高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí)+專(zhuān)題訓(xùn)練-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

試卷第=page11頁(yè)，共=sectionpages33頁(yè)試卷第=page11頁(yè)，共=sectionpages33頁(yè)高三化學(xué)專(zhuān)題訓(xùn)練物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1．（23-24高二下·福建南平·期中）中國(guó)第一輛火星車(chē)“祝融號(hào)”成功登陸火星。探測(cè)發(fā)現(xiàn)火星上存在大量橄欖石礦物(MgxFe2-xSiO4)?；卮鹣铝袉?wèn)題：(1)基態(tài)Fe原子在周期表的位置為。橄欖石中，各元素電負(fù)性由大到小順序?yàn)?，鐵的化合價(jià)為。(2)已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表：物質(zhì)熔點(diǎn)/℃NaCl800.7SiCl4-68.8GeCl4-51.5SnCl4-34.1①Na與Si均為第三周期元素，NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCl4，原因是。②分析同族元素的氯化物SiCl4、GeCl4、SnCl4熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因。(3)一種硼鎂化合物具有超導(dǎo)性能，晶體結(jié)構(gòu)屬于六方晶系，其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖如下所示，晶胞中含有個(gè)Mg。該物質(zhì)化學(xué)式為，B—B最近距離為。2．（23-24高二下·北京·階段練習(xí)）KCN易溶于水，水溶液呈堿性，雖有劇毒，卻因其較強(qiáng)的配位能力被廣泛使用，如用于從低品位的金礦砂(含單質(zhì)金)中提取金。(1)基態(tài)N價(jià)層電子排布式為。(2)的所有原子均滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其電子式為。(3)中N為-3價(jià)，從結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系的角度解釋其原因：。(4)下圖為KCN的晶胞示意圖。已知晶胞邊長(zhǎng)為anm，阿伏加德羅常數(shù)的值為，該晶體的密度為。(已知：)(5)浸金過(guò)程如下：ⅰ．將金礦砂溶于pH為10.5~11的KCN溶液，過(guò)濾，得含的濾液；ⅱ．向?yàn)V液中加入足量金屬鋅，得單質(zhì)金。已知Au與Cu同族，則Au屬于區(qū)元素。②ⅰ中反應(yīng)的離子方程式為。鋁和硅均處于第三周期金屬與非金屬的交界處。(6)比較Al和Si的原子半徑：AlSi。(7)硅的一種化合物可發(fā)生水解反應(yīng)，機(jī)理如下：含s、p、d軌道的雜化類(lèi)型有：①、②、③，中間體中Si采取的雜化類(lèi)型為(填標(biāo)號(hào))。(8)氯化鋁常以二聚體的形式存在()具有配位鍵，分子中原子間成鍵的關(guān)系如下圖所示。請(qǐng)將圖中表示配位鍵的斜線(xiàn)上加上箭頭。3．（23-24高二下·北京·階段練習(xí)）氟在已知元素中電負(fù)性最大、非金屬性最強(qiáng)，其單質(zhì)在1886年才被首次分離出來(lái)。(1)基態(tài)F原子的核外電子排布式為。(2)氟氧化物、的結(jié)構(gòu)已經(jīng)確定，中存在O—O鍵。O-O鍵長(zhǎng)/pm121148①依據(jù)數(shù)據(jù)推測(cè)O—O鍵的穩(wěn)定性：(填“>”或“<”)。②中O的化合價(jià)為，O的雜化形式為。③中O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為，VSEPR模型為，分子的空間結(jié)構(gòu)為。(3)HF是一種有特殊性質(zhì)的氫化物。向HF中加入可以解離出和具有正四面體形結(jié)構(gòu)的陰離子，寫(xiě)出該過(guò)程的離子方程式：。4．（23-24高二下·吉林長(zhǎng)春·期中）中國(guó)科學(xué)家參與的國(guó)際阿伏加德羅組織以高純單晶為樣品高精度地測(cè)定了。Ⅰ.高純單晶的制備流程如下(1)寫(xiě)出基態(tài)原子的電子排布式。(2)分子的空間構(gòu)型是。(3)③中發(fā)生分解反應(yīng)，判斷的分解溫度(填“大于”或“小于”)的分解溫度，理由是。Ⅱ.的測(cè)定(4)單晶硅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，X射線(xiàn)衍射測(cè)定其邊長(zhǎng)為apm。還需要測(cè)定的物理量有：硅的相對(duì)原子質(zhì)量A、宏觀硅球的質(zhì)量mg和體積以及缺陷修正值(晶胞內(nèi)實(shí)際原子數(shù)=理論原子數(shù))。用上述物理量列出的計(jì)算表達(dá)式。5．（23-24高二下·廣東肇慶·期中）回答下列問(wèn)題：(1)下列狀態(tài)的鈣中，電離最外層一個(gè)電子所需能量最大的是_____(填標(biāo)號(hào))；A． B． C． D．(2)寫(xiě)出基態(tài)離子的M層電子排布式。(3)實(shí)驗(yàn)室常用檢驗(yàn)，中的配位數(shù)為，中碳原子的雜化軌道類(lèi)型為雜化。(4)已知的熔點(diǎn)(1000℃)顯著高于的熔點(diǎn)(306C)，原因是。(5)鐵和氨在640℃可發(fā)生置換反應(yīng)，產(chǎn)物之一的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：。(6)在一定條件下鐵形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖乙和圖丙所示，則圖乙和圖丙的結(jié)構(gòu)中鐵原子的配位數(shù)之比為，圖乙中鐵原子沿著晶胞體對(duì)角線(xiàn)相切，圖丙中鐵原子沿著晶胞面對(duì)角線(xiàn)相切。若兩種晶體中鐵原子半徑相同，則兩種鐵晶體中密度較高的是。(填“圖乙”或“圖丙”)6．（23-24高二下·四川南充·階段練習(xí)）銅是人類(lèi)最早使用的金屬之一，最近科學(xué)家發(fā)現(xiàn)Cu元素有很強(qiáng)的殺菌作用，還可代替布線(xiàn)在硅芯片上。用黃銅礦(主要成分為)生產(chǎn)粗銅，其反應(yīng)原理如下：回答下列問(wèn)題：(1)基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為。的熔點(diǎn)的熔點(diǎn)(填寫(xiě)“<”、“>”或“=”)。(2)反應(yīng)①、②中生成的氣體，分子的模型為(填名稱(chēng))。(3)能與形成配位數(shù)為4的配合物，向溶液中加入氨水，最終形成配合物。請(qǐng)判斷：中存在的化學(xué)鍵的類(lèi)型有(填序號(hào))。a．離子鍵b．金屬鍵c．配位鍵d．非極性共價(jià)鍵e．極性共價(jià)鍵(4)如圖是銅的一種氧化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。該化合物的化學(xué)式為，每個(gè)原子周?chē)c它最近且等距離的原子有個(gè)，每個(gè)原子周?chē)c它最近且等距離的原子有個(gè)。7．（23-24高二下·廣東廣州·期中）利用(鐵氰化鉀)可靈敏檢驗(yàn)出溶液中的，產(chǎn)生特征的藍(lán)色沉淀(滕氏藍(lán))，歷史上曾作為顏料而被廣泛研究，回答下列問(wèn)題：(1)基態(tài)Fe的簡(jiǎn)化電子排布式為，基態(tài)、中未成對(duì)電子數(shù)之比為。(2)已知和均可與形成配離子和，在酸性溶液中可使轉(zhuǎn)化為，寫(xiě)出以上轉(zhuǎn)化的離子方程式。(3)中鍵與鍵的個(gè)數(shù)比為。(4)滕氏藍(lán)晶體的微觀結(jié)構(gòu)如圖所示。①圖1不是滕氏藍(lán)晶體的晶胞單元，理由是。②圖2為滕氏藍(lán)的晶胞結(jié)構(gòu)，晶胞中與1個(gè)等距且最近的的數(shù)目為；以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱(chēng)作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，例如A原子的坐標(biāo)參數(shù)為(0，0，0)，則C處的坐標(biāo)為，晶胞中與的核間距為anm，該晶胞密度為(列出計(jì)算式即可，已知的摩爾質(zhì)量為)。8．（23-24高二下·浙江·期中）第ⅤA族元素又稱(chēng)氮族元素，回答下列問(wèn)題。(1)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥模型，的VSEPR模型名稱(chēng)為，空間結(jié)構(gòu)為．(2)下列說(shuō)法不正確的是______．A．激發(fā)態(tài)氮原子躍遷到基態(tài)時(shí)，可用光譜儀攝取原子的吸收光譜B．第二周期中第一電離能介于與之間的元素有3種C．氮族元素單質(zhì)的晶體類(lèi)型都相同D．是正四面體形分子，鍵角為(3)氮、磞和氫可以形成平面六元環(huán)結(jié)構(gòu)的硼氮苯，分子式為，其結(jié)構(gòu)式為．(4)某含砷化合物晶胞如圖所示，As原子位于緊鄰原子構(gòu)成的正三棱柱的體心。阿伏加德羅常數(shù)的值為，則該晶體的化學(xué)式為，密度為（寫(xiě)出計(jì)算式即可）9．（23-24高一下·山東·階段練習(xí)）催化劑的研究一直是一個(gè)重要的領(lǐng)域。根據(jù)所學(xué)知識(shí)，回答下列問(wèn)題：I．鐵觸媒是普遍使用的以鐵為主體的多成分催化劑，通常還含有、、、、等氧化物中的幾種。(1)基態(tài)氧原子中，核外電子有種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，能量最高的電子的電子云在空間有個(gè)伸展方向。(2)原子中運(yùn)動(dòng)的電子有兩種相反的自旋狀態(tài)，若一種自旋狀態(tài)用“”表示，與之相反的用“”表示，即稱(chēng)為電子的自旋磁量子數(shù)。對(duì)于基態(tài)的鐵原子，其價(jià)層電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為。Ⅱ．我國(guó)科研人員研制出了(M為、等金屬)等催化劑，使得合成氨工業(yè)的溫度、壓強(qiáng)分別降到了、，這是近年來(lái)合成氨反應(yīng)研究中的重要突破。(3)在元素周期表中位于區(qū)。(4)第三電離能：(填“”或“”)，原因是。Ⅲ．、、、是常見(jiàn)的無(wú)機(jī)非貴金屬光催化劑等。(5)銅元素的焰色試驗(yàn)呈綠色，下列三種波長(zhǎng)為橙、黃、綠色對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)，則其中綠色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為(填標(biāo)號(hào))。A．

