高考化學(xué)11物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)（含解析）

專題11物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

易錯點(diǎn)1不清楚基態(tài)與激發(fā)態(tài)的關(guān)系

畫畫囹園

1.下列各項(xiàng)敘述中正確的是

A.電子層序數(shù)越大，s原子軌道的形狀相同，半徑越大

B.在同一電子層上運(yùn)動的電子，其自旋方向肯定不同

C.鎂原子由Is22s22P63s'-Is22s22P63P2時，釋放能量，由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激發(fā)態(tài)

D.雜化軌道可用于形成。鍵、頁鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對

【錯因分析】本題的易錯點(diǎn)為B,要注意在一個軌道中電子的自旋方向肯定不同，但在同一能級不同軌道中

電子的自旋方向是可以相同。

【參考答案】A

【試題解析】A.s能級原子軌道都是球形的，且能層序數(shù)越大，半徑也越大，故A正確；B.在一個軌道

中電子的自旋方向肯定不同，但在同一能層中電子的自旋方向是可以相同，如N原子的2P軌道中的3個電

子的自旋方向相同，故B錯誤；C.Mg原子3s,能級上的2個電子吸收能量躍遷為3P2能級上，由基態(tài)轉(zhuǎn)化

成激發(fā)態(tài)，故C錯誤；D.雜化軌道只用于形成。鍵或用于容納未參與成鍵的孤對電子，沒有雜化的p軌

道形成n鍵，故D錯誤；答案選A。

⑥易指點(diǎn)擊

原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，簡稱能量最低原理。處于最低能量

的原子叫做基態(tài)原子。當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后，電子會躍遷到較高能級，變成激發(fā)態(tài)原子。但處于

激發(fā)態(tài)的原子不穩(wěn)定，當(dāng)電子從激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時，將釋放能量，通常以光（輻射）

的形式釋放出來。

即時見IS

1.下列電子排布圖所表示的元素原子中，能量處于最低狀態(tài)的是

A.莊匠I,產(chǎn)II±B.土土/斗1M二）

c?同冏I，由M'"；仄盤工rrA-I

【答案】c

【解析】A.2s能級的能量比2P能量低，電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于

能量較高的激發(fā)態(tài)，故A錯誤；B.違反了洪特規(guī)則，2P能級的3個簡并軌道（能級相同的軌道）只有優(yōu)先單

獨(dú)占據(jù)一個原子軌道，且自旋狀態(tài)相同，才能容納第二個電子，不符合能量最低原理，原子處于能量較高

的激發(fā)態(tài)，故B錯誤；C.能級能量由低到高的順序?yàn)椋篒s、2s、2p；每個軌道最多只能容納兩個電子，且

自旋相反，簡并軌道（能級相同的軌道）中電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個軌道，且自旋方向相同，能量最低，故C

正確；D.2P能級的能量比3s能量低，電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于能

量較高的激發(fā)態(tài)，故D錯誤。故選C。

易錯點(diǎn)2核外電子的運(yùn)動狀態(tài)判斷出錯

畫畫囹畫

2.下列是關(guān)于多電子原子核外電子運(yùn)動規(guī)律的敘述，其中敘述正確的是

A.核外電子是分層運(yùn)動的B.所有電子在同一區(qū)域里運(yùn)動

C.能量高的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動I）.同一能層的電子能量相同

【錯因分析】對原子核外電子運(yùn)動規(guī)律不明確，則無法解題。

【試題解析】根據(jù)多電子的原子，核外電子是分層運(yùn)動的，不在在同一區(qū)域里運(yùn)動，能量高的電子在離核

遠(yuǎn)的區(qū)域里運(yùn)動，能量低的電子在離核近的區(qū)域里運(yùn)動，在同-能層在，又根據(jù)電子能量的高低分成不同

的能級，因此同一能層的電子能量不相同。故合理選項(xiàng)是A。

【參考答案】A

⑥易指點(diǎn)擊

誤區(qū)一忽視不同電子層的同種能級的電子云或原子軌道形狀相同，但半徑不一樣。

誤區(qū)二不清楚不同電子云或原子軌道的形狀取決于其類型，而與電子的數(shù)目無關(guān)。

即時人用

2.下列敘述不正確的是

A.在多電子原子里，核外電子的能量不同

B.原子核外的電子按其能量不同分層排布

C.電子的能量越低，運(yùn)動區(qū)域離核越遠(yuǎn)

D.M層電子的能量大于L層電子的能量

【答案】C

【解析】A、在多電子原子中，核外電子的能量不同，選項(xiàng)A正確；B、電子的能量不同，按照能量的高低

在核外排布，分層運(yùn)動，選項(xiàng)B正確；C、原子核外能量區(qū)域能量不同，離核越近能量越低，離核越遠(yuǎn)能量

越高，選項(xiàng)C不正確；D、M層電子的能量大于L層電子的能量，選項(xiàng)D正確；答案選C。

易錯點(diǎn)3電子排布式書寫錯誤

aaaa

3.主族元素原子失去最外層電子形成陽離子，主族元素的原子得到電子填充在最外層形成陰離子。下列各

原子或離子的電子排布式錯誤的是

A.Ca2+：Is22s22Pli3s23PeB.02'：Is22s"p"

