【MOOC】微電子制造工藝-北京信息職業(yè)技術學院 中國大學慕課MOOC答案

【MOOC】微電子制造工藝-北京信息職業(yè)技術學院中國大學慕課MOOC答案第一章測驗1、【單選題】第一個鍺晶體管是（）年發(fā)明本題答案：【1947】2、【單選題】集成電路的英文簡稱為（）。本題答案：【IC】3、【單選題】8英寸硅片的直徑大約（）mm。本題答案：【200】4、【判斷題】微電子學的核心是集成電路。本題答案：【正確】5、【判斷題】集成電路按器件結構分主要可分為：雙極型集成電路、MOS集成電路和BiCMOS集成電路等。本題答案：【錯誤】6、【判斷題】納米是長度的單位，1納米為1微米的1000倍。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】CD(CriticalDimension)是集成電路中半導體器件的最小尺寸，是衡量集成電路設計和制造水平的重要尺度。本題答案：【正確】8、【判斷題】集成電路是通過一系列特定的加工工藝，將晶體管等元器件按照一定的電路互連，“集成”在一塊半導體單晶片上，封裝在一個外殼內，執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的復雜電子系統(tǒng)。本題答案：【正確】9、【判斷題】集成電路按器件結構分主要可分為：雙極型集成電路、MOS集成電路和BiCMOS集成電路等。本題答案：【錯誤】10、【填空題】摩爾定律指出集成電路的晶體管的集成度每_____個月翻一番。本題答案：【18##%_YZPRLFH_%##十八】第二章測驗1、【單選題】1000級的概念是每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數(shù)不大于（）個。本題答案：【1000】2、【單選題】高效過濾器的英文簡稱是（）。本題答案：【HEPA】3、【單選題】過氧化氫和堿組成的1號標準清洗液簡稱是（）。本題答案：【SC-1】4、【單選題】中效過濾器主要濾除大于（）um的塵粒。本題答案：【1】5、【多選題】塵埃的測量方法有（）、（）、（）。本題答案：【重量法#過濾法#計數(shù)法】6、【判斷題】吸煙不會產(chǎn)生塵埃。本題答案：【錯誤】7、【判斷題】風淋室可保證進入潔凈室人員進行人身潔凈和防止室外空氣侵入。本題答案：【正確】8、【判斷題】亂流潔凈室比單向流潔凈室潔凈度高。本題答案：【錯誤】9、【判斷題】潔凈度是用每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數(shù)來衡量。本題答案：【正確】10、【填空題】10000級是指每立方英尺空氣中，0.5um大小塵埃的個數(shù)不超過10000顆≈______個/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）本題答案：【353】第三章半導體材料1作業(yè)1、【單選題】摻入B元素的半導體為（）型半導體本題答案：【P】2、【單選題】下列半導體屬于第三代半導體的是（）。本題答案：【氮化鎵】3、【單選題】半導體行業(yè)最常用的半導體材料是（）。本題答案：【硅】4、【單選題】摻入P元素的半導體為（）型半導體。本題答案：【N】5、【單選題】面心立方晶胞原子的個數(shù)是（）。本題答案：【4】6、【單選題】硅的晶體結構是（）形狀。本題答案：【四面體結構】7、【單選題】硅晶體內部的空間利用率是（）。本題答案：【34%】8、【多選題】最常用的形成N型半導體的雜質有（）()和（）。本題答案：【Sb#As#P】9、【多選題】從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體的晶向是（）。本題答案：【100#110#111】10、【判斷題】價帶中含有的電子數(shù)量決定材料的導電性。本題答案：【錯誤】11、【判斷題】由于電子的有效質量小于空穴的有效質量，因而電子的遷移率比空穴的大。本題答案：【正確】12、【判斷題】P型半導體主要靠空穴導電。