【MOOC期末】《微波技術(shù)》（北京航空航天大學(xué)）期末測(cè)試中國(guó)大學(xué)慕課答案

【MOOC期末】《微波技術(shù)》（北京航空航天大學(xué)）期末測(cè)試中國(guó)大學(xué)慕課答案微波技術(shù)期末測(cè)評(píng)

有些題目順序不一致，下載后按鍵盤(pán)ctrl+F進(jìn)行搜索1.多選題：以下關(guān)于實(shí)用激勵(lì)和耦合裝置類(lèi)型及基本要求的敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、探針，匹配良好。

B、小環(huán)，匹配良好。

C、小孔或縫，優(yōu)先激勵(lì)起工作模式。

D、直接相連，優(yōu)先激勵(lì)起工作模式。

E、探針，優(yōu)先激勵(lì)起高次模式。

F、小環(huán)，阻抗失配。

G、探針，阻抗失配。

H、小環(huán)，優(yōu)先激勵(lì)起高次模式。

I、小孔或縫，阻抗失配。

J、小孔或縫，優(yōu)先激勵(lì)起高次模式。

K、直接相連，優(yōu)先激勵(lì)起高次模式。

L、直接相連，優(yōu)先激勵(lì)起主模。

M、探針，優(yōu)先激勵(lì)起主模。

N、小環(huán)，優(yōu)先激勵(lì)起主模。

O、小孔或縫，優(yōu)先激勵(lì)起主模。

答案：【探針，匹配良好。;小環(huán)，匹配良好。;小孔或縫，優(yōu)先激勵(lì)起工作模式。;直接相連，優(yōu)先激勵(lì)起工作模式?！?.多選題：關(guān)于交變磁偶極子，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

B、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

C、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射方向圖是“8”字形。

D、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射方向圖是圓形。

E、小環(huán)的輻射電磁場(chǎng)可以近似用磁偶極子模型來(lái)分析。

F、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

G、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

H、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射方向圖是“8”字形。

I、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射方向圖是圓形。

J、探針輻射電磁場(chǎng)可以近似用磁偶極子模型來(lái)分析。

K、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

L、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

M、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

N、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

答案：【對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射方向圖是“8”字形。;對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：磁偶極子輻射方向圖是圓形。;小環(huán)的輻射電磁場(chǎng)可以近似用磁偶極子模型來(lái)分析。】3.多選題：關(guān)于交變電偶極子，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

B、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

C、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射方向圖是“8”字形。

D、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射方向圖是圓形。

E、探針輻射電磁場(chǎng)可以近似用電偶極子模型來(lái)分析。

F、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

G、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

H、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射方向圖是“8”字形。

I、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射方向圖是圓形。

J、小環(huán)的輻射電磁場(chǎng)可以近似用電偶極子模型來(lái)分析。

K、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

L、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

M、對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。

N、對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

答案：【對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，輻射磁場(chǎng)為反稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)包含著軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射方向圖是“8”字形。;對(duì)垂直于軸線(xiàn)方向的對(duì)稱(chēng)面：電偶極子輻射方向圖是圓形。;探針輻射電磁場(chǎng)可以近似用電偶極子模型來(lái)分析?！?.多選題：關(guān)于波導(dǎo)激勵(lì)和耦合的奇偶禁戒規(guī)則，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、偶激勵(lì)不可能激起奇模式，奇激勵(lì)不可能激起偶模式。

B、對(duì)稱(chēng)激勵(lì)不可能激起反稱(chēng)模式，反稱(chēng)激勵(lì)不可能激起對(duì)稱(chēng)模式。

C、場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性質(zhì)都是相對(duì)于某一個(gè)確定的對(duì)稱(chēng)面而言的，這個(gè)對(duì)稱(chēng)面必須是邊界條件的幾何對(duì)稱(chēng)面。

D、激勵(lì)場(chǎng)與被激勵(lì)場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性質(zhì)，可以都用電場(chǎng)來(lái)判斷，也可以都用磁場(chǎng)來(lái)判斷，兩種分析結(jié)果一致。

E、只要找到任何一個(gè)對(duì)稱(chēng)面，滿(mǎn)足奇偶禁忌規(guī)則，就可以判定相應(yīng)的模式是否被禁戒。

F、偶激勵(lì)不可能激起對(duì)稱(chēng)模式，奇激勵(lì)不可能激起反稱(chēng)模式。

G、對(duì)稱(chēng)激勵(lì)不可能激起偶模式，反稱(chēng)激勵(lì)不可能激起奇模式。

H、場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性質(zhì)都是相對(duì)于某一個(gè)確定的面而言的，這個(gè)面可以任意選取。

I、激勵(lì)場(chǎng)與被激勵(lì)場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性質(zhì)，用電場(chǎng)或磁場(chǎng)來(lái)判斷的分析結(jié)果可能不一致。

J、需要找到多個(gè)對(duì)稱(chēng)面，判斷是否滿(mǎn)足奇偶禁忌規(guī)則，才可以判定相應(yīng)的模式是否被禁戒。

答案：【偶激勵(lì)不可能激起奇模式，奇激勵(lì)不可能激起偶模式。;對(duì)稱(chēng)激勵(lì)不可能激起反稱(chēng)模式，反稱(chēng)激勵(lì)不可能激起對(duì)稱(chēng)模式。;場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性質(zhì)都是相對(duì)于某一個(gè)確定的對(duì)稱(chēng)面而言的，這個(gè)對(duì)稱(chēng)面必須是邊界條件的幾何對(duì)稱(chēng)面。;激勵(lì)場(chǎng)與被激勵(lì)場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性質(zhì)，可以都用電場(chǎng)來(lái)判斷，也可以都用磁場(chǎng)來(lái)判斷，兩種分析結(jié)果一致。;只要找到任何一個(gè)對(duì)稱(chēng)面，滿(mǎn)足奇偶禁忌規(guī)則，就可以判定相應(yīng)的模式是否被禁戒?！?.多選題：對(duì)圓波導(dǎo)和同軸線(xiàn)，關(guān)于場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、圓波導(dǎo)H11模式：電場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

B、圓波導(dǎo)H01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

C、圓波導(dǎo)E01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

D、同軸線(xiàn)TEM模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

E、在橫截面，同軸線(xiàn)TEM模式和圓波導(dǎo)E01模式的電場(chǎng)和磁場(chǎng)具有相同的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)性質(zhì)。

F、圓波導(dǎo)H11模式：電場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

G、圓波導(dǎo)H01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

H、圓波導(dǎo)E01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

I、同軸線(xiàn)TEM模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

J、在橫截面，同軸線(xiàn)TEM模式和圓波導(dǎo)H01模式的電場(chǎng)和磁場(chǎng)具有相同的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)性質(zhì)。

K、圓波導(dǎo)H11模式：電場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

L、圓波導(dǎo)H01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

M、圓波導(dǎo)E01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

N、同軸線(xiàn)TEM模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

O、在橫截面，同軸線(xiàn)TEM模式和圓波導(dǎo)H11模式的電場(chǎng)和磁場(chǎng)具有相同的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)性質(zhì)。