C.Cl-：[Ne]3s23PtiD.Ar：ls22s22p63s23p6

【錯因分析】本題易錯點(diǎn)是誤以為氧離子核外有8個電子而錯選B。

【試題解析】A、鈣原子失去2個電子變成鈣離子，使次外層變成最外層，所以鈣離子核外有18個電子，

排布式正確，故A正確；B、氧原子核外有8個電子，氧原子得2個電子變成氧離子，最外層電子數(shù)由6個

變成8個，所以氧離子核外有10個電子，排布式應(yīng)該是Is22s22P，故B錯誤；C、氯原子核外有17個電子,

氯原子得一個電子變成氯離子，最外層由7個電子變成8個電子，所以氯離子核外有18個電子，排布式正

確，故C正確；D、氮是18號元素，原子核外有18個電子，排布式正確，故D正確。

【參考答案】B

⑥N錯士擊

書寫電子排布式時，要注意兩點(diǎn)：

（1）能層低的能級要寫在左邊，不能按填充順序?qū)?，如Fe的電子排布式：Is22s22P63s23P63d64s2正確，而

1s22s22P63s23P64sy不錯誤。

（2）注意對比電子排布式，簡化電子排布式，價電子排布式的區(qū)別與聯(lián)系。如Fe的電子排布式：

Is22s22P63s加”314s；簡化電子排布式：[Ar]3db4s2；價電子排布式：3d64s?。

即時見S

3.（1）Ni原子的電子排布式為。

(2)原子序數(shù)均小于36的元素Q和T,在周期表中既處于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)T比Q大

2。T的價電子排布式為,Q2'的未成對電子數(shù)是。

(3)D元素的正三價離子的3d亞層為半充滿，D的元素符號為,其基態(tài)原子的電

子排布式為o

(4)E元素基態(tài)原子的M層全充滿，N層沒有成對電子，只有一個未成對電子，E的元素符號為

,其基態(tài)原子的電子排布式為。

【答案】(1)[Ar]3dMsz或Is22s22P63s23P4s2

(2)3d'4s24

(3)FeIs22s3s23Ptl3d"4s2或[Ar]3dti4s2

(4)CuIs22s22P63s23P63dzs'或[Ar]3d%'

【思路分析】解答本題應(yīng)注意以卜兩點(diǎn)：(1)要明確能層、能級與軌道之間的關(guān)系，確定電子數(shù)。

(2)注意洪特規(guī)則特例。

【解析】(1)Ni的原子序數(shù)為28,比Ar多10,所以其電子排布式為[Ar]3dzs:

(2)元素Q和T既位于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)T比Q多2,T、Q只能位于第V1D族，所以T為

Ni、Q為Fe,注意28號元素Ni的核外電子排布式為[Ar]3d"4s:26號元素Fe的核外電子排布式為[Ar]3d64s

所以Fe?’的核外電子排布式為[Ar]3d",有4個未成對電子

(3)D元素失去2個4s電子和1個3d電子后變成3d所以其基態(tài)原子的電子排布式為Is22sz2d3s23Pli3d"4s2,

即第VID族元素Fe。

(4)根據(jù)題意要求，首先寫出電子排布式：Is22s22P63s23PB3dzs即第IB族元素Cu。

易錯點(diǎn)4忽視第一電離能“反?！?/p>

畫畫囹園

4.已知A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大，其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)

相等；B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動狀態(tài)，s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍；D原子L層上有2

對成對電子；E,原子核外有3層電子且M層3d軌道電子全充滿。請回答：

(1)E元素基態(tài)原子的電子排布式為。

(2)B、C、D三種元素的第一電離能數(shù)值由個到木的順序?yàn)椤?填元素符號)

(3)D元素與氟元素相比，電負(fù)性：DF(填“>”、"=”或),下列表述中能證明這一事實(shí)

的是_______(填選項(xiàng)序號)

A.常溫下氟氣的顏色比D單質(zhì)的顏色深

B.氟氣與D的氫化物劇烈反應(yīng)，產(chǎn)生D的單質(zhì)

C.氟與D形成的化合物中D元素呈正價態(tài)

D.比較兩元素的單質(zhì)與氫氣化合時得電子的數(shù)目

（4）只含C、A兩元素的離子化合物，其電子式為一，它的晶體中含有多種化學(xué)鍵，但一定不含有

的化學(xué)鍵是（填選項(xiàng)序號）。

A.極性鍵B.非極性鍵C.離子鍵D.金屬鍵

（5）B2A,是重要的基本石油化工原料。1molBN分子中含。鍵mol。

【錯因分析】解本題最容易犯的錯誤是笫（3）依據(jù)第一電離能的變化規(guī)律（同周期從左到右/呈增大趨勢），

而發(fā)生錯誤。

【試題解析】A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等，A是H元素；B原子核外電子有6種不同

的運(yùn)動狀態(tài)，s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍，B是C元素；D原子L層上有2對成對電子，可知D是

0元素：A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大，可知C是N元素；E原子核外有3層電子且M層3d

