中微公司(688012)刻蝕持續(xù)高增薄膜開啟放量

2資料來源：公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明集成電路設備設備泛半導體設備DSC

D-RIEDSCAD-RIEDSC

SD-RIEBevel

EtchSSC

AD-RIESSC

HD-RIESSC

UD-RIETwin

StarTSV200ETSV

300EP-DicingNanova

SENanova

VENanova

UENanova

LUX刻蝕機FPD顯示屏RF器件功率器件太陽能電池薄膜機檢測機LED顯示LED照明ChipletMEMS其他CCPICP雙反應臺反應器單反應臺反應器LPCVDALDPECVDPVDEPI薄膜光學檢測二盈利預測四目錄一財務：刻蝕+MOCVD設備驅動營收年均增速>35%產(chǎn)品：刻蝕+薄膜+量檢測，現(xiàn)覆蓋約33%集成電路設備市場：中國大陸未來四年每年300+億美元晶圓廠設備投資，國產(chǎn)化進程加速推進三3一財務：刻蝕+MOCVD設備驅動營收年均增速>35%4刻蝕設備領軍企業(yè)，ICP開啟放量，邁向工藝全覆蓋。2020-2023年刻蝕設備分別實現(xiàn)營收12.9/20.0/31.5/47.0億元，營收年均增長大于50%，24H1刻蝕設備收入為26.98億元，同比+56.68%，收入占比78.26%。公司的等離子體刻蝕設備已批量應用在國內(nèi)外一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線，針對先進邏輯和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運量顯著提升，CCP和ICP刻蝕設備的銷售增長和在國內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線上市占率均大幅提升。24H1刻蝕設備新增訂單39.4億元，同比+50.7%，其中ICP開啟放量。工藝覆蓋方面，超高深寬比掩膜、超高深寬比介質刻蝕、晶圓邊緣Bevel刻蝕等進展順利。MOCVD設備從藍綠光LED市場出發(fā)，拓展碳化硅和氮化鉀基功率器件市場。2020-2023年MOCVD設備分別實現(xiàn)營收4.96/5.03/7.00/4.62億元，收入波動主要系終端市場波動影響。24H1

MOCVD設備實現(xiàn)收入1.52億元，同比-49.04%，主要因為公司在藍綠光LED生產(chǎn)線和Mini-LED產(chǎn)業(yè)化中保持絕對領先的地位，該終端市場近兩年處于下降趨勢。公司緊跟MOCVD市場發(fā)展機遇，積極布局用于碳化硅和氮化鉀基功率器件應用的市場，并在Micro-LED和其他顯示領域的專用MOCVD設備開發(fā)上取得良好進展，已付運和將付運幾種MOCVD新產(chǎn)品進入市場。薄膜設備啟動放量，刻蝕+薄膜+量檢測合計覆蓋約33%集成電路設備。24H1

LPCVD新增訂單1.68億元，新產(chǎn)品開始啟動放量。薄膜沉積設備研發(fā)方面，公司目前已有多款新型設備產(chǎn)品進入市場，其中部分設備已獲得重復性訂單，其他多個關鍵薄膜沉積設備研發(fā)項目正在順利推進。公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，并已完成多家邏輯和存儲客戶對

CVD/HAR/ALD

W

鎢設備的驗證，取得了客戶訂單。公司

EPI

設備已順利進入客戶驗證階段，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。公司通過投資布局了光學檢測設備板塊，并計劃開發(fā)電子束檢測設備，將不斷擴大對多種檢測設備的覆蓋。資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明5目前在研項目涵蓋六類設備，20多個新設備開發(fā)，加碼研發(fā)助力三維發(fā)展。公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實現(xiàn)趕超。公司目前在研項目涵蓋六類設備，20多個新設備的開發(fā)，24H1公司研發(fā)投入9.70億元，較上年同期的4.60億元增加約5.10億元，同比大幅增長110.84%。公司繼續(xù)瞄準世界科技前沿，持續(xù)踐行三維發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦集成電路關鍵設備領域，擴展在泛半導體關鍵設備領域應用并探索其他新興領域的機會，公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD

設備等設備產(chǎn)品研發(fā)、市場布局、新業(yè)務投資拓展等諸多方面取得了較大的突破和進展，產(chǎn)品不斷獲得海內(nèi)外客戶的認可，為公司持續(xù)

健康發(fā)展提供了有力支撐。中國大陸未來四年將保持每年300+億美元晶圓廠設備投資，國產(chǎn)替代加速推進。從半導體設備細分產(chǎn)品的國產(chǎn)化率來看，國產(chǎn)化率最高的為去膠設備，已達90%以上；熱處理、刻蝕設備、清洗設備國產(chǎn)化率已達到20%左右；CMP、PVD設備國產(chǎn)化率已達到10%左右；量檢測設備、涂膠顯影設備正逐步實現(xiàn)從0到1的突破。隨著海外出口限制層層加碼，半導體設備國產(chǎn)化進程加速推進。根據(jù)SEMI，2023年全球集成電路前段設備市場約為950億美元，其中中國大陸成為全球最大的集成電路設備市場，占比達到35%，在政府激勵措施和芯片國產(chǎn)化政策的推動下，中國大陸未來四年將保持每年300億美元以上的投資規(guī)模，繼續(xù)引領全球晶圓廠設備支出。2022年刻蝕設備/薄膜設備/量檢測設備在晶圓制造環(huán)節(jié)半導體設備投資占比分別約為23%/22%/13%，未來隨著先進工藝需求提升，這三類設備需求量及價值量將進一步攀升，目前公司覆蓋約33%集成電路設備，隨著研發(fā)項目的不斷推進，集成電路設備覆蓋度有望繼續(xù)提升。資料來源：Gartner，SEMI，公司公告，盛美上海增發(fā)公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明6項目\年度2023A2024E2025E 2026E營業(yè)收入(百萬元)6,2648,51812,16916,182增長率(%)32.1535.9942.8732.97EBITDA(百萬元)1,4851,8263,1594,384歸屬母公司凈利潤(百萬元)1,7861,5122,6773,726增長率(%)52.67-15.3677.0939.20EPS(元/股)2.872.434.305.99市盈率（P/E）81.8796.7354.6339.24市凈率（P/B）8.207.436.535.59EV/EBITDA59.6575.9943.8531.29資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明7盈

