中微公司(688012)刻蝕持續(xù)高增薄膜開啟放量

2資料來源：公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明集成電路設(shè)備設(shè)備泛半導(dǎo)體設(shè)備DSC

D-RIEDSCAD-RIEDSC

SD-RIEBevel

EtchSSC

AD-RIESSC

HD-RIESSC

UD-RIETwin

StarTSV200ETSV

300EP-DicingNanova

SENanova

VENanova

UENanova

LUX刻蝕機(jī)FPD顯示屏RF器件功率器件太陽能電池薄膜機(jī)檢測機(jī)LED顯示LED照明ChipletMEMS其他CCPICP雙反應(yīng)臺反應(yīng)器單反應(yīng)臺反應(yīng)器LPCVDALDPECVDPVDEPI薄膜光學(xué)檢測二盈利預(yù)測四目錄一財(cái)務(wù)：刻蝕+MOCVD設(shè)備驅(qū)動(dòng)營收年均增速>35%產(chǎn)品：刻蝕+薄膜+量檢測，現(xiàn)覆蓋約33%集成電路設(shè)備市場：中國大陸未來四年每年300+億美元晶圓廠設(shè)備投資，國產(chǎn)化進(jìn)程加速推進(jìn)三3一財(cái)務(wù)：刻蝕+MOCVD設(shè)備驅(qū)動(dòng)營收年均增速>35%4刻蝕設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，ICP開啟放量，邁向工藝全覆蓋。2020-2023年刻蝕設(shè)備分別實(shí)現(xiàn)營收12.9/20.0/31.5/47.0億元，營收年均增長大于50%，24H1刻蝕設(shè)備收入為26.98億元，同比+56.68%，收入占比78.26%。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已批量應(yīng)用在國內(nèi)外一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線，針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，CCP和ICP刻蝕設(shè)備的銷售增長和在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線上市占率均大幅提升。24H1刻蝕設(shè)備新增訂單39.4億元，同比+50.7%，其中ICP開啟放量。工藝覆蓋方面，超高深寬比掩膜、超高深寬比介質(zhì)刻蝕、晶圓邊緣Bevel刻蝕等進(jìn)展順利。MOCVD設(shè)備從藍(lán)綠光LED市場出發(fā)，拓展碳化硅和氮化鉀基功率器件市場。2020-2023年MOCVD設(shè)備分別實(shí)現(xiàn)營收4.96/5.03/7.00/4.62億元，收入波動(dòng)主要系終端市場波動(dòng)影響。24H1

MOCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)收入1.52億元，同比-49.04%，主要因?yàn)楣驹谒{(lán)綠光LED生產(chǎn)線和Mini-LED產(chǎn)業(yè)化中保持絕對領(lǐng)先的地位，該終端市場近兩年處于下降趨勢。公司緊跟MOCVD市場發(fā)展機(jī)遇，積極布局用于碳化硅和氮化鉀基功率器件應(yīng)用的市場，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展，已付運(yùn)和將付運(yùn)幾種MOCVD新產(chǎn)品進(jìn)入市場。薄膜設(shè)備啟動(dòng)放量，刻蝕+薄膜+量檢測合計(jì)覆蓋約33%集成電路設(shè)備。24H1

LPCVD新增訂單1.68億元，新產(chǎn)品開始啟動(dòng)放量。薄膜沉積設(shè)備研發(fā)方面，公司目前已有多款新型設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入市場，其中部分設(shè)備已獲得重復(fù)性訂單，其他多個(gè)關(guān)鍵薄膜沉積設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目正在順利推進(jìn)。公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應(yīng)用，并已完成多家邏輯和存儲客戶對

CVD/HAR/ALD

W

鎢設(shè)備的驗(yàn)證，取得了客戶訂單。公司

EPI

設(shè)備已順利進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，以滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。公司通過投資布局了光學(xué)檢測設(shè)備板塊，并計(jì)劃開發(fā)電子束檢測設(shè)備，將不斷擴(kuò)大對多種檢測設(shè)備的覆蓋。資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明5目前在研項(xiàng)目涵蓋六類設(shè)備，20多個(gè)新設(shè)備開發(fā)，加碼研發(fā)助力三維發(fā)展。公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補(bǔ)短板，實(shí)現(xiàn)趕超。公司目前在研項(xiàng)目涵蓋六類設(shè)備，20多個(gè)新設(shè)備的開發(fā)，24H1公司研發(fā)投入9.70億元，較上年同期的4.60億元增加約5.10億元，同比大幅增長110.84%。公司繼續(xù)瞄準(zhǔn)世界科技前沿，持續(xù)踐行三維發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域，擴(kuò)展在泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并探索其他新興領(lǐng)域的機(jī)會(huì)，公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD

設(shè)備等設(shè)備產(chǎn)品研發(fā)、市場布局、新業(yè)務(wù)投資拓展等諸多方面取得了較大的突破和進(jìn)展，產(chǎn)品不斷獲得海內(nèi)外客戶的認(rèn)可，為公司持續(xù)

健康發(fā)展提供了有力支撐。中國大陸未來四年將保持每年300+億美元晶圓廠設(shè)備投資，國產(chǎn)替代加速推進(jìn)。從半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分產(chǎn)品的國產(chǎn)化率來看，國產(chǎn)化率最高的為去膠設(shè)備，已達(dá)90%以上；熱處理、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備國產(chǎn)化率已達(dá)到20%左右；CMP、PVD設(shè)備國產(chǎn)化率已達(dá)到10%左右；量檢測設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備正逐步實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。隨著海外出口限制層層加碼，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程加速推進(jìn)。根據(jù)SEMI，2023年全球集成電路前段設(shè)備市場約為950億美元，其中中國大陸成為全球最大的集成電路設(shè)備市場，占比達(dá)到35%，在政府激勵(lì)措施和芯片國產(chǎn)化政策的推動(dòng)下，中國大陸未來四年將保持每年300億美元以上的投資規(guī)模，繼續(xù)引領(lǐng)全球晶圓廠設(shè)備支出。2022年刻蝕設(shè)備/薄膜設(shè)備/量檢測設(shè)備在晶圓制造環(huán)節(jié)半導(dǎo)體設(shè)備投資占比分別約為23%/22%/13%，未來隨著先進(jìn)工藝需求提升，這三類設(shè)備需求量及價(jià)值量將進(jìn)一步攀升，目前公司覆蓋約33%集成電路設(shè)備，隨著研發(fā)項(xiàng)目的不斷推進(jìn)，集成電路設(shè)備覆蓋度有望繼續(xù)提升。資料來源：Gartner，SEMI，公司公告，盛美上海增發(fā)公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明6項(xiàng)目\年度2023A2024E2025E 2026E營業(yè)收入(百萬元)6,2648,51812,16916,182增長率(%)32.1535.9942.8732.97EBITDA(百萬元)1,4851,8263,1594,384歸屬母公司凈利潤(百萬元)1,7861,5122,6773,726增長率(%)52.67-15.3677.0939.20EPS(元/股)2.872.434.305.99市盈率（P/E）81.8796.7354.6339.24市凈率（P/B）8.207.436.535.59EV/EBITDA59.6575.9943.8531.29資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明7盈