本題答案：【正確】13、【判斷題】100晶向垂直于100晶面。本題答案：【正確】14、【判斷題】多晶的特點是長程有序，短程無序本題答案：【錯誤】第三章半導體材料2作業(yè)1、【單選題】電子級純的多晶硅的純度為（）。本題答案：【99.9999999%】2、【單選題】工業(yè)上最常用的多晶硅制備方法是（）。本題答案：【三氯氫硅的氫還原法】3、【單選題】單晶硅的電阻率測試采用（）。本題答案：【四探針法】4、【多選題】多晶硅變成單晶硅需要具備以下（）條件。本題答案：【要有排列標準#原子具有一定的動能，以便重新排列#排列好的原子能穩(wěn)定下來】5、【多選題】硅材料的缺陷主要有（）。本題答案：【體缺陷#面缺陷#點缺陷#線缺陷】6、【判斷題】溫度升高會使點缺陷的平衡濃度增加。本題答案：【正確】7、【判斷題】刃型位錯是位錯線與原子滑移方向相平行。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】如果摻入雜質的失配因子較大，晶格將會發(fā)生畸變。本題答案：【正確】9、【判斷題】晶體在（110）方向上腐蝕速度最快。本題答案：【正確】10、【判斷題】肖特基缺陷的特點是空位與填隙原子成對出現(xiàn)。本題答案：【錯誤】第四章硅平面工藝流程作業(yè)1、【單選題】MOS的中文含義是（）。本題答案：【金屬氧化物半導體】2、【單選題】LDD的中文含義是（）。本題答案：【輕摻雜源漏】3、【多選題】雙極型集成電路制造過程中包括（）等基本工藝。本題答案：【氧化#擴散#光刻#摻雜】4、【多選題】PMOS管的3個電極分別是（）。本題答案：【源極#漏極#柵極】5、【判斷題】制作PN結最早采用的是硅平面工藝法。本題答案：【錯誤】6、【判斷題】重摻雜用于外延的單晶襯底。本題答案：【正確】7、【判斷題】阱是在襯底上形成的、摻雜類型與襯底相同的區(qū)域。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】淺溝槽隔離屬于PN結隔離方式。本題答案：【錯誤】9、【判斷題】Bi-CMOS是同時包括雙極和MOS管的集成電路。本題答案：【正確】10、【判斷題】局部場氧化工藝的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生長形成鳥嘴形狀。本題答案：【正確】第五章薄膜制備1測驗1、【單選題】要產(chǎn)生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。本題答案：【440?！?、【單選題】以下（）選項不屬于摻氯氧化的功能。本題答案：【氧化速率比在純氧中低】3、【單選題】下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。本題答案：【水汽氧化】4、【多選題】增加熱氧化速率的方法有（）。本題答案：【增加氧化劑壓力#提高溫度#進行摻雜#選用合適的氧化方法，例如濕氧氧化】5、【多選題】二氧化硅厚度的測試方法有（）。本題答案：【比色法#光學干涉法#橢偏法】6、【多選題】氧化層表面的缺陷有（）。本題答案：【斑點#裂紋#白霧】7、【多選題】根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（）。本題答案：【干氧氧化#水汽氧化#濕氧氧化#摻氯氧化】8、【判斷題】橋聯(lián)氧原子濃度越高，網(wǎng)絡的強度越強。本題答案：【正確】9、【判斷題】熱氧化反應一般發(fā)生在硅和二氧化硅的界面。本題答案：【正確】10、【判斷題】熱氧化的速率與晶圓的晶向有關，但與氧化劑壓力無關。本題答案：【錯誤】11、【判斷題】摻氯氧化可以減少氧化層錯堆垛，吸附鈉離子。本題答案：【正確】12、【判斷題】氧化速率隨著氧化層厚度的增加（氧化時間的增加）而下降。本題答案：【正確】13、【判斷題】二氧化硅是一種介質材料，具有一定的導電性。本題答案：【錯誤】14、【判斷題】氧化層有兩個生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。