利

預

測

：

我

們

預

計

公

司

2024-2026

年

營

業(yè)

收

85.18/121.69/161.82

億元

，

歸

母

凈

利

潤15.12/26.77/37.26億元，對應2024/2025/2026年的PE分別為97/55/39倍。風險提示：下游客戶擴產(chǎn)不及預期的風險，員工股權激勵帶來的公司治理風險，政府支持與稅收優(yōu)惠政策變動的風險，供應鏈風險，行業(yè)政策變化風險，國際貿(mào)易摩擦加劇風險，知識產(chǎn)權風險，人才資源風險，投資風險，研發(fā)投入不足導致技術被趕超或替代的風險。盈利預測和財務指標中微半導體設備(上海)股份有限公司上海創(chuàng)業(yè)投資有限公司巽鑫(上海)投資有限公司15.05%香港中央結算有限公司招商銀行股份有限公司-華夏上證科創(chuàng)板50成份交易型開放式指數(shù)證券投資基金國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司中國工商銀行股份有限公司-易方達上證科創(chuàng)板50成份交易型開放式指數(shù)證券投資基金中國建設銀行股份有限公司-華夏國證半導體芯片交易型開放式指數(shù)證券投資基金中國工 招商銀商銀行 行股份股份有 有限公限公司- 司-銀河諾安成 創(chuàng)新成長混合 長混合型證券 型證券投資基 投資基金 金中國工商銀行-上證50交易型開放式指數(shù)證券投資基金13.04%資料來源：iFind，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明85.30%4.76%3.93%2.59%1.56%1.27%1.13%1.12%圖表1：公司股權結構（公示日期:2024-08-23）圖表2：公司對外投資資料來源：iFind，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明9序號被投資企業(yè)名稱被投資企業(yè)法人注冊資本出資比例(%)成立日期經(jīng)營狀態(tài)1中微半導體設備(廣州)有限公司尹志堯1000.0000萬人民幣100.002023-08-23在業(yè)2成都英杰晨暉科技有限公司周英懷16666.6660萬人民幣16.002023-04-25存續(xù)3蘇州索雷爾科技有限公司W(wǎng)ILSONWEICHENG

LIN179.3400萬人民幣5.332022-12-02存續(xù)4浙江麗水中欣晶圓半導體科技有限公司賀賢漢250000.0000萬人民幣4.002021-11-02存續(xù)5廣州華芯盛景創(chuàng)業(yè)投資中心(有限合伙)珠海華芯量子咨詢管理企業(yè)(有限合伙)213131.3131萬人民幣2.352021-10-28在業(yè)6芯匯康生命科學(上海)有限公司尹志堯1000.0000萬人民幣100.002021-09-18存續(xù)7無錫正海緣宇創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)(有限合伙)上海正海資產(chǎn)管理有限公司13000.0000萬人民幣98.462021-09-15存續(xù)8中微科技投資管理(上海)有限公司尹志堯30000.0000萬人民幣100.002021-01-12存續(xù)9深圳市芯視佳半導體科技有限公司曹緒文4940.1103萬人民幣3.012020-09-25存續(xù)10中微半導體(上海)有限公司尹志堯100000.0000萬人民幣100.002020-06-12存續(xù)11廣東省橫琴數(shù)字光芯半導體科技有限公司孫雷151.7370萬人民幣4.082019-06-10存續(xù)12中微匯鏈科技(上海)有限公司尹志堯1000.0000萬人民幣80.002018-08-10存續(xù)13深圳市志橙半導體材料股份有限公司朱佰喜6000.0000萬人民幣4.812017-12-26存續(xù)14南昌中微半導體設備有限公司尹志堯2500.0000萬人民幣100.002017-12-15存續(xù)15杭州中欣晶圓半導體股份有限公司賀賢漢503225.6776萬人民幣2.562017-09-28存續(xù)16昂坤視覺(北京)科技有限公司馬鐵中1140.3157萬人民幣3.342017-02-09存續(xù)17上海洪樸信息科技有限公司許劍鋒1020.4082萬人民幣21.012016-08-29存續(xù)18中微半導體設備(廈門)有限公司尹志堯(GERALD

ZHEYAO

YIN)2000.0000萬人民幣100.002015-12-11存續(xù)19中微惠創(chuàng)科技(上海)有限公司尹志堯1650.0000萬人民幣100.002014-12-27存續(xù)20上海芯元基半導體科技有限公司郝茂盛675.0528萬人民幣10.022014-10-24存續(xù)21理想萬里暉半導體設備(上海)股份有限公司孫曦東23512.8795萬人民幣4.202013-05-21存續(xù)22新美光(蘇州)半導體科技有限公司夏秋良1049.9858萬人民幣2.492013-01-22存續(xù)23拓荊科技股份有限公司劉靜18818.8255萬人民幣7.372010-04-28存續(xù)24江蘇先鋒精密科技股份有限公司游利15178.4856萬人民幣1.932008-03-20存續(xù)25成都超純應用材料有限責任公司柴杰1451.2840萬人民幣4.342005-08-25存續(xù)26睿勵科學儀器(上海)有限公司FENG

YANG(楊峰)63263.8570萬人民幣36.492005-06-27存續(xù)27杭州博日科技股份有限公司賀賢漢6331.7143萬人民幣2.582002-06-28存續(xù)10圖表3：公司發(fā)展歷程MOCVD開始開發(fā)用于LED外延片加工中最關鍵的設備MOCVD

設備首臺MOCVD設備產(chǎn)品PrismoD-Blue研制成功發(fā)布用于深紫外LED量產(chǎn)的MOCVD設備PrismoHiT3發(fā)布用于高性能Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設備PrismoUniMax啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設備的開發(fā)；針對Micro-LED

應用的專用MOCVD

設備正開發(fā)中；推出用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的

MOCVD設備PrismoPD5?針對Micro-LED

應用的專用MOCVD

設備付運樣機至國內(nèi)領先客戶開展生產(chǎn)驗證用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD

設備PRISMOPD5已交付多家國內(nèi)外領先客戶進行生產(chǎn)驗證，并取得重復訂單；用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設備正在開發(fā)中，已付運樣機至國內(nèi)領先客戶開展驗證測試環(huán)保設備首臺VOC設備產(chǎn)品研制成功20042005201020122014201520162018201920202021202220232024中微有限設立一期新廠房6,500平方米落成啟動二期新廠房22,000平方米落成啟動《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要發(fā)布后中微成為第一家“大基金”投資的企業(yè)中微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和蘇州聚源東方完成對拓荊投資完成股份公司整體變更成為科創(chuàng)板首批上市公司之一中微半導體設備產(chǎn)業(yè)化項目簽約落戶上海自貿(mào)試驗區(qū)臨港新片區(qū)“東方芯港”集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)基地中微完成再融資發(fā)行，共募資82億元在南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已于2023年7月投入使用在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地主體建設已完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心將于2025年投入使用請參閱附注免責聲明資料來源：公司公告，公司招股說明書，公司官網(wǎng)，中郵證券研究所11ICP雙反應臺TSV/MEMS首臺深硅刻蝕設備產(chǎn)品研制成功Twin-Star雙反應臺；高輸出&低成本Twin-StarSE：晶圓邊緣保護功能和低頻偏壓系統(tǒng)Twin-Star

200：基于TSV反應臺改良；用于8寸高輸出

&

低成本首臺Primo-TwinStar200交付到客戶端開展MetaLens的產(chǎn)線上認證單反應臺Nanova

SE開始開發(fā)ICP

刻蝕設備首臺ICPPrimonanova研制成功Nanova

VE主要應用于高深寬比結構刻蝕Nanova

VE

HP在DRAM制造中的的高深款比多晶硅掩膜應用上，投入大量產(chǎn)Nanova

UE主要應用于超高均勻性刻蝕NanovaLUXVE+UE的特征，應用于高均勻性高深寬比刻蝕LUX已逐步在多個客戶的產(chǎn)線上實現(xiàn)小量產(chǎn)CCP雙反應臺DSC

D-RIE開始開發(fā)CCP

PrimoD-RIEPrimoD-RIE研制成功DSC

AD-RIEPrimoAD-RIE刻蝕設備研制成功主要應用于邏輯和存儲前端，后端互聯(lián)工藝AD-RIE-e邏輯和存儲前端工藝，后端互聯(lián)工藝改進PrimoAD-RIE并進入5nm生產(chǎn)線DSC

SD-RIE可調(diào)節(jié)電極間距，已進入國內(nèi)領先的邏輯芯片制造客戶開展現(xiàn)場驗證首家先進邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕的驗證進入良率測試，進入第二家客戶現(xiàn)場驗證Bevel

Etch開發(fā)晶圓邊緣

Bevel

刻蝕設備晶圓邊緣

Bevel

刻蝕設備進入客戶驗證單反應臺SSC

AD-RIEPrimoSSC

AD-RIE研制成功SSC

HD-RIEHD-RIE：DRAM

和3D

NAND前中端刻蝕HD-RIE+：高深寬比刻蝕(40:1)HD-RIEe：高均勻性高選擇比刻蝕(40-60:1)SSC

UD-RIE已經(jīng)在生產(chǎn)線驗證出具有刻蝕≥60:1深寬比結構的能力已經(jīng)在生產(chǎn)線驗證出具有刻蝕≥60:1深寬比結構的量產(chǎn)能力2004200720102011201220132015201620182020202220232024請參閱附注免責聲明資料來源：公司公告，公司招股說明書，公司官網(wǎng)，中郵證券研究所12薄膜鎢系列開發(fā)LPCVD、EPI和ALD首臺

CVD

鎢設備付運到關鍵存儲客戶端驗證評估；新型號的

CVD

鎢和

ALD鎢設備目前已開始實驗室測試同時和關鍵客戶開始對接驗證已有4款LPCVD-ALD導體薄膜沉積設備進入市場，首臺

CVD

鎢設備獲得關鍵存儲客戶重復量產(chǎn)訂單；新型號

HAR

W

鎢設備及

ALDW

鎢設備通過存儲客戶現(xiàn)場驗證進一步開發(fā)的具備三維填充能力的

ALD鎢設備獲得關鍵存儲客戶重復量產(chǎn)訂單；鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，均已通過關鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證并收到重復量產(chǎn)訂單，并已經(jīng)付運機臺到邏輯客戶進行驗證；HAR

鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證，并獲得客戶重復量產(chǎn)訂單ALD應用于高端存儲和邏輯器件的

ALD

氮化鈦設備穩(wěn)步推進，已經(jīng)進入實驗室測試階段EPIEPI設備已進入樣機的設計，制造和調(diào)試階段，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求EPI

設備已進入工藝驗證和客戶驗證階段EPI設備已順利進入客戶驗證階段，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求2021202220232024請參閱附注免責聲明資料來源：公司公告，公司招股說明書，公司官網(wǎng)，中郵證券研究所4.705.668.1312.8920.0431.4747.03

0.16

5.302.898.327.574.965.037.004.626.109.7216.3919.4722.7331.0847.4062.640102030405060702017202020212016刻蝕設備2018MOCVD設備2019其他設備銷售備品備件2022服務收入2023合計?

營收：公司從2012年到2023年超過十年的平均年營業(yè)收入增長率超過35%，其中2020-2023年等離子體刻蝕設備營收年均增長大于50%，MOCVD設備受終端市場波動影響，收入有所下降。2024年上半年度公司實現(xiàn)營收34.48億元，同比+36.46%，其中刻蝕設備/MOCVD設備分別實現(xiàn)營收26.98/1.52億元，同比+56.68%/-49.04%，新產(chǎn)品LPCVD設備實現(xiàn)首臺銷售，收入0.28億元。圖表4：2016-2023年公司各業(yè)務營收（億元）年均增長>35%資料來源：iFind，公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明13(2.39)0.300.911.894.9210.1111.7017.86(2.33)(0.69)1.041.480.233.249.1911.91(5.0)0.05.010.015.020.0歸母 扣非歸母?