利

預(yù)

測

：

我

們

預(yù)

計(jì)

公

司

2024-2026

年

營

業(yè)

收

85.18/121.69/161.82

億元

，

歸

母

凈

利

潤15.12/26.77/37.26億元，對應(yīng)2024/2025/2026年的PE分別為97/55/39倍。風(fēng)險(xiǎn)提示：下游客戶擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)，員工股權(quán)激勵(lì)帶來的公司治理風(fēng)險(xiǎn)，政府支持與稅收優(yōu)惠政策變動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)，供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)，行業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)，國際貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)，知識產(chǎn)權(quán)風(fēng)險(xiǎn)，人才資源風(fēng)險(xiǎn)，投資風(fēng)險(xiǎn)，研發(fā)投入不足導(dǎo)致技術(shù)被趕超或替代的風(fēng)險(xiǎn)。盈利預(yù)測和財(cái)務(wù)指標(biāo)中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司上海創(chuàng)業(yè)投資有限公司巽鑫(上海)投資有限公司15.05%香港中央結(jié)算有限公司招商銀行股份有限公司-華夏上證科創(chuàng)板50成份交易型開放式指數(shù)證券投資基金國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司中國工商銀行股份有限公司-易方達(dá)上證科創(chuàng)板50成份交易型開放式指數(shù)證券投資基金中國建設(shè)銀行股份有限公司-華夏國證半導(dǎo)體芯片交易型開放式指數(shù)證券投資基金中國工 招商銀商銀行 行股份股份有 有限公限公司- 司-銀河諾安成 創(chuàng)新成長混合 長混合型證券 型證券投資基 投資基金 金中國工商銀行-上證50交易型開放式指數(shù)證券投資基金13.04%資料來源：iFind，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明85.30%4.76%3.93%2.59%1.56%1.27%1.13%1.12%圖表1：公司股權(quán)結(jié)構(gòu)（公示日期:2024-08-23）圖表2：公司對外投資資料來源：iFind，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明9序號被投資企業(yè)名稱被投資企業(yè)法人注冊資本出資比例(%)成立日期經(jīng)營狀態(tài)1中微半導(dǎo)體設(shè)備(廣州)有限公司尹志堯1000.0000萬人民幣100.002023-08-23在業(yè)2成都英杰晨暉科技有限公司周英懷16666.6660萬人民幣16.002023-04-25存續(xù)3蘇州索雷爾科技有限公司W(wǎng)ILSONWEICHENG

LIN179.3400萬人民幣5.332022-12-02存續(xù)4浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司賀賢漢250000.0000萬人民幣4.002021-11-02存續(xù)5廣州華芯盛景創(chuàng)業(yè)投資中心(有限合伙)珠海華芯量子咨詢管理企業(yè)(有限合伙)213131.3131萬人民幣2.352021-10-28在業(yè)6芯匯康生命科學(xué)(上海)有限公司尹志堯1000.0000萬人民幣100.002021-09-18存續(xù)7無錫正海緣宇創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙)上海正海資產(chǎn)管理有限公司13000.0000萬人民幣98.462021-09-15存續(xù)8中微科技投資管理(上海)有限公司尹志堯30000.0000萬人民幣100.002021-01-12存續(xù)9深圳市芯視佳半導(dǎo)體科技有限公司曹緒文4940.1103萬人民幣3.012020-09-25存續(xù)10中微半導(dǎo)體(上海)有限公司尹志堯100000.0000萬人民幣100.002020-06-12存續(xù)11廣東省橫琴數(shù)字光芯半導(dǎo)體科技有限公司孫雷151.7370萬人民幣4.082019-06-10存續(xù)12中微匯鏈科技(上海)有限公司尹志堯1000.0000萬人民幣80.002018-08-10存續(xù)13深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司朱佰喜6000.0000萬人民幣4.812017-12-26存續(xù)14南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司尹志堯2500.0000萬人民幣100.002017-12-15存續(xù)15杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司賀賢漢503225.6776萬人民幣2.562017-09-28存續(xù)16昂坤視覺(北京)科技有限公司馬鐵中1140.3157萬人民幣3.342017-02-09存續(xù)17上海洪樸信息科技有限公司許劍鋒1020.4082萬人民幣21.012016-08-29存續(xù)18中微半導(dǎo)體設(shè)備(廈門)有限公司尹志堯(GERALD

ZHEYAO

YIN)2000.0000萬人民幣100.002015-12-11存續(xù)19中微惠創(chuàng)科技(上海)有限公司尹志堯1650.0000萬人民幣100.002014-12-27存續(xù)20上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司郝茂盛675.0528萬人民幣10.022014-10-24存續(xù)21理想萬里暉半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司孫曦東23512.8795萬人民幣4.202013-05-21存續(xù)22新美光(蘇州)半導(dǎo)體科技有限公司夏秋良1049.9858萬人民幣2.492013-01-22存續(xù)23拓荊科技股份有限公司劉靜18818.8255萬人民幣7.372010-04-28存續(xù)24江蘇先鋒精密科技股份有限公司游利15178.4856萬人民幣1.932008-03-20存續(xù)25成都超純應(yīng)用材料有限責(zé)任公司柴杰1451.2840萬人民幣4.342005-08-25存續(xù)26睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司FENG

YANG(楊峰)63263.8570萬人民幣36.492005-06-27存續(xù)27杭州博日科技股份有限公司賀賢漢6331.7143萬人民幣2.582002-06-28存續(xù)10圖表3：公司發(fā)展歷程MOCVD開始開發(fā)用于LED外延片加工中最關(guān)鍵的設(shè)備MOCVD

設(shè)備首臺MOCVD設(shè)備產(chǎn)品PrismoD-Blue研制成功發(fā)布用于深紫外LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoHiT3發(fā)布用于高性能Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoUniMax啟動(dòng)了應(yīng)用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)；針對Micro-LED

應(yīng)用的專用MOCVD

設(shè)備正開發(fā)中；推出用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的

MOCVD設(shè)備PrismoPD5?針對Micro-LED

應(yīng)用的專用MOCVD

設(shè)備付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗(yàn)證用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD

設(shè)備PRISMOPD5已交付多家國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗(yàn)證，并取得重復(fù)訂單；用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中，已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗(yàn)證測試環(huán)保設(shè)備首臺VOC設(shè)備產(chǎn)品研制成功20042005201020122014201520162018201920202021202220232024中微有限設(shè)立一期新廠房6,500平方米落成啟動(dòng)二期新廠房22,000平方米落成啟動(dòng)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要發(fā)布后中微成為第一家“大基金”投資的企業(yè)中微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和蘇州聚源東方完成對拓荊投資完成股份公司整體變更成為科創(chuàng)板首批上市公司之一中微半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約落戶上海自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)“東方芯港”集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)基地中微完成再融資發(fā)行，共募資82億元在南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已于2023年7月投入使用在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地主體建設(shè)已完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心將于2025年投入使用請參閱附注免責(zé)聲明資料來源：公司公告，公司招股說明書，公司官網(wǎng)，中郵證券研究所11ICP雙反應(yīng)臺TSV/MEMS首臺深硅刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功Twin-Star雙反應(yīng)臺；高輸出&低成本Twin-StarSE：晶圓邊緣保護(hù)功能和低頻偏壓系統(tǒng)Twin-Star