軌道電子全充滿，可知E是Cu元素。

（1）E為Cu,Cu的原子序數(shù)為29,基態(tài)Cu的電子排布式為：Is22s22Pli3s23Pti3V4S、故答案為：

Is22s22Pti3s23P63dzs'；

（2）B、C、D三種元素分別是C、N、0元素，三種元素都處于第二周期，同周期元素的第一電離能呈增大

趨勢，N的2P能級為半充滿結(jié)構(gòu)，較穩(wěn)定，第一電離能比0大，則第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)镃<0

<N,故答案為：C<O<N；

（3）同周期從左到右元素的電負(fù)性逐漸增大，D為0元素，。電負(fù)性小于F；

A項(xiàng)，常溫下氟氣的顏色比D單質(zhì)的顏色深，顏色屬于物理性質(zhì)，與電負(fù)性無關(guān)；B項(xiàng)，氟氣與D的械化物

劇烈反應(yīng)，產(chǎn)生D的單質(zhì)，說明F的非金屬性強(qiáng)于0,非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，能說明F的電負(fù)性大于0

的電負(fù)性；C項(xiàng)，氟與D形成的化合物中D元素呈正價態(tài)，說明F得電子能力強(qiáng)于0,F的非金屬性強(qiáng)于0,

非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，能說明F的電負(fù)性大于0的電負(fù)性：D項(xiàng)，比較兩元素的單質(zhì)與氫氣化合時得電

子的數(shù)目，得電子數(shù)目多少不能說明得電子能力的強(qiáng)弱，不能說明電負(fù)性的大??；故答案為：BC；

H

（4）只含A、C兩元素的離子化合物為NHiH,其電子式為[H：N：H]*[:H｝，其中含有極性鍵和離子鍵，

百

不含非極性鍵和金屬鍵，故答案為：[H:N：H]+[:H]-:BD；

（5）BA為C?H,,其結(jié)構(gòu)簡式為CH尸CH?,1個CM分子中含有4個C~H鍵和1個C=C鍵，單鍵全為。鍵,

雙鍵中含1個。鍵和1個兀鍵，則1molC2H4分子中。鍵5molo

【參考答案】(])Is22s22P63s23P,cT4sl

(2)C<O<N

(3)<BC

(4)[H:N:Hf[:町BD

(5)5

介M1.碼$BL衣4—/d,4、

⑥扁指點(diǎn)擊

第一電離能1大小的比較：同周期元素從左到右第一電離能呈增大的趨勢，但要注意第HA族和第niA

族的反常，如7.(Be)>h(B),h(Mg)>7,(Al)；第VA族和第VIA族的反常，如h(N)>/.(0),L(P)>

I、(S)o同主族元素從上到下第一電離能逐漸減小。

即時見時

4.下列關(guān)于元素第一電離能的說法不正確的是

A.鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，故鉀的活潑性強(qiáng)于鈉

B.因同周期元素的原子半徑從左到右逐漸減小，故第一電離能必依次增大

C.最外層電子排布為〃s?用,(當(dāng)只有K層時為Is?)的原子，第一電離能較大

D.對于同一元素而言，原子的電離能/KA〈尿…

【答案】B

【解析】A.鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，說明鉀失電了能力比鈉強(qiáng)，所以鉀的活潑性強(qiáng)

于鈉，故A正確；B.同一周期元素原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，第一電離能隨著原子序數(shù)的增大

而呈增大趨勢，但第IIA族元素大于第IIIA族元素，第VA族元素大于第VIA族元素，故B錯誤；C.最外

層電子排布為廢2如6(若只有K層時為11)的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，再失去電子較難，所以其第一電離能較

大，故C正確；I).對于同一元素來說，原子失去電子個數(shù)越多，其失電子能力越弱，所以原子的電離能隨

著原子失去電子個數(shù)的增多而增大，故D正確；故選B。

易錯點(diǎn)5混淆分子的VSEPR模型和立體構(gòu)型

畫畫囹畫

5.關(guān)于如圖結(jié)構(gòu)的說法不正確的是

OH

LCII=CIICII3Clh

A.分子中既有o"鍵又有Jt鍵

B.碳原子有sp、sp'sp'三種雜化方式

C.0^l鍵的極性強(qiáng)于C4I鍵的極性

D.羥基中氧原子采取sp雜化，VSEPR模型為四面體形

【錯因分析】本題最容易犯的錯誤是混淆分子VSEPR模型和立.體構(gòu)型，誤將分子的立體構(gòu)型當(dāng)作VSEPR模

型而錯選。

【試題解析】A.b鍵構(gòu)成共價單鍵，o?鍵和JI鍵構(gòu)成共價雙鍵或三鍵，該有機(jī)物中含共價單鍵和碳碳雙

鍵，A項(xiàng)正確；B.以4個單鍵相連的C原子采用sp，雜化方式，苯環(huán)和碳碳雙鍵的中心C原子采用sp2雜化,

無sp雜化的中心C原子，B項(xiàng)錯誤；C.電負(fù)性：0>C,則0~H鍵的極性強(qiáng)于CT1鍵的極性，C項(xiàng)正確；D.羥

基中氧原子成鍵電子對為2,孤電子對為2,則采取sp3雜化，其VSEPR模型為四面體形，D項(xiàng)正確；答案

選B。

【參考答案】B

【名師點(diǎn)睛】根據(jù)價層電子對互斥理論進(jìn)行確定；價層電子對個數(shù)=。鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)，。鍵個數(shù)=