本題答案：【正確】15、【判斷題】利用不同厚度的SiO2膜對白光反射得到不同的干涉色彩的現(xiàn)象可以判斷膜厚。本題答案：【正確】第五章薄膜制備1作業(yè)1、【單選題】熱氧化0.6μm氧化層，硅片增厚了（）μm。本題答案：【0.336】2、【單選題】線性速率常數(shù)是（）。本題答案：【B/A】3、【判斷題】氧化層密度排序：干氧濕氧水汽本題答案：【正確】4、【判斷題】比色法比橢偏法測量精度高。本題答案：【錯誤】5、【判斷題】在線性階段，(111)晶向的氧化速率將比(100)晶向稍慢。本題答案：【錯誤】第五章薄膜制備2作業(yè)1、【單選題】通過氣態(tài)物質的化學反應在晶圓表面淀積一層固態(tài)薄膜的工藝稱為（）。本題答案：【化學氣相淀積】2、【單選題】LPCVD的含義是（）。本題答案：【低壓化學氣相淀積】3、【多選題】薄膜的生長包括（）（）（）（）。本題答案：【島生長#連續(xù)成膜#晶核形成#橋聯(lián)】4、【多選題】介質薄膜有（）。本題答案：【SiO2#Si3N4】5、【判斷題】薄膜是指某一維尺寸遠小于另外兩維上尺寸的固體物質。本題答案：【正確】6、【判斷題】薄膜淀積時，襯底不要求是單晶的。本題答案：【正確】7、【判斷題】CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實現(xiàn)物質的轉移，即原子或分子由源轉移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】如果hgks，CVD速率對溫度特別敏感。本題答案：【正確】9、【判斷題】二氧化硅薄膜只能采用APCVD方法制備。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】如果hgks，CVD速率受質量輸運控制。本題答案：【正確】第五章薄膜制備3作業(yè)1、【單選題】TEOS的中文含義是（）。本題答案：【正硅酸乙酯】2、【單選題】CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。本題答案：【硅烷】3、【單選題】金屬鎢的CVD方法中要用到的氣體源是（）。本題答案：【W(wǎng)F6】4、【單選題】以氣相形式輸運至襯底，在高溫下分解或發(fā)生化學反應，在單晶襯底上生長出與襯底取向一致的外延稱為（）。本題答案：【氣相外延】5、【多選題】氮化硅的CVD制備方法有（）。本題答案：【LPCVD#PECVD】6、【多選題】外延層測量電阻率的方法有（）。本題答案：【三探針法#四探針法#電容-電壓法】7、【判斷題】分子束外延能生長極薄外延層，厚度可薄至?量級。本題答案：【正確】8、【判斷題】異質外延存在晶格失配的問題。本題答案：【正確】9、【判斷題】外延時要求襯底必須是單晶的。本題答案：【正確】10、【判斷題】Si3N4可以掩蔽Ga、In、ZnO。本題答案：【正確】第五章薄膜制備4作業(yè)1、【單選題】通過加熱，使待淀積的金屬原子獲得足夠的能量，脫離金屬表面蒸發(fā)出來，在飛行途中遇到硅片，就淀積在硅表面，形成金屬薄膜，該工藝過程是（）。本題答案：【蒸鍍】2、【單選題】1Torr等于（）Pa。。本題答案：【133】3、【單選題】蒸鍍的方式除了電阻絲加熱蒸鍍還有（）蒸鍍方式。本題答案：【電子束蒸鍍】4、【單選題】鋁的蒸發(fā)溫度是1250℃，這時它的平衡蒸汽壓是（）Pa。本題答案：【1.33】5、【多選題】真空蒸鍍成膜的過程是包括：（）。本題答案：【吸附#成核#連片#生長】6、【多選題】真空蒸鍍臺階覆蓋特性的改善方法有（）。本題答案：【襯底加熱#襯底旋轉#襯底支架設計為半球形】7、【多選題】下面（）薄膜制備方法是PVD。本題答案：【蒸鍍#磁控濺射】8、【判斷題】PVD是物理過程，淀積的薄膜臺階覆蓋差，適合淀積金屬。本題答案：【正確】9、【判斷題】電離規(guī)用于低真空度測量。本題答案：【錯誤】10、【判斷題】磁控濺射可以提高氬氣的離化率，并將二次電子束縛在靶周圍的區(qū)域，提高濺射的效率。