利潤：公司2023年歸母凈利潤17.9億元（其中出售部分拓荊股權稅后凈收益4.06億元），較2022年同比+52.7%；2024年上半年歸母凈利潤5.2億元，同比-48.48%，扣非凈利潤4.83億元，同比只減少6.9%，主要由于公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補短板，實現(xiàn)趕超。圖表5：2016-2023年公司歸母/扣非后歸母凈利潤、政府補助（億元）1.16 1.171.010.273.481.830.940.020162017201820192020202120222023計入當期損益的政府補助,但部分特殊情況的政府補助除外2.53資料來源：iFind，公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明1438.23%34.91%33.91%37.32%42.20%45.18%45.17%420.026%39.15%37.28%38.47%37.64%46.92%46.88%48.30%42.52%38.59%35.50%34.93%37.67%43.36%45.74%45.83%30%35%40%45%50%2016201720202021202220232018專用設備2019備品備件綜合毛利率?

毛利率：公司2016-2019年綜合毛利率波動主要系產(chǎn)品結構變化，2016-2018年公司MOCVD設備的毛利率分別為33.82%/38.13%/26.33%，刻蝕設備的毛利率分別為43.13%/38.37%/47.52%，MOCVD營收占比較高使得綜合毛利率較低，后續(xù)公司刻蝕設備占比顯著提升帶來綜合毛利率的顯著增長。2024H1公司的毛利率為41.32%，主要系公司根據(jù)會計準則2024年新規(guī)定將本期產(chǎn)生的預計產(chǎn)品質量保證損失9,477.58萬元計入營業(yè)成本。圖表6：2016-2023公司主營業(yè)務毛利率資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明15銷售費用：銷售費用變動主要系公司規(guī)模擴大，職工薪酬、股份支付等費用增加。管理費用：管理費用變動主要系公司規(guī)模擴大，職工薪酬、股份支付等費用增加。研發(fā)費用：研發(fā)費用變動主要系耗用的原材料和低值易耗品、職工薪酬、股份支付費用等影響。財務費用：財務費用變動主要系當期利息收入影響。圖表7：2016-2023年公司相關費用率9.38%49.62%5.84%8.75%14.55%12.79%12.77%13.04%21.71%16.66%13.21%7.21%7.96%10.41%6.73%9.53%6.52%8.62%4.98%7.85%5.49%0.37%1.84%0.63%12.00%10.12%5.59%-0.06%-0.33%-1.39%50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%-5%2016201720202022-3.19%20232018管理費用率2019研發(fā)費用率銷售費用率2021-2.28%財務費用率資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明16?

2024H1，公司研究開發(fā)支出共計9.70億元，政府補助抵減研發(fā)費用1,841.38萬元，研究開發(fā)支出凈額為9.52億，其中計入研發(fā)費用5.68億元，開發(fā)支出資本化3.84億元，研發(fā)費用率為16.5%。2024H1研發(fā)投入資本化的比重較去年同期增加9.56個百分點，主要系隨著研發(fā)項目持續(xù)推進，本期在研項目達到資本化標準的金額增加。已資本化的開發(fā)階段的支出在資產(chǎn)負債表上列示為開發(fā)支出，自該項目達到預定用途之日起轉為無形資產(chǎn)內(nèi)部開發(fā)技術，內(nèi)部開發(fā)技術按開發(fā)階段滿足資本化條件發(fā)生的實際成本入賬，并按預計使用年限7年平均攤銷。圖表8：2016-2023年公司研發(fā)投入明細、研發(fā)支出的歸集范圍及相關會計處理方法201620172018201920202021202220232024研發(fā)投入總額(億元)3.023.304.044.256.407.289.2912.629.52其中：資本化研發(fā)投入(億元)--1.621.921.750.771.321.543.813.84資本化研發(fā)投入占研發(fā)投入比例--48.90%47.64%41.30%12.07%18.20%16.60%30.18%40.37%研發(fā)投入總額占營業(yè)收入比例49.62%34.00%24.65%21.81%28.14%23.42%19.59%20.15%27.61%研發(fā)人員數(shù)量(人)----240276346415592788967研發(fā)人員數(shù)量占比----36.75%38.17%38.70%39.60%42.93%45.76%46.38%試制樣機初步完成研制之前，為研究生產(chǎn)工藝而進行的有計劃的調(diào)查、評價和選擇階段的支出為研究階段的支出，于發(fā)生時計入當期損益；試制樣機初步完成研制至大規(guī)模生產(chǎn)之前，針對生產(chǎn)工藝最終應用的相關設計、測試階段的支出為開發(fā)階段的支出，同時滿足下列條件的，予以資本化：生產(chǎn)工藝的開發(fā)已經(jīng)技術團隊進行充分論證；管理層已批準生產(chǎn)工藝開發(fā)的預算；前期市場調(diào)研的研究分析說明生產(chǎn)工藝所生產(chǎn)的產(chǎn)品具有市場推廣能力；有足夠的技術和資金支持，以進行生產(chǎn)工藝的開發(fā)活動及后續(xù)的大規(guī)模生產(chǎn)；以及生產(chǎn)工藝開發(fā)的支出能夠可靠地歸集。資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明17?