B．

C．10．（23-24高二下·四川成都·期中）有機(jī)物中的C―H鍵較難斷裂，活化C―H鍵是有機(jī)反應(yīng)研究的熱點(diǎn)之一。由經(jīng)兩步反應(yīng)合成，均需使C―H鍵活化，步驟如下：(1)鉻、鐵位于元素周期表中的(填序號(hào))。a．s區(qū)

b．d區(qū)

c．p區(qū)

d．ds區(qū)(2)轉(zhuǎn)化為的過(guò)程中，斷裂的化學(xué)鍵為鍵(填“σ”或“π”)，反應(yīng)類(lèi)型為。(3)利用有機(jī)金屬框架(MOF)構(gòu)筑雙鐵催化劑，制備過(guò)程的核心結(jié)構(gòu)變化如下。注：代表+2價(jià)鐵，代表+3價(jià)鐵。①的相對(duì)分子質(zhì)量比小的多，但二者的沸點(diǎn)卻極為接近(相差1℃左右)，原因有：i．的極性強(qiáng)于；ⅱ．。②易被氧化為，結(jié)合價(jià)層電子排布解釋原因：。(4)銅鉻催化劑的主要成分是CuCl、和(甲基硼酸)等，能有效抑制副產(chǎn)物的生成。①中B的雜化軌道類(lèi)型是。②已知：和均為一元弱酸，推測(cè)(填“>”或“<”)。11．（23-24高二下·云南昆明·階段練習(xí)）近年來(lái)，我國(guó)工程建設(shè)自主創(chuàng)新能力實(shí)現(xiàn)大跨越，尤其在新材料研究方面有重大突破，回答下列問(wèn)題：I.甲基胺離子導(dǎo)向的鈣鈦礦類(lèi)雜化材料，該物質(zhì)因具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率而在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。(1)C、N基態(tài)原子中，第一電離能較大的是。(2)的電子式為，中存在(填標(biāo)號(hào))。a.鍵

