面的圖形和數(shù)字的清晰度應(yīng)不受影響,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

4.8.3耐沖擊

標(biāo)簽應(yīng)能適應(yīng)在使用、搬運(yùn)、裝卸和運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程中可能遭受的非重復(fù)性沖擊,在GB/T2423.5要求進(jìn)行測(cè)

試后,標(biāo)簽應(yīng)不脫落并能正常工作。

4.8.4耐振動(dòng)

標(biāo)簽應(yīng)能適應(yīng)使用或運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程的振動(dòng)環(huán)境,在GB/T2423.10要求進(jìn)行測(cè)試后,標(biāo)簽應(yīng)不脫落并能正常工作。

4.8.5耐彎曲

5

標(biāo)簽應(yīng)能承受在使用、搬運(yùn)、裝卸和運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程中可能遭受的彎曲應(yīng)力,標(biāo)簽不應(yīng)有折痕,封裝

應(yīng)無(wú)異常,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

4.8.6抗扭曲

標(biāo)簽應(yīng)能承受在使用、搬運(yùn)、裝卸和運(yùn)輸?shù)冗^(guò)程中可能遭受的扭曲力,標(biāo)簽不應(yīng)有折痕,封裝應(yīng)

無(wú)異常,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

4.8.7抗脫落

采用粘貼方式時(shí),標(biāo)簽的180°剝離強(qiáng)度、持粘性、與隔離紙(底紙)的180°剝離強(qiáng)度和起翹性應(yīng)

符合HG/T2406—2014中5.5的相應(yīng)規(guī)定。

4.8.8阻燃性

按照GB/T2408規(guī)定的方法進(jìn)行測(cè)試,標(biāo)簽的阻燃性應(yīng)滿足V-0等級(jí)。

4.8.9抗摩擦

按照GB/T1768規(guī)定的方法進(jìn)行測(cè)試,標(biāo)簽表面應(yīng)無(wú)異常,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

4.8.10耐鹽霧

按照GB/T2423.17規(guī)定的方法進(jìn)行測(cè)試,標(biāo)簽應(yīng)滿足耐鹽霧96小時(shí)以上。

4.8.11抗腐蝕

標(biāo)簽應(yīng)能耐受戶外雨水沖刷,耐油腐蝕,環(huán)境惡劣情況下標(biāo)簽表面應(yīng)無(wú)異常,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

4.8.12防污性

標(biāo)簽應(yīng)具有良好的防污性能,在一些容易受到灰塵、變壓器油等影響的環(huán)境下,標(biāo)簽表面應(yīng)無(wú)異

常,標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

RFID電子標(biāo)簽物理性能除應(yīng)滿足4.8.1——4.8.12的要求外,按照GB4208選擇標(biāo)簽的防

護(hù)等級(jí),戶內(nèi)RFID標(biāo)簽密封性應(yīng)符合IP54的規(guī)定,戶外RFID標(biāo)簽密封性應(yīng)符合IP67的規(guī)定。

4.9電氣性能要求

4.9.1工作頻率

6

RFID電子標(biāo)簽的工作頻率應(yīng)符合920MHz~925MHz。

4.9.2讀寫(xiě)距離

使用天線端口傳導(dǎo)功率為29.15dBm、天線增益為6dBi的讀寫(xiě)器,天線為線極化天線,

在微波暗室測(cè)試環(huán)境及使用工況測(cè)試環(huán)境下,RFID電子標(biāo)簽的讀寫(xiě)距離應(yīng)符合如下要求:

a)應(yīng)用于線路桿塔、變電站室外設(shè)備及配網(wǎng)柱上設(shè)備的標(biāo)簽:

(1)讀取距離:讀寫(xiě)器天線和標(biāo)簽天線的方向?yàn)樽罴疡詈戏较驎r(shí),標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試環(huán)境下

可讀距離不小于9米,使用工況下可讀距離不小于5米;

