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NXCL300mmlowoxygencontentsingI本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分:標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的1300mm低氧含量直拉硅單晶本文件規(guī)定了300mm低氧含量直拉硅單晶的技術(shù)要求、試運輸、貯存、質(zhì)量證明書和質(zhì)量承諾等方面本文件適用于以電子級多晶硅為主要原材料,采用直拉法制備的直徑為300mm的低氧含量硅單YS/T769非本征半導體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法4技術(shù)要求),),),),),2導電類型N磷電阻率,Q-cm電阻率徑向變化,%4.4.1硅單晶的晶向為<100>。36.1檢驗檢驗項目導電類型電阻率5根~9根晶錠抽取2個試樣,5電阻率徑向變化晶向5根~9根晶錠抽取2個試樣,5晶體完整性49.3出貨后3年內(nèi)

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