b.鍵

c.配位鍵

d.氫鍵(3)已知甲基的供電子能力強(qiáng)于氫原子，則、中接受質(zhì)子能力較強(qiáng)的是。II.硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，乙圖為該晶胞沿z軸方向在xy平面的投影，已知晶胞邊長(zhǎng)為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為。(4)Zn位于元素周期表的(s、p、d、ds)區(qū)。(5)基態(tài)Se原子核外電子有種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。(6)A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。(7)該晶體密度為(用含a和的代數(shù)式表示)。12．（23-24高二下·重慶江津·期中）半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用。(1)硅是常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料。金剛石和硅相比較，熔點(diǎn)更高的是，原因是。硅有晶體硅和無(wú)定形硅，可以用(填方法名稱(chēng))來(lái)區(qū)分晶體硅和無(wú)定形硅。(2)2022年，科研人員發(fā)現(xiàn)立方砷化硼是科學(xué)界已知的最好的半導(dǎo)體之一，其結(jié)構(gòu)如圖所示。基態(tài)As原子核外電子有種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；立方砷化硼中，(填“含有”或“不含有”)配位鍵。(3)一種由類(lèi)石墨半導(dǎo)體納米管段組成的超分子線(xiàn)性半導(dǎo)體納米管的制備原理如圖，下列說(shuō)法正確的是___________(填標(biāo)號(hào))。A．分子識(shí)別和自組裝是超分子的重要特征B．甲分子中的氮原子的雜化方式均為sp2C．乙分子圖示結(jié)構(gòu)部分中，1個(gè)形成了2個(gè)配位鍵D．丙分子中存在氫鍵(4)砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體貴族”，是雷達(dá)、電子計(jì)算機(jī)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等高新產(chǎn)品中不可或缺的材料。已知GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞棱長(zhǎng)為apm。1號(hào)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為；1號(hào)原子和2號(hào)原子之間的距離為pm；晶胞密度為(阿伏加德羅常數(shù)的值用表示)。13．（23-24高二下·福建福州·期中）鈹及其化合物的應(yīng)用正日益被重視．(1)最重要的含鈹?shù)V物是綠柱石，含2%鉻的綠柱石即為祖母綠．基態(tài)原子價(jià)電子的軌道表示式為。(2)鈹與相鄰主族的鋁元素性質(zhì)相似．下列有關(guān)鈹和鋁的敘述正確的有_____________（填標(biāo)號(hào)）。A．都屬于p區(qū)主族元素 B．電負(fù)性都比鎂大C．第一電離能都比鎂大 D．氯化物的水溶液均小于7(3)氯化鈹在氣態(tài)時(shí)存在分子（a）和二聚分子，固態(tài)時(shí)則具有如下圖所示的鏈狀結(jié)構(gòu)（c）。①b中原子的雜化方式相同，且所有原子都在同一平面上。b的結(jié)構(gòu)式為：（標(biāo)出配位鍵）．②c中原子的雜化方式為。③氯化鈹晶體中存在的作用力有（填標(biāo)號(hào)）。A．范德華力

B．σ鍵

C．極性鍵

D．非極性鍵

E.離子鍵(4)立方晶胞如圖所示。若晶體的密度為,則晶胞參數(shù),（列出計(jì)算式即可）。14．（2024·天津河西·模擬預(yù)測(cè)）鐵元素在人體健康和新材料研發(fā)中有重要的應(yīng)用。I．在血液中，以為中心的配位化合物鐵卟啉是血紅蛋白的重要組成部分，可用于輸送。圖為載氧后的血紅蛋白分子示意圖。(1)基態(tài)Fe的價(jià)電子軌道表示式為。(2)載氧時(shí)，血紅蛋白分子中脫去配位的并與配位；若人體吸入CO，則CO占據(jù)配位點(diǎn)，血紅蛋白失去攜氧功能。由此推測(cè)，與配位能力最強(qiáng)的是(填字母)。a．

