GBT 43931-2024 宇航用微波集成電路芯片通 用規(guī)范

ICS31.200宇航用微波集成電路芯片通用規(guī)范國家市場監(jiān)督管理總局國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會IGB/T43931—2024 Ⅲ 12規(guī)范性引用文件 13術(shù)語、定義和縮略語 1 1 1 24.1一般要求 24.2芯片分類 2 24.4生產(chǎn)過程控制 54.5電性能 54.6標(biāo)志 5 54.8ESDS 64.9抗輻射能力等級 64.10芯片氫耐受能力評價 74.11晶圓質(zhì)量控制 74.12可追溯性要求 95質(zhì)量保證規(guī)定 95.1檢驗分類 95.2破壞性試驗和非破壞性試驗 95.3試驗和檢驗的環(huán)境條件 95.4批的組成 95.5不合格批的重新提交 5.6鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗的樣品 5.7不合格 5.8承制方篩選 5.10鑒定檢驗 5.11質(zhì)量一致性檢驗 5.12檢驗記錄 5.13使用方驗收 ⅡGB/T43931—2024 6.1包裝要求 6.2貯存要求 6.3運輸要求 6.4發(fā)貨時應(yīng)提供的文件 7.1預(yù)定用途 7.2訂購文件內(nèi)容 7.3芯片的使用說明 附錄A(規(guī)范性)晶圓批驗收要求 ⅢGB/T43931—2024本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由全國宇航技術(shù)及其應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC425)提出并歸口。本文件起草單位：中國電子科技集團公司第十三研究所、西安空間無線電技術(shù)研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、上海精密計量測試研究所、廣州天極電子科技股份有限公司。1GB/T43931—2024宇航用微波集成電路芯片通用規(guī)范2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文GB/T2828.1—2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃GB/T2900(所有部分)電工術(shù)語GB/T4937.17—2018半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第17部分：中子輻照GB/T4937.18—2018半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第18部分：電離輻射(總劑量)GB/T4937.19—2018半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第19部分：芯片剪切強度GB/T4937.22—2018半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第22部分：鍵合強度GB/T4937.23—2023半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第23部分：高溫工作壽命GB/T4937.26—2023半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第26部分：靜電放電(ESD)敏感度測試人體模型(HBM)GB/T19403.1—2003半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：第1篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢(不包括混合電路)GB/T35010.1—2018半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第1部分：采購和使用要求IEC60749-6:2017半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第6部分：高溫貯存(Semiconductorde-vices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)IEC60749-25:2003半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第25部分：溫度循環(huán)(Semiconductordevices—MechanicalandclimaticIEC60749-36:2003半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法第36部分：穩(wěn)態(tài)加速(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate)GB/T2900(所有部分)和GB/T35010.1—2018界定的術(shù)語和定義適用于本文件。