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第第頁2022年大學(xué)土建專業(yè)《大學(xué)物理(下冊)》開學(xué)考試試題C卷含答案姓名:______班級:______學(xué)號:______考試須知:1、考試時間:120分鐘,本卷滿分為100分。2、請首先按要求在試卷的指定位置填寫您的姓名、班級、學(xué)號。一、填空題(共10小題,每題2分,共20分)1、同一種理想氣體的定壓摩爾熱容大于定容摩爾熱容,其原因是_______________________________________________。2、簡諧振動的振動曲線如圖所示,相應(yīng)的以余弦函數(shù)表示的振動方程為__________。3、質(zhì)量為的物體,初速極小,在外力作用下從原點(diǎn)起沿軸正向運(yùn)動,所受外力方向沿軸正向,大小為。物體從原點(diǎn)運(yùn)動到坐標(biāo)為點(diǎn)的過程中所受外力沖量的大小為_________。4、動方程當(dāng)t=常數(shù)時的物理意義是_____________________。5、一平面余弦波沿Ox軸正方向傳播,波動表達(dá)式為,則x=-處質(zhì)點(diǎn)的振動方程是_____;若以x=處為新的坐標(biāo)軸原點(diǎn),且此坐標(biāo)軸指向與波的傳播方向相反,則對此新的坐標(biāo)軸,該波的波動表達(dá)式是_________________________。6、已知質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動方程為,式中r的單位為m,t的單位為s。則質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動軌跡方程,由t=0到t=2s內(nèi)質(zhì)點(diǎn)的位移矢量______m。7、若靜電場的某個區(qū)域電勢等于恒量,則該區(qū)域的電場強(qiáng)度為_______________,若電勢隨空間坐標(biāo)作線性變化,則該區(qū)域的電場強(qiáng)度分布為_______________。8、長為的勻質(zhì)細(xì)桿,可繞過其端點(diǎn)的水平軸在豎直平面內(nèi)自由轉(zhuǎn)動。如果將細(xì)桿置與水平位置,然后讓其由靜止開始自由下擺,則開始轉(zhuǎn)動的瞬間,細(xì)桿的角加速度為_____,細(xì)桿轉(zhuǎn)動到豎直位置時角加速度為_____。9、氣體分子的最可幾速率的物理意義是__________________。10、某一波長的X光經(jīng)物質(zhì)散射后,其散射光中包含波長________和波長________的兩種成分,其中_________的散射成分稱為康普頓散射。二、名詞解釋(共6小題,每題2分,共12分)1、平均碰撞次數(shù):2、多普勒效應(yīng):3、卡諾循環(huán):4、干涉現(xiàn)象:5、半波損失:6、電偶極矩:三、選擇題(共10小題,每題2分,共20分)1、在下列各種說法中,哪些是正確的?()。(1)熱平衡就是無摩擦的、平衡力作用的過程。(2)熱平衡過程一定是可逆過程。(3)熱平衡過程是無限多個連續(xù)變化的平衡態(tài)的連接。(4)熱平衡過程在P—V圖上可用一連續(xù)曲線表示。A.(1)、(2)B.(3)、(4)C.(2)、(3)、(4)D.(1)、(2)、(3)、(4)2、一個平行板電容器,充電后與電源斷開,當(dāng)用絕緣手柄將電容器兩極板的距離拉大,則兩極板間的電勢差、電場強(qiáng)度的大小、電場能量將發(fā)生如下變化:()。A.減小,減小,減??;B.增大,增大,增大;C.增大,不變,增大;D.減小,不變,不變.3、質(zhì)點(diǎn)在平面內(nèi)運(yùn)動,其運(yùn)動方程為,質(zhì)點(diǎn)在任意時刻的加速度為()。A.B.2C.3D.44、一質(zhì)點(diǎn)作簡諧振動,周期為T.質(zhì)點(diǎn)由平衡位置向x軸正方向運(yùn)動時,由平衡位置到二分之一最大位移這段路程所需要的時間為()。A.T/4B.T/6C.T/8D.T/125、某質(zhì)點(diǎn)作直線運(yùn)動的運(yùn)動學(xué)方程為,則該質(zhì)點(diǎn)作()。A.勻加速直線運(yùn)動,加速度沿x軸正方向B.勻加速直線運(yùn)動,加速度沿x軸負(fù)方向C.變加速直線運(yùn)動,加速度沿x軸正方向D.