本題答案：【正確】第六章光刻技術1作業(yè)1、【單選題】傳統(tǒng)常規(guī)的光刻的光源最主要采用的是（）。本題答案：【紫外光】2、【單選題】光刻工藝是按照下列（）流程順序進行操作。本題答案：【氣相成底膜、涂膠、軟烘、曝光、顯影、堅膜、刻蝕、檢查】3、【多選題】光刻技術中的紫外光源主要包括（）。本題答案：【準分子激光#汞燈】4、【判斷題】光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上。本題答案：【正確】5、【判斷題】涂膠前處理（加HMDS）是為了去除粘附在硅片表面的塵埃。本題答案：【錯誤】第六章光刻技術1測驗1、【單選題】軟烘的溫度是（）℃。本題答案：【90~100】2、【單選題】氣相成底膜的工藝步驟是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脫水烘焙，以下選項排列正確的是（）。本題答案：【①③②】3、【單選題】哪個是表征光刻精度的性能指標，它不僅與光刻膠本身有關，還與光刻工藝條件和操作技術等因素有關（）。本題答案：【分辨率】4、【單選題】哪個是表征光刻膠對光敏感度的性能指標（）。本題答案：【靈敏度】5、【單選題】涂膠的基本步驟包括：a旋轉鋪開、b溶劑揮發(fā)、c分滴、d旋轉甩掉多余的膠，請選出正確的涂膠順序（）。本題答案：【cadb】6、【多選題】光刻膠由（）組成。本題答案：【樹脂#感光劑#溶劑】7、【判斷題】負性光刻后，與掩膜版上圖形相同的圖形復制到硅片表面。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】涂膠前處理（加HMDS）是為了提高光刻膠粘附力的作用。本題答案：【正確】9、【判斷題】在涂膠工藝中膠的厚度可以通過旋涂的速度來控制。本題答案：【正確】10、【判斷題】軟烘的目的是蒸發(fā)掉膠中的有機溶劑成分，使硅片表面的膠固化。本題答案：【正確】第六章光刻技術2作業(yè)1、【單選題】套準容差大約是關鍵尺寸的（）。本題答案：【1/3】2、【單選題】已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，則分辨率R等于（）。本題答案：【257nm】3、【單選題】準分子激光器的材料為KrF時，產(chǎn)生波長是（）nm。本題答案：【248】4、【多選題】光刻工藝曝光的光源有（）。本題答案：【汞燈#準分子激光】5、【多選題】影響分辨率的參數(shù)有（）。本題答案：【波長#數(shù)值孔徑#工藝因子】6、【多選題】光學增強技術包括（）。本題答案：【PSM#OPC#OAI#添加襯線】7、【判斷題】數(shù)值孔徑用來衡量透鏡收集衍射光的能力。本題答案：【正確】8、【判斷題】焦深增大會導致分辨率減小。本題答案：【正確】9、【判斷題】接觸式光刻機容易導致掩膜版損壞，但可一次完成曝光。本題答案：【正確】10、【判斷題】I線光刻膠曝光后烘焙的目的是提高粘附性并減少駐波。本題答案：【正確】第七章?lián)诫s技術1作業(yè)1、【單選題】本題答案：【圖（a）、（b）都是限定源擴散】2、【單選題】2、擴散摻雜，擴散區(qū)要比掩膜窗口尺寸____，這是____效應引起的，它直接影響超大規(guī)模集成電路的集成度。本題答案：【大，橫向擴散】3、【單選題】方塊電阻的測量方法是（）。本題答案：【四探針法】4、【單選題】替位式擴散的雜質原子一般與硅原子的直徑差不多，因此擴散的速度（）。本題答案：【較慢】5、【單選題】方塊電阻的單位是（）。本題答案：【Ω/□】6、【單選題】遵循在擴散過程中外界始終提供雜質源，硅片表面濃度恒定規(guī)律的擴散方法稱之為（）。本題答案：【恒定源表面擴散】7、【多選題】根據(jù)擴散雜質在晶格中的位置不同，將擴散分為（）。本題答案：【填隙式擴散#替位式擴散】8、【多選題】熱擴散的條件是（）。本題答案：【濃度梯度#溫度】9、【判斷題】擴散的目的是通過定域、定量擴散摻雜改變半導體導電類型、電阻率、或形成PN結。