下列縮略語適用于本文件。DRC:設(shè)計規(guī)則檢查(DesignRuleCheck)ERC:電氣規(guī)則檢查(ElectricalRuleCheck)2GB/T43931—2024ESD:靜電放電(ElectrostaticDischarge)ESDS:靜電放電敏感度等級(ElectrostaticDischargeSensitivity)PCM:工藝監(jiān)控圖形(ProcessControlMonitor)MIM:金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal)PDA:允許的不合格品率(PercentDefectiveAllowable)PID:過程識別文件(ProcessIdentification)RHA:輻射加固保證(RadiationHardnessAssured)SEM:掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope)SPC:統(tǒng)計過程控制(StatisticalProcessControl)4技術(shù)要求芯片應(yīng)符合本文件和相關(guān)詳細規(guī)范規(guī)定的要求。當(dāng)本文件要求與相關(guān)詳細規(guī)范不一致時，應(yīng)以相關(guān)詳細規(guī)范為準(zhǔn)。按本文件提交的芯片應(yīng)是經(jīng)鑒定合格的芯片。根據(jù)對芯片生產(chǎn)線的質(zhì)量控制水平，本文件將芯片分為I、Ⅱ兩類。在6個月內(nèi)有宇航供貨經(jīng)歷的生產(chǎn)線上生產(chǎn)的芯片為I類芯片。在6個月內(nèi)無宇航供貨經(jīng)歷的生產(chǎn)線上生產(chǎn)的芯片為Ⅱ類芯片。芯片應(yīng)在使用方認可、成熟穩(wěn)定的生產(chǎn)線上生產(chǎn)。芯片的設(shè)計、結(jié)構(gòu)與工藝應(yīng)符合相關(guān)詳細規(guī)范、設(shè)計圖紙和工藝文件的規(guī)定。承制單位應(yīng)組織設(shè)計、生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量保證及可靠性等部門共同建立芯片的設(shè)計規(guī)范或設(shè)計準(zhǔn)則，提出質(zhì)量和可靠性目標(biāo)，在整個設(shè)計周期里全面考慮其質(zhì)量和可靠性問題，相關(guān)材料應(yīng)提交鑒定機構(gòu)用于鑒定前的檢查。設(shè)計應(yīng)遵循以下基本原則：a)全面掌握用戶使用需求，仔細研究產(chǎn)品功能和性能要求，以技術(shù)指標(biāo)及使用要求為依據(jù)，綜合評價其全壽命周期和費用，在規(guī)定的工作條件下，實現(xiàn)產(chǎn)品預(yù)定的功能和性能；b)熟悉不同工藝提供的各種元、器件的性能，熟悉不同工藝的模型手冊和版圖設(shè)計規(guī)則，以便進c)設(shè)計過程中應(yīng)體現(xiàn)通用化、系列化、組合化設(shè)計思想；d)設(shè)計過程中應(yīng)保證可靠性、測試性等通用質(zhì)量特性要求，進行相應(yīng)的通用質(zhì)量特性設(shè)計。為保證新研制芯片的設(shè)計滿足要求，應(yīng)至少進行以下設(shè)計驗證。3GB/T43931—2024a)模型驗證：提供證據(jù)證明設(shè)計過程中用到的模型起到預(yù)期的作用，能夠精確覆蓋最嚴(yán)酷的溫度b)版圖驗證：人工或自動化布圖過程中，應(yīng)進行設(shè)計、電氣和可靠性規(guī)則的檢查，規(guī)則檢查至少包括：1)DRC:幾何學(xué)和物理學(xué)檢查；4)RHA:規(guī)則檢查(要求時)。c)性能驗證：承制單位應(yīng)對芯片既定的工作能力進行評定，并證明對每種功能的實際測試覆蓋了溫度和電壓的極限范圍(該范圍由設(shè)計仿真確定)。