b．

c．CO(3)一種最簡(jiǎn)單的卟啉環(huán)結(jié)構(gòu)如圖。①該卟啉分子中，1號(hào)位N的雜化方式為。②比較C和N的電負(fù)性大小，并從原子結(jié)構(gòu)角度說(shuō)明理由：。③該卟啉分子在酸性環(huán)境中配位能力會(huì)減弱，原因是。Ⅱ．可用于制備優(yōu)良鐵磁體材料。下圖是一種鐵磁體化合物的立方晶胞，其邊長(zhǎng)為apm。已知：，阿伏伽德羅常數(shù)的值為。(4)該晶體的密度是。(5)距離F最近的Cs的個(gè)數(shù)為。Ⅲ．磷酸鐵鋰-石墨電池的總反應(yīng)：()。(6)放電時(shí)負(fù)極的電極反應(yīng)式是。15．（23-24高二下·云南·期中）磷存在于人體所有細(xì)胞中，是維持骨骼和牙齒的必要元素，也是重要的非金屬元素?；卮鹣铝袉?wèn)題：(1)基態(tài)磷原子的價(jià)層電子排布式為。(2)N和P同主族：①酸性：(填“>”或“<”)。②的VSEPR模型名稱(chēng)為。③與水反應(yīng)的化學(xué)方程式為。(3)將磷酸加強(qiáng)熱可發(fā)生分子間脫水反應(yīng)生成焦磷酸(，結(jié)構(gòu)如圖所示)、連三磷酸以及高聚磷酸，焦磷酸的酸性強(qiáng)于磷酸的原因是。(4)磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料，晶胞結(jié)構(gòu)(與金剛石結(jié)構(gòu)類(lèi)似)如圖所示。已知：設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值，磷化硼晶體的密度為。①B與P的最近距離為(用含、的代數(shù)式表示)cm。②估測(cè)該晶體的熔點(diǎn)(填“高于”或“低于”)石墨。③a原子的參數(shù)坐標(biāo)為。16．（23-24高二下·福建·期中）1869年門(mén)捷列夫根據(jù)當(dāng)時(shí)已有的元素編制出第一張?jiān)刂芷诒?，他在適當(dāng)?shù)奈恢妙A(yù)留下空格，并預(yù)言了新元素的性質(zhì)。后來(lái)鍺與鎵的發(fā)現(xiàn)對(duì)元素周期律有力的證明。鍺、鎵元素能形成一些無(wú)機(jī)化合物(如Na2GeO3、GaCl3、GaN等)，回答下列問(wèn)題：(1)基態(tài)鍺原子價(jià)層電子排布式為，Na2GeO3中鍺原子的雜化方式為。(2)GaCl3分子的空間結(jié)構(gòu)為，與其互為等電子體的一種常見(jiàn)離子是。(填化學(xué)式)(3)化學(xué)家利用圖丁反應(yīng)首次成功合成純碳環(huán)C18。下列說(shuō)法正確的是___________(填字母標(biāo)號(hào))。A．C24O6和C18均為非極性分子B．C22O4分子中碳原子的雜化方式有3種C．C20O2晶體中所含σ鍵類(lèi)型為p-pσ鍵和s-pσ鍵有D．圖丁中涉及的物質(zhì)都是分子晶體(4)在藥物化學(xué)中，某些飽和碳上的氫原子被甲基替換后，對(duì)分子的藥性、代謝等產(chǎn)生顯著影響作用，這種現(xiàn)象被稱(chēng)為“甲基化效應(yīng)”，例如：以上A、B兩種分子結(jié)構(gòu)中屬于手性分子的是(填字母序號(hào))(5)GaN被譽(yù)為21世紀(jì)引領(lǐng)5G時(shí)代的基石材料，是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。有一種氮化鎵的六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞參數(shù)：，。已知：該晶體的密度為，晶胞底邊邊長(zhǎng)為acm，高為bcm，則阿伏加德羅常數(shù)為(用含a、b、的代數(shù)式表示)。17．（23-24高三上·四川攀枝花·階段練習(xí)）回答下列問(wèn)題(1)基態(tài)Cu的價(jià)電子排布式為。是一種配離子，中心離子的配位數(shù)為，配體為，配位體所含元素中，電負(fù)性最大的是，第一電離能最大的元素是。(2)中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為；疊氮酸根的幾何構(gòu)型為。(3)對(duì)羥基苯甲醛（）的沸點(diǎn)明顯高于鄰羥基苯甲醛（）的沸點(diǎn)，主要原因是。(4)BaCO3、CaCO3都屬于離子晶體，它們的分解反應(yīng)均屬于吸熱反應(yīng)，熱分解的能量關(guān)系如下（M=Mg或Ca或Ba）：則：①1（選填“>”、“<”或“=”，下同）；②。(5)二硒鍵、二硫鍵是重要的光響應(yīng)動(dòng)態(tài)共價(jià)鍵。在光照條件下，含二硒鍵（-Se-Se-）、二硫鍵（-S-S-）的化合物可以發(fā)生共價(jià)交換反應(yīng)，其光響應(yīng)原理可用如圖表示，則圖中實(shí)現(xiàn)光響應(yīng)的最大波長(zhǎng)：（選填“>”或“<”或“=”），其原因是。(6)硅化鎂在光電子器件、能源器件、激光、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用前景。硅化鎂的晶胞參數(shù)為anm，Si原子位于立方晶胞的頂點(diǎn)和面心，晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。①硅化鎂的化學(xué)式為。②阿伏加德羅常數(shù)的值為，該晶體的摩爾體積為（列出計(jì)算式）。18．（2024·四川成都·模擬預(yù)測(cè)）芯片作為科技產(chǎn)業(yè)，以及信息化、數(shù)字化的基礎(chǔ)，一直倍受關(guān)注。芯片制造會(huì)經(jīng)過(guò)六個(gè)最為關(guān)鍵的步驟；沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。(1)“沉積”是將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到純硅晶圓上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半導(dǎo)體材料。①Ga與As均為第四周期元素，其中基態(tài)As原子的價(jià)層電子排布圖為。②GaN、GaP、GaAs熔融狀態(tài)均不導(dǎo)電，據(jù)此判斷它們是化合物。它們的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似，試分析GaN、GaP、GaAs熔點(diǎn)由大到小的順序?yàn)?。③GaAs的晶體結(jié)構(gòu)如圖甲(白色球?yàn)镚a原子)所示，1molGaAs中配位鍵的數(shù)目為。(2)“光刻膠涂覆”中用到一種701紫外正型光刻膠，結(jié)構(gòu)如圖乙所示，其S原子的雜化方式為。(3)“光刻”時(shí)，紫外負(fù)型光刻膠常含有(疊氮基)，在紫外光下可以形成陰離子，的等電子體有(填化學(xué)式，寫(xiě)出一種即可)，其空間構(gòu)型為。(4)“刻蝕”過(guò)程可能用到刻蝕劑HF，及清洗劑，三種物質(zhì)中屬于第二周期的元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椤浞崾侨跛?