P、圓波導(dǎo)H11模式：電場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

Q、圓波導(dǎo)H01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

R、圓波導(dǎo)E01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

S、同軸線(xiàn)TEM模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。

答案：【圓波導(dǎo)H11模式：電場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)極化方向所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。;圓波導(dǎo)H01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;圓波導(dǎo)E01模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。;同軸線(xiàn)TEM模式：電場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)對(duì)任意直徑線(xiàn)所在縱剖面是反稱(chēng)場(chǎng)。;在橫截面，同軸線(xiàn)TEM模式和圓波導(dǎo)E01模式的電場(chǎng)和磁場(chǎng)具有相同的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)性質(zhì)?！?.多選題：對(duì)矩形波導(dǎo)，關(guān)于場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、H11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

B、H11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

C、E11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

D、E11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

E、對(duì)x=a/2平面，Hm0(m為奇數(shù))模式的電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

F、對(duì)x=a/2平面，Hm0(m為偶數(shù))模式的電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)。

G、對(duì)y=b/2平面，所有Hm0(m≠0)電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

H、由基本場(chǎng)型拼成的高次模式的基本單元的分界面，是磁場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)面、電場(chǎng)的反稱(chēng)面。

I、H11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

J、H11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

K、E11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

L、E11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

M、對(duì)x=a/2平面，Hm0(m為奇數(shù))模式的電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)。

N、對(duì)x=a/2平面，Hm0(m為偶數(shù))模式的電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

O、對(duì)y=b/2平面，所有Hm0(m≠0)電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)。

P、由基本場(chǎng)型拼成的高次模式的基本單元的分界面，是磁場(chǎng)的反稱(chēng)面、電場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)面。

Q、H11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

R、H11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

S、E11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

T、E11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

null、H11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

null、H11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

null、E11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

null、E11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

答案：【H11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;H11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。;E11模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;E11模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)x=a/2平面，Hm0(m為奇數(shù))模式的電場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)x=a/2平面，Hm0(m為偶數(shù))模式的電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)y=b/2平面，所有Hm0(m≠0)電場(chǎng)是反稱(chēng)場(chǎng)，磁場(chǎng)是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;由基本場(chǎng)型拼成的高次模式的基本單元的分界面，是磁場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)面、電場(chǎng)的反稱(chēng)面?！?.多選題：關(guān)于場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)和反稱(chēng)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、如果場(chǎng)形在幾何對(duì)稱(chēng)面兩側(cè)互為鏡像，且場(chǎng)矢量箭頭方向相同，稱(chēng)該場(chǎng)對(duì)這個(gè)對(duì)稱(chēng)面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

B、如果場(chǎng)形在幾何對(duì)稱(chēng)面兩側(cè)互為鏡像，但場(chǎng)矢量的箭頭方向相反，稱(chēng)該場(chǎng)對(duì)于這個(gè)對(duì)稱(chēng)面是反稱(chēng)場(chǎng)。

C、對(duì)稱(chēng)場(chǎng)又稱(chēng)“偶”場(chǎng)，反稱(chēng)場(chǎng)又稱(chēng)“奇”場(chǎng)。

D、矩形波導(dǎo)H10模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

E、矩形波導(dǎo)H10模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

F、矩形波導(dǎo)H01模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

G、矩形波導(dǎo)H01模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

H、矩形波導(dǎo)H10模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

I、矩形波導(dǎo)H10模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

J、矩形波導(dǎo)H01模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。

K、矩形波導(dǎo)H01模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。

答案：【如果場(chǎng)形在幾何對(duì)稱(chēng)面兩側(cè)互為鏡像，且場(chǎng)矢量箭頭方向相同，稱(chēng)該場(chǎng)對(duì)這個(gè)對(duì)稱(chēng)面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;如果場(chǎng)形在幾何對(duì)稱(chēng)面兩側(cè)互為鏡像，但場(chǎng)矢量的箭頭方向相反，稱(chēng)該場(chǎng)對(duì)于這個(gè)對(duì)稱(chēng)面是反稱(chēng)場(chǎng)。;對(duì)稱(chēng)場(chǎng)又稱(chēng)“偶”場(chǎng)，反稱(chēng)場(chǎng)又稱(chēng)“奇”場(chǎng)。;矩形波導(dǎo)H10模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)。;矩形波導(dǎo)H10模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;矩形波導(dǎo)H01模式的電場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)。;矩形波導(dǎo)H01模式的磁場(chǎng)：對(duì)x=a/2平面是對(duì)稱(chēng)場(chǎng)，對(duì)y=b/2平面是反稱(chēng)場(chǎng)?！?.多選題：關(guān)于波導(dǎo)的激勵(lì)和耦合，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、波導(dǎo)模式的激勵(lì)是指通過(guò)某種裝置在波導(dǎo)中建立起電磁波模式。

B、波導(dǎo)模式的耦合是指通過(guò)某種裝置從波導(dǎo)中的電磁波模式中取出部分電磁能量。

C、在波導(dǎo)中建立所需要模式的裝置稱(chēng)為激勵(lì)裝置或激勵(lì)元件。

D、從波導(dǎo)模式中取出微波能量的裝置則稱(chēng)為耦合裝置或耦合元件。

E、激勵(lì)和耦合是可逆的，激勵(lì)裝置也可作為耦合裝置。

F、波導(dǎo)模式的耦合是指通過(guò)某種裝置在波導(dǎo)中建立起電磁波模式。

G、波導(dǎo)模式的激勵(lì)是指通過(guò)某種裝置從波導(dǎo)中的電磁波模式中取出部分電磁能量。

H、在波導(dǎo)中建立所需要模式的裝置稱(chēng)為耦合裝置或耦合元件。

I、從波導(dǎo)模式中取出微波能量的裝置則稱(chēng)為激勵(lì)裝置或激勵(lì)元件。

J、激勵(lì)和耦合是不可逆的，激勵(lì)裝置不能作為耦合裝置。

答案：【波導(dǎo)模式的激勵(lì)是指通過(guò)某種裝置在波導(dǎo)中建立起電磁波模式。;波導(dǎo)模式的耦合是指通過(guò)某種裝置從波導(dǎo)中的電磁波模式中取出部分電磁能量。;在波導(dǎo)中建立所需要模式的裝置稱(chēng)為激勵(lì)裝置或激勵(lì)元件。;從波導(dǎo)模式中取出微波能量的裝置則稱(chēng)為耦合裝置或耦合元件。;激勵(lì)和耦合是可逆的，激勵(lì)裝置也可作為耦合裝置?！?.多選題：對(duì)微波網(wǎng)絡(luò)的常見(jiàn)性質(zhì)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、互易性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部填充的是各向同性均勻媒質(zhì)，即媒質(zhì)極化、磁化、傳導(dǎo)性質(zhì)與外加場(chǎng)方向無(wú)關(guān)。