200：基于TSV反應(yīng)臺改良；用于8寸高輸出

&

低成本首臺Primo-TwinStar200交付到客戶端開展MetaLens的產(chǎn)線上認(rèn)證單反應(yīng)臺Nanova

SE開始開發(fā)ICP

刻蝕設(shè)備首臺ICPPrimonanova研制成功Nanova

VE主要應(yīng)用于高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕Nanova

VE

HP在DRAM制造中的的高深款比多晶硅掩膜應(yīng)用上，投入大量產(chǎn)Nanova

UE主要應(yīng)用于超高均勻性刻蝕NanovaLUXVE+UE的特征，應(yīng)用于高均勻性高深寬比刻蝕LUX已逐步在多個(gè)客戶的產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)小量產(chǎn)CCP雙反應(yīng)臺DSC

D-RIE開始開發(fā)CCP

PrimoD-RIEPrimoD-RIE研制成功DSC

AD-RIEPrimoAD-RIE刻蝕設(shè)備研制成功主要應(yīng)用于邏輯和存儲前端，后端互聯(lián)工藝AD-RIE-e邏輯和存儲前端工藝，后端互聯(lián)工藝改進(jìn)PrimoAD-RIE并進(jìn)入5nm生產(chǎn)線DSC

SD-RIE可調(diào)節(jié)電極間距，已進(jìn)入國內(nèi)領(lǐng)先的邏輯芯片制造客戶開展現(xiàn)場驗(yàn)證首家先進(jìn)邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕的驗(yàn)證進(jìn)入良率測試，進(jìn)入第二家客戶現(xiàn)場驗(yàn)證Bevel

Etch開發(fā)晶圓邊緣

Bevel

刻蝕設(shè)備晶圓邊緣

Bevel

刻蝕設(shè)備進(jìn)入客戶驗(yàn)證單反應(yīng)臺SSC

AD-RIEPrimoSSC

AD-RIE研制成功SSC

HD-RIEHD-RIE：DRAM

和3D

NAND前中端刻蝕HD-RIE+：高深寬比刻蝕(40:1)HD-RIEe：高均勻性高選擇比刻蝕(40-60:1)SSC

UD-RIE已經(jīng)在生產(chǎn)線驗(yàn)證出具有刻蝕≥60:1深寬比結(jié)構(gòu)的能力已經(jīng)在生產(chǎn)線驗(yàn)證出具有刻蝕≥60:1深寬比結(jié)構(gòu)的量產(chǎn)能力2004200720102011201220132015201620182020202220232024請參閱附注免責(zé)聲明資料來源：公司公告，公司招股說明書，公司官網(wǎng)，中郵證券研究所12薄膜鎢系列開發(fā)LPCVD、EPI和ALD首臺

CVD

鎢設(shè)備付運(yùn)到關(guān)鍵存儲客戶端驗(yàn)證評估；新型號的

CVD

鎢和

ALD鎢設(shè)備目前已開始實(shí)驗(yàn)室測試同時(shí)和關(guān)鍵客戶開始對接驗(yàn)證已有4款LPCVD-ALD導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備進(jìn)入市場，首臺

CVD

鎢設(shè)備獲得關(guān)鍵存儲客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單；新型號

HAR

W

鎢設(shè)備及

ALDW

鎢設(shè)備通過存儲客戶現(xiàn)場驗(yàn)證進(jìn)一步開發(fā)的具備三維填充能力的

ALD鎢設(shè)備獲得關(guān)鍵存儲客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單；鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應(yīng)用，均已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證并收到重復(fù)量產(chǎn)訂單，并已經(jīng)付運(yùn)機(jī)臺到邏輯客戶進(jìn)行驗(yàn)證；HAR

鎢設(shè)備已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單ALD應(yīng)用于高端存儲和邏輯器件的

ALD

氮化鈦設(shè)備穩(wěn)步推進(jìn)，已經(jīng)進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測試階段EPIEPI設(shè)備已進(jìn)入樣機(jī)的設(shè)計(jì)，制造和調(diào)試階段，以滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求EPI

設(shè)備已進(jìn)入工藝驗(yàn)證和客戶驗(yàn)證階段EPI設(shè)備已順利進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，以滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求2021202220232024請參閱附注免責(zé)聲明資料來源：公司公告，公司招股說明書，公司官網(wǎng)，中郵證券研究所4.705.668.1312.8920.0431.4747.03

0.16

5.302.898.327.574.965.037.004.626.109.7216.3919.4722.7331.0847.4062.640102030405060702017202020212016刻蝕設(shè)備2018MOCVD設(shè)備2019其他設(shè)備銷售備品備件2022服務(wù)收入2023合計(jì)?

營收：公司從2012年到2023年超過十年的平均年?duì)I業(yè)收入增長率超過35%，其中2020-2023年等離子體刻蝕設(shè)備營收年均增長大于50%，MOCVD設(shè)備受終端市場波動(dòng)影響，收入有所下降。2024年上半年度公司實(shí)現(xiàn)營收34.48億元，同比+36.46%，其中刻蝕設(shè)備/MOCVD設(shè)備分別實(shí)現(xiàn)營收26.98/1.52億元，同比+56.68%/-49.04%，新產(chǎn)品LPCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)首臺銷售，收入0.28億元。圖表4：2016-2023年公司各業(yè)務(wù)營收（億元）年均增長>35%資料來源：iFind，公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明13(2.39)0.300.911.894.9210.1111.7017.86(2.33)(0.69)1.041.480.233.249.1911.91(5.0)0.05.010.015.020.0歸母 扣非歸母?

利潤：公司2023年歸母凈利潤17.9億元（其中出售部分拓荊股權(quán)稅后凈收益4.06億元），較2022年同比+52.7%；2024年上半年歸母凈利潤5.2億元，同比-48.48%，扣非凈利潤4.83億元，同比只減少6.9%，主要由于公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補(bǔ)短板，實(shí)現(xiàn)趕超。圖表5：2016-2023年公司歸母/扣非后歸母凈利潤、政府補(bǔ)助（億元）1.16 1.171.010.273.481.830.940.020162017201820192020202120222023計(jì)入當(dāng)期損益的政府補(bǔ)助,但部分特殊情況的政府補(bǔ)助除外2.53資料來源：iFind，公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明1438.23%34.91%33.91%37.32%42.20%45.18%45.17%420.026%39.15%37.28%38.47%37.64%46.92%46.88%48.30%42.52%38.59%35.50%34.93%37.67%43.36%45.74%45.83%30%35%40%45%50%2016201720202021202220232018專用設(shè)備2019備品備件綜合毛利率?