配原子個數(shù)，孤電子對個數(shù)（arb）,a指中心原子價電子個數(shù)，x指配原子個數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定

2

結(jié)構(gòu)需要的電子個數(shù)；凡是中心原子采取；雜化的的分子，價層電子對數(shù)為4,不含有孤電子對，為正面體

構(gòu)型；含有1個孤電子對的，空間構(gòu)型為三角錐形，含有2個孤電子對的，空間構(gòu)型為是V形。

⑥同指點(diǎn)擊

分子或離子立體構(gòu)型的判斷方法

確定（T鍵

離

分

電子對數(shù)二者子1

確定中心原VSEPR模

價層電子,“立

略去中心原｛子

相加,的

子上的價層相互排斥.型（含孤上的孤電子疔

體

型

確定中心原構(gòu)

電子對數(shù)電子對）

子上的孤電

子對數(shù)

（1）o鍵電子對數(shù)的確定

由分子式確定。鍵電子對數(shù)。例如，HQ的中心原子為0,。有2對。鍵電子對；NFL的中心原子為N,N

有3對。鍵電子對。

（2）中心原子上的孤電子對數(shù)的確定

中心原子上的孤電子對數(shù)=』（a—動）。式中a為中心原子的價電子數(shù)，對于主族元素來說，價電子數(shù)等于

2

原子的最外層電子數(shù)；x為與中心原子結(jié)合的原子數(shù)；8為與中心原子結(jié)合的原子最多能接受的電子數(shù)（氫

為1,其他原子為“8—該原子的價電子數(shù)”）。例如，SO?的中心原子為S,S的價電子數(shù)為6（即S的最外層

電子數(shù)為6）,則a=6；與中心原子S結(jié)合的0的個數(shù)為2,則x=2；與中心原子結(jié)合的0最多能接受的電

子數(shù)為2,則3=2。所以，SO2的中心原子S上的孤電子對數(shù)='義（6—2X2）=1。

2

即日才鞏IS

5.對于短周期元素形成的各分子，下表所述的對應(yīng)關(guān)系錯誤的是

選項(xiàng)ABCD

分子式CH,C0SC1

NH322

VSEPR模型正四面體形四面體形直線形四面體形

分子的立體構(gòu)型正四面體形平面三角形直線形V形

【答案】B

【解析】A項(xiàng)，C原子形成了4個。鍵，孤電子對數(shù)為0,VSEPR模型及分子的立體構(gòu)型均是正四面體形，

A項(xiàng)正確；B項(xiàng)，N原子有1對孤電子對且形成了3個。鍵，VSEPR模型為四面體形，分子的立體構(gòu)型為三

角錐形，B項(xiàng)錯誤；C項(xiàng)，C原子的價層電子對數(shù)為2+（（4-2X2）=2,VSEPR模型為直線形，分子的立體構(gòu)

型也為直線形，C項(xiàng)正確；D項(xiàng)，S原子有2對孤電子對且形成了2個。鍵，VSEPR模型為四面體形，分子

的立體構(gòu)型為V形，D項(xiàng)正確。

易錯點(diǎn)6判斷物質(zhì)類別、鍵的極性及分子的極性之間的關(guān)系

畫畫囹圖

6.研究表明:HQ具有立體結(jié)構(gòu)，兩個氫原子像在半展開一本書的兩頁上，兩頁紙面的夾角為94°,氧原子

在書的夾縫上，0TI鍵與0~0鍵之間的夾角為97°,如圖所示，下列說法錯誤的是

A.HQ?分子中既有極性鍵又有非極性鍵

B.H。分子為含有非極性鍵的極性分子

C.1似）2分子為非極性分子

D.HQ,分子為既含極性鍵又含非極性鍵的極性分子

【錯因分析】本題易錯之處是誤認(rèn)為雙氧水結(jié)構(gòu)對稱。

【試題解析】A.H他分子中含有氧翅極性共價鍵和氧氧非極性共價鍵，選項(xiàng)A正確；B.壓。2分子中含有氧

氫極性共價鍵和氧氧非極性共價鍵，但是雙氧水結(jié)構(gòu)不對稱，屬于極性分子，選項(xiàng)B正確：C.山。2分子中

含有氧氫極性共價鍵和氧氧非極性共價鍵，但是雙氧水結(jié)構(gòu)不對稱，屬于極性分子，選項(xiàng)C錯誤；D.H202

分子中含有氧氫極性共價鍵和氧氧非極性共價鍵，但是雙氧水結(jié)構(gòu)不對稱，屬于極性分子，選項(xiàng)D正確；

答案選C。

【參考答案】C

⑥同錯點(diǎn)擊

1.全部由非極性鍵構(gòu)成的分子不一定是非極性分子，如6是由非極性鍵構(gòu)成的極性分子；由極性鍵構(gòu)成的

雙原子分子一定是極性分子，如HF是由極性鍵構(gòu)成的極性分子；非金屬單質(zhì)中不一定含有非極性鍵，

如稀有氣體分子中，不含有化學(xué)鍵；含有共價鍵的化合物不一定是共價化合物，如Na。、NH.CkNaOH

等含有共價鍵，但屬于離子化合物；共價化合物中一定不存在離子鍵，若存在離子鍵，則化合物一定是

離子化合物。

2.掌握典型物質(zhì)的組成和結(jié)構(gòu)，有利于減少解答這類題目時產(chǎn)生的錯誤。例如，稀有氣體（單原子分子）、

HQ、CH=CH、NaQ、NaOH,（NHMSO,（含離子鍵、配位鍵、極性鍵）、CO（C=O含配位鍵、極性鍵）、CCL（含

極性鍵，屬于非極性分子）、。3（含非極性鍵，屬于極性分子）等。

即時訊囿

6.下列敘述中正確的是

A.鹵化氫分子中，鹵素的非金屬性越強(qiáng)，共價鍵的極性越大，穩(wěn)定性也越強(qiáng)