電應(yīng)力試驗應(yīng)在最壞條件下進行，臨界于設(shè)計規(guī)則最低要求的情況應(yīng)進行重點關(guān)注。當(dāng)芯片出現(xiàn)失效，應(yīng)通過失效分析確定失效機理，并對發(fā)現(xiàn)的任何問題采取措施進行糾正。按本文件要求提供的所有芯片，應(yīng)保存其設(shè)計、芯片圖形以及電路圖等設(shè)計文件以供審查，這些設(shè)計文件應(yīng)能充分完整地說明芯片的結(jié)構(gòu)和電氣性能，并且能追溯到芯片的圖紙和類型編號。按本文件提供的芯片，應(yīng)附有實際電路圖、邏輯圖或兩者的結(jié)合，以便充分說明芯片的功能。對于簡單的芯片，其電路圖應(yīng)是一個完整而詳細地給出其所有功能元件的電路圖。對于復(fù)雜的芯片或有重復(fù)單元的芯片，則應(yīng)用一個邏輯圖再配以各部分詳細的電路圖來表示。除另有規(guī)定外，功率芯片的工作環(huán)境溫度范圍應(yīng)不低于-55℃~85℃,其他芯片的工作環(huán)境溫度范圍應(yīng)為-55℃~125℃。最低和最高額定工作溫度分別指這一溫度范圍的下限和上限。除另有規(guī)定外，所有芯片的貯存溫度范圍應(yīng)為-65℃~150℃,最低和最高額定貯存溫度分別指這一溫度范圍的下限和上限。應(yīng)優(yōu)先選用成熟的、有宇航應(yīng)用經(jīng)歷的材料。選用未經(jīng)宇航驗證的新材料，應(yīng)按照項目要求，開展驗證試驗并合格后使用。能力的缺陷。半導(dǎo)體材料的檢驗、貯存和處理的方法和程序應(yīng)在文件中進行規(guī)定，應(yīng)提供各項證實原材料能夠符合承制單位規(guī)范以及相關(guān)詳細規(guī)范要求的記錄。承制單位應(yīng)進行關(guān)鍵原材料的識別，并按檢驗要求進行檢驗，材料供應(yīng)商按承制單位采購規(guī)范提供檢驗報告。金屬和電鍍液等原材料，除檢查材料供應(yīng)商合格證外，還需按照相應(yīng)工藝驗證規(guī)范進行工藝驗4GB/T43931—2024不應(yīng)使用航天應(yīng)用中明確規(guī)定的禁用工藝。不應(yīng)采用已經(jīng)有明確數(shù)據(jù)表明不適合的工藝。選用未經(jīng)宇航驗證的新工藝，應(yīng)按照項目要求，開展驗證試驗并合格后使用。對砷化鎵(GaAs)芯片，二氧化硅(SiO?)不作為與半導(dǎo)體直接接觸的鈍化層。除藍寶石上硅(SOS)晶片從背面劃片采用激光劃片方式，氮化鎵(GaN)芯片采用隱形激光劃片方式外，芯片不應(yīng)采用激光劃片。其他材料的芯片若采用激光劃片，應(yīng)進行充分論證和工藝驗證，并經(jīng)使用方認可。相關(guān)詳細規(guī)范中應(yīng)給出芯片的長度、寬度和厚度。除另有規(guī)定外，芯片的最小厚度應(yīng)為0.045mm。鍵合區(qū)應(yīng)進行金屬化，并應(yīng)滿足5.11.3中鍵合強度試驗的要求。鍵合區(qū)的大小、位置、順序和電氣功能應(yīng)符合相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。芯片金屬化層厚度、單層金屬層厚度和多層布線金屬化層的頂層厚度應(yīng)至少為800nm,而多層布線金屬化層的頂層以下的各層應(yīng)至少為200nm。在通常工作條件下其電流密度不超過表1列出的與各種適用導(dǎo)體材料相對應(yīng)的最大允許值。表1導(dǎo)體材料最大允許電流密度對應(yīng)表導(dǎo)體材料最大允許電流密度A/cm2鋁(99.99%純鋁或摻雜鋁),無玻璃鈍化層或者未進行玻璃鈍化層完整性試驗2×10?鋁(99.99%純鋁或摻雜鋁),有玻璃鈍化層5×10?難熔金屬(鉬、鎢、鈦鎢、氮化鈦),有玻璃鈍化層金6×10?所用其他導(dǎo)體材料2×10?背面金屬應(yīng)符合相關(guān)詳細規(guī)范中的規(guī)定，并應(yīng)滿足5.11.3中芯片剪切強度或芯片粘接強度試驗的要求。所有芯片均應(yīng)涂覆一層透明的玻璃或經(jīng)批準(zhǔn)的其他涂層。除設(shè)計要求區(qū)域外，玻璃鈍化層應(yīng)覆蓋GB/T43931—2024除鍵合區(qū)或測試點以外的所有導(dǎo)體。芯片有源區(qū)的玻璃鈍化層的最小厚度，要求SiO?為350nm或氮化硅(Si?N?)為100nm。而其他涂層采用的厚度和組成應(yīng)獲得使用方認可。4.4生產(chǎn)過程控制建立PID對芯片的生產(chǎn)過程控制應(yīng)提出具體的要求，利用PID固化生產(chǎn)線和產(chǎn)品狀態(tài)。