B、對(duì)稱(chēng)性是指微波網(wǎng)絡(luò)的某兩個(gè)端口存在電氣上的對(duì)稱(chēng)面或?qū)ΨQ(chēng)軸，從而從兩個(gè)端口看進(jìn)去的網(wǎng)絡(luò)電氣性質(zhì)相同。

C、無(wú)耗性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部不存在任何的極化、磁化、傳導(dǎo)損耗，此時(shí)網(wǎng)絡(luò)端口的總輸入功率和總輸出功率應(yīng)相等。

D、對(duì)無(wú)耗微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和阻抗參量矩陣的負(fù)值相等。

E、對(duì)無(wú)耗微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和導(dǎo)納參量矩陣的負(fù)值相等。

F、對(duì)互易微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和阻抗參量矩陣本身相等。

G、對(duì)互易微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和導(dǎo)納參量矩陣本身相等。

H、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對(duì)稱(chēng)，則阻抗參量滿(mǎn)足：Zii=Zjj。

I、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對(duì)稱(chēng)，則導(dǎo)納參量滿(mǎn)足：Yii=Yjj。

J、對(duì)無(wú)耗微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和阻抗參量矩陣本身相等。

K、對(duì)無(wú)耗微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和導(dǎo)納參量矩陣本身相等。

L、對(duì)互易微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和阻抗參量矩陣的負(fù)值相等。

M、對(duì)互易微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和導(dǎo)納參量矩陣的負(fù)值相等。

N、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口互易，則阻抗參量滿(mǎn)足：Zii=Zjj。

O、如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口互易，則導(dǎo)納參量滿(mǎn)足：Yii=Yjj。

答案：【互易性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部填充的是各向同性均勻媒質(zhì)，即媒質(zhì)極化、磁化、傳導(dǎo)性質(zhì)與外加場(chǎng)方向無(wú)關(guān)。;對(duì)稱(chēng)性是指微波網(wǎng)絡(luò)的某兩個(gè)端口存在電氣上的對(duì)稱(chēng)面或?qū)ΨQ(chēng)軸，從而從兩個(gè)端口看進(jìn)去的網(wǎng)絡(luò)電氣性質(zhì)相同。;無(wú)耗性是指微波網(wǎng)絡(luò)內(nèi)部不存在任何的極化、磁化、傳導(dǎo)損耗，此時(shí)網(wǎng)絡(luò)端口的總輸入功率和總輸出功率應(yīng)相等。;對(duì)無(wú)耗微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和阻抗參量矩陣的負(fù)值相等。;對(duì)無(wú)耗微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置共軛陣和導(dǎo)納參量矩陣的負(fù)值相等。;對(duì)互易微波網(wǎng)絡(luò)，其阻抗參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和阻抗參量矩陣本身相等。;對(duì)互易微波網(wǎng)絡(luò)，其導(dǎo)納參量矩陣的轉(zhuǎn)置陣和導(dǎo)納參量矩陣本身相等。;如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對(duì)稱(chēng)，則阻抗參量滿(mǎn)足：Zii=Zjj。;如果微波網(wǎng)絡(luò)的i、j端口對(duì)稱(chēng)，則導(dǎo)納參量滿(mǎn)足：Yii=Yjj?！?0.多選題：對(duì)微波網(wǎng)絡(luò)參量，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，n端口微波網(wǎng)絡(luò)的共2n個(gè)等效電壓和等效電流中，可以用其中任意n個(gè)線(xiàn)性表示剩下的n個(gè)，表示式的系數(shù)即為一種微波網(wǎng)絡(luò)參量。

B、根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)等效電壓線(xiàn)性表示n個(gè)等效電流，得到的系數(shù)即為導(dǎo)納參量。

C、根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)等效電流線(xiàn)性表示n個(gè)等效電壓，得到的系數(shù)即為阻抗參量。

D、根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，n端口微波網(wǎng)絡(luò)的共2n個(gè)等效電壓和等效電流中，必須用n個(gè)等效電壓線(xiàn)性表示n個(gè)等效電流，或者用n個(gè)等效電流線(xiàn)性表示n個(gè)等效電壓，表示式的系數(shù)才是一種微波網(wǎng)絡(luò)參量。

E、根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)等效電壓線(xiàn)性表示n個(gè)等效電流，得到的系數(shù)即為阻抗參量。

F、根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)等效電流線(xiàn)性表示n個(gè)等效電壓，得到的系數(shù)即為導(dǎo)納參量。

G、根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)參量的類(lèi)型是唯一確定的。

H、根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)參量的數(shù)值與工作頻率無(wú)關(guān)。

答案：【根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，n端口微波網(wǎng)絡(luò)的共2n個(gè)等效電壓和等效電流中，可以用其中任意n個(gè)線(xiàn)性表示剩下的n個(gè)，表示式的系數(shù)即為一種微波網(wǎng)絡(luò)參量。;根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)等效電壓線(xiàn)性表示n個(gè)等效電流，得到的系數(shù)即為導(dǎo)納參量。;根據(jù)線(xiàn)性疊加定理，用n端口微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)等效電流線(xiàn)性表示n個(gè)等效電壓，得到的系數(shù)即為阻抗參量?！?1.多選題：對(duì)表示微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的“微波結(jié)”和等效微波網(wǎng)絡(luò)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、“微波結(jié)”是由理想導(dǎo)體所包圍具有n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的結(jié)構(gòu)，功率傳輸只能通過(guò)n個(gè)傳輸線(xiàn)端口進(jìn)行，可以將其等效為微波網(wǎng)絡(luò)。

B、在將“微波結(jié)”等效為微波網(wǎng)絡(luò)時(shí)，需要確定n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的n個(gè)等效電壓、n個(gè)等效電流、n個(gè)等效特性阻抗。

C、根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)端口的等效電壓確定后，內(nèi)部的電磁場(chǎng)唯一確定，儲(chǔ)能和耗能關(guān)系也唯一確定。

D、根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)端口的等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場(chǎng)唯一確定，儲(chǔ)能和耗能關(guān)系也唯一確定。

E、根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的m(m≤n)個(gè)端口的等效電壓、(n-m)個(gè)等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場(chǎng)唯一確定，儲(chǔ)能和耗能關(guān)系也唯一確定。

F、“微波結(jié)”n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的任意一個(gè)端口參考面變化，則等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量都可能隨之變化。

G、只有“微波結(jié)”n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的參考面都發(fā)生變化時(shí)，其等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量才隨之變化。

H、只改變“微波結(jié)”n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的某一個(gè)端口的參考面，不會(huì)影響其等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量。