公司人均年銷售持續(xù)增長，人均創(chuàng)收超過350萬元，達到世界一流水平。圖表9：2019-2023公司員工專業(yè)結構（單位：人）123169251269254297344(48)51426559785-100-500501001502002503003504003641042016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023人均創(chuàng)收(萬元)人均創(chuàng)利(萬元)圖表10：2016-2023公司人均創(chuàng)收、人均創(chuàng)利12614415918022152596776907238941,0481,379020040060080010001200140016001800 1,7222019 2020 2021 2022 2023行政人員 銷售人員 技術人員財務人員 生產(chǎn)人員 合計資料來源：iFind，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明18請參閱附注免責聲明資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所2024年股權激勵2023年股權激勵2022年股權激勵2020年股權激勵授予價格總計不超過1080萬股限制性股票（第二類限制性股票）；首次授予880萬股，預留200萬股；授予價格為76.10元/股。總計不超過550萬股限制性股票（第二類限制性股票）：本次授予為一次性授予，無預留權益。最初授予價格為50.00元/股，經(jīng)調(diào)整后授予價格為49.80元/股?？傆嫴怀^400萬股限制性股票（第二類限制性股票）：本次授予為一次性授予，無預留權益。最初授予價格為50.00元/股，經(jīng)調(diào)整后授予價格為49.80元/股。限制性股票激勵：總計800萬股限制性股票（第二類限制性股票）；首次授予670萬股，預留130萬股股票增值權激勵：總計54.68萬份股票增值權授予對象首次授予激勵對象不超過1798人，占公司全部職工人數(shù)的99.72%；其中：董事、高級管理人員（6人），核心技術人員（5人），共計獲授69.17萬股；董事會認為需要激勵的其他人員（1787人），共計獲授810.83萬股；預留授予200萬股。首次授予激勵對象不超過1390人，占公司全部職工人數(shù)的99.43%；其中：董事、高級管理人員（8人），核心技術人員（3人），共計獲授54.979萬股；董事會認為需要激勵的其他人員（1379人），共計獲授495.021萬股。首次授予激勵對象不超過1104人，占公司全部職工人數(shù)的99.37%；其中：董事、高級管理人員（8人），核心技術人員（3人），共計獲授39.892萬股；董事會認為需要激勵的其他人員（1095人），共計獲授360.108萬股。限制性股票激勵：首次授予的激勵對象總人數(shù)為700人，占公司全部職工人數(shù)的91.86%；其中，核心技術人員（3人），董事會認為需要激勵的其他人員（697人）。預留授予130萬股。股票增值權激勵：激勵對象范圍本計劃激勵對象為公司董事、高級管理人員，共計6人。行權條件第一個歸屬期滿足下列條件：以公司2023年營業(yè)收入為基數(shù)，2024年營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第二個歸屬期滿足下列條件：以公司2023年營業(yè)收入為基數(shù)，2024、2025年度營業(yè)收入累計值定比基數(shù)的年度累計營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第三個歸屬期滿足下列條件：以公司2023年營業(yè)收入為基數(shù)，2024、2025、2026年度營業(yè)收入累計值定比基數(shù)的年度累計營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第四個歸屬期滿足下列條件：以公司2023年營業(yè)收入為基數(shù)，2024、2025、2026、2027年度營業(yè)收入累計值定比基數(shù)的年度累計營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第一個歸屬期滿足下列條件：以公司2022年營業(yè)收入為基數(shù)，2023年營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第二個歸屬期滿足下列條件：以公司2022年營業(yè)收入為基數(shù)，2023、2024年度營業(yè)收入累計值定比基數(shù)的年度累計營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第三個歸屬期滿足下列條件：以公司2022年營業(yè)收入為基數(shù)，2023、2024、2025年度營業(yè)收入累計值定比基數(shù)的年度累計營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第四個歸屬期滿足下列條件：以公司2022年營業(yè)收入為基數(shù)，2023、2024、2025、2026年度營業(yè)收入累計值定比基數(shù)的年度累計營業(yè)收入增長率不低于對標企業(yè)算術平均增長率*0.8；第一個歸屬期滿足下列條件：以公司2021年營業(yè)收入為基數(shù),2022年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于15%；第二個歸屬期滿足下列條件：以公司2021年營業(yè)收入為基數(shù)，2023年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于35%；第三個歸屬期滿足下列條件：以公司2021年營業(yè)收入為基數(shù)，2024年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于50%；第四個歸屬期滿足下列條件：以公司2021年營業(yè)收入為基數(shù)，2025年度的營業(yè)收入定比

2021年度營業(yè)收入的營業(yè)收入增長率不低于75%；第一個歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎，2019年、2020年兩年營業(yè)收入累計值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計營業(yè)收入增長率不低于200%；第二個歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎，2019年、2020年和2021年三年營業(yè)收入累計值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計營業(yè)收入增長率不低于370%；第三個歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎，2019年、2020年、2021年和2022年四年營業(yè)收入累計值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計營業(yè)收入增長率不低于560%；第四個歸屬期滿足下列條件：以公司2016-2018年度的營業(yè)收入均值為基礎，2019年、2020年、2021年、2022年和2023年五年營業(yè)收入累計值定比2016-2018年度營業(yè)收入均值的年度累計營業(yè)收入增長率不低于800%首次授予預計攤銷2024-2028：2.41/2.50/1.37/0.68/0.16億元2023-2027：1.76/1.81/0.98/0.48/0.11億元2022-2026：1.26/1.09/0.59/0.28/0.05億元2020-2024：1.26/1.61/0.85/0.42/0.11億元注：1.對標企業(yè)指Gartner公布的相應年度全球半導體設備廠商銷售額排名前五位的公司（如果Gartner未公布或未及時公布，可采用其他權威機構數(shù)據(jù)）；2.對標企業(yè)算數(shù)平均增長率=各對標企業(yè)各考核年度的營業(yè)收入累計值定比2023年度（2024年股權激勵考核目標）/2022年度（2023年股權激勵考核目標）的累計營業(yè)收入增長率（同中微公司各考核年度累計營業(yè)收入增長率算法）之和除以五；3.如對標企業(yè)年度報告財務報表日在1-9月內(nèi)或對標企業(yè)考核年度的年度報告在中微公司董事會審議歸屬條件是否成就議案的前一日尚未披露，則選取對標企業(yè)已披露的最近四個季度財務數(shù)據(jù)（含考核年度內(nèi)各季度）之和作為考核年度數(shù)據(jù)用于比較。如對標企業(yè)年度報告財務報表日在10-12月且對標企業(yè)考核年度的年度報告在中微公司董事會審議歸屬條件是否成就議案的前一日已披露，則將對標企業(yè)考核年度的年度報告數(shù)據(jù)視為考核年度數(shù)據(jù)。 19圖表11：公司歷次股權激勵計劃；20二產(chǎn)品：刻蝕+薄膜+量檢測，現(xiàn)覆蓋約33%集成電路設備PECVD介質ALD原子水平LPCVD導體EPI單晶PVD金屬MOCVD爐管大批量離子注入設備目前公司覆蓋約33%集成電路設備市場，包括等離子體刻蝕設備、薄膜設備以及檢測設備。同時公司繼續(xù)瞄準世界科技前沿，