毛利率：公司2016-2019年綜合毛利率波動(dòng)主要系產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化，2016-2018年公司MOCVD設(shè)備的毛利率分別為33.82%/38.13%/26.33%，刻蝕設(shè)備的毛利率分別為43.13%/38.37%/47.52%，MOCVD營收占比較高使得綜合毛利率較低，后續(xù)公司刻蝕設(shè)備占比顯著提升帶來綜合毛利率的顯著增長。2024H1公司的毛利率為41.32%，主要系公司根據(jù)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則2024年新規(guī)定將本期產(chǎn)生的預(yù)計(jì)產(chǎn)品質(zhì)量保證損失9,477.58萬元計(jì)入營業(yè)成本。圖表6：2016-2023公司主營業(yè)務(wù)毛利率資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明15銷售費(fèi)用：銷售費(fèi)用變動(dòng)主要系公司規(guī)模擴(kuò)大，職工薪酬、股份支付等費(fèi)用增加。管理費(fèi)用：管理費(fèi)用變動(dòng)主要系公司規(guī)模擴(kuò)大，職工薪酬、股份支付等費(fèi)用增加。研發(fā)費(fèi)用：研發(fā)費(fèi)用變動(dòng)主要系耗用的原材料和低值易耗品、職工薪酬、股份支付費(fèi)用等影響。財(cái)務(wù)費(fèi)用：財(cái)務(wù)費(fèi)用變動(dòng)主要系當(dāng)期利息收入影響。圖表7：2016-2023年公司相關(guān)費(fèi)用率9.38%49.62%5.84%8.75%14.55%12.79%12.77%13.04%21.71%16.66%13.21%7.21%7.96%10.41%6.73%9.53%6.52%8.62%4.98%7.85%5.49%0.37%1.84%0.63%12.00%10.12%5.59%-0.06%-0.33%-1.39%50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%-5%2016201720202022-3.19%20232018管理費(fèi)用率2019研發(fā)費(fèi)用率銷售費(fèi)用率2021-2.28%財(cái)務(wù)費(fèi)用率資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明16?

2024H1，公司研究開發(fā)支出共計(jì)9.70億元，政府補(bǔ)助抵減研發(fā)費(fèi)用1,841.38萬元，研究開發(fā)支出凈額為9.52億，其中計(jì)入研發(fā)費(fèi)用5.68億元，開發(fā)支出資本化3.84億元，研發(fā)費(fèi)用率為16.5%。2024H1研發(fā)投入資本化的比重較去年同期增加9.56個(gè)百分點(diǎn)，主要系隨著研發(fā)項(xiàng)目持續(xù)推進(jìn)，本期在研項(xiàng)目達(dá)到資本化標(biāo)準(zhǔn)的金額增加。已資本化的開發(fā)階段的支出在資產(chǎn)負(fù)債表上列示為開發(fā)支出，自該項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定用途之日起轉(zhuǎn)為無形資產(chǎn)內(nèi)部開發(fā)技術(shù)，內(nèi)部開發(fā)技術(shù)按開發(fā)階段滿足資本化條件發(fā)生的實(shí)際成本入賬，并按預(yù)計(jì)使用年限7年平均攤銷。圖表8：2016-2023年公司研發(fā)投入明細(xì)、研發(fā)支出的歸集范圍及相關(guān)會(huì)計(jì)處理方法201620172018201920202021202220232024研發(fā)投入總額(億元)3.023.304.044.256.407.289.2912.629.52其中：資本化研發(fā)投入(億元)--1.621.921.750.771.321.543.813.84資本化研發(fā)投入占研發(fā)投入比例--48.90%47.64%41.30%12.07%18.20%16.60%30.18%40.37%研發(fā)投入總額占營業(yè)收入比例49.62%34.00%24.65%21.81%28.14%23.42%19.59%20.15%27.61%研發(fā)人員數(shù)量(人)----240276346415592788967研發(fā)人員數(shù)量占比----36.75%38.17%38.70%39.60%42.93%45.76%46.38%試制樣機(jī)初步完成研制之前，為研究生產(chǎn)工藝而進(jìn)行的有計(jì)劃的調(diào)查、評價(jià)和選擇階段的支出為研究階段的支出，于發(fā)生時(shí)計(jì)入當(dāng)期損益；試制樣機(jī)初步完成研制至大規(guī)模生產(chǎn)之前，針對生產(chǎn)工藝最終應(yīng)用的相關(guān)設(shè)計(jì)、測試階段的支出為開發(fā)階段的支出，同時(shí)滿足下列條件的，予以資本化：生產(chǎn)工藝的開發(fā)已經(jīng)技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行充分論證；管理層已批準(zhǔn)生產(chǎn)工藝開發(fā)的預(yù)算；前期市場調(diào)研的研究分析說明生產(chǎn)工藝所生產(chǎn)的產(chǎn)品具有市場推廣能力；有足夠的技術(shù)和資金支持，以進(jìn)行生產(chǎn)工藝的開發(fā)活動(dòng)及后續(xù)的大規(guī)模生產(chǎn)；以及生產(chǎn)工藝開發(fā)的支出能夠可靠地歸集。資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明17?