B.以極性鍵結(jié)合的分子，一定是極性分子

C.判斷由B或AB2型分子是否是極性分子的依據(jù)是看分子中是否含有極性鍵

D.非極性分子中，各原子間都應(yīng)以非極性鍵結(jié)合

【答案】A

【解析】鹵素中非金屬性越強(qiáng)，鍵的極性越大，A項(xiàng)正確。以極性鍵結(jié)合的雙原子分子一定是極性分子，但

以極性鍵結(jié)合形成的多原子分子，也可能是非極性分子，如CO?,B項(xiàng)錯誤。A?B型如HQ、Hf等，AB?型如0）八

C&等，判斷其是否是極性分子的依據(jù)是看分子中是否含有極性鍵及分子的立體構(gòu)型是否對稱。如C02、C&

為直線形，分子的立體構(gòu)型對稱，為非極性分子；如H?o,有極性鍵，分子的立體構(gòu)型不對稱，為極性分子,

C項(xiàng)錯誤。多原子分子，其分子的立體構(gòu)型對稱，這樣的非極性分子中可能含有極性鍵，D項(xiàng)錯誤。

易錯點(diǎn)7對含氧酸的元數(shù)、酸性、氧化性的認(rèn)識錯誤

畫畫囹園

7.下列敘述正確的是

A.能電離出印的化合物除水外都是酸，分子中含有幾個氫原子它就是幾元酸

B.無機(jī)含氧酸分子中含有幾個羥基，它就屬于幾元酸

C.同一元素的含氧酸，該元素的化合價越高，其酸性越強(qiáng)，氧化性也越強(qiáng)

D.HFO,和HzCOs分子中非羥基氧的個數(shù)均為1,但它們的酸性不相近，H3Po“是中強(qiáng)酸而H￡Oa是弱酸

【錯因分析】錯選A、B項(xiàng)是由于只考慮到了IINOs、HfO,、IhPO,等個例，而忽略了酸式鹽、CH3COOIKH3BO3

等例外；錯選C項(xiàng)是由于只考慮到了HNOs與HNO?、HB0」與H2SO3的酸性與氧化性符合酸性強(qiáng)的氧化性也強(qiáng)，

而忽略了HC10與HC10”等例外。

【試題解析】由NaHSO,、CHaCOOH,H3BO3等示例可判斷A、B均錯誤；由HC10的酸性很弱而氧化性很強(qiáng)可判

斷C錯誤；D項(xiàng)中113Poi和11無。3的非羥基氧原子數(shù)均為1,但H￡03的酸性比HM,弱很多。

【參考答案】I)

⑥曷指點(diǎn)擊

1.由HNO*HSO"、HFO”的相關(guān)知識而誤認(rèn)為有幾個H或幾個羥基的酸就屬于幾元酸；由氧化性：HNfVHNOz、

U2SORI2SO3而混淆酸的酸性與氧化性，誤認(rèn)為酸性越強(qiáng)的酸其氧化性也越強(qiáng)。

2.誤認(rèn)為羥基數(shù)就是含氧酸的元數(shù)。如磷元素的幾種含氧酸的名稱、分子式、結(jié)構(gòu)式、磷的化合價、酸的

元數(shù)如下表：

名稱正磷酸偏磷酸亞磷酸次磷酸

分子式H3PoiH3P。3H3P。2

HPO3

Oo

t0t

結(jié)構(gòu)式HO-P—OHIIHO—P—OHH—P—OH

HO——0

OH

磷的化合價+5+5+3+1

酸的元數(shù)三元一元二元一元

3.同種元素的含氧酸，中心原子的價態(tài)越高，含氧酸的氧化性不一定越強(qiáng)。如酸性：HC10.1>HC103>HC10）

氧化性：HC10KHC103cHe10。

即時見團(tuán)

7.判斷無機(jī)含氧酸酸性強(qiáng)弱的一條規(guī)律:在無機(jī)含氧酸分子中非羥基氧原子數(shù)越多，酸性越強(qiáng)。例如:

含氧酸的化學(xué)式非羥基氧原子數(shù)酸性

HC100弱酸

H3Poi1中強(qiáng)酸

HN032強(qiáng)酸

HCIO,3超強(qiáng)酸

若已知HMM亞磷酸）為中強(qiáng)酸，HMsO3（亞種酸）為弱酸，試寫出和FLAsO,的結(jié)構(gòu)簡式。

O

II

HO—P—OHHO—As—OH

II

【答案】IIOH

【解析】H3P03為中強(qiáng)酸，HJASOS為弱酸,結(jié)合信息可知，HR）.分子中有1個非羥基氧原子，HaAsCh中有0個

非羥基氧原子。據(jù)此來寫出結(jié)構(gòu)簡式。

【備注】本題是無機(jī)含氧酸的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的推斷題，考查學(xué)生運(yùn)用題給信息推導(dǎo)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的能力。