變加速直線運(yùn)動,加速度沿x軸負(fù)方向6、用劈尖干涉法可檢測工件表面缺陷,當(dāng)波長為的單色平行光垂直入射時,若觀察到的干涉條紋如圖所示,每一條紋彎曲部分的頂點(diǎn)恰好與其左邊條紋的直線部分的連線相切,則工件表面與條紋彎曲處對應(yīng)的部分()。A.凸起,且高度為/4B.凸起,且高度為/2C.凹陷,且深度為/2D.凹陷,且深度為/47、一帶電體可作為點(diǎn)電荷處理的條件是()。A.電荷必須呈球形分布。B.帶電體的線度很小。C.帶電體的線度與其它有關(guān)長度相比可忽略不計。D.電量很小。8、為麥克斯韋速率分布函數(shù),為總分子數(shù),那么表示()。A.速率在之間的個分子的速率和,B.速率在之間的分子的平均速率C.速率在之間的分子數(shù),D.速率在之間的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分率。9、一無限長直導(dǎo)體薄板寬為l,板面與z軸垂直,板的長度方向沿y軸,板的兩側(cè)與一個伏特計相接,如圖.整個系統(tǒng)放在磁感強(qiáng)度為的均勻磁場中,的方向沿z軸正方向.如果伏特計與導(dǎo)體平板均以速度向y軸正方向移動,則伏特計指示的電壓值為()。A.0B.vBlC.vBlD.2vBl10、一電子以速度垂直地進(jìn)入磁感強(qiáng)度為的均勻磁場中,此電子在磁場中運(yùn)動軌道所圍的面積內(nèi)的磁通量將()。A.正比于B,反比于B.反比于B,正比于C.正比于B,反比于D.反比于B,反比于四、解答題(共4小題,每題12分,共48分)1、電荷為q1的一個點(diǎn)電荷處在一高斯球面的中心處,問在下列三種情況下,穿過此高斯面的電場強(qiáng)度通量是否會改變?電場強(qiáng)度通量各是多少?(1)將電荷為q2的第二個點(diǎn)電荷放在高斯面外的附近處;(2)將上述的q2放在高斯面內(nèi)的任意處;(3)將原來的點(diǎn)電荷移離高斯面的球心,但仍在高斯面內(nèi)。2、一質(zhì)點(diǎn)在OXY平面內(nèi)運(yùn)動,其運(yùn)動方程為,求:(1)質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動的軌跡方程;(2)質(zhì)點(diǎn)在任意時刻的速度和加速度矢量。3、質(zhì)量為M=1.5kg的物體,用一根長為l=1.25m的細(xì)繩懸掛在天花板上.今有一質(zhì)量為m=10g的子彈以=500m/s的水平速度射穿物體,剛穿出物體時子彈的速度大小,設(shè)穿透時間極短.求:(1)子彈剛穿出時繩中張力的大??;(2)子彈在穿透過程中所受的沖量。4、質(zhì)量為m,速率為v的小球,以入射角斜向與墻壁相碰,又以原速率沿反射角a方向從墻壁彈回.設(shè)碰撞時間為,求墻壁受到的平均沖力。參考答案一、填空題(共10小題,每題2分,共20分)1、在等壓升溫過程中,氣體要膨脹而作功,所以要比氣體等體升溫過程多吸收一部分熱量。2、3、4、表示t時刻各個質(zhì)點(diǎn)離開平衡位置的位移。5、,6、m7、處處為零;均勻分布8、,零9、表示分布在該速率附近單位速率區(qū)間內(nèi)的分子數(shù)最多。10、不變變長波長變長二、名詞解釋(共6小題,每題2分,共12分)1、平均碰撞次數(shù):單位時間內(nèi)一個分子平均與其它分子碰撞的次數(shù)2、多普勒效應(yīng):由于聲源與觀察者的相對運(yùn)動,造成接收頻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。3、卡諾循環(huán):由兩個可逆的等溫過程和兩個可逆的絕熱過程所組成的理想循環(huán)4、干涉現(xiàn)象:兩個頻率相同、振動方向相同、相位差恒定或相位相同的波源發(fā)出的兩列波,在它們相遇區(qū)域內(nèi),某些點(diǎn)處的振動始終加強(qiáng),而在另一些點(diǎn)處的振動始終減弱的現(xiàn)象。5、半波損失:由波疏到波密介質(zhì)的反射波,在反射點(diǎn)有位相π的突變,相當(dāng)于有/2的波程差。6、電偶極矩:對于電偶極子,該矢量的模等于電荷之間距離與正電荷的乘積,方向是由負(fù)電荷指向正電荷三、選擇題(共10小題,每題2分,共20分)1、B2、C3、B4、D5、D6、C7、C8、C9、A10、B四、解答題(共4小題,每題12分,共48分)1、答:根據(jù)高
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