公司人均年銷售持續(xù)增長，人均創(chuàng)收超過350萬元，達(dá)到世界一流水平。圖表9：2019-2023公司員工專業(yè)結(jié)構(gòu)（單位：人）123169251269254297344(48)51426559785-100-500501001502002503003504003641042016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023人均創(chuàng)收(萬元)人均創(chuàng)利(萬元)圖表10：2016-2023公司人均創(chuàng)收、人均創(chuàng)利12614415918022152596776907238941,0481,379020040060080010001200140016001800 1,7222019 2020 2021 2022 2023行政人員 銷售人員 技術(shù)人員財(cái)務(wù)人員 生產(chǎn)人員 合計(jì)資料來源：iFind，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明18請參閱附注免責(zé)聲明資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所2024年股權(quán)激勵(lì)2023年股權(quán)激勵(lì)2022年股權(quán)激勵(lì)2020年股權(quán)激勵(lì)授予價(jià)格總計(jì)不超過1080萬股限制性股票（第二類限制性股票）；首次授予880萬股，預(yù)留200萬股；授予價(jià)格為76.10元/股?？傆?jì)不超過550萬股限制性股票（第二類限制性股票）：本次授予為一次性授予，無預(yù)留權(quán)益。最初授予價(jià)格為50.00元/股，經(jīng)調(diào)整后授予價(jià)格為49.80元/股?？傆?jì)不超過400萬股限制性股票（第二類限制性股票）：本次授予為一次性授予，無預(yù)留權(quán)益。最初授予價(jià)格為50.00元/股，經(jīng)調(diào)整后授予價(jià)格為49.80元/股。限制性股票激勵(lì)：總計(jì)800萬股限制性股票（第二類限制性股票）；首次授予670萬股，預(yù)留130萬股股票增值權(quán)激勵(lì)：總計(jì)54.68萬份股票增值權(quán)授予對象首次授予激勵(lì)對象不超過1798人，占公司全部職工人數(shù)的99.72%；其中：董事、高級管理人員（6人），核心技術(shù)人員（5人），共計(jì)獲授69.17萬股；董事會(huì)認(rèn)為需要激勵(lì)的其他人員（1787人），共計(jì)獲授810.83萬股；預(yù)留授予200萬股。首次授予激勵(lì)對象不超過1390人，占公司全部職工人數(shù)的99.43%；其中：董事、高級管理人員（8人），核心技術(shù)人員（3人），共計(jì)獲授54.979萬股；董事會(huì)認(rèn)為需要激勵(lì)的其他人員（1379人），共計(jì)獲授495.021萬股。首次授予激勵(lì)對象不超過1104人，占公司全部職工人數(shù)的99.37%；其中：董事、高級管理人員（8人），核心技術(shù)人員（3人），共計(jì)獲授39.892萬股；董事會(huì)認(rèn)為需要激勵(lì)的其他人員（1095人），共計(jì)獲授360.108萬股。限制性股票激勵(lì)：首次授予的激勵(lì)對象總?cè)藬?shù)為700人，占公司全部職工人數(shù)的91.86%；其中，核心技術(shù)人員（3人），董事會(huì)認(rèn)為需要激勵(lì)的其他人員（697人）。預(yù)留授予130萬股。股票增值權(quán)激勵(lì)：激勵(lì)對象范圍本計(jì)劃激勵(lì)對象為公司董事、高級管理人員，共計(jì)6人。行權(quán)條件第一個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2023年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2024年?duì)I業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第二個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2023年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2024、2025年度營業(yè)收入累計(jì)值定比基數(shù)的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第三個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2023年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2024、2025、2026年度營業(yè)收入累計(jì)值定比基數(shù)的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第四個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2023年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2024、2025、2026、2027年度營業(yè)收入累計(jì)值定比基數(shù)的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第一個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2022年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2023年?duì)I業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第二個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2022年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2023、2024年度營業(yè)收入累計(jì)值定比基數(shù)的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第三個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2022年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2023、2024、2025年度營業(yè)收入累計(jì)值定比基數(shù)的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第四個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2022年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2023、2024、2025、2026年度營業(yè)收入累計(jì)值定比基數(shù)的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于對標(biāo)企業(yè)算術(shù)平均增長率*0.8；第一個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù),2022年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于15%；第二個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2023年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于35%；第三個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2024年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于50%；第四個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2025年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于75%；第一個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎(chǔ)，2019年、2020年兩年?duì)I業(yè)收入累計(jì)值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于200%；第二個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎(chǔ)，2019年、2020年和2021年三年?duì)I業(yè)收入累計(jì)值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于370%；第三個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎(chǔ)，2019年、2020年、2021年和2022年四年?duì)I業(yè)收入累計(jì)值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于560%；第四個(gè)歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎(chǔ)，2019年、2020年、2021年、2022年和2023年五年?duì)I業(yè)收入累計(jì)值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計(jì)營業(yè)收入增長率不低于800%首次授予預(yù)計(jì)攤銷2024-2028：2.41/2.50/1.37/0.68/0.16億元2023-2027：1.76/1.81/0.98/0.48/0.11億元2022-2026：1.26/1.09/0.59/0.28/0.05億元2020-2024：1.26/1.61/0.85/0.42/0.11億元注：1.對標(biāo)企業(yè)指Gartner公布的相應(yīng)年度全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商銷售額排名前五位的公司（如果Gartner未公布或未及時(shí)公布，可采用其他權(quán)威機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)）；2.對標(biāo)企業(yè)算數(shù)平均增長率=各對標(biāo)企業(yè)各考核年度的營業(yè)收入累計(jì)值定比2023年度（2024年股權(quán)激勵(lì)考核目標(biāo)）/2022年度（2023年股權(quán)激勵(lì)考核目標(biāo)）的累計(jì)營業(yè)收入增長率（同中微公司各考核年度累計(jì)營業(yè)收入增長率算法）之和除以五；3.如對標(biāo)企業(yè)年度報(bào)告財(cái)務(wù)報(bào)表日在1-9月內(nèi)或?qū)?biāo)企業(yè)考核年度的年度報(bào)告在中微公司董事會(huì)審議歸屬條件是否成就議案的前一日尚未披露，則選取對標(biāo)企業(yè)已披露的最近四個(gè)季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)（含考核年度內(nèi)各季度）之和作為考核年度數(shù)據(jù)用于比較。如對標(biāo)企業(yè)年度報(bào)告財(cái)務(wù)報(bào)表日在10-12月且對標(biāo)企業(yè)考核年度的年度報(bào)告在中微公司董事會(huì)審議歸屬條件是否成就議案的前一日已披露，則將對標(biāo)企業(yè)考核年度的年度報(bào)告數(shù)據(jù)視為考核年度數(shù)據(jù)。 19圖表11：公司歷次股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃；20二產(chǎn)品：刻蝕+薄膜+量檢測，現(xiàn)覆蓋約33%集成電路設(shè)備PECVD介質(zhì)ALD原子水平LPCVD導(dǎo)體EPI單晶PVD金屬M(fèi)OCVD爐管大批量離子注入設(shè)備目前公司覆蓋約33%集成電路設(shè)備市場，包括等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備以及檢測設(shè)備。同時(shí)公司繼續(xù)瞄準(zhǔn)世界科技前沿，

持續(xù)踐行三維發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域，擴(kuò)展在泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并探索其他新興領(lǐng)域的機(jī)會(huì)，推進(jìn)公司實(shí)現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康、安全發(fā)展。公司堅(jiān)持以市場和客戶需求為導(dǎo)向，積極應(yīng)對復(fù)雜形勢，繼續(xù)加大研發(fā)投入和業(yè)務(wù)開拓力度，推動(dòng)以研發(fā)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)的高質(zhì)量增長策略，抓住重點(diǎn)客戶擴(kuò)產(chǎn)投資機(jī)會(huì)，推進(jìn)訂制化、精細(xì)化生產(chǎn)模式，公司在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、MOCVD設(shè)備等設(shè)備產(chǎn)品研發(fā)、市場布局、新業(yè)務(wù)投資拓展等諸多方面取得了較大的突破和進(jìn)展，產(chǎn)品不斷獲得海內(nèi)外客戶的認(rèn)可，為公司持續(xù)健康發(fā)展提供了有力支撐。圖表12：公司三維發(fā)展版圖以及集成電路設(shè)備覆蓋情況集成電路設(shè)備設(shè)備泛半導(dǎo)體設(shè)備刻蝕機(jī)其他檢測機(jī)LED顯示LED照明ChipletMEMSFPD顯示屏RF器件功率器件太陽能電池薄膜機(jī)光刻機(jī)DUVEUV等離子體刻蝕高能CCP刻蝕低能ICP刻蝕晶圓邊緣刻蝕除膠干法清洗檢測設(shè)備光學(xué)檢測電子束檢測濕法設(shè)備顯影機(jī)化機(jī)拋光電鍍機(jī)清洗機(jī)中微22%中微5%睿勵(lì)