只要將題給信息與要回答的問題聯(lián)系起來，依據(jù)問題，分析信息，即可順利解答。

易錯點(diǎn)8常見原子晶體結(jié)構(gòu)判斷錯誤

畫畫囹國

8.（1）納米氧化銅、納米氧化鋅均可作合成氨的催化劑，Cu*價層電子的軌道表達(dá)式為。

八A。

I（、-、：o—（

（2）2麻基煙酸（（丫（陽）水溶性優(yōu)于2-疏基煙酸氧機(jī)配合物的原因是

（3）各原子分子中各原子若在同一平面，且有相互平行的p軌道，則p電子可在多個原子間運(yùn)動，形

成“離域n鍵”，下列物質(zhì)中存在“離域n鍵”的是o

A.S02B.S05C.H2sD.CS2

（4）尿素（H/NCONHJ尿素分子中，原子雜化軌道類型有,o鍵與貝鍵數(shù)目之比為—

（5）氮化硼（BN）是一種性能優(yōu)異、潛力巨大的新型材料，主要結(jié)構(gòu)有立方氮化硼（如左下圖）和六

方氮化硼（如右下圖），前者類似于金剛石，后者與石墨相似。

①晶胞中的原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。左上圖中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0,0,

0）,D為（,，0）,則E原子的坐標(biāo)參數(shù)為________。X4寸線衍射實(shí)驗(yàn)測得立方氮化硼晶

22

胞邊長為361.5pm,則立方氮化硼晶體中N與B的原子半徑之和為pm（⑺=1.732）。

②已知六方氮化硼同層中B+距離為acm,密度為dg/cm\則層與層之間距離的計(jì)算表這式為

（已知正六邊形面積為土8a為邊長）

pm。

2

【錯因分析】本題易錯點(diǎn)是問題（3）,學(xué)生讀不懂信息，首先應(yīng)是各原子在同一平面，即根據(jù)價層電子對

數(shù)判斷空間構(gòu)型，然后是相互平行的p軌道，即原子中含有p軌道參與成鍵，這樣就可以判斷出正確的選

項(xiàng)，注意硫化氫中H為s能級。另外不理解原子坐標(biāo)參數(shù)的定義則無法解決第（5）問。

【試題解析】（1）考查軌道式的書寫，Cu屬于副族元素，價電子應(yīng)是最外層電子和次外層d能級上的電子,

3d

因此Cu4的價層電子的軌道式是叵叵鼻叵|工］;（2）考查溶解性，2雜基煙酸的陵基可與水分子之間

形成氫維，使其在水中溶解度增大；（3）考查化學(xué)鍵類型，A、SO2中心原子S有2個。鍵，孤電子對數(shù)為

（6*2X2）/2=1,價層電子對數(shù)為3,則SO,空間構(gòu)型為V型，符合題中所給條件，即存在離域“鍵，故A

正確；B、S0產(chǎn)中心原子S含有4個。鍵，孤電子對數(shù)為（6+2YX2）/2=0,價層電子對數(shù)為4,空間構(gòu)型為

正四面體，不符合題中信息，不含離域n鍵，故B錯誤；C、ILS的空間構(gòu)型為V型，但H不含p能級，即

不存在離域n鍵，故C錯誤；D、CS2空間構(gòu)型為直線型，符合信息，存在離域n鍵，故D正確；（4）考查

雜化類型的判斷、化學(xué)鍵數(shù)目的判斷，尿素的結(jié)構(gòu)簡式為,，判斷出N、C、0雜化類型分別

H2N—C^-NH2

是sp：'、sp2、sp：'：成鍵原子之間只能形成1個。鍵，因此Imol尿素中含有。鍵的物質(zhì)的量為7m。1,含有

n鍵的物質(zhì)的量為Imol,比值為7：1；（5）考查晶胞的計(jì)算，①BN結(jié)構(gòu)類似于金剛石的結(jié)構(gòu)，因此BN為

原子晶體，根據(jù)金剛石晶胞結(jié)構(gòu)貼點(diǎn)，E的坐標(biāo)為(1/4,3/4,3/4)；立方氮化硼中B和N最近的距離是體

對角線的1/4,求出B與N之間的距離應(yīng)是X±xpm(x為晶胞的邊長)，即為156.5pm；②根據(jù)六方氮化硼的

4

2x25

結(jié)構(gòu)，B的個數(shù)為6Xl/6+3Xl/3=2,晶胞的質(zhì)量為二;一g,根據(jù)晶胞的體積為(3些ca-XlOcmYh為六方