，在水溶液中存在，，但?dāng)HF的濃度大于5mol/L時(shí)，氫氟酸是一種相當(dāng)強(qiáng)的酸，請(qǐng)解釋原因：。(5)LiF晶體結(jié)構(gòu)屬于氯化鈉型，LiF晶體的密度約為，LiF晶胞體積V=cm-3。(列出計(jì)算式，設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為)答案第=page11頁(yè)，共=sectionpages22頁(yè)答案第=page11頁(yè)，共=sectionpages22頁(yè)參考答案：1．(1)第四周期Ⅷ族O>Si>Fe>Mg＋2(2)NaCl是離子晶體，SiCl4是分子晶體，NaCl中離子鍵強(qiáng)度遠(yuǎn)大于SiCl4分子間作用SiCl4、GeCl4、SnCl4的熔點(diǎn)依次升高，因?yàn)槿呔鶠榉肿泳w，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強(qiáng)(3)1MgB2a【詳解】（1）Fe的原子序數(shù)為26，基態(tài)Fe原子的價(jià)電子排布式為3d64s2，在周期表的位置為第四周期Ⅷ族；橄欖石中有Mg、Fe、Si、O4種元素，同周期主族元素從左到右，元素的電負(fù)性依次增強(qiáng)，所以電負(fù)性Mg＜Si，同主族元素從上到下元素的電負(fù)性依次減弱，所以Si＜C，Mg的金屬性強(qiáng)Fe，則電負(fù)性Mg＜Fe，F(xiàn)e為金屬元素，其電負(fù)性弱于Si，所以各元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺>Si>Fe>Mg；由于Mg的化合價(jià)為+2價(jià)，Si為+4價(jià)，O為-2價(jià)，由元素化合價(jià)為0得，MgxFe2-xSiO4中Fe得化合價(jià)為+2價(jià)；（2）①Na與Si均為第三周期元素，鈉的電負(fù)性小于硅，氯化鈉為離子晶體，而SiCl4為分子晶體，所以NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCl4；②SiCl4、GeCl4、SnCl4為同族元素的氯化物，且均為分子晶體，其組成和結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大；熔點(diǎn)越高；（3）由硼鎂化合物的晶胞沿c軸的投影圖可知，Mg位于正四菱柱的8個(gè)頂點(diǎn)，由均攤法可以求出正四菱柱中含有1個(gè)Mg，2個(gè)B位于體內(nèi)，則化學(xué)式為MgB2；由晶胞沿c軸的投影圖可知，B原子在圖中兩個(gè)正三角形的重心，該點(diǎn)到頂點(diǎn)的距離是該點(diǎn)到對(duì)邊中點(diǎn)距離的2倍，頂點(diǎn)到對(duì)邊的垂線(xiàn)長(zhǎng)度為，因此B-B最近距離為。2．(1)2s22p3(2)(3)中N為-3價(jià)，C為+2價(jià)，N的電負(fù)性大，半徑小，對(duì)共用電子對(duì)吸引力強(qiáng)，共用電子對(duì)偏向于N，所以為-3價(jià)；(4)(5)ds(6)>(7)②(8)【詳解】（1）基態(tài)N價(jià)層電子排布式為2s22p3；（2）的所有原子均滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其電子式為；（3）中N為-3價(jià)，C為+2價(jià)，N的電負(fù)性大，半徑小，對(duì)共用電子對(duì)吸引力強(qiáng)，共用電子對(duì)偏向于N，所以為-3價(jià)；（4）由KCN的晶胞示意圖可知，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)KCN，則該晶體的密度為；（5）①Au與Cu同族，則都屬于ds區(qū)；②將金礦砂溶于pH為10.5～11的KCN溶液得含的濾液，該過(guò)程為氧氣的電子，反應(yīng)的離子方程式為：；（6）同周期元素原子半徑從左到右逐漸減小，所以原子半徑：Al>Si；（7）由圖可知，中間體SiCl4（H2O）中Si的σ鍵數(shù)為5，Si采取的雜化類(lèi)型為sp3d雜化，故答案為：②；（8）Cl原子最外層有7個(gè)電子，只能與Al原子各提供1個(gè)電子形成一個(gè)共價(jià)鍵，使氯原子達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)．Al原子最外層有3個(gè)電子，可分別與3個(gè)Cl原子形成共價(jià)鍵，因而Cl原子與2個(gè)Al原子形成的化學(xué)鍵中，必有1個(gè)是配位鍵，由于電子對(duì)由Cl原子提供，這樣Cl原子最外層電子數(shù)仍為8，Al原子最外層也成為8電子結(jié)構(gòu)，故答案為：。3．(1)1s22s22p5(2)>+1sp34四面體形V形(3)BF3+2HF=H2F++[BF4]-【詳解】（1）F是9號(hào)元素，核外電子排布式為1s22s22p5。（2）①鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，鍵能越小，O2F2中O-O鍵的長(zhǎng)度小于H2O2中O-O鍵的長(zhǎng)度，則O2F2中O-O鍵的鍵能大于H2O2中O-O鍵的鍵能，則O-O鍵的穩(wěn)定性：O2F2>H2O2；②F的電負(fù)性大于O，中F為-1價(jià)，O為+1價(jià)，的結(jié)構(gòu)和H2O2類(lèi)似，O原子有4個(gè)價(jià)層電子對(duì)，雜化方式為sp3；③中O的價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為2+=4，含有2個(gè)孤電子對(duì)，VSEPR模型為四面體形，分子的空間結(jié)構(gòu)為V形。（3）向HF中加入BF3可以解離出和具有正四面體形結(jié)構(gòu)的陰離子，該陰離子為[BF4]-離子方程式為：BF3+2HF=H2F++[BF4]-。4．(1)[Ne]3s23p2(2)正四面體(3)小于SiF4和CH4均為分子晶體，Si原子比F原子半徑大，Si-F鍵鍵能小，不穩(wěn)定，分解溫度低(4)【詳解】（1）基態(tài)Si原子的電子排布式為：[Ne]3s23p2；（2）SiF4中Si形成4個(gè)σ鍵，無(wú)孤電子對(duì)，雜化方式為sp3雜化，分子的空間構(gòu)型為正四面體；（3）SiF4和CH4均為分子晶體，Si原子比F原子半徑大，Si-F鍵鍵能小，不穩(wěn)定，分解溫度低，故SiF4的分解溫度小于CH4的分解溫度；（4）由均攤法得，晶胞中Si的數(shù)目為，晶胞密度與硅球相同，為，。5．(1)B(2)(3)6sp(4)為離子化合物，熔點(diǎn)受離子鍵的影響；為分子晶體，熔點(diǎn)受分子間作用力影響，離子鍵比分子間作用力強(qiáng)，故的熔點(diǎn)比高(5)(6)2：3圖丙【詳解】（1）A為激發(fā)態(tài)的＋1價(jià)鈣離子，失去最外層一個(gè)電子需要的能量較大，B為＋1價(jià)鈣離子，相對(duì)于選項(xiàng)A來(lái)說(shuō)，失去最外層一個(gè)電子即為第二電離能，需要的能量較大一些，也大于第一電離能，C是激發(fā)態(tài)的鈣原子，比較容易失去最外層一個(gè)電子，D是基態(tài)的鈣原子，比較容易失去最外層一個(gè)電子即為第一電離能，第一電離能小于其第二電離能，綜上分析可知，失去最外層上一個(gè)電子需要能量最大的為B，故答案為：B；（2）二價(jià)鐵離子的電子排布式，所以基態(tài)離子的M層電子排布式為。