6%現(xiàn)覆蓋約33%集成電路設(shè)備薄膜設(shè)備資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明21公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%；由于公司MOCVD設(shè)備已經(jīng)在藍(lán)綠光LED生產(chǎn)線上占據(jù)絕對領(lǐng)先的市占率，受終端市場波動(dòng)影響，2023年MOCVD設(shè)備訂單同比下降約72.2%。2024年上半年公司新增訂單47.0億元，同比增長約40.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單39.4億元，同比增速約50.7%；LPCVD上半年新增訂單1.68億元，新產(chǎn)品開始啟動(dòng)放量。公司2024年上半年新增訂單中，來自存儲客戶的占比較高，先進(jìn)制程（包括先進(jìn)邏輯及存儲）占比超過70%。2024年前三季度公司新增訂單76.4億元，同比增長約52.0%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單62.5億元，同比增長約54.7%；LPCVD新增訂單3.0億元，新產(chǎn)品開始啟動(dòng)放量；預(yù)計(jì)2024年累計(jì)新增訂單將達(dá)到110-130億元。21.70資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明2241.3063.2083.602004060801002020202120222023圖表13：2020-2023年公司新簽訂單（億元）2.8016.8034.8045.300102030405020222025現(xiàn)有廠房面積2023增加南昌基地2024增加臨港基地增加臨港總部大樓根據(jù)客戶訂單需求，公司2024年前三季度（1-9月）共生產(chǎn)專用設(shè)備1,160腔，同比增長約310%，對應(yīng)產(chǎn)值約94.19億元，同比增長約287%，為公司后續(xù)出貨及確認(rèn)收入打下了較好的基礎(chǔ)。為擴(kuò)充資產(chǎn)規(guī)模、增強(qiáng)公司實(shí)力以持續(xù)做大做強(qiáng)主業(yè)，公司產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目正在順利推進(jìn)中。公司位于南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地主體建設(shè)已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心也在順利建設(shè)，將于2025年投入使用。三年之內(nèi)廠房面積將擴(kuò)大15倍，為公司今后十幾年大發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明23圖表14：公司廠房面積（萬平方米）請參閱附注免責(zé)聲明資料來源：公司公告，中郵證券研究所?

公司已有的

CCP

刻蝕產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋28納米以上邏輯器件制造的絕大部分CCP刻蝕應(yīng)用；在存儲器件制造工藝中，公司的成熟產(chǎn)品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應(yīng)用。同時(shí)公司積極布局超低溫刻蝕技術(shù)，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕的前衛(wèi)技術(shù)。PrimoDRIE，Primo

AD-RIEPrimo

DRIE，Primo

AD-RIE

可以滿足絕大多數(shù)

28

納米以上

CCP

刻蝕制程的需求，2024

年上半年付運(yùn)數(shù)量超過

2023

年全年付運(yùn)。Primo

AD-RIE-e配備動(dòng)態(tài)調(diào)溫靜電吸盤的雙反應(yīng)臺

PrimoAD-RIE-e

除了持續(xù)付運(yùn)用于最先進(jìn)的邏輯芯片生產(chǎn)線外，持續(xù)拓寬應(yīng)用，取得先進(jìn)存儲生產(chǎn)線的重復(fù)訂單，2024

年上半年付運(yùn)量為

2023

年全年的

2

倍以上。Primo

SD-RIE可調(diào)節(jié)電極間距的雙反應(yīng)臺

CCP

刻蝕機(jī)

Primo

SDRIE

在首家先進(jìn)邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕工藝的驗(yàn)證進(jìn)入良率測試階段，已經(jīng)進(jìn)入第二家客戶開展現(xiàn)場驗(yàn)證，并與多家客戶達(dá)成評估意向，目前實(shí)驗(yàn)室開發(fā)進(jìn)展順利。PrimoHD-RIEPrimo

HD-RIEePrimo

UD-RIE單反應(yīng)臺

CCP

刻蝕設(shè)備

Primo

HDRIE，Primo

HD-RIEe

和

Primo

UD-RIE

付運(yùn)勢頭強(qiáng)勁，2024

年上半年付運(yùn)量較

2023

年全年增加約

3

倍。Primo

UD-RIE公司針對超高深寬比刻蝕自主開發(fā)的具有大功率

400kHz

偏壓射頻的

Primo

UD-RIE

已經(jīng)在生產(chǎn)線

驗(yàn)證出具有刻蝕≥60:1

深寬比結(jié)構(gòu)的量產(chǎn)能力。該設(shè)備適用于

DRAM

和

3D

NAND

器件制造中最關(guān)鍵的高深寬比刻蝕工藝。 24圖表15：公司CCP刻蝕產(chǎn)品系列發(fā)展路線及進(jìn)展25資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明公司CCP刻蝕設(shè)備中雙反應(yīng)臺中

Primo

D-RIE、Primo

AD-RIE、Primo

AD-RIE-e

新增付運(yùn)量保持高速增長，2024年上半年付運(yùn)量超過2023年全年付運(yùn)量。單反應(yīng)臺CCP刻蝕設(shè)備

Primo

HDRIE，Primo

HD-RIEe

和

Primo

UD-RIE

付運(yùn)勢頭強(qiáng)勁，2024年上半年付運(yùn)量較2023年全年增加約3倍。截至2024年6月，公司累計(jì)生產(chǎn)付運(yùn)超過3600個(gè)CCP刻蝕反應(yīng)臺，2024

年上半年新增付運(yùn)設(shè)備數(shù)量創(chuàng)歷史新高。圖表16：公司CCP刻蝕設(shè)備累計(jì)安裝機(jī)臺數(shù)量（反應(yīng)臺）26資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明可調(diào)節(jié)電極間距的雙反應(yīng)臺

CCP

刻蝕機(jī)

PrimoSD-RIE

在首家先進(jìn)邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕工藝的驗(yàn)證進(jìn)入良率測試階段，已經(jīng)進(jìn)入第二家客戶開展現(xiàn)場驗(yàn)證，并與多家客戶達(dá)成評估意向，目前實(shí)驗(yàn)室開發(fā)進(jìn)展順利。Primo

SD-RIE

采用雙反應(yīng)臺平臺設(shè)計(jì)，在滿足嚴(yán)苛工藝指標(biāo)的同時(shí)可以有效的降低生產(chǎn)成本。PrimoSD-RIE

具有實(shí)時(shí)可調(diào)電極間距功能，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，能靈活調(diào)節(jié)等離子體濃度分布和活性自由基濃度分布。針對復(fù)雜膜層結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝，Primo

SD-RIE

可以通過動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電極間距以及多區(qū)調(diào)溫靜電吸盤對的溫度來達(dá)到最優(yōu)的刻蝕均勻性。圖表17：公司SD-RIE：實(shí)時(shí)可變電極間距擴(kuò)大金屬掩膜大馬士革刻蝕工藝窗口資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所圖表18：公司開發(fā)的三代CCP高能等離子體刻蝕機(jī)刻蝕極高深寬比細(xì)孔歷史中微首創(chuàng)2025年：90:1第五代：LL-RIE2021年：60:1第四代：UD-RIE2018年：40:1第三代：HD-RIE2014年：20:1第二代：AD-RIE?

