《基于PECVD工藝的TOPCon電池制備技術通則》（編制說明）

3《基于PECVD工藝的TOPCon電池制備技術通則》太陽能作為一種清潔可再生能源，憑借其本身取之不盡用之不竭、在2022年國務院發(fā)布了《關于促進新時代新能源高質量發(fā)展的實施方案》，該方案明確提出加快構建清潔低碳、安全高效的能源體系?，F在光伏發(fā)電已經成為我國新能源產業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略方向。面對能源變革新趨產品，為光伏發(fā)電成本的降低提供強有力的支持，加速光伏發(fā)電大規(guī)模電池產業(yè)轉型升級，提升我省整個行業(yè)的制造水平，降低發(fā)電成本、推4動實現平價上網，提升我省的光伏產業(yè)品質，降低我省對化石能源的依小組，對標準編制工作進行分工，對部分指標和參數通過設計試驗進行總結，收集相關案例和參數。期間，在應用基地開展相關試驗進行探究獻，以及試驗得到的相關數據，編制小組經過多次的反復討論，修改完5例》和《四川省地方標準管理辦法》規(guī)定的流程和要求開展地方標準研6本文件適用于基于PECVD路線的TOPCon太陽電池的制備。。下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的SJ/T11829.1晶體硅光伏電池用等離子體增強化學氣相淀積一種包含超薄氧化硅層和摻雜多晶硅層組成的鈍化接觸結構的太陽3.2超薄氧化硅層（ultrathinsiliconoxi3.4硼硅玻璃（borosilic73.5磷硅玻璃（phosphosilica4.1硅片硅片間隙氧含量≤14ppma。N2ON285.1PECVD路線的TOPCon太陽能電池的制備流程圖。行各向異性腐蝕形成絨面結構，再依次采用體積濃度離子和顆粒污染。絨面要求：正面絨面無白斑、無明顯發(fā)亮區(qū)域；正面金字塔絨面平9和體積濃度2%~15%的雙氧水溶液進行清洗，再進行酸洗（體積濃度反射率測量方法參照SJ/T11760，背面結構平均反射率要求沉積超薄氧化硅層：通入氣體N2O，氣體純度要求按4.2。在壓強依次利用體積濃度0.5%~5%氫氟酸溶液和體積濃度0.1%~3%堿溶液（NaOH或KOH）對硅片正表面和邊緣進行刻蝕，再利用體積濃度0.1%~3%堿溶液（NaOH或KOH）和體積濃度0.5%~池減反射及氫鈍化。片間、片內、批間膜厚不均勻性，片間、片內、批通過光注入近一步激活鈍化膜中的氫原子，促進氫原子的擴散修復[5]GB/T6616半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸[9]SJ/T11829.1晶體硅光伏電池用等離子體增強化學氣相淀積成像（Electroluminescenceimagingofcrystallinesiliconsolarcell1.5nm，均勻性為8%；PECVD沉積摻雜多晶硅薄膜的平均摻雜濃度為從隧穿氧化硅和摻雜多晶硅薄膜的厚度平均值和均勻性的測試數據本標準在制定過程中，充分考慮到與現行光伏相