持續(xù)踐行三維發(fā)展戰(zhàn)略，聚焦集成電路關鍵設備領域，擴展在泛半導體關鍵設備領域應用并探索其他新興領域的機會，推進公司實現(xiàn)高速、穩(wěn)定、健康、安全發(fā)展。公司堅持以市場和客戶需求為導向，積極應對復雜形勢，繼續(xù)加大研發(fā)投入和業(yè)務開拓力度，推動以研發(fā)創(chuàng)新為驅動的高質量增長策略，抓住重點客戶擴產(chǎn)投資機會，推進訂制化、精細化生產(chǎn)模式，公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD設備等設備產(chǎn)品研發(fā)、市場布局、新業(yè)務投資拓展等諸多方面取得了較大的突破和進展，產(chǎn)品不斷獲得海內(nèi)外客戶的認可，為公司持續(xù)健康發(fā)展提供了有力支撐。圖表12：公司三維發(fā)展版圖以及集成電路設備覆蓋情況集成電路設備設備泛半導體設備刻蝕機其他檢測機LED顯示LED照明ChipletMEMSFPD顯示屏RF器件功率器件太陽能電池薄膜機光刻機DUVEUV等離子體刻蝕高能CCP刻蝕低能ICP刻蝕晶圓邊緣刻蝕除膠干法清洗檢測設備光學檢測電子束檢測濕法設備顯影機化機拋光電鍍機清洗機中微22%中微5%睿勵

6%現(xiàn)覆蓋約33%集成電路設備薄膜設備資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明21公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長約32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%；由于公司MOCVD設備已經(jīng)在藍綠光LED生產(chǎn)線上占據(jù)絕對領先的市占率，受終端市場波動影響，2023年MOCVD設備訂單同比下降約72.2%。2024年上半年公司新增訂單47.0億元，同比增長約40.3%。其中刻蝕設備新增訂單39.4億元，同比增速約50.7%；LPCVD上半年新增訂單1.68億元，新產(chǎn)品開始啟動放量。公司2024年上半年新增訂單中，來自存儲客戶的占比較高，先進制程（包括先進邏輯及存儲）占比超過70%。2024年前三季度公司新增訂單76.4億元，同比增長約52.0%。其中刻蝕設備新增訂單62.5億元，同比增長約54.7%；LPCVD新增訂單3.0億元，新產(chǎn)品開始啟動放量；預計2024年累計新增訂單將達到110-130億元。21.70資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明2241.3063.2083.602004060801002020202120222023圖表13：2020-2023年公司新簽訂單（億元）2.8016.8034.8045.300102030405020222025現(xiàn)有廠房面積2023增加南昌基地2024增加臨港基地增加臨港總部大樓根據(jù)客戶訂單需求，公司2024年前三季度（1-9月）共生產(chǎn)專用設備1,160腔，同比增長約310%，對應產(chǎn)值約94.19億元，同比增長約287%，為公司后續(xù)出貨及確認收入打下了較好的基礎。為擴充資產(chǎn)規(guī)模、增強公司實力以持續(xù)做大做強主業(yè)，公司產(chǎn)業(yè)化建設項目正在順利推進中。公司位于南昌的約14萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海臨港的約18萬平方米的生產(chǎn)和研發(fā)基地主體建設已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發(fā)中心也在順利建設，將于2025年投入使用。三年之內(nèi)廠房面積將擴大15倍，為公司今后十幾年大發(fā)展奠定堅實的基礎。資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明23圖表14：公司廠房面積（萬平方米）請參閱附注免責聲明資料來源：公司公告，中郵證券研究所?

公司已有的

CCP

刻蝕產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋28納米以上邏輯器件制造的絕大部分CCP刻蝕應用；在存儲器件制造工藝中，公司的成熟產(chǎn)品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應用。同時公司積極布局超低溫刻蝕技術，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結構刻蝕的前衛(wèi)技術。PrimoDRIE，Primo

AD-RIEPrimo

DRIE，Primo

AD-RIE

可以滿足絕大多數(shù)

28

納米以上

CCP

刻蝕制程的需求，2024

年上半年付運數(shù)量超過

2023

年全年付運。Primo

AD-RIE-e配備動態(tài)調(diào)溫靜電吸盤的雙反應臺

PrimoAD-RIE-e

除了持續(xù)付運用于最先進的邏輯芯片生產(chǎn)線外，持續(xù)拓寬應用，取得先進存儲生產(chǎn)線的重復訂單，2024

年上半年付運量為

2023

年全年的

2

倍以上。Primo

SD-RIE可調(diào)節(jié)電極間距的雙反應臺

CCP

刻蝕機

Primo

SDRIE

在首家先進邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕工藝的驗證進入良率測試階段，已經(jīng)進入第二家客戶開展現(xiàn)場驗證，并與多家客戶達成評估意向，目前實驗室開發(fā)進展順利。PrimoHD-RIEPrimo

HD-RIEePrimo

UD-RIE單反應臺

CCP

刻蝕設備

Primo

HDRIE，Primo

HD-RIEe

和

Primo

UD-RIE

付運勢頭強勁，2024

年上半年付運量較

2023

年全年增加約

3

倍。Primo

UD-RIE公司針對超高深寬比刻蝕自主開發(fā)的具有大功率

400kHz

偏壓射頻的

Primo

UD-RIE

已經(jīng)在生產(chǎn)線

驗證出具有刻蝕≥60:1

深寬比結構的量產(chǎn)能力。該設備適用于

DRAM

和

3D

NAND

器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝。 24圖表15：公司CCP刻蝕產(chǎn)品系列發(fā)展路線及進展25資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明公司CCP刻蝕設備中雙反應臺中

Primo

D-RIE、Primo

AD-RIE、Primo

AD-RIE-e

新增付運量保持高速增長，2024年上半年付運量超過2023年全年付運量。單反應臺CCP刻蝕設備

Primo

HDRIE，Primo

HD-RIEe

和

Primo

UD-RIE

付運勢頭強勁，2024年上半年付運量較2023年全年增加約3倍。截至2024年6月，公司累計生產(chǎn)付運超過3600個CCP刻蝕反應臺，2024

年上半年新增付運設備數(shù)量創(chuàng)歷史新高。圖表16：公司CCP刻蝕設備累計安裝機臺數(shù)量（反應臺）26資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明可調(diào)節(jié)電極間距的雙反應臺

CCP

刻蝕機

PrimoSD-RIE

在首家先進邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕工藝的驗證進入良率測試階段，已經(jīng)進入第二家客戶開展現(xiàn)場驗證，并與多家客戶達成評估意向，目前實驗室開發(fā)進展順利。Primo

SD-RIE

采用雙反應臺平臺設計，在滿足嚴苛工藝指標的同時可以有效的降低生產(chǎn)成本。PrimoSD-RIE

具有實時可調(diào)電極間距功能，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，能靈活調(diào)節(jié)等離子體濃度分布和活性自由基濃度分布。針對復雜膜層結構的刻蝕工藝，Primo

SD-RIE

可以通過動態(tài)調(diào)節(jié)電極間距以及多區(qū)調(diào)溫靜電吸盤對的溫度來達到最優(yōu)的刻蝕均勻性。圖表17：公司SD-RIE：實時可變電極間距擴大金屬掩膜大馬士革刻蝕工藝窗口資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所圖表18：公司開發(fā)的三代CCP高能等離子體刻蝕機刻蝕極高深寬比細孔歷史中微首創(chuàng)2025年：90:1第五代：LL-RIE2021年：60:1第四代：UD-RIE2018年：40:1第三代：HD-RIE2014年：20:1第二代：AD-RIE?