(2)寫(xiě)入距離:讀寫(xiě)器天線和標(biāo)簽天線的方向?yàn)樽罴疡詈戏较驎r(shí),標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試環(huán)境下可

寫(xiě)距離不小于5米,使用工況下可寫(xiě)距離不小于2.5米。

b)應(yīng)用于除線路桿塔、變電站室外設(shè)備及配網(wǎng)柱上設(shè)備外的電廠設(shè)備及電網(wǎng)一次設(shè)備

的標(biāo)簽:

(1)讀取距離:讀寫(xiě)器天線和標(biāo)簽天線的方向?yàn)樽罴疡詈戏较驎r(shí),標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試環(huán)境下可

讀距離不小于4米,使用工況下可讀距離不小于2米;

(2)寫(xiě)入距離:讀寫(xiě)器天線和標(biāo)簽天線的方向?yàn)樽罴疡詈戏较驎r(shí),標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試環(huán)境下可

寫(xiě)距離不小于2米,使用工況下可寫(xiě)距離不小于1米。

c)應(yīng)用于二次通信、自動(dòng)化及其他設(shè)備的標(biāo)簽:

(1)讀取距離:讀寫(xiě)器天線和標(biāo)簽天線的方向?yàn)樽罴疡詈戏较驎r(shí),標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試環(huán)境下可

讀距離不小于2米,使用工況下可讀距離不小于1米;

(2)寫(xiě)入距離:讀寫(xiě)器天線和標(biāo)簽天線的方向?yàn)樽罴疡詈戏较驎r(shí),標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試環(huán)境下可

寫(xiě)距離不小于1米,使用工況下可寫(xiě)距離不小于0.5米。

在對(duì)使用場(chǎng)景有特殊要求的情況下,可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)使用情況自行選擇標(biāo)簽讀寫(xiě)距離。

注1:使用工況測(cè)試環(huán)境宜為:環(huán)境溫度20℃±10℃,濕度低于80%,室外空曠無(wú)遮擋

環(huán)境。

4.10電子標(biāo)簽抗靜電放電能力

4.10.1電子標(biāo)簽電場(chǎng)抗擾度

標(biāo)簽的抗靜電能力,按照IS010373-6中規(guī)定進(jìn)行,試驗(yàn)后標(biāo)簽應(yīng)能正常工作。

電子標(biāo)簽分別暴露在強(qiáng)度為630V/m電場(chǎng)中6分鐘。標(biāo)簽性能滿足《電力物聯(lián)應(yīng)用組件電

子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范》5.1.5所規(guī)定要求。

使用儲(chǔ)能電容150pF±15pF,放電電阻330Ω±33Ω,充電電阻50MΩ~100MΩ的靜電

放電裝置,設(shè)定電壓為6kV,對(duì)電子標(biāo)簽正面選擇均勻分布的6個(gè)點(diǎn),進(jìn)行接觸放電,儲(chǔ)存

7

在標(biāo)簽內(nèi)的數(shù)據(jù)不應(yīng)改變,并能進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。

在經(jīng)過(guò)試驗(yàn)電壓8kV的靜電接觸式放電或15kV的靜電空氣放電試驗(yàn)后,5.2.1規(guī)定的標(biāo)簽

功能應(yīng)完好,且5.2.3中規(guī)定的標(biāo)簽性能仍應(yīng)滿足。在試驗(yàn)中,功能或性能有短暫的降低或失

去是容許的。

4.10.2電子標(biāo)簽磁場(chǎng)抗擾度

參照GB9254-2008和GB/T17618-2015標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試抗磁場(chǎng)強(qiáng)度;

按照GB/T17215.211的7.5.3規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。標(biāo)簽在經(jīng)過(guò)30V/m的試驗(yàn)場(chǎng)強(qiáng)輻射后,應(yīng)能

滿足《電力物聯(lián)應(yīng)用組件電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范》中規(guī)定的性能要求工作。