答案：【“微波結(jié)”是由理想導(dǎo)體所包圍具有n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的結(jié)構(gòu)，功率傳輸只能通過(guò)n個(gè)傳輸線(xiàn)端口進(jìn)行，可以將其等效為微波網(wǎng)絡(luò)。;在將“微波結(jié)”等效為微波網(wǎng)絡(luò)時(shí)，需要確定n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的n個(gè)等效電壓、n個(gè)等效電流、n個(gè)等效特性阻抗。;根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)端口的等效電壓確定后，內(nèi)部的電磁場(chǎng)唯一確定，儲(chǔ)能和耗能關(guān)系也唯一確定。;根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的n個(gè)端口的等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場(chǎng)唯一確定，儲(chǔ)能和耗能關(guān)系也唯一確定。;根據(jù)電磁場(chǎng)唯一性定理，微波網(wǎng)絡(luò)的m(m≤n)個(gè)端口的等效電壓、(n-m)個(gè)等效電流確定后，內(nèi)部的電磁場(chǎng)唯一確定，儲(chǔ)能和耗能關(guān)系也唯一確定。;“微波結(jié)”n個(gè)傳輸線(xiàn)端口的任意一個(gè)端口參考面變化，則等效微波網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)參量都可能隨之變化?！?2.多選題：對(duì)波導(dǎo)模式等效雙導(dǎo)線(xiàn)的等效特性阻抗，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效電壓、等效電流的多值性。

B、確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效輸入阻抗的多值性。

C、可以按照某種特定規(guī)則計(jì)算和定義等效特性阻抗Z0。

D、可以選取等效特性阻抗Z0即等于波導(dǎo)模式的波阻抗。

E、可以選取等效特性阻抗等于1。

F、在單一入射波的行波狀態(tài)下，等效特性阻抗和等效輸入阻抗相等。

G、選取不同的等效特性阻抗Z0時(shí)，對(duì)應(yīng)的等效電壓、等效電流相同。

H、選取不同的等效特性阻抗Z0時(shí)，對(duì)應(yīng)的等效電壓、等效電流不同，故由它們表示的復(fù)功率也不等。

I、選取等效特性阻抗等于1是一種近似處理辦法，因?yàn)閷?shí)際傳輸線(xiàn)的特性阻抗不可能都等于1。

答案：【確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效電壓、等效電流的多值性。;確定等效特性阻抗Z0后，可以消除等效輸入阻抗的多值性。;可以按照某種特定規(guī)則計(jì)算和定義等效特性阻抗Z0。;可以選取等效特性阻抗Z0即等于波導(dǎo)模式的波阻抗。;可以選取等效特性阻抗等于1。;在單一入射波的行波狀態(tài)下，等效特性阻抗和等效輸入阻抗相等?！?3.多選題：關(guān)于波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)的基本原則以及需確定的參量，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、雙導(dǎo)線(xiàn)的等效電壓、等效電流表示的復(fù)功率與波導(dǎo)模式的復(fù)功率相等。

B、使矢量模式函數(shù)滿(mǎn)足歸一化條件，從而確定等效電壓、等效電流及其表示的復(fù)功率。

C、需確定等效雙導(dǎo)線(xiàn)的等效特性阻抗。

D、需確定等效雙導(dǎo)線(xiàn)上電壓波、電流波的相位常數(shù)。

E、雙導(dǎo)線(xiàn)的等效電壓、等效電流與表示的波導(dǎo)模式的實(shí)際電壓、實(shí)際電流相等。

F、需確定等效雙導(dǎo)線(xiàn)的等效輸入阻抗。

G、需確定等效雙導(dǎo)線(xiàn)的等效負(fù)載阻抗。

H、等效電壓、等效電流存在多值性，由二者表示的復(fù)功率也存在多值性。

答案：【雙導(dǎo)線(xiàn)的等效電壓、等效電流表示的復(fù)功率與波導(dǎo)模式的復(fù)功率相等。;使矢量模式函數(shù)滿(mǎn)足歸一化條件，從而確定等效電壓、等效電流及其表示的復(fù)功率。;需確定等效雙導(dǎo)線(xiàn)的等效特性阻抗。;需確定等效雙導(dǎo)線(xiàn)上電壓波、電流波的相位常數(shù)?！?4.多選題：關(guān)于將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、通過(guò)將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，可以建立雙導(dǎo)線(xiàn)的等效線(xiàn)間電壓、等效線(xiàn)上電流。

B、通過(guò)將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，可以進(jìn)一步研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。

C、波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)的目的是利用等效雙導(dǎo)線(xiàn)電路模型，研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。

D、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，可以表示沿縱向的行波、駐波、行駐波。

E、將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，如果沿縱向?yàn)樾胁顟B(tài)，則Z(z)函數(shù)應(yīng)正比于傳播因子exp(±γz)。

F、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，Z(z)函數(shù)滿(mǎn)足傳輸線(xiàn)方程。

G、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，根據(jù)Z(z)函數(shù)可以分別定義等效電壓U(z)、等效電流I(z)。

H、在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，Z(z)必然正比于傳播因子exp(±γz)。

I、等效電壓U(z)、等效電流I(z)在物理上真實(shí)存在，可以進(jìn)行測(cè)量。

答案：【通過(guò)將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，可以建立雙導(dǎo)線(xiàn)的等效線(xiàn)間電壓、等效線(xiàn)上電流。;通過(guò)將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，可以進(jìn)一步研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。;波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)的目的是利用等效雙導(dǎo)線(xiàn)電路模型，研究波導(dǎo)模式的縱向傳播特性和狀態(tài)。;在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，可以表示沿縱向的行波、駐波、行駐波。;將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，如果沿縱向?yàn)樾胁顟B(tài)，則Z(z)函數(shù)應(yīng)正比于傳播因子exp(±γz)。;在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，Z(z)函數(shù)滿(mǎn)足傳輸線(xiàn)方程。;在將波導(dǎo)模式等效為雙導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，場(chǎng)隨縱向坐標(biāo)變化的函數(shù)寫(xiě)成Z(z)函數(shù)形式，根據(jù)Z(z)函數(shù)可以分別定義等效電壓U(z)、等效電流I(z)。】15.多選題：關(guān)于微波系統(tǒng)的“均勻區(qū)”與“非均勻區(qū)”，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、“均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的傳輸線(xiàn)、波導(dǎo)，“非均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的各類(lèi)微波元件。

B、對(duì)微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的分析，可以用“場(chǎng)”的方法，也可以用“路”的方法。

C、“均勻區(qū)”可以當(dāng)作是“非均勻區(qū)”的一種特例。

D、微波等效電路的基本等效關(guān)系是：將各種“均勻區(qū)”的微波傳輸線(xiàn)（模式）等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，將各種“非均勻區(qū)”的微波元件等效為網(wǎng)絡(luò)。

E、與傳輸線(xiàn)理論相比，對(duì)“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線(xiàn)的多個(gè)“縱向”。

F、與傳輸線(xiàn)理論相比，對(duì)“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線(xiàn)對(duì)應(yīng)的多個(gè)模式。

G、“均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的雙導(dǎo)線(xiàn)，“非均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的波導(dǎo)。

H、對(duì)微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的分析，可以用“場(chǎng)”的方法，不能使用“路”的方法。