芯片生產(chǎn)、質(zhì)量保證過程，應(yīng)在芯片承制方完成。如果某些項目需要外協(xié)，芯片承制方應(yīng)建立合格外協(xié)單位管理制度，對外協(xié)單位的資質(zhì)進行審查，形成合格外協(xié)單位清單。承制方外協(xié)單位發(fā)生變化時，應(yīng)在5個工作日內(nèi)通知使用方。應(yīng)對發(fā)生在生產(chǎn)過程、晶圓批接收、篩選、鑒定、質(zhì)量一致性檢驗等過程中的批次性失效進行處理。承制方應(yīng)在5個工作日內(nèi)，將批次性失效的相關(guān)信息以書面形式通報使用方。對于使用方使用過程中反饋的失效問題，承制方應(yīng)在15個工作日內(nèi)將失效問題以及處理結(jié)果通報使用方。在失效模式、失效原因明確后，承制方在2個工作日內(nèi)將失效分析結(jié)論通知所有使用方。承制方應(yīng)針對失效模式和失效原因確定改進措施，并在改進措施確定后的5個工作日內(nèi)以書面方式通知所有使用方。芯片的電性能應(yīng)符合相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。芯片上的標(biāo)志應(yīng)符合相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。應(yīng)能根據(jù)相關(guān)詳細規(guī)范和使用說明識別芯片各端口功能。條件允許時，應(yīng)在芯片上標(biāo)志承制單位商標(biāo)和芯片標(biāo)識。4.7質(zhì)量保證要求本文件交付的芯片按5.10的規(guī)定進行鑒定檢驗。4.7.2生產(chǎn)線認證(認定)或評價芯片生產(chǎn)線應(yīng)具備滿足本文件規(guī)定的設(shè)計能力、生產(chǎn)設(shè)備、試驗設(shè)備和質(zhì)量保證條件，或者具備對芯片生產(chǎn)設(shè)備、試驗設(shè)備和質(zhì)量保證條件控制的能力和手段。芯片生產(chǎn)線應(yīng)先按相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定(不包括有關(guān)芯片組裝和封裝方面的要求),制定和實施質(zhì)量保證大綱，對芯片生產(chǎn)線進行認證(認定)或評價。芯片生產(chǎn)線應(yīng)向鑒定機構(gòu)或使用方提交質(zhì)量保證大綱及質(zhì)量保證大綱執(zhí)行情況以供檢查。4.7.3質(zhì)量保證大綱的更改對認證(認定)、評價的合格產(chǎn)品，若沒有修改產(chǎn)品質(zhì)量保證大綱文件，承制單位不應(yīng)對產(chǎn)品的設(shè)計、56GB/T43931—20244.7.4對已認證(認定)、評價生產(chǎn)線的復(fù)查首次認證(認定)、評價合格后，鑒定機構(gòu)或使用方(或使用方委托的機構(gòu))應(yīng)按規(guī)定檢查承制單位的設(shè)施和設(shè)備、工藝和技術(shù)，檢查質(zhì)量保證大綱的執(zhí)行情況和相關(guān)記錄。4.7.5鑒定合格產(chǎn)品的更改當(dāng)鑒定后的芯片設(shè)計、工藝、材料出現(xiàn)影響產(chǎn)品性能、質(zhì)量和可靠性的更改或生產(chǎn)條件發(fā)生重大變化時，芯片承制方應(yīng)重新進行鑒定檢驗并書面通知使用方。若芯片承制單位需更改芯片技術(shù)狀態(tài)，應(yīng)書面通知芯片使用單位和使用方元器件質(zhì)量管理機構(gòu)，由使用方元器件質(zhì)量管理機構(gòu)組織相關(guān)方進行確認。批失效發(fā)生階段包括生產(chǎn)過程、篩選試驗、鑒定檢驗、質(zhì)量一致性檢驗以及使用方的驗收等。若這種失效發(fā)生于鑒定、鑒定維持或鑒定合格芯片的采購，承制方應(yīng)將有關(guān)失效數(shù)量、失效模式和可能的失效原因在5個工作日內(nèi)以書面方式通知使用方。對失效批次的芯片不應(yīng)進行后續(xù)試驗。4.8ESDSESDS應(yīng)符合表2規(guī)定。表2ESDS對照表ESDS標(biāo)志能承受的靜電電壓V0級1A級2級3A級3級不敏感無標(biāo)識抗輻射能力等級應(yīng)符合表3規(guī)定。7表3抗輻射能力等級對照表抗輻射能力等級抗電離總劑量輻射能力Gy(Si)中子n/cm2未進行輻射強度保證MDP3×102L5×102RF3×103G5×103H4.10芯片氫耐受能力評價4.11晶圓質(zhì)量控制4.11.1確立工藝過程檢驗文件應(yīng)制定晶圓生產(chǎn)線工藝過程檢驗文件，過程檢驗包括芯片目檢、單工序加工結(jié)果檢驗等。