SJ∕T 2658.3-2015 半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第3部分：反向電壓和反向電流_第1頁
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SJ/T2658.3—2015Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode2015-10-10發(fā)布2016-04-01實施中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布ISJ/T2658.3—2015SJ/T2658《半導體紅外發(fā)射二極管測量方法》已經或計劃發(fā)布以下部分： 第5部分：串聯(lián)電阻； 第6部分：輻射功率 第8部分：輻射強度； 第11部分：響應時間 ——第15部分：熱阻；性修改外主要技術變化如卞：請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任。本部分由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院歸口。本部分起草單位：工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院。本部分主要起草人：張戈、趙英。本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：1SJ/T2658.3—2015半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第3部分：反向電壓和反向電流本部分規(guī)定了半導體紅外發(fā)射二極管(以下簡稱器件)反向電壓和反向電流的測量原理圖、測量步驟以及規(guī)定條件。本部分適用于半導體紅外發(fā)射二極管。2規(guī)范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T15651-1995半導體器件分立器件和集成電路第5部分：光電子器件SJ/T2658.1半導體紅外發(fā)射二極管測量方法第1部分：總則3術語和定義GB/T15651-1995界定的以及下列術語和定義適用于本文件。3.1VR通過器件的反向電流為規(guī)定值時，其兩極間產生的電壓降。4一般要求測量反向電壓和反向電流的一般要求應符合SJ/T2658.1。5反向電壓的測量5.1測量原理圖反向電壓的測量原理圖見圖1。2SJ/T2658.3—2015DUT——被測器件；A電流表；圖1反向電壓測量原理圖b)調節(jié)穩(wěn)壓源，使反向電流/為規(guī)定值，讀取直流電壓表的示數后得到被測器件的反向電壓值。b)反向電流I。6反向電流的測量6.1測量原理圖反向電流的測量原理圖見圖2。3SJ/T2658.3—2

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