I、“均勻區(qū)”不能當(dāng)作是“非均勻區(qū)”的一種特例。

J、微波等效電路的基本等效關(guān)系是：將各種“均勻區(qū)”的微波傳輸線(xiàn)（模式）等效為空心波導(dǎo)管，將各種“非均勻區(qū)”的微波元件等效為雙導(dǎo)線(xiàn)。

K、對(duì)“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型，不可能存在多個(gè)“縱向”、多個(gè)模式。

答案：【“均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的傳輸線(xiàn)、波導(dǎo)，“非均勻區(qū)”指微波系統(tǒng)中的各類(lèi)微波元件。;對(duì)微波系統(tǒng)不均勻區(qū)的分析，可以用“場(chǎng)”的方法，也可以用“路”的方法。;“均勻區(qū)”可以當(dāng)作是“非均勻區(qū)”的一種特例。;微波等效電路的基本等效關(guān)系是：將各種“均勻區(qū)”的微波傳輸線(xiàn)（模式）等效為雙導(dǎo)線(xiàn)，將各種“非均勻區(qū)”的微波元件等效為網(wǎng)絡(luò)。;與傳輸線(xiàn)理論相比，對(duì)“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線(xiàn)的多個(gè)“縱向”。;與傳輸線(xiàn)理論相比，對(duì)“非均勻區(qū)”所等效的微波網(wǎng)絡(luò)模型可能存在多條傳輸線(xiàn)對(duì)應(yīng)的多個(gè)模式?！?6.多選題：關(guān)于“第二章傳輸線(xiàn)理論”、“第三章波導(dǎo)理論”的比較，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、第二章基于分布參數(shù)電路理論；第三章基于電磁場(chǎng)方程。

B、第二章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波、駐波、行駐波狀態(tài)；第三章只考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波狀態(tài)。

C、第二章重點(diǎn)研究導(dǎo)行波沿縱向的功率傳輸、反射、匹配問(wèn)題；第三章重點(diǎn)研究導(dǎo)行波沿橫向各種電磁波模式的場(chǎng)分布問(wèn)題。

D、第二章的主要研究對(duì)象是雙導(dǎo)體類(lèi)型的TEM波傳輸線(xiàn)，如平行雙導(dǎo)線(xiàn)等；第三章的主要研究對(duì)象主要是單根空心金屬管構(gòu)成的TE和TM波傳輸線(xiàn)，如矩形波導(dǎo)、圓波導(dǎo)等。

E、第二章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向傳播特征的電壓或電流所滿(mǎn)足的傳輸線(xiàn)方程，第三章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波橫向場(chǎng)分布的二維分布函數(shù)所滿(mǎn)足的波動(dòng)方程。

F、第二章的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一是阻抗匹配器，如四分之一波長(zhǎng)匹配器、單支節(jié)匹配器等；第三章的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一是各種傳輸線(xiàn)的主模，如矩形波導(dǎo)主模H10模、同軸線(xiàn)主模TEM模等。

G、第二章基于電磁場(chǎng)理論；第三章基于分布參數(shù)電路理論。

H、第二章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波狀態(tài)；第三章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波、駐波、行駐波狀態(tài)。

I、第二章重點(diǎn)研究導(dǎo)行波沿縱向的功率傳輸問(wèn)題，不考慮反射；第三章重點(diǎn)研究導(dǎo)行波沿縱向各種電磁波模式的場(chǎng)分布問(wèn)題，縱向不同的位置電磁波模式不同。

J、第二章的主要研究對(duì)象是單導(dǎo)體類(lèi)型的TEM波傳輸線(xiàn)，例如同軸線(xiàn)；第三章的主要研究對(duì)象主要是雙導(dǎo)體類(lèi)型的TE和TM波傳輸線(xiàn)，如矩形波導(dǎo)、圓波導(dǎo)等。

K、第二章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向傳播特征的電壓或電流所滿(mǎn)足的二維波動(dòng)方程，第三章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向場(chǎng)分布的二維分布函數(shù)所滿(mǎn)足的波動(dòng)方程。

L、第二章的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一是阻抗匹配器，如四分之一支節(jié)匹配器等；第三章的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一是各種傳輸線(xiàn)的主模，如矩形波導(dǎo)主模H10模、同軸線(xiàn)主模H11模等。

答案：【第二章基于分布參數(shù)電路理論；第三章基于電磁場(chǎng)方程。;第二章考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波、駐波、行駐波狀態(tài)；第三章只考慮導(dǎo)行波沿縱向是行波狀態(tài)。;第二章重點(diǎn)研究導(dǎo)行波沿縱向的功率傳輸、反射、匹配問(wèn)題；第三章重點(diǎn)研究導(dǎo)行波沿橫向各種電磁波模式的場(chǎng)分布問(wèn)題。;第二章的主要研究對(duì)象是雙導(dǎo)體類(lèi)型的TEM波傳輸線(xiàn)，如平行雙導(dǎo)線(xiàn)等；第三章的主要研究對(duì)象主要是單根空心金屬管構(gòu)成的TE和TM波傳輸線(xiàn)，如矩形波導(dǎo)、圓波導(dǎo)等。;第二章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波縱向傳播特征的電壓或電流所滿(mǎn)足的傳輸線(xiàn)方程，第三章學(xué)習(xí)了表征導(dǎo)行波橫向場(chǎng)分布的二維分布函數(shù)所滿(mǎn)足的波動(dòng)方程。;第二章的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一是阻抗匹配器，如四分之一波長(zhǎng)匹配器、單支節(jié)匹配器等；第三章的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一是各種傳輸線(xiàn)的主模，如矩形波導(dǎo)主模H10模、同軸線(xiàn)主模TEM模等?！?7.多選題：關(guān)于半徑為a的圓波導(dǎo)的H01模式的電磁場(chǎng)分布，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、電場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，磁場(chǎng)強(qiáng)度在通過(guò)中心軸的平面上。

B、場(chǎng)沿圓周方向（φ方向）無(wú)變化，具有軸對(duì)稱(chēng)性。

C、r=0時(shí)，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。

D、r=a時(shí)，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。

E、磁場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，電場(chǎng)強(qiáng)度在通過(guò)中心軸的平面上。

F、場(chǎng)沿圓周方向（φ方向）為駐波分布，有一個(gè)周期。

G、r=0時(shí)，Eφ分量取得最大值，為其波腹點(diǎn)。

H、r=a時(shí)，Eφ分量取得最大值，為其波腹點(diǎn)。

答案：【電場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，磁場(chǎng)強(qiáng)度在通過(guò)中心軸的平面上。;場(chǎng)沿圓周方向（φ方向）無(wú)變化，具有軸對(duì)稱(chēng)性。;r=0時(shí)，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。;r=a時(shí)，Eφ分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。】18.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)的H01模式，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、截止波長(zhǎng)等于1.64a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第四長(zhǎng)。