過程檢驗文件應(yīng)確定工藝加工驗證的目標(biāo)值，以這組目標(biāo)值為依據(jù)，將實際晶圓的測量數(shù)據(jù)值與其進行對比，以確定晶圓的可接收性。必要時，應(yīng)向使用方提供工藝過程檢驗文件供其審查。應(yīng)采用工藝監(jiān)控系統(tǒng)控制關(guān)鍵工藝，以保證芯片質(zhì)量和可靠性，監(jiān)控系統(tǒng)需使用不同的測試芯片、方法和測試技術(shù)。應(yīng)根據(jù)對工藝的實踐經(jīng)驗和對產(chǎn)品特性的認知確定需監(jiān)控的關(guān)鍵工序，結(jié)果數(shù)據(jù)應(yīng)通過相應(yīng)的SPC方法進行分析，以確定控制效果。4.11.3PCM參數(shù)監(jiān)測應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)給出PCM參數(shù)控制范圍，并在工藝文件和詳細規(guī)范中予以明確。表4列出了常用的PCM。表4常用的PCM測試結(jié)構(gòu)監(jiān)測參數(shù)范德堡橋或類似結(jié)構(gòu)方塊電阻線寬電容泄漏電流8GB/T43931—2024測試結(jié)構(gòu)監(jiān)測參數(shù)傳輸線測試結(jié)構(gòu)接觸電阻方塊電阻變換長度飽和電流隔離窄縫隔離窄縫擊穿電壓空氣橋鏈空氣橋缺陷密度直流探針測試晶體管直流特性微波探針測試晶體管S-參數(shù)小信號模型提取通孔對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)偏移電阻對準(zhǔn)標(biāo)記套刻對準(zhǔn)4.11.4PCM評價晶圓接收將根據(jù)在制造過程中進行的PCM室溫測試所提供的信息對每1晶圓逐片進行，PCM合格率應(yīng)不低于80%。如果使用插入式PCM,每1晶圓至少在5個不同位置放置相同PCM測試組，1個位于晶圓中心，另外4個分別放在不同象限。如果PCM設(shè)置在劃片區(qū)中，或各個芯片上都有PCM,應(yīng)至少從晶圓中心和每個象限分別測試1個PCM。對于外協(xié)流片的，應(yīng)要求流片廠家提供PCM檢測結(jié)果，承制單位進行PCM評價。參數(shù)一致性分析主要針對PCM參數(shù)(適用時)和電探針測試主要參數(shù)。a)芯片承制單位應(yīng)給出PCM參數(shù)控制范圍，在工藝文件中予以明確。芯片承制單位應(yīng)對比分析不同批次芯片PCM參數(shù)的一致性，對于批次間差異較大的應(yīng)進行分析，分析變化較大的參數(shù)對使用的影響，形成分析報告，提交驗收前應(yīng)得到芯片使用單位認可。b)芯片承制單位應(yīng)進行電探針測試一致性分析，得出電探針測試內(nèi)控范圍。芯片承制單位應(yīng)對比分析不同批次芯片電探針測試的一致性，對于批次間差異較大的應(yīng)進行分析，分析變化較大的參數(shù)對使用的影響，形成分析報告，提交驗收前應(yīng)得到芯片使用單位認可。芯片交付驗收時應(yīng)提供參數(shù)一致性分析報告。不符合任何試驗判據(jù)的所有晶圓應(yīng)在發(fā)現(xiàn)缺陷時，或發(fā)現(xiàn)缺陷的試驗結(jié)束時立即剔除。拒收的晶圓，根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)文件的具體規(guī)定能接受經(jīng)批準(zhǔn)的返工操作。一旦拒收，并被判斷為不準(zhǔn)許返工的失效，不應(yīng)再對晶圓進行接收試驗。經(jīng)過批準(zhǔn)的返工程序處理的拒收晶圓，應(yīng)重新提交檢查，并在繼續(xù)進行工藝加工之前先通過接收檢驗。9GB/T43931—2024外購關(guān)鍵原材料應(yīng)能追溯到其生產(chǎn)批、檢驗批或其他規(guī)定的編組。外購關(guān)鍵原材料入廠檢驗報告應(yīng)在承制方至少保存20年。對交貨的每個芯片都應(yīng)追溯到晶圓批。批流程卡應(yīng)在承制方至少保存20年。質(zhì)量一致性檢驗樣品和試驗報告(含測試數(shù)據(jù))應(yīng)在承制方至少保存20年。承制方篩選試驗報告(含測試數(shù)據(jù))應(yīng)在承制方至少保存20年。驗收報告、驗收試驗數(shù)據(jù)應(yīng)在承制方至少保存20年。5質(zhì)量保證規(guī)定本文件規(guī)定的檢驗分類如下：a)承制方篩選(見5.8);b)鑒定檢驗(見5.10);c)質(zhì)量一致性檢驗(見5.11);d)使用方驗收(見5.13)。