NA2

25

氮化硼的高)，根據(jù)晶胞的密度的定義，求出爐2X八，3島2皿層與層之間的距離應(yīng)是高的一半，因

dN.---

25

此入，3粒2xWpin,

dNh-r

【參考答案】⑴|“卜向|.|1|

(2)2承基煙酸的竣基可與水分子之間形成氫維，使其在水中溶解度增大

(3)AD

(4)sp\sp7：1

25

?33-----------

⑸①(:，:)156.5②3百/義成

444dN.——

A2

⑥扁藉點(diǎn)擊

1.金剛石、晶體硅、碳化硅、二氧化硅等原子晶體中的成鍵數(shù)目。

(1)金剛石(或晶體硅)中，1molC(或Si)形成2molC—C(或Si—Si)鍵。

(2)SiC晶體中，1molC或1molSi均形成4molC—Si鍵。

(3)1molSiOz晶體中，共有4molSi—0鍵。

2.金剛石、晶體硅、碳化硅、二氧化碳中最小環(huán)上的原子數(shù)。

(1)金剛石、晶體硅、SiC晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)分別為6個C、6個Si、3個Si和3個C。

(2)SiOz晶體中最小環(huán)上有12個原子(6個Si和6個0)。

3.金剛石、晶體硅的一個晶胞中，分別含有碳原子數(shù)為8、硅原子數(shù)為8。

即盹見IS

8.下列有關(guān)原子晶體的敘述不正確的是

A.金剛石和二氧化硅晶體的最小結(jié)構(gòu)單元都是正四面體

B.1mol金剛石中的C—C鍵數(shù)目是2私，1molSiOz晶體中的Si—0鍵數(shù)目是4%

C.水晶和干冰在熔化時，晶體中的共價鍵都會斷裂

D.SiOz晶體是原子晶體，所以晶體中不存在分子，SiO?不是它的分子式

【答案】C

【解析】金剛石和二氧化硅晶體的基本結(jié)構(gòu)單元都是正四面體，A正確；金剛石中，1個C原子與另外4個

C原子形成C-C鍵，這個C原子對每個單鍵的貢獻(xiàn)只有工，所以1molC原子形成的C-C鍵為4X工=2mol,

22

而二氧化硅晶體中1個Si原子分別與4個0原子形成4個Si—0鍵，則1molSiO2晶體中Si—0鍵為4mol,

B正確；水晶是原子晶體，在熔化時，共價鍵斷裂形成自由移動的Si、0原子，而分子晶體干冰熔化時，分

子間力被大大削弱，形成自由移動的CO2分子，而C-0鍵不會斷裂，所以C錯誤；根據(jù)原子晶體的結(jié)構(gòu)特

點(diǎn)可知D正確。

易錯點(diǎn)9錯用離子晶體中的晶格能

畫畫囹園

9.根據(jù)下列幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列有關(guān)說法中，錯誤的是

物質(zhì)NaClMgCl2AICI3SiCL單質(zhì)B

熔點(diǎn)/七810710190-682300

沸點(diǎn)/7572500

注：A1CL熔點(diǎn)在點(diǎn)02義1()5Pa條件下測定。

A.SiC"是分子晶體B.單質(zhì)B是原子晶體

C.A1CL加熱能升華D.MgCk所含離子鍵的強(qiáng)度比NaCl大

.

【錯因分析】解本題的關(guān)鍵是先區(qū)分晶體種類，然后再進(jìn)一步比較熔沸點(diǎn)，這是易出錯的地方。

【試題解析】A、由表中數(shù)據(jù)可知，SiCL的熔沸點(diǎn)較低，屬于分子晶體，選項(xiàng)A正確；B、單質(zhì)B的熔沸點(diǎn)

很高，所以單質(zhì)B是原子晶體，選項(xiàng)B正確；C、由表中數(shù)據(jù)可知A1CL；的沸點(diǎn)比熔點(diǎn)高，所以A1CL,加熱能

升華，選項(xiàng)C正確；D、離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，由表中數(shù)據(jù)可知，NaCl的熔、沸點(diǎn)均比MgCL

高，所以NaCl晶體中的離子鍵應(yīng)比MgCL的強(qiáng)，選項(xiàng)D錯誤；答案選D。

【參考答案】D

⑥易指點(diǎn)擊

1.不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)的比較

（1）不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律：原子晶體〉離子晶體〉分子晶體。

但應(yīng)注意原子晶體的熔點(diǎn)不一定比離子晶體高，如MgO具有較高的熔點(diǎn)，金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分

子晶體的熔點(diǎn)高，如汞常溫時為液態(tài)。

（2）金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鴇、伯等金屬的熔、沸點(diǎn)很高，汞、鈉等金屬的熔、沸點(diǎn)很低。

2.同種類型晶體的熔、沸點(diǎn)的比較

（1）原子晶體

原子半徑越小|一|鍵長越短|一|鍵能越大|一|熔、沸點(diǎn)越高

如熔點(diǎn)：金剛石>碳化硅〉硅。

（2）離子晶體

①一般地，離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用力就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)

就越高，如熔點(diǎn)：MgO>MgCl2>NaCl>CsClo

②衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高，硬度也越

大。

（3）分子晶體

①分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；能形成氫犍的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高，如HQ>H】e>

H2Se>H2So

②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如SnHAGelASiHACH」。

③組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對分子質(zhì)量接近），分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高，如CO>Nz,CH30H

>CH3CH3t>

④同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。

（4）金屬晶體

金屬離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高，如熔、沸點(diǎn)：Na<Mg

<A1?