B、電場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，被稱(chēng)為“圓電模式”。

C、存在E-H簡(jiǎn)并。

D、內(nèi)壁電流沒(méi)有縱向（z向）分量。

E、衰減常數(shù)隨著頻率升高而下降。

F、內(nèi)壁電流沒(méi)有圓周方向（φ向）分量。

G、截止波長(zhǎng)等于2.62a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第二長(zhǎng)。

H、磁場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，被稱(chēng)為“圓磁模式”。

I、在r=0中心軸線(xiàn)上，電場(chǎng)軸向分量Ez取得最大值。

J、存在極化簡(jiǎn)并。

答案：【截止波長(zhǎng)等于1.64a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第四長(zhǎng)。;電場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，被稱(chēng)為“圓電模式”。;存在E-H簡(jiǎn)并。;內(nèi)壁電流沒(méi)有縱向（z向）分量。;衰減常數(shù)隨著頻率升高而下降?！?9.多選題：關(guān)于半徑為a的圓波導(dǎo)H11模式的電磁場(chǎng)分布，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、只有電場(chǎng)強(qiáng)度縱向分量Ez等于零，其余分量均不為零。

B、角向（φ方向）為按正弦或余弦變化的駐波，有一個(gè)周期。

C、徑向?yàn)榘匆浑A第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)或其導(dǎo)函數(shù)變化的駐波，有半個(gè)駐波分布。

D、波導(dǎo)內(nèi)壁表面（r=a）為電場(chǎng)強(qiáng)度Eφ分量的波節(jié)點(diǎn)。

E、只有磁場(chǎng)強(qiáng)度縱向分量Hz等于零，其余分量均不為零。

F、角向（φ方向）為按正弦或余弦變化的駐波，有一個(gè)“半駐波”分布。

G、徑向?yàn)榘匆浑A第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)或其導(dǎo)函數(shù)變化的駐波，有一個(gè)周期分布。

H、波導(dǎo)內(nèi)壁表面（r=a）為磁場(chǎng)強(qiáng)度Hφ分量的波節(jié)點(diǎn)。

答案：【只有電場(chǎng)強(qiáng)度縱向分量Ez等于零，其余分量均不為零。;角向（φ方向）為按正弦或余弦變化的駐波，有一個(gè)周期。;徑向?yàn)榘匆浑A第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)或其導(dǎo)函數(shù)變化的駐波，有半個(gè)駐波分布。;波導(dǎo)內(nèi)壁表面（r=a）為電場(chǎng)強(qiáng)度Eφ分量的波節(jié)點(diǎn)?！?0.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)H11模式，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、截止波長(zhǎng)最大，等于3.41a。

B、存在極化簡(jiǎn)并。

C、在導(dǎo)通狀態(tài)下，可以傳輸兩種極化不同的H11模式。

D、可以與矩形波導(dǎo)H10模式形成過(guò)渡。

E、是圓波導(dǎo)的主模，但在其導(dǎo)通狀態(tài)下，可以同時(shí)存在兩種極化方向不同的H11模式。

F、H11模式極化面很不穩(wěn)定，在傳輸過(guò)程中遇到不均勻性時(shí)，就可能轉(zhuǎn)化為另一種極化的H11模式。

G、利用其極化簡(jiǎn)并特性，在多路通信系統(tǒng)中，可以將極化方向互相垂直的兩個(gè)H11模式分別用作收、發(fā)。

H、存在E-H簡(jiǎn)并。

I、截止波長(zhǎng)等于2a。

J、在內(nèi)壁任何位置電流線(xiàn)都不可能只存在z向分量。

答案：【截止波長(zhǎng)最大，等于3.41a。;存在極化簡(jiǎn)并。;在導(dǎo)通狀態(tài)下，可以傳輸兩種極化不同的H11模式。;可以與矩形波導(dǎo)H10模式形成過(guò)渡。;是圓波導(dǎo)的主模，但在其導(dǎo)通狀態(tài)下，可以同時(shí)存在兩種極化方向不同的H11模式。;H11模式極化面很不穩(wěn)定，在傳輸過(guò)程中遇到不均勻性時(shí)，就可能轉(zhuǎn)化為另一種極化的H11模式。;利用其極化簡(jiǎn)并特性，在多路通信系統(tǒng)中，可以將極化方向互相垂直的兩個(gè)H11模式分別用作收、發(fā)。】21.多選題：以下屬于圓波導(dǎo)的常用模式的是：

選項(xiàng)：

A、H11模

B、E01模

C、H01模

D、TE11模

E、TE01模

F、TM01模

G、E11模

H、H10模

I、TEM模

J、TM11模

答案：【H11模;E01模;H01模;TE11模;TE01模;TM01?！?2.多選題：圓波導(dǎo)的導(dǎo)行波模式有何特點(diǎn)？

選項(xiàng)：

A、存在E-H簡(jiǎn)并。

B、存在極化簡(jiǎn)并。

C、沿z向?yàn)閭鞑ヒ蜃颖硎镜男胁ǎ豶向?yàn)樨惾麪柡瘮?shù)或貝塞爾函數(shù)導(dǎo)數(shù)表示的駐波。

D、“高通低不通”。

E、截止波長(zhǎng)最大的模式是H11模式，但是H11模式存在極化簡(jiǎn)并。

F、在圓波導(dǎo)中可以傳輸不同極化的H11模式。

G、截止波數(shù)kc取值與矩形波導(dǎo)的相同。

H、傳播常數(shù)γ取值與矩形波導(dǎo)的相同。

I、可以傳輸TEM波。

J、電磁波模式的相速度與矩形波導(dǎo)的相同。

答案：【存在E-H簡(jiǎn)并。;存在極化簡(jiǎn)并。;沿z向?yàn)閭鞑ヒ蜃颖硎镜男胁ǎ豶向?yàn)樨惾麪柡瘮?shù)或貝塞爾函數(shù)導(dǎo)數(shù)表示的駐波。;“高通低不通”。;截止波長(zhǎng)最大的模式是H11模式，但是H11模式存在極化簡(jiǎn)并。;在圓波導(dǎo)中可以傳輸不同極化的H11模式?！?3.多選題：對(duì)圓波導(dǎo)，在用分離變量法求解TE波磁場(chǎng)強(qiáng)度z向分量Hz(r,φ)=R(r)·Φ(φ)和求解TM波電場(chǎng)強(qiáng)度z向分量Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)時(shí)，有什么相同點(diǎn)？

選項(xiàng)：

A、R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的方程均為貝塞爾方程。

B、Φ(φ)函數(shù)滿(mǎn)足的方程均為諧方程。

C、Φ(φ)函數(shù)均滿(mǎn)足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。

D、在求解時(shí)，均假設(shè)沿縱向（z方向）為用傳播因子表示的行波形式。

E、R(r)函數(shù)在r=0位置均滿(mǎn)足應(yīng)為有限值條件。

F、根據(jù)r=0的邊界條件，R(r)函數(shù)的解均不能包括第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)。

G、R(r)函數(shù)的解均只用第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示。

H、R(r)函數(shù)的在r=a的圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面均滿(mǎn)足R(a)=0的邊界條件。