過驗收可作為合格品交付使用。除另有規(guī)定外，電測試環(huán)境溫度要求：25±3℃;其他試驗環(huán)境溫度要求：(25±10)℃;環(huán)境氣壓從晶圓加工開始至結(jié)束同時經(jīng)受同一組工藝過程的1組集成電路晶圓構(gòu)成1個晶圓批。每個晶圓批應(yīng)指定1個能追溯到所有晶圓加工步驟的識別代碼。GB/T43931—20241個檢驗批由同時提交檢驗的1個晶圓批中的同一型號芯片構(gòu)成。5.5不合格批的重新提交當(dāng)提交鑒定和質(zhì)量一致性檢驗的任一分組不符合要求時，應(yīng)進行失效分析并確定失效機理。如確認該失效是可通過對整批晶圓附加篩選而有效去除的缺陷，并已進行了相應(yīng)篩選；或者該失效并不反映產(chǎn)品具有設(shè)計或生產(chǎn)工藝缺陷，則允許對該分組采用加嚴(yán)檢驗(按雙倍樣品量及不合格判定數(shù)為零的方案)的方法重新提交1次。如果經(jīng)過附加篩選重新提交檢驗合格，以后交付的芯片均應(yīng)進行相應(yīng)的附加篩選，直至試驗數(shù)據(jù)證明不進行附加篩選的芯片批能通過相應(yīng)分組的檢驗。重新提交的批不應(yīng)與其他批相混。如果失效分析表明失效是由于工藝程序不良、設(shè)計缺陷或是無法通過篩選去除的缺陷，則該批不應(yīng)重新提交。5.6鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗的樣品5.6.1鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗組裝樣品的制備從篩選合格的檢驗批中隨機抽取芯片進行組裝，并對組裝樣品進行目檢和電性能測試，有缺陷的樣品(含組裝中引入的缺陷如開路、短路等)在證實后應(yīng)予以剔除并替換。組(適用時)檢驗的規(guī)定進行鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗。適用5.6.2組裝樣品的標(biāo)識組裝樣品應(yīng)有以下標(biāo)志或附有包含相應(yīng)內(nèi)容的標(biāo)簽：a)序列號(要求時);b)芯片型號；c)檢驗批號或日期代碼。備份樣品與各分組樣品一起進行試驗，以便在試驗設(shè)備發(fā)生故障和操作人員出現(xiàn)失誤時按事先編好的順序替換損壞樣品。備份樣品應(yīng)經(jīng)受本分組內(nèi)的全部試驗，其試驗結(jié)果方為有效。5.7不合格未能達到A組、B組和C組(適用時)任一分組要求的批，按5.5的規(guī)定重新提交1次。如不重新提5.8承制方篩選在鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗之前，全部芯片應(yīng)按表5的規(guī)定進行篩選。篩選在晶圓或芯片上進行。對于不符合要求的芯片應(yīng)標(biāo)識為不合格品，在芯片分離時應(yīng)予剔除，并不應(yīng)交付。GB/T43931—2024表5篩選序號試驗方法條件要求1晶圓批驗收附錄A所有批2穩(wěn)定性烘焙150℃±3℃,至少24h,保護氣氛按規(guī)定3電探針測試a按詳細規(guī)范規(guī)定4電探針測試一致性分析目檢“電探針測試的合格品率由單個晶圓片測試合格芯片數(shù)除以該晶圓提交測試的芯片總數(shù)確定。除另有規(guī)定外，芯片的直流參數(shù)首次電探針測試PDA不高于30%,微波參數(shù)首次電探針測試PDA不高于40%。b針對劃片后的芯片。若芯片的1個或多個參數(shù)超出了詳細規(guī)范規(guī)定的室溫、高溫或低溫電參數(shù)測試極限，則視為發(fā)生了參數(shù)超差失效。參數(shù)測量值超過詳細規(guī)范規(guī)定極限值的1個數(shù)量級時，為參數(shù)嚴(yán)重超差失效。芯片喪失了規(guī)定的功能，則視為發(fā)生了功能失效。出現(xiàn)5.9.1所規(guī)定的一種或多種失效模式的芯片應(yīng)視為失效芯片，對失效芯片應(yīng)隔離。篩選過程中發(fā)現(xiàn)功能失效或參數(shù)嚴(yán)重超差的芯片時，應(yīng)進行失效分析；如該批次芯片具有批次性問題，則整批芯片不應(yīng)提交驗收。一旦批失效發(fā)生，應(yīng)按4.7.6進行處理。批失效包括：a)篩選過程發(fā)生5.9.1.1和5.9.1.2失效數(shù)量的比例超過規(guī)定的PDA;b)出現(xiàn)5.9.2所規(guī)定的失效具有批次性。