在存儲器件制造工藝中，公司的成熟產(chǎn)品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應(yīng)用。同時(shí)，公司針對超高深寬比刻蝕自主開發(fā)的具有大功率400kHz偏壓射頻的Primo

UD-RIE已經(jīng)在生產(chǎn)線驗(yàn)證出具有刻蝕≥60:1深寬比結(jié)構(gòu)的量產(chǎn)能力。該設(shè)備適用于DRAM和3D

NAND器件制造中最關(guān)鍵的高深寬比刻蝕工藝。同時(shí)，公司積極布局超低溫刻蝕技術(shù)，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕的前衛(wèi)技術(shù)。同時(shí)公司新開發(fā)的晶圓邊緣

Bevel

刻蝕設(shè)備也計(jì)劃在2024年投入市場驗(yàn)證。請參閱附注免責(zé)聲明27資料來源：公司公告，中郵證券研究所?

公司ICP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品部門持續(xù)為推出下一代ICP刻蝕設(shè)備做技術(shù)儲備，以滿足新一代的邏輯、DRAM和3D

NAND存儲等芯片制造對ICP刻蝕的需求。在追求更高刻蝕性能的同時(shí)，根據(jù)國內(nèi)對成熟制程和新興特殊器件的工藝需求，公司開發(fā)了Primo

Menova

Al刻蝕設(shè)備，并和多個(gè)客戶開展鋁線刻蝕工藝的合作開發(fā)。請參閱附注免責(zé)聲明28圖表19：公司ICP等離子體刻蝕產(chǎn)品研發(fā)歷史和產(chǎn)品系列圖表20：公司ICP單臺機(jī)Primo

Nanova累計(jì)安裝機(jī)臺數(shù)量近三年復(fù)合增長率超過70%24H1報(bào)告期間內(nèi)，公司持續(xù)推進(jìn)各種Nanova

UE、LUX

和

VE

HP在先進(jìn)邏輯芯片、先進(jìn)DRAM和3DNAND的ICP驗(yàn)證刻蝕工藝的驗(yàn)證。其中Nanova

VE

HP在DRAM制造中的的高深款比多晶硅掩膜應(yīng)用上，投入大量產(chǎn)。LUX也已逐步在多個(gè)客戶的產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)小量產(chǎn)。Primo

TwinStar?則在海內(nèi)外客戶的成熟邏輯芯片、功率器件、微型發(fā)光二極管Micro-LED、AR眼鏡用的超透鏡Meta

Lens等特色器件的產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并取得重復(fù)訂單。首臺Primo-Twin

Star?

200也付到客戶端開展Meta

Lens的產(chǎn)線上認(rèn)證。24H1報(bào)告期內(nèi)，公司

ICP

技術(shù)設(shè)備類中的

8

英寸和

12

英寸深硅刻蝕設(shè)備

Primo

TSV

200E?、

PrimoTSV

300E?在晶圓級先進(jìn)封裝、2.5D

封裝和微機(jī)電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟市場繼續(xù)獲得重復(fù)訂單的同時(shí)，在

12

英寸的

3D

芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗(yàn)證，并在歐洲客戶新建的

世界第一條12

英寸微機(jī)電系統(tǒng)芯片產(chǎn)線上獲得認(rèn)證的機(jī)會(huì)，這些新工藝的驗(yàn)證為公司Primo

TSV

300E?刻蝕設(shè)備拓展了新的市場。資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明29?

24H1報(bào)告期內(nèi)，公司的ICP刻蝕設(shè)備在涵蓋邏輯、DRAM、3D

NAND、功率和電源管理、以及微電機(jī)系統(tǒng)等芯片和器件的

60

多條客戶的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，并持續(xù)進(jìn)行更多刻蝕應(yīng)用的驗(yàn)證。ICP單機(jī)臺PrimoNanova在客戶端安裝腔體數(shù)近三年實(shí)現(xiàn)>70%的年均復(fù)合增長，

截止24H1，超過700個(gè)Primo

Nanova反應(yīng)腔在邏輯、DRAM和3D

NAND客戶產(chǎn)線上運(yùn)行。公司用于藍(lán)光照明的PRISMO

A7?、用于深紫外LED的

PRISMO

HiT3?、用于Mini-LED顯示的PRISMOUniMax?等產(chǎn)品持續(xù)服務(wù)客戶。截止24H1，公司累計(jì)MOCVD產(chǎn)品出貨量超過

500

腔，持續(xù)保持國際氮化鎵基MOCVD設(shè)備市場領(lǐng)先地位。其中PRISMO

UniMax?產(chǎn)品，憑借其高產(chǎn)量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點(diǎn)，受到下游客戶的廣泛認(rèn)可，已累計(jì)出貨近150腔，在Mini-LED顯示外延片生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域處于國際領(lǐng)先地位。PRISMO

UniMax?設(shè)備拓展了公司的MOCVD設(shè)備產(chǎn)品線，為全球LED芯片制造商提供極具競爭力的Mini-LED量產(chǎn)解決方案，公司正與更多客戶合作進(jìn)行設(shè)備評估，擴(kuò)大市場推廣。同時(shí)，針對Micro-LED應(yīng)用的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)順利，實(shí)驗(yàn)室初步結(jié)果實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展生產(chǎn)驗(yàn)證。公司還積極布局用于功率器件應(yīng)用的第三代半導(dǎo)體設(shè)備市場。公司開發(fā)了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PRISMO

PD5?，已交付多家國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗(yàn)證，并取得了重復(fù)訂單；正開發(fā)下一代用于氮化鎵功率器件制造的新型MOCVD設(shè)備；同時(shí)也啟動(dòng)了應(yīng)用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，目前已取得較大的技術(shù)進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的工藝結(jié)果，已將樣機(jī)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗(yàn)證。圖表21：公司

PRISMO

UniMax?

MOCVD

設(shè)備資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明30圖表22：公司PRISMO

PD5?

MOCVD

設(shè)備?