在存儲器件制造工藝中，公司的成熟產(chǎn)品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應用。同時，公司針對超高深寬比刻蝕自主開發(fā)的具有大功率400kHz偏壓射頻的Primo

UD-RIE已經(jīng)在生產(chǎn)線驗證出具有刻蝕≥60:1深寬比結構的量產(chǎn)能力。該設備適用于DRAM和3D

NAND器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝。同時，公司積極布局超低溫刻蝕技術，在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上投入大量資源，積極儲備更高深寬比結構刻蝕的前衛(wèi)技術。同時公司新開發(fā)的晶圓邊緣

Bevel

刻蝕設備也計劃在2024年投入市場驗證。請參閱附注免責聲明27資料來源：公司公告，中郵證券研究所?

公司ICP刻蝕設備產(chǎn)品部門持續(xù)為推出下一代ICP刻蝕設備做技術儲備，以滿足新一代的邏輯、DRAM和3D

NAND存儲等芯片制造對ICP刻蝕的需求。在追求更高刻蝕性能的同時，根據(jù)國內(nèi)對成熟制程和新興特殊器件的工藝需求，公司開發(fā)了Primo

Menova

Al刻蝕設備，并和多個客戶開展鋁線刻蝕工藝的合作開發(fā)。請參閱附注免責聲明28圖表19：公司ICP等離子體刻蝕產(chǎn)品研發(fā)歷史和產(chǎn)品系列圖表20：公司ICP單臺機Primo

Nanova累計安裝機臺數(shù)量近三年復合增長率超過70%24H1報告期間內(nèi)，公司持續(xù)推進各種Nanova

UE、LUX

和

VE

HP在先進邏輯芯片、先進DRAM和3DNAND的ICP驗證刻蝕工藝的驗證。其中Nanova

VE

HP在DRAM制造中的的高深款比多晶硅掩膜應用上，投入大量產(chǎn)。LUX也已逐步在多個客戶的產(chǎn)線上實現(xiàn)小量產(chǎn)。Primo

TwinStar?則在海內(nèi)外客戶的成熟邏輯芯片、功率器件、微型發(fā)光二極管Micro-LED、AR眼鏡用的超透鏡Meta

Lens等特色器件的產(chǎn)線上實現(xiàn)量產(chǎn)，并取得重復訂單。首臺Primo-Twin

Star?

200也付到客戶端開展Meta

Lens的產(chǎn)線上認證。24H1報告期內(nèi)，公司

ICP

技術設備類中的

8

英寸和

12

英寸深硅刻蝕設備

Primo

TSV

200E?、

PrimoTSV

300E?在晶圓級先進封裝、2.5D

封裝和微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟市場繼續(xù)獲得重復訂單的同時，在

12

英寸的

3D

芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶新建的

世界第一條12

英寸微機電系統(tǒng)芯片產(chǎn)線上獲得認證的機會，這些新工藝的驗證為公司Primo

TSV

300E?刻蝕設備拓展了新的市場。資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明29?

24H1報告期內(nèi)，公司的ICP刻蝕設備在涵蓋邏輯、DRAM、3D

NAND、功率和電源管理、以及微電機系統(tǒng)等芯片和器件的

60

多條客戶的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，并持續(xù)進行更多刻蝕應用的驗證。ICP單機臺PrimoNanova在客戶端安裝腔體數(shù)近三年實現(xiàn)>70%的年均復合增長，

截止24H1，超過700個Primo

Nanova反應腔在邏輯、DRAM和3D

NAND客戶產(chǎn)線上運行。公司用于藍光照明的PRISMO

A7?、用于深紫外LED的

PRISMO

HiT3?、用于Mini-LED顯示的PRISMOUniMax?等產(chǎn)品持續(xù)服務客戶。截止24H1，公司累計MOCVD產(chǎn)品出貨量超過

500

腔，持續(xù)保持國際氮化鎵基MOCVD設備市場領先地位。其中PRISMO

UniMax?產(chǎn)品，憑借其高產(chǎn)量、高波長均勻性、高良率等優(yōu)點，受到下游客戶的廣泛認可，已累計出貨近150腔，在Mini-LED顯示外延片生產(chǎn)設備領域處于國際領先地位。PRISMO

UniMax?設備拓展了公司的MOCVD設備產(chǎn)品線，為全球LED芯片制造商提供極具競爭力的Mini-LED量產(chǎn)解決方案，公司正與更多客戶合作進行設備評估，擴大市場推廣。同時，針對Micro-LED應用的專用MOCVD設備開發(fā)順利，實驗室初步結果實現(xiàn)了優(yōu)良的波長均勻性能，已付運樣機至國內(nèi)領先客戶開展生產(chǎn)驗證。公司還積極布局用于功率器件應用的第三代半導體設備市場。公司開發(fā)了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設備PRISMO

PD5?，已交付多家國內(nèi)外領先客戶進行生產(chǎn)驗證，并取得了重復訂單；正開發(fā)下一代用于氮化鎵功率器件制造的新型MOCVD設備；同時也啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設備的開發(fā)，目前已取得較大的技術進展，實現(xiàn)了優(yōu)良的工藝結果，已將樣機付運至客戶端開展生產(chǎn)驗證。圖表21：公司

PRISMO

UniMax?

MOCVD

設備資料來源：公司公告，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明30圖表22：公司PRISMO

PD5?

MOCVD

設備?