5.10鑒定檢驗鑒定檢驗應(yīng)在鑒定機構(gòu)批準(zhǔn)的試驗室或設(shè)備上按本文件A組、B組、C組(適用時)和D組(要求時)的規(guī)定進行。5.10.2鑒定合格資格的保持為了保持鑒定合格資格，承制單位每12個月應(yīng)向鑒定機構(gòu)提出1份報告。鑒定機構(gòu)應(yīng)規(guī)定第一次報告的日期。報告應(yīng)包括12個月內(nèi)對各批進行的質(zhì)量一致性檢驗結(jié)果摘要，摘要包括檢驗分組的失效GB/T43931—2024如果報告的試驗結(jié)果與詳細規(guī)范要求不一致，并且未采取鑒定機構(gòu)認可的糾正措施，則導(dǎo)致該產(chǎn)品喪失鑒定合格資格。如果在報告的有效期內(nèi)未進行生產(chǎn)，應(yīng)向鑒定機構(gòu)提交1份報告，證明承制單位仍然具備生產(chǎn)這種產(chǎn)品的能力和設(shè)備條件。如果在連續(xù)3個報告周期內(nèi)未進行生產(chǎn)，鑒定機構(gòu)可要求承制單位對該產(chǎn)品或采用相同的工藝技術(shù)生產(chǎn)的相同等級的代表性產(chǎn)品，按鑒定檢驗的要求重新進行鑒定。5.11質(zhì)量一致性檢驗質(zhì)量一致性檢驗應(yīng)按本文件A組、B組和C組(適用時)的規(guī)定進行。5.11.2A組檢驗A組檢驗為逐批檢驗，應(yīng)按表6的規(guī)定對樣品進行試驗。各分組的試驗按任意順序進行。同一樣本可用作多個或所有分組試驗。表6A組檢驗分組樣品數(shù)(接收判定數(shù))I類A1分組A2分組最高工作溫度下靜態(tài)試驗A3分組最低工作溫度下靜態(tài)試驗A4分組A5分組最高工作溫度下動態(tài)試驗A6分組最低工作溫度下動態(tài)試驗“抽取的芯片應(yīng)覆蓋到每個晶圓。5.11.3B組檢驗B組檢驗為逐批檢驗，芯片按表7(I類芯片)、表8(Ⅱ類芯片)的規(guī)定進行。各分組的試驗按任意順序進行，1個分組內(nèi)的各項試驗應(yīng)按規(guī)定順序進行。用于B4、B5和B6分組檢驗的樣品應(yīng)從A組檢驗合格的檢驗批中抽取，其他分組試驗可采用同一檢驗批中電性能不合格的樣品作樣本。GB/T43931—2024表7B組檢驗(I類芯片)試驗方法條件樣品數(shù)(接收判定數(shù))B1分組內(nèi)部目檢芯片尺寸按詳細規(guī)范規(guī)定B2分組鍵合強度GB/T4937.22—2018—B3分組芯片剪切強度或芯片粘接強度GB/T4937.19—2018按不同的芯片大小按不同的芯片大小B4分組溫度循環(huán)最高貯存溫度，25次機械沖擊或恒定加速度14700m/s2,Y?方向29400m/s2,Y?方向終點電測試按詳細規(guī)范規(guī)定B5分組bGB/T4937.26—2023按詳細規(guī)范規(guī)定終點電測試按詳細規(guī)范規(guī)定“指被試鍵合引線數(shù)，至少應(yīng)從5個樣品中抽取。b鑒定檢驗時進行。表8B組檢驗(Ⅱ類芯片)試驗方法條件樣品數(shù)(接收判定數(shù))B1分組內(nèi)部目檢芯片尺寸—按詳細規(guī)范規(guī)定B2分組鍵合強度B3分組芯片剪切強度或芯片粘接強度按不同的芯片大小按不同的芯片大小B4分組溫度循環(huán)最高貯存溫度，100次機械沖擊或恒定加速度14700m/s2,Y?方向29400m/s2,Y?方向終點電測試按詳細規(guī)范規(guī)定B5分組穩(wěn)態(tài)壽命試驗TA(或Ts)=125℃b,1000h終點電測試按詳細規(guī)范規(guī)定按詳細規(guī)范規(guī)定終點電測試—按詳細規(guī)范規(guī)定B7分組按規(guī)定指被試鍵合引線數(shù)，至少應(yīng)從5個樣品中抽取。b可調(diào)整TA(或Ts)使T;或T.不超過Tix或Tshax“鑒定檢驗時進行。GB/T43931—2024I類芯片應(yīng)按表9的規(guī)定進行C組檢驗，C組檢驗為周期檢驗，每6個月進行1次。C組檢驗的樣品應(yīng)從A組檢驗合格的檢驗批中抽取。試驗方法條件樣品數(shù)(接收判定數(shù))C1分組穩(wěn)態(tài)壽命試驗GB/T4937.23—2023TA(或Ts)=125℃,1000h終點電測試—按詳細規(guī)范規(guī)定可調(diào)整TA(或Ts)使T;或Tch不超過Tjimax或Tchmax。當(dāng)使用方有要求時，D組檢驗應(yīng)按表10的規(guī)定進行。D組檢驗的樣品應(yīng)從A組檢驗合格的檢驗批中抽取。