公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應(yīng)用，均已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證并收到重復(fù)量產(chǎn)訂單。同時(shí)公司已完成多個(gè)邏輯和存儲客戶對CVD/HAR/ALD

W鎢設(shè)備的樣品驗(yàn)證，并已經(jīng)付運(yùn)機(jī)臺到邏輯客戶進(jìn)行驗(yàn)證。同期，公司開發(fā)的應(yīng)用于高端存儲和邏輯器件的ALD氮化鈦設(shè)備也在穩(wěn)步推進(jìn)。公司的薄膜沉積設(shè)備采用獨(dú)特的雙腔設(shè)計(jì)，每個(gè)腔體可獨(dú)立進(jìn)行工藝調(diào)節(jié)，保證產(chǎn)品性能的同時(shí)大大提高了產(chǎn)能，降低了材料成本。此外，公司獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì)確保了更優(yōu)化的產(chǎn)品性能，保障了產(chǎn)品未來的可持續(xù)發(fā)展。目前公司EPI設(shè)備已順利進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段以滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。圖表23：公司薄膜設(shè)備產(chǎn)品路線圖31資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會(huì)，中郵證券研究所請參閱附注免責(zé)聲明20232024202520262027W

FamilyCVD

WHAR

WALD

WWCNSel

WCVDW

G2ALDW

G2ALDALDTiNALD

TiAlALD

TaNALD

MoALDMG

G2ALDHfOxALDLaOxALD

AlOxALDMo

G2PECVDPETiPECoMO

TiNPETi

G2PECo

G2PVDCuBSw/Sel

DepPVD

TaN/AlRFPVD

FamilyImpulsePVDAlOx/AlNx/SiN公司開發(fā)的CVD鎢設(shè)備已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，滿足金屬互聯(lián)鎢制程各項(xiàng)性能指標(biāo)，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。公司在CVD

W基礎(chǔ)上開發(fā)的HAR（高深寬比）鎢設(shè)備采用創(chuàng)新的工藝解決方案，已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，滿足存儲器件中的高深寬比金屬互聯(lián)應(yīng)用中各項(xiàng)性能指標(biāo)，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。公司進(jìn)一步自主開發(fā)的具備三維填充能力的ALD（原子層沉積）鎢設(shè)備已通過關(guān)鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗(yàn)證，滿足三維存儲器件字線應(yīng)用中各項(xiàng)性能需求，并獲得客戶重復(fù)量產(chǎn)訂單。32圖表24：公司在研項(xiàng)目情況（截止24H1報(bào)告期，單位：億元）序號項(xiàng)目名稱預(yù)計(jì)總投資規(guī)模本期投入金額累計(jì)投入金額進(jìn)展或階段性成果擬達(dá)到目標(biāo)技術(shù)水平具體應(yīng)用前景1用于存儲器刻蝕的CCP刻蝕設(shè)備（128P)5.761.694.87應(yīng)用展開階段，Beta機(jī)客戶端已完成溝道刻蝕（深寬比

60:1）等4道工藝的驗(yàn)證，已展開大規(guī)模量產(chǎn)。設(shè)計(jì)開發(fā)超低頻和超大功率的射頻等離子系統(tǒng)及對應(yīng)的靜電吸盤、多區(qū)控溫性能的上電極、溫度可調(diào)節(jié)的邊緣環(huán)系統(tǒng)等，滿足超高深寬比的刻蝕需求。同時(shí)將該特定應(yīng)用的刻蝕機(jī)，擴(kuò)展為通用的高深寬比存儲器刻應(yīng)用的刻蝕機(jī)，并在多個(gè)存儲器晶圓生產(chǎn)線上進(jìn)行工藝驗(yàn)證。追趕國際先進(jìn)水平3D

NAND，≥128層2先進(jìn)邏輯電路的CCP刻蝕設(shè)備3.110.422.77工藝開發(fā)階段，多臺Beta機(jī)已交付客戶并通過了客戶驗(yàn)證。實(shí)現(xiàn)等離子體密度分布的可調(diào)節(jié)，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的要求國際先進(jìn)水平7

納米以下邏輯電路刻蝕3用于Micro-LED應(yīng)用的新型MOCVD設(shè)備2.180.321.86開發(fā)階段，Alpha機(jī)開發(fā)中，客戶樣機(jī)驗(yàn)證中。研發(fā)新型MOCVD設(shè)備，滿足Micro

LED生產(chǎn)對于外延設(shè)備的要求產(chǎn)出外延片波長均勻性

（STD）達(dá)到0.8nm以下手表，AR/VR，電視等用顯示屏4用于5-3納米邏輯芯片制造的ICP刻蝕機(jī)3.681.283.04Beta機(jī)臺繼續(xù)在客戶端開展更多制程的驗(yàn)證。研制成功5納米的刻蝕設(shè)備并完成在先進(jìn)邏輯芯片生產(chǎn)廠家的評估，并實(shí)現(xiàn)銷售。完成3納米刻蝕機(jī)Alpha原型機(jī)的設(shè)計(jì)、制造、測試及初步的工藝開發(fā)和評估。中微新一代用于5-3納米邏輯芯片制造的ICP刻蝕設(shè)備研制項(xiàng)目的總體技術(shù)性能水平將達(dá)到世界先進(jìn)水平，與國際主要競爭對手“并跑”。本項(xiàng)目開發(fā)的設(shè)備產(chǎn)品將首先被應(yīng)用在國內(nèi)正在大力發(fā)展的邏輯芯片制造廠家，主

要包括中芯國際、華力微電子等重要客戶。將對高端設(shè)備國產(chǎn)化產(chǎn)生重大的效益

和影響。同時(shí)，也會(huì)盡可能地開發(fā)國際市場如臺積電等。請參閱附注免責(zé)聲明資料來源：公司公告，中郵證券研究所33圖表24：公司在研項(xiàng)目情況（截止24H1報(bào)告期，單位：億元）序號項(xiàng)目名稱預(yù)計(jì)總投資規(guī)模本期投入金額累計(jì)投入金額進(jìn)展或階段性成果擬達(dá)到目標(biāo)技術(shù)水平具體應(yīng)用前景5用于存儲器芯片制造的

ICP刻蝕機(jī)2.210.291.83項(xiàng)目開發(fā)完成，Beta機(jī)在客戶端生產(chǎn)線的驗(yàn)證通過一

部分刻蝕工藝，取得重復(fù)訂單并投入

量產(chǎn)。

同時(shí)開展更多制程的驗(yàn)證面向300mm3DNANDFlash工藝大生產(chǎn)線需求，開發(fā)用于TSC-ET

關(guān)鍵工藝刻蝕設(shè)備。此設(shè)備不但要能夠充分滿足3D

NAND的嚴(yán)格要求，同時(shí)還必須達(dá)到高產(chǎn)出，高uptime。項(xiàng)目研。

發(fā)產(chǎn)品將會(huì)在用戶的生產(chǎn)線上驗(yàn)證，并取得核心自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)3臺以上銷售。本研究項(xiàng)目致力于存儲器芯片制造的ICP刻蝕機(jī)及部分關(guān)鍵配套工藝

的研究開發(fā)，項(xiàng)目的成功實(shí)施將為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緊跟國際技術(shù)發(fā)展

趨勢，實(shí)現(xiàn)技術(shù)跨越作出重要貢獻(xiàn)。本項(xiàng)目的實(shí)施完成后，開發(fā)的存儲芯片用ICP刻蝕機(jī)擬達(dá)到國際先進(jìn)水平，和SYM3搶奪國內(nèi)和國際的存儲芯片市場份額。6鍺硅選擇性外延設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化4.500.661.89研究階段，Alpha機(jī)工藝驗(yàn)證和客戶驗(yàn)證階段研發(fā)12“外