本題答案：【正確】10、【判斷題】氣態(tài)雜質源多為雜質的氫化物或者鹵化物，這些氣體的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。本題答案：【正確】第七章?lián)诫s技術2作業(yè)1、【單選題】以下關于離子注入優(yōu)點的選項中，（）的說話是錯誤的。本題答案：【離子注入能夠重復控制雜質的濃度和深度，因而在幾乎所有應用中都優(yōu)于擴散?！?、【多選題】抑制離子注入過程中的溝道效應的措施有（）。本題答案：【襯底的預非晶化處理（破壞表面結晶層）#偏轉注入或傾斜硅片#在襯底表面制作掩膜氧化薄層（非結晶材料），使入射離子進入硅晶體前無序化】3、【多選題】離子注入設備主要包括以下（）組成部分。本題答案：【離子源#加速管#掃描系統(tǒng)和終端靶室#吸收電極（即吸極）和質量分析器】4、【多選題】離子注入最主要的缺點是（）。本題答案：【溝道效應（或通道效應）存在#會對晶體結構產(chǎn)生損傷#離子注入設備復雜且昂貴】5、【判斷題】離子注入是一個物理過程，不發(fā)生化學反應。本題答案：【正確】第七章?lián)诫s技術2測驗1、【單選題】能夠挑選出唯一需要注入離子的部分是（）。本題答案：【磁分析器】2、【單選題】磁分析器挑選出來的離子，為了達到所需要的能量，通過要經(jīng)過（）。本題答案：【加速器或者加速管】3、【單選題】離子注入過程中，離子穿入硅片的總距離，稱為（）。本題答案：【離子射程】4、【單選題】空間電荷中和解決了（）問題。本題答案：【離子束膨脹】5、【單選題】能夠使注入的離子偏轉，中性原子被收集的是（）。本題答案：【中性束流陷阱】6、【單選題】離子注入后，雜質的濃度分布基本符合（）。本題答案：【高斯函數(shù)】7、【單選題】作為摻雜的幾種方式中，適合低溫工藝并不受固溶度限制的是（）。本題答案：【離子注入】8、【多選題】退火的作用是（）。本題答案：【激活雜質#修復晶格損傷】9、【判斷題】離子注入通過掃描系統(tǒng)時，必須注意硅片表面的充電情況，因為它導致電荷積累，會氧化層發(fā)生擊穿現(xiàn)象。本題答案：【正確】10、【判斷題】離子注入與擴散工藝相比，具有很好的均勻性，注入雜質純度比較高，并且雜質濃度更容易控制。本題答案：【正確】第八章金屬化與平坦作業(yè)1、【單選題】雙大馬士革工藝中，采用（）代替刻蝕。本題答案：【CMP】2、【單選題】平坦化時，先填充一層犧牲材料，再進行高處刻蝕的方法是（）。本題答案：【反刻】3、【單選題】采用離心力來填充圖形地處，溫度比較低，能夠獲得表面形貌的平滑效果的平坦化技術是（）。本題答案：【SOG】4、【單選題】下列選項中（）不屬于傳統(tǒng)平坦化技術范疇。本題答案：【CMP】5、【多選題】IC采用鋁互連系統(tǒng)時，下列（）（）方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象。本題答案：【在淀積的鋁膜中摻入約1%的Si；#在淀積鋁之前先淀積一層阻擋層；】6、【多選題】CMP工藝中，常用的終點檢測方法有（）。本題答案：【電動機電流終點檢測#光學干涉終點檢測】7、【判斷題】反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術，它能夠實現(xiàn)全局平坦化。本題答案：【錯誤】8、【判斷題】CMP后要進行清洗，主要采用去離子水進行沖洗。本題答案：【正確】9、【判斷題】CMP既有機械研磨又有化學作用。本題答案：【正確】10、【判斷題】平坦化就是一種去除表面凹凸，使晶片表面保持平整平坦的工藝。本題答案：【正確】階段考試1（第一章~第三章）1、【單選題】8英寸硅片的直徑大約（）mm。本題答案：【200】2、【單選題】第一塊集成電路（）年發(fā)明。本題答案：【1958】3、【單選題】過氧化氫和堿組成的1號標準清洗液簡稱是（）。本題答案：【SC-1】4、【單選題】1000級的概念是每立方英尺空氣中所含的直徑大于0.5微米的顆粒數(shù)不大于（）個。本題答案：【1000】5、【單選題】下列半導體屬于第三代半導體的是（）。