即盹訊囿

9.純銅在工業(yè)上主要用來制造導(dǎo)線、電器元件等，銅能形成+1和+2價的化合物?；卮鹣铝袉栴}:

(1)寫出基態(tài)Cu+的核外電子排布式：：C、N、0三種元素的第一電離能由大到小的順序是—

(2)如圖是銅的某種氧化物的晶胞示意圖，該氧化物的化學(xué)式為。

(3)向硫酸銅溶液中滴加氨水會生成藍(lán)色沉淀，在滴加氨水至沉淀剛好全部溶解時可得到藍(lán)色溶液，

繼續(xù)向其中加入極性較小的乙醇可以生成深藍(lán)色的［CU(NH3)/S0,?1120沉淀。該深藍(lán)色沉淀中的NHs

通過—鍵與中心離子C/+結(jié)合；NL分子中N原子的雜化方式是—，與NL分子互為等電子體的

一種微粒是(任寫一種)。

(4)CuO的熔點(diǎn)比CuCl的熔點(diǎn)_(填“高”或“低”)?

(5)CuO在高溫下易轉(zhuǎn)化為CM),其原因是o

【答案】(1)Is22s22P63s23PN、0、C(2)CuO(3)配位sp3七0’

(4)高(5)Cu2O中Cu的d軌道為全充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定

【解析】(1)Cu原子核外電子數(shù)為29,根據(jù)能量最低原理,其核外電子排布式為：Is22s⑵/3s23P63dzsI

則基態(tài)Cu'的核外電子排布式為Is22s22P63s23Pti3dg或［Ar］3d'°；

(2)由晶胞示意圖可知，1個晶胞中有4個銅，氧為8X：+6X：=4個，原子個數(shù)之比為1：1,該氧化物

的化學(xué)式為CuO；

(3)NHs中N原子提供孤對電子，Cu"提供空軌道，形成配位鍵，NHs分子中N原子的價電子對數(shù)n=

3x2

學(xué)+1=4,N原子為sp:(雜化；與NH?分子互為等電子體的一種微粒具有相同的價電子數(shù)和原子數(shù)，如

PHs或HQ等；

(4)離子化合物中，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，離子半徑0”<C1，CuO陰陽離子所帶電荷大

于CuCl陰陽離子所帶電荷，CuO中晶格能大，則CuO的熔點(diǎn)比CuCl的熔點(diǎn)高；

(5)CuO在高溫下易轉(zhuǎn)化為CuQ,其原因是Cu?。中Cu的d軌道為全充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定。

【名師點(diǎn)睛】本題考查了價電子排布、晶體結(jié)構(gòu)、原子雜化方式、離子晶體的熔點(diǎn)大小比較等知識，有一

定的綜合性，注意基礎(chǔ)知識的運(yùn)用。易錯點(diǎn)為(4)離子化合物中，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，晶格能大,

熔點(diǎn)越高。

畫圈囹圖

1.基態(tài)原子的核外電子排布

(1)排布規(guī)律

①能量最低原理

原子核外電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的軌道，然后依次進(jìn)入能量較高的軌道，這樣使整個原子處于能量最低

的狀態(tài)。所有電子排布規(guī)則都需滿足能量最低原理。

②泡利原理

每個原子軌道里最多只能容納2個電子，且自旋狀態(tài)相反。

③洪特規(guī)則

當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個軌道，且自旋狀態(tài)相同。

(2)電子在原子軌道上的填充順序——構(gòu)造原理

⑥：頓。OOOO

(軟⑥:顧OOO

三遍;&逾：:?O

二&遍遍

?????..?.,:

①圖中每個小圓圈表示一個能級，每一行對應(yīng)一個能層。各圓圈間連接線的方向表示隨核電荷數(shù)遞增而增

加的電子填入能級的順序。

②構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級分布，從圖中可以看出，不同能層的能級有交錯現(xiàn)象，如￡(3d)>

E(4s)、￡(4d)>￡(5s)、E(5d)>￡(6s)、E(6d)>￡(7s)、￡(4f)>C(5p)、￡(4f)>￡(6s)等。

③原子的核外電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，構(gòu)造原理是書寫基態(tài)原子電子排

布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子電子排布圖的主要依據(jù)之一。但需注意洪特規(guī)則特例。

(3)基態(tài)原子核外電子排布的表示方法(以S為例)

表示方法舉例

原子結(jié)構(gòu)示意圖

電子式-S-

電子排布式Is'2s22P63s23P域[Ne]3s*3p‘

電f排布圖IflllHlIHIHIIIIIHIIfil11f1

Is2s2p3s3p

（4）基態(tài)原子電子排布式的書寫方法

①由原子序數(shù)書寫核外電子排布式

a.常根據(jù)構(gòu)造原理（ls、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p）、各能級最多容納的電子數(shù)，依次由低能級向高

能級排列，如31號元素錢，首先排滿Is?,依次填充2s二2P⑹、3s2、3P%4s2、3d'°,最后填充4p1

b.也可以用31—18=13,然后再填充13個電子，如[Ar]3dzsIp'。

②由元素在周期表中的位置書寫核外電子排布式

如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律：

a.位于s區(qū)的第IA、第HA分別為[Ar]4s'、[Ar]4s2；

b.位于p區(qū)的主族元素為[Ar]3dHl4s24P^a-2（0族元素除外）；

c.位于d區(qū)的副族元素為[Ar]3d?