電子標(biāo)簽分別暴露在強(qiáng)度為640kA/m的靜磁場(chǎng)中6分鐘。標(biāo)簽性能滿足《電力物聯(lián)應(yīng)用

組件電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)范》5.1.5所規(guī)定要求。

電子標(biāo)簽垂直于磁力線方向,以10mm/s的速度,通過(guò)強(qiáng)度為640kA/m的靜磁場(chǎng)裝置,

儲(chǔ)存在標(biāo)簽內(nèi)的數(shù)據(jù)不應(yīng)改變,并能進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。

4.10.3工頻磁場(chǎng)抗擾度

按GB/T17618中4.2.4的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試后,應(yīng)能滿足《電力物聯(lián)應(yīng)用組件電子標(biāo)簽技術(shù)規(guī)

范》規(guī)定的性能要求工作。

4.11標(biāo)簽天線帶寬與帶外抑制規(guī)范

4.11.1標(biāo)簽天線帶內(nèi)電氣特性

建議系統(tǒng)接收通道工作在國(guó)標(biāo)920MHz-925MHz窄帶范圍內(nèi),可以有效減少帶外干擾。

標(biāo)簽天線必須與所選芯片進(jìn)行嚴(yán)格的阻抗匹配設(shè)計(jì),天線的回波損耗必須在帶寬內(nèi)小于

-15dB,且在帶內(nèi)具備一定的平坦度,以提高標(biāo)簽的接收靈敏度,保證鏈路良好工作。

4.11.2標(biāo)簽天線帶外電氣特性

為提高RFID系統(tǒng)的抗強(qiáng)電磁干擾能力,建議接收通道的上下頻點(diǎn)±5MHz以外的帶外頻

段抑制高(S11>-1dB),從而使得帶外強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾信號(hào)不會(huì)灌入芯片內(nèi),對(duì)芯片起到保護(hù)作

用。

4.12標(biāo)簽天線極化特性與粘貼規(guī)范

4.12.1標(biāo)簽天線極化特性

標(biāo)簽采用線極化天線,除近場(chǎng)電子標(biāo)簽外,天線交叉極化抑制須大于24dB。標(biāo)簽在兩

個(gè)正交極化方向的最遠(yuǎn)讀取距離差別應(yīng)在4倍以上。

4.12.2標(biāo)簽天線安裝方式

考慮到大地的影響,在地面1.8m以下,強(qiáng)電場(chǎng)基本以垂直極化為主,故標(biāo)簽天線極化建

8

議采用水平極化方式粘貼,從而進(jìn)一步削弱強(qiáng)電場(chǎng)對(duì)標(biāo)簽的影響。

4.13標(biāo)簽安裝位置規(guī)范

建議標(biāo)簽粘貼位置應(yīng)盡可能遠(yuǎn)離絕緣子、高壓線等強(qiáng)場(chǎng)區(qū)域,以避免靜電放電影響。標(biāo)

簽須安裝于電力設(shè)備接地殼體或設(shè)備接地附屬物上,保證標(biāo)簽良好接地。特高壓場(chǎng)景下,建

議安裝在附近銘牌、桿塔等建筑物上,從而減少?gòu)?qiáng)場(chǎng)的直接干擾。

4.14閱讀距離規(guī)范

在強(qiáng)場(chǎng)作用下,在頻率925MHz,功率30dBm以及8dB圓極化天線(或等效天線)作用下,

自然空曠環(huán)境下,標(biāo)簽與閱讀器天線正對(duì)閱讀距離不小于5m,從而方便使用。

4.15標(biāo)簽天線電磁環(huán)境效應(yīng)

由于延面閃絡(luò)電壓明顯低于空氣間隙擊穿電壓。強(qiáng)場(chǎng)作用下,電子標(biāo)簽天線必須進(jìn)行倒

角處理,避免天線尖角引起的靜電放電現(xiàn)象,引發(fā)不必要的生產(chǎn)安全事故??菇饘贅?biāo)簽的金

屬地也必須進(jìn)行倒角處理,倒角曲率半徑大于毫米量級(jí)。標(biāo)簽天線盡可能采用大面積覆銅或

噴鋁結(jié)構(gòu),避免細(xì)線結(jié)構(gòu)導(dǎo)致的靜電放電。

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電網(wǎng)資產(chǎn)統(tǒng)一身份編碼技術(shù)規(guī)范

