半導(dǎo)體芯片封裝用導(dǎo)電膠性能要求及測(cè)試方法(征求意見(jiàn)稿)

1半導(dǎo)體芯片封裝用導(dǎo)電膠性能要求及測(cè)試方法GB/T35494.1各向同性導(dǎo)電膠粘劑試驗(yàn)方法第1部分：ASTMD7028ASTMD418DASTM-E14613.13.23.323.43.53.63.7流體在剪切力的作用下結(jié)構(gòu)被破壞后恢復(fù)原有結(jié)構(gòu)的能力的好壞,用4縮略語(yǔ)RBOResinbleedingout樹5.2性能要求5.2.1粘度半導(dǎo)體芯片封裝用導(dǎo)電膠的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg選擇取決于具體的封裝工藝需求，應(yīng)滿足應(yīng)用端的封裝導(dǎo)電膠在低于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg時(shí)，其熱膨脹系數(shù)CTE1應(yīng)不大于80ppm/℃;在高于玻璃化轉(zhuǎn)在常溫下，半導(dǎo)體芯片封裝用導(dǎo)電膠模量應(yīng)在1000N/mm2~5000N/mm2范芯片封裝用導(dǎo)電膠模量應(yīng)在100N/mm2~435.2.7失重率半導(dǎo)體芯片封裝用導(dǎo)電膠的RBO應(yīng)滿足應(yīng)用端需求，以不進(jìn)5.2.10剪切強(qiáng)度A>55(A>3.5483)5.2.11離子含量半導(dǎo)體芯片封裝用導(dǎo)電膠中Cl-、Na+5.2.12氣孔比例5.2.13高溫高濕吸水率4導(dǎo)電膠粘劑根據(jù)GB/T20740規(guī)定進(jìn)行取樣并按照GB/T2導(dǎo)電膠粘劑的旋轉(zhuǎn)粘度應(yīng)按照GB/T2794中7.1的規(guī)定進(jìn)行測(cè)量，其結(jié)TI=······································································7.4不揮發(fā)物測(cè)試57.5保質(zhì)期測(cè)試法測(cè)試測(cè)定在25℃下的粘度，對(duì)比冷藏前后的粘度值，粘度變化應(yīng)根據(jù)客戶要求的固化條件進(jìn)行測(cè)試并記錄可條形薄膜,根據(jù)需要也可選擇損耗模量讀取Tg，測(cè)量的方法二：按照GB/T19466.2規(guī)定進(jìn)行測(cè)試測(cè)量材料的比熱容隨溫度的變化，并由所得的曲線確定玻璃化9.2拉伸模量拉伸模量測(cè)定按照GB/T33061.10-2剪切強(qiáng)度測(cè)定應(yīng)按照GB/T7124-29.5導(dǎo)熱系數(shù)將固化后的試樣制成圓片形薄膜，選擇水平掃描方式，按照GB/T22588的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。9.6熱膨脹系數(shù)9.7離子含量導(dǎo)電膠粘劑樣品固化后制成粉末并充分回流制得萃取溶液，檢測(cè)導(dǎo)電膠中Cl-、Na+、K+的含量。