本題答案：【氮化鎵】6、【單選題】摻入P元素的半導體為（）型半導體本題答案：【N】7、【單選題】高效過濾器的英文簡稱是（）。本題答案：【HEPA】8、【單選題】體心立方晶胞原子的個數(shù)是（）。本題答案：【2】9、【單選題】當前，單晶硅的制備中85%左右都是采用（）。本題答案：【CZ法】10、【單選題】工業(yè)上最常用的多晶硅制備方法是（）。本題答案：【三氯氫硅的氫還原法】11、【多選題】塵埃的測量方法有（）。本題答案：【重量法#過濾法#計數(shù)法】12、【多選題】從半導體制造來講，晶圓中用的最廣的晶體的晶向是（）。本題答案：【111#110#100】13、【多選題】最常用的形成N型半導體的雜質有（）。本題答案：【Sb#As#P】14、【多選題】多晶硅變成單晶硅需要具備以下（）條件。本題答案：【要有排列標準#原子具有一定的動能，以便重新排列#排列好的原子能穩(wěn)定下來】15、【多選題】單晶硅的單參數(shù)測試包括（）。本題答案：【導電類型#少子壽命#載流子遷移率#電阻率】16、【判斷題】微電子是研究電子在半導體和集成電路中的物理現(xiàn)象、物理規(guī)律及其應用的學科。本題答案：【正確】17、【判斷題】CD(CriticalDimension)是集成電路中半導體器件的最小尺寸，是衡量集成電路設計和制造水平的重要尺度。本題答案：【正確】18、【判斷題】亂流潔凈室比單向流潔凈室潔凈度高。本題答案：【錯誤】19、【判斷題】由于電子的有效質量小于空穴的有效質量，因而電子的遷移率比空穴的小。本題答案：【錯誤】20、【判斷題】單晶生長過程中使用到的籽晶的作用是作為排列的標準。本題答案：【正確】階段測驗21、【單選題】MOS的中文含義是（）。本題答案：【金屬氧化物半導體】2、【單選題】LDD的中文含義是（）。本題答案：【輕摻雜源漏】3、【單選題】要產(chǎn)生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。本題答案：【440?！?、【單選題】以下（）選項不屬于摻氯氧化的功能。本題答案：【氧化速率比在純氧中低】5、【單選題】下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。本題答案：【水汽氧化】6、【單選題】熱氧化法生成二氧化硅線性速率常數(shù)是（）。本題答案：【B/A】7、【單選題】通過氣態(tài)物質的化學反應在晶圓表面淀積一層固態(tài)薄膜的工藝稱為（）。本題答案：【化學氣相淀積】8、【單選題】CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。本題答案：【硅烷】9、【單選題】PECVD的含義是（）。本題答案：【等離子體增強化學氣相淀積】10、【單選題】以氣相形式輸運至襯底，在高溫下分解或發(fā)生化學反應，在單晶襯底上生長出與襯底取向一致的外延稱為（）。本題答案：【氣相外延】11、【多選題】增加熱氧化速率的方法有（）。本題答案：【增加氧化劑壓力#提高溫度#進行摻雜#選用合適的氧化方法，例如濕氧氧化】12、【多選題】雙極型集成電路制造過程中包括（）等基本工藝。本題答案：【氧化#擴散#光刻#摻雜】13、【多選題】氧化層表面的缺陷有哪些？本題答案：【斑點#裂紋#白霧】14、【多選題】外延層厚度的測量方法有（）。本題答案：【稱重法#層錯法#磨角法#紅外干涉法】15、【多選題】可用于制備二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？本題答案：【APCVD#LPCVD#PECVD】16、【判斷題】阱是在襯底上形成的、摻雜類型與襯底相同的區(qū)域。本題答案：【錯誤】17、【判斷題】局部場氧化工藝的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生長形成鳥嘴形狀。本題答案：【正確】18、【判斷題】熱氧化反應一般發(fā)生在硅和二氧化硅的界面。本題答案：【正確】19、【判斷題】薄膜淀積時，襯底必須是單晶的。本題答案：【錯誤】20、【判斷題】如果hgks，CVD速率受質量輸運控