編?制?說(shuō)?明

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目次

1編制背景..........................................................................11

2編制主要原則......................................................................11

3與其他標(biāo)準(zhǔn)文件的關(guān)系..............................................................11

4標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和內(nèi)容....................................................................11

5條文說(shuō)明..........................................................................12

11

1編制背景

本標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)《國(guó)家電網(wǎng)公司關(guān)于下達(dá)2017年度公司第一批技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制修訂計(jì)劃的通知》

(國(guó)家電網(wǎng)科〔2017〕72號(hào))的要求編寫(xiě)。

在國(guó)家電網(wǎng)十三五計(jì)劃推動(dòng)下,RFID技術(shù)在電網(wǎng)的應(yīng)用將會(huì)大面積鋪開(kāi),為保證在電

力強(qiáng)場(chǎng)條件下,RFID標(biāo)簽?zāi)軌蚍€(wěn)定長(zhǎng)效工作,需要對(duì)RFID標(biāo)簽進(jìn)行一定的規(guī)范。另一方面,

電力系統(tǒng)內(nèi)靜電放電現(xiàn)象明顯,為避免標(biāo)簽放電而對(duì)電力系統(tǒng)產(chǎn)生影響,也需要對(duì)標(biāo)簽進(jìn)行

規(guī)范。

2編制主要原則

本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)以下原則編制:

a)符合并貫徹國(guó)家現(xiàn)行的法律、法規(guī)和文件;

b)借鑒目前已經(jīng)執(zhí)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、電力行業(yè)已有企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定,結(jié)合具體情況,制訂

適用的標(biāo)準(zhǔn);

c)本標(biāo)準(zhǔn)符合公司生產(chǎn)、建設(shè)、運(yùn)營(yíng)和管理要求。

本標(biāo)準(zhǔn)著重于對(duì)超高頻電子標(biāo)簽的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行規(guī)范。

3與其他標(biāo)準(zhǔn)文件的關(guān)系

本標(biāo)準(zhǔn)與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的國(guó)家現(xiàn)行法律、法規(guī)和政策保持一致。

本標(biāo)準(zhǔn)不涉及專利、軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)使用問(wèn)題。

4標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和內(nèi)容

本標(biāo)準(zhǔn)按照《國(guó)家電網(wǎng)公司技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)管理辦法》(國(guó)家電網(wǎng)企管〔2014〕455號(hào)文)的

要求編寫(xiě)。

本標(biāo)準(zhǔn)的主要結(jié)構(gòu)和內(nèi)容如下:

本標(biāo)準(zhǔn)主題章分為3章,由規(guī)范性引用文件、術(shù)語(yǔ)與定義、電子標(biāo)簽技術(shù)要求等章節(jié)組

成。

本標(biāo)準(zhǔn)從先進(jìn)性和實(shí)用性、操作性和可擴(kuò)展性等原則,給出了電力資產(chǎn)管理超高頻RFID

標(biāo)簽的技術(shù)性能要求,以指導(dǎo)電網(wǎng)資產(chǎn)實(shí)管理建設(shè)工作。標(biāo)準(zhǔn)中所列出的電力資產(chǎn)管理超高

頻RFID標(biāo)簽的技術(shù)性能,是在現(xiàn)有標(biāo)簽應(yīng)用基礎(chǔ)上,提出的更高要求,高級(jí)應(yīng)用功能的實(shí)現(xiàn)

將更進(jìn)一步為公司對(duì)電力物資的管理工作提供輔助決策支持。

本標(biāo)準(zhǔn)中,RFID標(biāo)簽的物理性能、電氣性能、電子標(biāo)簽抗靜電放電能力及電磁環(huán)境效

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