I、Φ(φ)函數(shù)滿(mǎn)足的方程是拉普拉斯方程。

J、截止波數(shù)kc的取值均相同。

答案：【R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的方程均為貝塞爾方程。;Φ(φ)函數(shù)滿(mǎn)足的方程均為諧方程。;Φ(φ)函數(shù)均滿(mǎn)足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。;在求解時(shí)，均假設(shè)沿縱向（z方向）為用傳播因子表示的行波形式。;R(r)函數(shù)在r=0位置均滿(mǎn)足應(yīng)為有限值條件。;根據(jù)r=0的邊界條件，R(r)函數(shù)的解均不能包括第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)。;R(r)函數(shù)的解均只用第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示?！?4.多選題：關(guān)于貝塞爾函數(shù)表示的柱面駐波的特點(diǎn)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、相鄰波節(jié)點(diǎn)間距不等。

B、波腹點(diǎn)振幅不等。

C、在r趨于無(wú)限遠(yuǎn)時(shí)，柱面駐波趨于平面駐波。

D、第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示的柱面駐波在r=0的位置為負(fù)無(wú)窮大。

E、零階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于1，為波腹點(diǎn)，一階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于0，為波節(jié)點(diǎn)。

F、零階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)導(dǎo)函數(shù)和一階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)的零點(diǎn)是一樣的，這說(shuō)明用二者表示的柱面駐波的波節(jié)點(diǎn)的位置是相同的。

G、相鄰波節(jié)點(diǎn)間距均相等。

H、波腹點(diǎn)振幅均相等。

I、在r=0位置不可能為零。

J、在r=0位置不可能取得最大值。

答案：【相鄰波節(jié)點(diǎn)間距不等。;波腹點(diǎn)振幅不等。;在r趨于無(wú)限遠(yuǎn)時(shí)，柱面駐波趨于平面駐波。;第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示的柱面駐波在r=0的位置為負(fù)無(wú)窮大。;零階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于1，為波腹點(diǎn)，一階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)在r=0的位置等于0，為波節(jié)點(diǎn)。;零階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)導(dǎo)函數(shù)和一階第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)的零點(diǎn)是一樣的，這說(shuō)明用二者表示的柱面駐波的波節(jié)點(diǎn)的位置是相同的?！?5.多選題：如果要產(chǎn)生波導(dǎo)內(nèi)可導(dǎo)通的電磁波模式，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、對(duì)波導(dǎo)進(jìn)行激勵(lì)。

B、使電磁波頻率大于該模式的截止頻率。

C、使電磁波媒質(zhì)波長(zhǎng)小于該模式的截止波長(zhǎng)。

D、使電磁波媒質(zhì)波數(shù)大于該模式的截止波數(shù)。

E、對(duì)波導(dǎo)進(jìn)行耦合。

F、使電磁波頻率小于該模式的截止頻率。

G、使電磁波媒質(zhì)波長(zhǎng)大于該模式的截止波長(zhǎng)。

H、使電磁波媒質(zhì)波數(shù)小于該模式的截止波數(shù)。

I、使電磁波頻率等于該模式的截止頻率。

J、使電磁波媒質(zhì)波長(zhǎng)等于該模式的截止波長(zhǎng)。

K、使電磁波媒質(zhì)波數(shù)等于該模式的截止波數(shù)。

答案：【對(duì)波導(dǎo)進(jìn)行激勵(lì)。;使電磁波頻率大于該模式的截止頻率。;使電磁波媒質(zhì)波長(zhǎng)小于該模式的截止波長(zhǎng)。;使電磁波媒質(zhì)波數(shù)大于該模式的截止波數(shù)?！?6.多選題：在判斷某復(fù)矢量函數(shù)是否可以表示理想規(guī)則波導(dǎo)內(nèi)可能存在的電磁波的電場(chǎng)強(qiáng)度或磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足麥克斯韋方程組。

B、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度的散度等于零。

C、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場(chǎng)強(qiáng)度的散度等于零。

D、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足波動(dòng)方程。

E、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足波動(dòng)方程。

F、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體表面，電場(chǎng)強(qiáng)度垂直于內(nèi)壁表面，磁場(chǎng)強(qiáng)度平行于內(nèi)壁表面。

G、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體表面，電場(chǎng)強(qiáng)度平行于內(nèi)壁表面，磁場(chǎng)強(qiáng)度垂直于內(nèi)壁表面。

H、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度垂直于內(nèi)壁表面，磁場(chǎng)強(qiáng)度平行于內(nèi)壁表面。

I、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度的旋度等于零。

J、在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場(chǎng)強(qiáng)度的旋度等于零。

答案：【在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度、磁場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足麥克斯韋方程組。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度的散度等于零。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場(chǎng)強(qiáng)度的散度等于零。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，電場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足波動(dòng)方程。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體邊界以外的良態(tài)域，磁場(chǎng)強(qiáng)度滿(mǎn)足波動(dòng)方程。;在波導(dǎo)內(nèi)壁所構(gòu)成的理想導(dǎo)體表面，電場(chǎng)強(qiáng)度垂直于內(nèi)壁表面，磁場(chǎng)強(qiáng)度平行于內(nèi)壁表面?！?7.多選題：對(duì)同軸線(xiàn)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、同軸線(xiàn)TE或TM模式的截止波數(shù)kc是通過(guò)求解超越方程確定的。

B、由理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)構(gòu)成的同軸線(xiàn)傳輸TEM波時(shí)，其沿軸向的相位常數(shù)β即等于媒質(zhì)波數(shù)k。

C、對(duì)同軸線(xiàn)的TE和TM模式，場(chǎng)沿r方向的駐波由第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)和第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)的線(xiàn)性組合表示。

D、同時(shí)兼顧傳輸功率大和衰減常數(shù)α小時(shí)，習(xí)慣上同軸線(xiàn)特性阻抗取值為50Ω。

E、主要考慮衰減常數(shù)α接近最小時(shí)，習(xí)慣上同軸線(xiàn)特性取值為75Ω。

F、同軸線(xiàn)TEM模式截止波數(shù)kc=0。

G、通過(guò)分離變量法求解同軸線(xiàn)的TE或TM波時(shí)，由于要滿(mǎn)足r=0處場(chǎng)為有限值的條件，所以R(r)表示式中不能包括第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)Yn(r)。

H、同軸線(xiàn)TEM模式截止頻率fc等于無(wú)窮大。

I、同軸線(xiàn)TEM模式截止波長(zhǎng)λc等于零。

答案：【同軸線(xiàn)TE或TM模式的截止波數(shù)kc是通過(guò)求解超越方程確定的。;由理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)構(gòu)成的同軸線(xiàn)傳輸TEM波時(shí)，其沿軸向的相位常數(shù)β即等于媒質(zhì)波數(shù)k。;對(duì)同軸線(xiàn)的TE和TM模式，場(chǎng)沿r方向的駐波由第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)和第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)的線(xiàn)性組合表示。;同時(shí)兼顧傳輸功率大和衰減常數(shù)α小時(shí)，習(xí)慣上同軸線(xiàn)特性阻抗取值為50Ω。;主要考慮衰減常數(shù)α接近最小時(shí)，習(xí)慣上同軸線(xiàn)特性取值為75Ω。;同軸線(xiàn)TEM模式截止波數(shù)kc=0。】28.多選題：確定實(shí)用同軸線(xiàn)尺寸時(shí)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、應(yīng)保證TEM模式單模傳輸。