（3）中的配位數(shù)為6；HCN為直線(xiàn)型分子，碳原子的雜化軌道類(lèi)型為sp雜化。（4）已知的熔點(diǎn)(1000℃)顯著高于的熔點(diǎn)(306℃)，原因是為離子化合物，熔點(diǎn)受離子鍵的影響；為分子晶體，熔點(diǎn)受分子間作用力影響，離子鍵比分子間作用力強(qiáng)，故的熔點(diǎn)比高。（5）由圖可知，N位于晶胞中心，一個(gè)晶胞有1個(gè)N；Fe分別位于頂點(diǎn)和面心，共有個(gè)Fe，所以該晶胞表示的分子式為Fe4N，所以鐵和氨在640℃可發(fā)生置換反應(yīng)的方程式為。（6）圖乙中Fe位于體心和頂點(diǎn)，鐵的配位數(shù)為8；圖丙中Fe位于頂點(diǎn)和面心，距離最近的為頂點(diǎn)和面心的鐵原子，配位數(shù)為12，所以圖乙和圖丙的結(jié)構(gòu)中鐵原子的配位數(shù)之比為8：12＝2：3；圖乙為體心立方堆積，圖丙為面心立方堆積，面心立方堆積的空間利用率大于體心立方堆積，故圖丙的空間利用率較高。6．(1)>(2)平面三角形(3)ace(4)42【詳解】（1）原子序數(shù)為29，基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為；與都屬于離子晶體，半徑小于半徑，中離子鍵強(qiáng)于中的離子鍵，熔點(diǎn)大于的熔點(diǎn)；故答案為：；>；（2）分子中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為，模型為平面三角形；故答案為：平面三角形；（3）構(gòu)成微粒為，中存在離子鍵，中存在與形成的配位鍵，、中存在及極性共價(jià)鍵，中存在的化學(xué)鍵的類(lèi)型有ace；故答案為：ace；（4）原子位于晶胞的體內(nèi)，有4個(gè)，O原子位于晶胞頂角及體心，有，該化合物的化學(xué)式為；從晶胞圖中可看出，每個(gè)原子周?chē)c它最近且等距離的原子有4個(gè)；每個(gè)原子周?chē)c它最近且等距離的原子有2個(gè)；故答案為：；4；2。7．(1)4：5(2)(3)1：1(4)不是晶體中最小結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元6【詳解】（1）Fe為26號(hào)元素，基態(tài)Fe原子簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d64s2，則基態(tài)Fe3+的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d5，基態(tài)Fe2+、Fe3+中未成對(duì)電子數(shù)之比為4:5；故答案為：[Ar]3d5；4:5。（2）已知Fe2+和Fe3+均可與CN－形成配離子[Fe(CN)6]4－和[Fe(CN)6]3－，在酸性溶液中H2O2可使轉(zhuǎn)化為，寫(xiě)出以上轉(zhuǎn)化的離子方程式；故答案為：。（3）CN－中有1個(gè)σ鍵，2個(gè)π鍵，配位鍵為σ鍵，因此[Fe(CN)6]3－中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)比為12:12=1:1；故答案為：1:1。（4）①晶胞是晶體微觀空間結(jié)構(gòu)里最小結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元，晶胞的結(jié)構(gòu)應(yīng)是對(duì)稱(chēng)的，圖1結(jié)構(gòu)不是對(duì)稱(chēng)，對(duì)比圖2可知，晶胞中上下兩個(gè)單元內(nèi)的原子位置不完全相同，故圖1不是晶胞單元；故答案為：不是晶體中最小結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元；②圖2為滕氏藍(lán)的晶胞結(jié)構(gòu)，以頂點(diǎn)的亞鐵離子分析，晶胞中與1個(gè)Fe2+等距且最近的Fe3+的數(shù)目為6個(gè)，分別是亞鐵離子的上下左右前后；已知A原子的坐標(biāo)參數(shù)為(0，0，0)，B原子為(1，1，1)，C在體對(duì)角線(xiàn)的四分之一處，則C處K＋的坐標(biāo)為()，晶胞中Fe2+與Fe3+的核間距為anm，則晶胞邊長(zhǎng)為2anm，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)分析亞鐵離子個(gè)數(shù)為，說(shuō)明晶胞中有4個(gè)KFe[Fe(CN)6]，該晶胞密度為g·cm－3；故答案為：6；()；。8．(1)平面三角形V形(2)ACD(3)(4)NiAs【詳解】（1），孤對(duì)電子對(duì)，所以VSEPR為平面三角形，空間構(gòu)型為V形；故答案為：平面三角形；V形；（2）A．激發(fā)態(tài)氮原子躍遷到基態(tài)時(shí)，可用光譜儀攝取原子的發(fā)射光譜，A錯(cuò)誤；B．第二周期元素從左至右，第一電離能呈增大趨勢(shì)，但的能級(jí)全充滿(mǎn)，的能級(jí)半充滿(mǎn)，較穩(wěn)定，其第一電離能大于相鄰元素，則第一電離能介于與之間的有共3種元素，B正確；C．氮、磷、砷形成的單質(zhì)是分子晶體，銻單質(zhì)是金屬晶體，C錯(cuò)誤；D．P4是正四面體形分子，4個(gè)磷原子位于正四面體的四個(gè)頂點(diǎn)，其鍵角為60°，D錯(cuò)誤；故答案為：ACD；（3）氮、硼和氫可以形成平面六元環(huán)結(jié)構(gòu)的硼氮苯，分子式為，與（苯）互為等電子體，其結(jié)構(gòu)與苯相似，和作為六元環(huán)的骨架，相互交錯(cuò)排列，且均采取雜化，結(jié)構(gòu)式為；故答案為：；（4）該晶胞中，位于頂點(diǎn)和棱上的原子數(shù)為，位于晶胞內(nèi)部的原子數(shù)為2，故化學(xué)式為NiAs，則該晶體的密度為；故答案為：NiAs；。9．(1)53(2)+2或-2(3)(4)的價(jià)層電子排布式為，易失去一個(gè)電子形成比較穩(wěn)定的半充滿(mǎn)狀態(tài)，而的價(jià)層電子排布式為，處于較穩(wěn)定的半充滿(mǎn)狀態(tài)，所以難失去，故第三電離能：(5)A【詳解】（1）O原子序數(shù)為8，其核外電子排布為：，共占據(jù)5個(gè)原子軌道，即有5種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；能量最高的電子為2p能級(jí)，其電子云在空間有3個(gè)伸展方向；（2）鐵的原子序數(shù)為26，其價(jià)層電子排布為：，若“↑”為，此時(shí)價(jià)層電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為；若“↑”為，此時(shí)價(jià)層電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為，所以基態(tài)鐵原子的價(jià)層電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為+2或-2；（3）Mn原子序數(shù)為25，核外電子排布：，位于元素周期表d區(qū)；（4）的價(jià)層電子排布式為，易失去一個(gè)電子形成比較穩(wěn)定的半充滿(mǎn)狀態(tài)，而的價(jià)層電子排布式為，處于較穩(wěn)定的半充滿(mǎn)狀態(tài)，所以難失去，故第三電離能：；（5）銅元素的焰色試驗(yàn)呈綠色，橙、黃、綠對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)逐漸減小，則綠色對(duì)應(yīng)的輻射波長(zhǎng)為577～492nm，故選A。