輻射強度保證檢驗應(yīng)符合相關(guān)詳細規(guī)范的規(guī)定。表10D組檢驗試驗方法條件樣品數(shù)(接收判定數(shù))D1分組穩(wěn)態(tài)總劑量輻射GB/T4937.18—2018按詳細規(guī)范規(guī)定終點電測試按詳細規(guī)范規(guī)定按詳細規(guī)范規(guī)定D2分組中子輻照GB/T4937.17—2018按詳細規(guī)范規(guī)定終點電測試按詳細規(guī)范規(guī)定按詳細規(guī)范規(guī)定篩選和質(zhì)量一致性檢驗記錄，失效分析報告、不合格、重新提交及其他問題的處理記錄至少保存20年。合同有要求時，應(yīng)進行使用方驗收。驗收應(yīng)在篩選試驗和質(zhì)量一致性檢驗合格后進行。驗收過程除另有規(guī)定外，提交驗收的芯片在承制方完成篩選試驗后貯存在相對濕度不大于30%的充氮干燥防靜電容器中，并保持在10℃~30℃的溫度范圍，滿足以上條件的芯片有效貯存期為36個月。驗收工作內(nèi)容至少包括以下方面。GB/T43931—2024控制情況，特別應(yīng)詳細了解芯片在生產(chǎn)過程中發(fā)生的質(zhì)量問題、處理和分析結(jié)果及其糾正措b)按照5.13.4的要求進行資料審查。c)與承制方共同完成驗收試驗，驗收試驗項目和要求按照5.13.5的規(guī)定。d)按照5.13.6的規(guī)定進行驗收結(jié)果處理。a)設(shè)計文件；b)工藝文件(含工藝流程卡);c)體系文件；e)外購關(guān)鍵原材料入廠檢驗規(guī)范和檢驗報告；h)晶圓批驗收報告；i)承制方篩選試驗報告；j)成功數(shù)據(jù)包絡(luò)線分析報告；k)質(zhì)量一致性檢驗報告(或鑒定檢驗報告等);1)抗輻射能力評價報告(有要求時);m)ESDS試驗報告(含試驗測試數(shù)據(jù));n)失效分析報告(必要時);o)合格證；p)其他(若有)。除另有規(guī)定外，對提交使用方驗收的芯片應(yīng)按表11的規(guī)定進行驗收試驗。表11驗收試驗項目和要求序號方法抽樣要求1報告資料審查2外形尺寸抽樣方案為3(0),發(fā)現(xiàn)不合格時應(yīng)全部檢查3目檢按GB/T2828.1—2012,一般檢驗水平Ⅱ,AQL=1.04電測試按本文件A組檢驗所抽取樣品應(yīng)覆蓋所有晶圓，抽樣應(yīng)滿足：a)芯片數(shù)N≤10時，2(0);b)芯片數(shù)10<N≤100時，5(0);c)芯片數(shù)100<N≤500時，8(0);d)芯片數(shù)500<N<2000時，12(0);e)芯片數(shù)N≥2000時，15(0)電特性測試由使用方驗收人員隨機抽取芯片裝配后進行，若出現(xiàn)不合格經(jīng)分析屬于由裝配引起，則允許重新裝配提交。GB/T43931—2024通過驗收試驗并滿足下述要求的芯片可接收：a)滿足采購文件和產(chǎn)品詳細規(guī)范規(guī)定的性能指標(biāo)和合格判據(jù)的交付驗收芯片；b)文件審查通過；c)使用方驗收試驗通過。凡有下列情況之一的芯片應(yīng)拒收：a)如發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)工藝控制不滿足要求并直接影響到芯片質(zhì)量；b)承制方篩選試驗不通過；c)質(zhì)量一致性檢驗不通過；d)文件審查不通過；e)使用方驗收試驗不通過。當(dāng)采購文件中無要求時，對驗收未通過的芯片允許承制方重新提交，但要進行如下程序：a)重新驗收應(yīng)預(yù)先取得使用方的同意；b)對驗收未通過的芯片，承制方應(yīng)進行失效分析，明確失效原因，確認不合格芯片可經(jīng)過針對性篩選后剔除，并且能保證針對性篩選的試驗方法不會對芯片的質(zhì)量產(chǎn)生不良影響時，允許在完成針對性篩選后重新驗收；c)針對性篩選試驗后進行重新驗收時應(yīng)作重新驗收記錄，且只允許重新驗收一次。5.13.8使用方驗收報告的簽署無論驗收的芯片接收與否，承制方與使用方均應(yīng)簽署驗收試驗報告；不合格時應(yīng)注明拒收原因，必要時雙方應(yīng)針對拒收產(chǎn)品簽署驗收紀(jì)要。如果在驗收過程出現(xiàn)批次性失效，承制方應(yīng)進行失效分析，將有關(guān)失效數(shù)量、失效模式和可能的失效原因在5個工作日內(nèi)以書面方式通知使用方。對失效批次涉及的芯片不應(yīng)進行后續(xù)試驗。6.1包裝要求余物。芯片型號與批次號標(biāo)識于最小包裝上，確保每個芯片的可追溯性。不準(zhǔn)許將不帶蓋的包裝容器疊放在一起。應(yīng)至