公司鎢系列薄膜沉積產(chǎn)品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，均已通過關鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證并收到重復量產(chǎn)訂單。同時公司已完成多個邏輯和存儲客戶對CVD/HAR/ALD

W鎢設備的樣品驗證，并已經(jīng)付運機臺到邏輯客戶進行驗證。同期，公司開發(fā)的應用于高端存儲和邏輯器件的ALD氮化鈦設備也在穩(wěn)步推進。公司的薄膜沉積設備采用獨特的雙腔設計，每個腔體可獨立進行工藝調(diào)節(jié)，保證產(chǎn)品性能的同時大大提高了產(chǎn)能，降低了材料成本。此外，公司獨立自主的知識產(chǎn)權設計確保了更優(yōu)化的產(chǎn)品性能，保障了產(chǎn)品未來的可持續(xù)發(fā)展。目前公司EPI設備已順利進入客戶驗證階段以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。圖表23：公司薄膜設備產(chǎn)品路線圖31資料來源：公司公告，公司2024年半年度業(yè)績說明會，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明20232024202520262027W

FamilyCVD

WHAR

WALD

WWCNSel

WCVDW

G2ALDW

G2ALDALDTiNALD

TiAlALD

TaNALD

MoALDMG

G2ALDHfOxALDLaOxALD

AlOxALDMo

G2PECVDPETiPECoMO

TiNPETi

G2PECo

G2PVDCuBSw/Sel

DepPVD

TaN/AlRFPVD

FamilyImpulsePVDAlOx/AlNx/SiN公司開發(fā)的CVD鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證，滿足金屬互聯(lián)鎢制程各項性能指標，并獲得客戶重復量產(chǎn)訂單。公司在CVD

W基礎上開發(fā)的HAR（高深寬比）鎢設備采用創(chuàng)新的工藝解決方案，已通過關鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證，滿足存儲器件中的高深寬比金屬互聯(lián)應用中各項性能指標，并獲得客戶重復量產(chǎn)訂單。公司進一步自主開發(fā)的具備三維填充能力的ALD（原子層沉積）鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現(xiàn)場驗證，滿足三維存儲器件字線應用中各項性能需求，并獲得客戶重復量產(chǎn)訂單。32圖表24：公司在研項目情況（截止24H1報告期，單位：億元）序號項目名稱預計總投資規(guī)模本期投入金額累計投入金額進展或階段性成果擬達到目標技術水平具體應用前景1用于存儲器刻蝕的CCP刻蝕設備（128P)5.761.694.87應用展開階段，Beta機客戶端已完成溝道刻蝕（深寬比

60:1）等4道工藝的驗證，已展開大規(guī)模量產(chǎn)。設計開發(fā)超低頻和超大功率的射頻等離子系統(tǒng)及對應的靜電吸盤、多區(qū)控溫性能的上電極、溫度可調(diào)節(jié)的邊緣環(huán)系統(tǒng)等，滿足超高深寬比的刻蝕需求。同時將該特定應用的刻蝕機，擴展為通用的高深寬比存儲器刻應用的刻蝕機，并在多個存儲器晶圓生產(chǎn)線上進行工藝驗證。追趕國際先進水平3D

NAND，≥128層2先進邏輯電路的CCP刻蝕設備3.110.422.77工藝開發(fā)階段，多臺Beta機已交付客戶并通過了客戶驗證。實現(xiàn)等離子體密度分布的可調(diào)節(jié)，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的要求國際先進水平7

納米以下邏輯電路刻蝕3用于Micro-LED應用的新型MOCVD設備2.180.321.86開發(fā)階段，Alpha機開發(fā)中，客戶樣機驗證中。研發(fā)新型MOCVD設備，滿足Micro

LED生產(chǎn)對于外延設備的要求產(chǎn)出外延片波長均勻性

（STD）達到0.8nm以下手表，AR/VR，電視等用顯示屏4用于5-3納米邏輯芯片制造的ICP刻蝕機3.681.283.04Beta機臺繼續(xù)在客戶端開展更多制程的驗證。研制成功5納米的刻蝕設備并完成在先進邏輯芯片生產(chǎn)廠家的評估，并實現(xiàn)銷售。完成3納米刻蝕機Alpha原型機的設計、制造、測試及初步的工藝開發(fā)和評估。中微新一代用于5-3納米邏輯芯片制造的ICP刻蝕設備研制項目的總體技術性能水平將達到世界先進水平，與國際主要競爭對手“并跑”。本項目開發(fā)的設備產(chǎn)品將首先被應用在國內(nèi)正在大力發(fā)展的邏輯芯片制造廠家，主

要包括中芯國際、華力微電子等重要客戶。將對高端設備國產(chǎn)化產(chǎn)生重大的效益

和影響。同時，也會盡可能地開發(fā)國際市場如臺積電等。請參閱附注免責聲明資料來源：公司公告，中郵證券研究所33圖表24：公司在研項目情況（截止24H1報告期，單位：億元）序號項目名稱預計總投資規(guī)模本期投入金額累計投入金額進展或階段性成果擬達到目標技術水平具體應用前景5用于存儲器芯片制造的

ICP刻蝕機2.210.291.83項目開發(fā)完成，Beta機在客戶端生產(chǎn)線的驗證通過一

部分刻蝕工藝，取得重復訂單并投入

量產(chǎn)。

同時開展更多制程的驗證面向300mm3DNANDFlash工藝大生產(chǎn)線需求，開發(fā)用于TSC-ET

關鍵工藝刻蝕設備。此設備不但要能夠充分滿足3D

NAND的嚴格要求，同時還必須達到高產(chǎn)出，高uptime。項目研。

發(fā)產(chǎn)品將會在用戶的生產(chǎn)線上驗證，并取得核心自主知識產(chǎn)權，實現(xiàn)3臺以上銷售。本研究項目致力于存儲器芯片制造的ICP刻蝕機及部分關鍵配套工藝

的研究開發(fā)，項目的成功實施將為我國半導體產(chǎn)業(yè)緊跟國際技術發(fā)展

趨勢，實現(xiàn)技術跨越作出重要貢獻。本項目的實施完成后，開發(fā)的存儲芯片用ICP刻蝕機擬達到國際先進水平，和SYM3搶奪國內(nèi)和國際的存儲芯片市場份額。6鍺硅選擇性外延設備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化4.500.661.89研究階段，Alpha機工藝驗證和客戶驗證階段研發(fā)12“外