10．(1)b(2)π和σ加成反應(yīng)(3)乙醇分子間存在氫鍵價(jià)層電子排布為，易失去1個(gè)達(dá)到半滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)(4)>【詳解】（1）鉻元素、鐵元素的原子序數(shù)分別為24、26，價(jià)電子排布式分別為3d54s1、3d64s2，都位于元素周期表d區(qū)，故選b；（2）轉(zhuǎn)化為的反應(yīng)為催化劑作用下與發(fā)生加成反應(yīng)生成，反應(yīng)中分子發(fā)生π鍵斷裂、發(fā)生σ鍵斷裂，故答案為：π和σ；加成反應(yīng)；（3）①乙醇分子的相對(duì)分子質(zhì)量小于，但乙醇分子可以形成分子間氫鍵，不能形成分子間氫鍵，且乙醇的極性強(qiáng)于，所以乙醇分子的分子間作用力接近于，沸點(diǎn)接近于，故答案為：乙醇分子間存在氫鍵；②鐵元素的原子序數(shù)為26，基態(tài)的價(jià)層電子排布為，易失去1個(gè)達(dá)到半充滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以易被氧化為，故答案為：價(jià)層電子排布為，易失去1個(gè)達(dá)到半充滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)；（4）①分子中硼原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，原子的雜化方式為sp2雜化，故答案為：sp2；②元素電負(fù)性的大小順序?yàn)镺>C>B，則O-B鍵的極性大于C-B鍵，甲基為推電子基團(tuán)，導(dǎo)致B(OH)3中B原子更易與水電離出的氫氧根離子形成配位鍵，酸性強(qiáng)于，電離常數(shù)大于，故答案為：>。11．(1)N(2)ac(3)(CH3)2NH(4)ds區(qū)(5)18(6)(7)【詳解】（1）同周期元素，從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，則氮元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)榇笥谔荚?，故答案為：N；（2）是含有碳?xì)?、氮?dú)?、碳氮σ鍵和氮?dú)渑湮绘I的陽(yáng)離子，電子式為，離子中不含有π鍵和氫鍵，故選ac，故答案為：；ac；（3）由甲基的供電子能力強(qiáng)于氫原子可知，中亞氨基中氮?dú)怄I的極性減弱，氮原子提供孤對(duì)電子的能力增強(qiáng)，所以接受質(zhì)子能力強(qiáng)于，堿性強(qiáng)于，故答案為：；（4）鋅元素的原子序數(shù)為30，基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為3d104s2，位于元素周期表ds區(qū)，故答案為：ds區(qū)；（5）硒元素的原子序數(shù)為34，基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4，原子核外電子有18種不同空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，故答案為：18；（6）由圖可知，晶胞中位于頂點(diǎn)的A原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則晶胞的邊長(zhǎng)為1，B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，故答案為：；（7）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點(diǎn)和面心的硒原子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，位于體內(nèi)的鋅原子個(gè)數(shù)為4，設(shè)晶體的密度為dg/cm3，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=(10—10a)3d，解得d=，故答案為：。12．(1)金剛石金剛石和硅都是共價(jià)晶體，金剛石中碳原子之間的鍵長(zhǎng)比硅單質(zhì)中硅原子之間的鍵長(zhǎng)短，金剛石的鍵能更大，熔點(diǎn)更高X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)(2)18含有(3)AB(4)【詳解】（1）金剛石和硅均為共價(jià)晶體，原子半徑：C＞Si，鍵能：C-C＞Si-Si，熔點(diǎn)：金剛石＞晶體硅；常用X射線(xiàn)衍射實(shí)驗(yàn)區(qū)分晶體和非晶體。（2）基態(tài)As原子質(zhì)子數(shù)為33，核外電子33個(gè)，電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3，共占據(jù)原子軌道數(shù)為1+1+3+1+3+5+1+3=18，故基態(tài)As原子核外電子有18種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，砷化硼晶胞中As、B的配位數(shù)均為4個(gè)，B最外層只有3個(gè)電子，故B與As形成的4個(gè)B-As鍵中有一個(gè)配位鍵。（3）A．超分子由兩個(gè)或兩個(gè)以上分子體系，通過(guò)分子間作用力而形成的一個(gè)具有一定結(jié)構(gòu)和功能的實(shí)體，分子識(shí)別和自組裝是超分子的重要特征，故A正確；B．甲分子中的氮原子均參與形成了碳氮雙鍵，N的雜化方式均為sp2，故B正確；C．乙分子圖示結(jié)構(gòu)部分中，1個(gè)參與4個(gè)配位鍵的形成，故C錯(cuò)誤；D．丙分子中存在C-F，不存在H-F鍵，不會(huì)形成氫鍵，故D錯(cuò)誤；故選AB。（4）將晶胞分為8個(gè)小立方體，Ga在小立方體的體心，由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，1號(hào)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為；1號(hào)原子和2號(hào)原子之間的距離為面對(duì)角線(xiàn)的一半即pm；1個(gè)晶胞中As為個(gè)，Ga為4個(gè)，化學(xué)式為GaAs，則晶胞密度為。13．(1)(2)BD(3)sp3ABC(4)【詳解】（1）基態(tài)Cr原子電子排布為1s22s22p63s23p63d54s1，其價(jià)層電子的軌道表示式為；（2）A．鈹原子的價(jià)電子排布式為2s2，處于元素周期表s區(qū)，而鋁元素的價(jià)電子排布式為3s23p1，處于元素周期表p區(qū)，故A錯(cuò)誤；B．元素的金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越小，同主族元素，從上到下金屬性依次增強(qiáng)，同周期元素，從左到右金屬性依次減弱，則鎂元素的金屬性強(qiáng)于比鈹元素、鋁元素，電負(fù)性小于鈹元素、鋁元素，故B正確；C．同周期元素，從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，鎂原子2s軌道為全充滿(mǎn)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，元素的第一電離能大于相鄰元素，則鎂元素的第一電離能大于鋁元素，故C錯(cuò)誤；D.氯化鈹、氯化鋁都是強(qiáng)酸弱堿鹽，在溶液中均能發(fā)生水解反應(yīng)使溶液呈酸性，所以氯化鈹、氯化鋁的水溶液pH均小于7，故D正確；故選BD；（3）①氯原子提供孤對(duì)電子，因此b的結(jié)構(gòu)式為；②c中Be原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，雜化方式為sp3；③氯化鈹晶體中存在的作用力有范德華力、σ鍵、極性鍵，答案選A、B、C；（4）晶胞中氧原子個(gè)數(shù)是8×1/8+6×1/2=4，Be原子個(gè)數(shù)是4。若BeO晶體的密度為dg/cm3，則晶胞參數(shù)a=。14．(1)(2)c(3)C的電負(fù)性小于N的，C和N電子層數(shù)相同，核電荷數(shù)，原子半徑，原子核對(duì)最外層電子的吸引作用在酸性環(huán)境中，卟啉分子中部分N會(huì)與形成配位鍵，部分N上無(wú)孤電子對(duì)，與其他原子配位能力減弱(4)(5)4(6)【詳解】（1）鐵元素的原子序數(shù)為26，基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為3d64s2，軌道表示式為。（2）載氧時(shí)，血紅蛋白分子中亞鐵離子脫去配位的水并與氧氣配位，說(shuō)明氧分子與亞鐵離子的配位能力強(qiáng)于水分子；若人體吸入一氧化碳，則一氧化碳占據(jù)配位點(diǎn)，血紅蛋白失去攜氧功能說(shuō)明一氧化碳與亞鐵離子的配位能力強(qiáng)于氧分子，所以與亞鐵離子的配位能力最強(qiáng)的配體是一氧化碳，故選c。（3）①由圖可知該卟啉分子中，1號(hào)位雙鍵氮原子的雜化方式為sp2雜化；②C和N電子層數(shù)相同，核電荷數(shù)C＜N，原子半徑C＞N，原子核對(duì)最外層電子的吸引作用C＜N，所以C的電負(fù)性小于N的電負(fù)性；③酸性環(huán)境中，卟啉分子中的氮原子與氫離子形成配位鍵，導(dǎo)致提供孤對(duì)電子的能力降低，所以卟啉分子在酸性環(huán)境中配位能力會(huì)減弱。（4）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點(diǎn)的鐵原子個(gè)數(shù)為8×=1，位于體心的銫原子個(gè)數(shù)為1，位于棱上的氟原子個(gè)數(shù)為12×=3，則晶胞的化學(xué)式為CsFeF3，設(shè)晶體的密度為dg/cm3，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=(10-10a)3d，解得d=。（5）由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于棱上的氟原子與位于體心的銫原子的距離最近，則距離氟原子最近的銫原子的個(gè)數(shù)為4。（6）由總反應(yīng)：()可知，放電時(shí)負(fù)極失去電子生成C，根據(jù)得失電子守恒和電荷守恒配平電極方程式為：。15．(1)(2)>四面體形(3)焦磷酸非羥基氧的數(shù)目比磷酸非羥基氧的數(shù)目多(4)低于【詳解】（1）磷元素的原子序數(shù)為15，基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為3s23p3，故答案為：3s23p3；（2）①同主族元素，從上到下非金屬性依次減弱，最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性依次減弱，則硝酸的酸性強(qiáng)于磷酸，故答案為：>；②三氯化氮分子中氮原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，分子的VSEPR模型為四面體形，故答案為：四面體形；③氯元素的電負(fù)性大于磷元素，所以由水解反應(yīng)規(guī)律可知，三氯化磷分子發(fā)生水解反應(yīng)生成亞磷酸和鹽酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式為，故答案為：；（3）由圖可知，焦磷酸分子中的非羥基氧數(shù)目為2，磷酸分子中的非羥基氧數(shù)目為1，分子中無(wú)機(jī)含氧酸分子中非羥基氧的數(shù)目越多，酸性越強(qiáng)，所以焦磷酸的酸性強(qiáng)于磷酸，故答案為：焦磷酸非羥基氧的數(shù)目比磷酸非羥基氧的數(shù)目多；（4）①由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于體內(nèi)的硼原子個(gè)數(shù)為4，位于頂點(diǎn)和面心的磷原子個(gè)數(shù)為8×+6×=4，設(shè)晶胞的邊長(zhǎng)為acm，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=a3ρ，解得a=，晶胞中硼原子與磷原子的最近距離為體對(duì)角線(xiàn)的，距離為，故答案為：；②由晶胞結(jié)構(gòu)可知，磷化硼的熔沸點(diǎn)低于都是共價(jià)晶體的金剛石，金剛石的熔沸點(diǎn)低于石墨，所以磷化硼的熔點(diǎn)低于石墨，故答案為：低于；③由位于頂點(diǎn)的原子參數(shù)坐標(biāo)為(0，0，0)可知，晶胞的邊長(zhǎng)為1，位于體對(duì)角線(xiàn)上的a原子的參數(shù)坐標(biāo)為，故答案為：。16．(1)4s24p2sp2(2)平面三角形或(3)AD(4)B(5)【分析】是31號(hào)元素，可知基態(tài)鎵原子的核外電子排布式是，則其價(jià)電子排布式為；Na2GeO3中鍺原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)，其中原子采取sp2雜化；GaCl3分子中價(jià)層電子對(duì)數(shù)，孤電子對(duì)為0，采取sp2雜化，空間結(jié)構(gòu)為平面三角形；與其互為等電子體的一種常見(jiàn)離子是或；連有四個(gè)不同原子或原子團(tuán)的飽和碳原子為手性碳原子；利用均攤法計(jì)算晶胞的密度?！驹斀狻浚?）是31號(hào)元素，可知基態(tài)鎵原子的核外電子排布式是，則其價(jià)電子