B、使傳輸功率盡量大。

C、使功率損耗盡量小。

D、習(xí)慣上取特性阻抗為50Ω或75Ω。

E、必須保證特性阻抗選為50Ω。

F、必須保證特性阻抗選為75Ω。

G、應(yīng)保證TM01模式單模傳輸。

H、應(yīng)保證TE11模式單模傳輸。

答案：【應(yīng)保證TEM模式單模傳輸。;使傳輸功率盡量大。;使功率損耗盡量小。;習(xí)慣上取特性阻抗為50Ω或75Ω?！?9.多選題：對(duì)同軸線(xiàn)的TE和TM模式，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、TE11模式是所有TE波最低波型。

B、TM01模式是所有TM波的最低波型。

C、因?yàn)榍蠼鈪^(qū)域不包括r=0位置，所以分離變量時(shí)，R(r)函數(shù)是第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)和第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)的線(xiàn)性組合。

D、在用分離變量求解電磁場(chǎng)時(shí)，Φ(φ)函數(shù)應(yīng)滿(mǎn)足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。

E、在用分離變量求解電磁場(chǎng)時(shí)，Φ(φ)的通解可以寫(xiě)為Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)，其中n不能為非整數(shù)。

F、TE10模式是所有TE波的最低波型。

G、TM10模式是所有TM波的最低波型。

H、TM11模式是所有TM波的最低波型。

答案：【TE11模式是所有TE波最低波型。;TM01模式是所有TM波的最低波型。;因?yàn)榍蠼鈪^(qū)域不包括r=0位置，所以分離變量時(shí)，R(r)函數(shù)是第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)和第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)的線(xiàn)性組合。;在用分離變量求解電磁場(chǎng)時(shí)，Φ(φ)函數(shù)應(yīng)滿(mǎn)足周期性的邊界條件，即Φ(φ)=Φ(φ+2π)。;在用分離變量求解電磁場(chǎng)時(shí)，Φ(φ)的通解可以寫(xiě)為Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)，其中n不能為非整數(shù)。】30.多選題：對(duì)同軸線(xiàn)所能傳輸?shù)碾姶挪Ｊ郊皥?chǎng)分布，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、同軸線(xiàn)的主模是TEM模式，截止頻率為零，截止波長(zhǎng)為無(wú)窮大。

B、同軸線(xiàn)求解不包括r=0的位置，故不需要滿(mǎn)足在r=0場(chǎng)為有限值的條件。

C、對(duì)同軸線(xiàn)的TEM模式，在橫截面的場(chǎng)分布滿(mǎn)足靜態(tài)場(chǎng)方程。

D、同軸線(xiàn)TEM模式的電場(chǎng)沿半徑方向，磁場(chǎng)沿圓周方向。

E、同軸線(xiàn)內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓可以通過(guò)電場(chǎng)強(qiáng)度沿徑向的線(xiàn)積分得到。

F、同軸線(xiàn)內(nèi)導(dǎo)體的電流可以通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度沿圓周方向的線(xiàn)積分得到。

G、如果同軸線(xiàn)內(nèi)外導(dǎo)體間填充的是空氣，則其所傳輸?shù)腡EM波的波阻抗等于120πΩ。

H、同軸線(xiàn)不可能傳輸TE或TM模式。

I、同軸線(xiàn)不可能傳輸TEM模式。

答案：【同軸線(xiàn)的主模是TEM模式，截止頻率為零，截止波長(zhǎng)為無(wú)窮大。;同軸線(xiàn)求解不包括r=0的位置，故不需要滿(mǎn)足在r=0場(chǎng)為有限值的條件。;對(duì)同軸線(xiàn)的TEM模式，在橫截面的場(chǎng)分布滿(mǎn)足靜態(tài)場(chǎng)方程。;同軸線(xiàn)TEM模式的電場(chǎng)沿半徑方向，磁場(chǎng)沿圓周方向。;同軸線(xiàn)內(nèi)外導(dǎo)體間的電壓可以通過(guò)電場(chǎng)強(qiáng)度沿徑向的線(xiàn)積分得到。;同軸線(xiàn)內(nèi)導(dǎo)體的電流可以通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度沿圓周方向的線(xiàn)積分得到。;如果同軸線(xiàn)內(nèi)外導(dǎo)體間填充的是空氣，則其所傳輸?shù)腡EM波的波阻抗等于120πΩ?！?1.多選題：關(guān)于半徑為a的圓波導(dǎo)的E01模式的電磁場(chǎng)分布，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、磁場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，電場(chǎng)強(qiáng)度在通過(guò)中心軸的平面上。

B、場(chǎng)沿圓周方向（φ方向）無(wú)變化，具有軸對(duì)稱(chēng)性。

C、r=0時(shí)，Ez分量取得最大值，為其波腹點(diǎn)。

D、r=a時(shí)，Ez分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。

E、電場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，磁場(chǎng)強(qiáng)度在通過(guò)中心軸的平面上。

F、場(chǎng)沿圓周方向（φ方向）為駐波分布，有一個(gè)周期。

G、r=0時(shí)，Ez分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。

H、r=a時(shí)，Ez分量取得最大值，為其波腹點(diǎn)。

答案：【磁場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，電場(chǎng)強(qiáng)度在通過(guò)中心軸的平面上。;場(chǎng)沿圓周方向（φ方向）無(wú)變化，具有軸對(duì)稱(chēng)性。;r=0時(shí)，Ez分量取得最大值，為其波腹點(diǎn)。;r=a時(shí)，Ez分量等于零，為其波節(jié)點(diǎn)。】32.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)的E01模式，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、內(nèi)壁電流沒(méi)有圓周方向（φ向）分量。

B、截止波長(zhǎng)等于2.62a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第二長(zhǎng)。

C、磁場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，被稱(chēng)為“圓磁模式”。

D、在r=0中心軸線(xiàn)上，電場(chǎng)軸向分量Ez取得最大值。

E、截止波長(zhǎng)等于1.64a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第四長(zhǎng)。

F、電場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，被稱(chēng)為“圓電模式”。

G、存在E-H簡(jiǎn)并。

H、內(nèi)壁電流沒(méi)有縱向（z向）分量。

I、衰減常數(shù)隨著頻率升高而下降。

J、存在極化簡(jiǎn)并。

答案：【內(nèi)壁電流沒(méi)有圓周方向（φ向）分量。;截止波長(zhǎng)等于2.62a，在所有圓波導(dǎo)的模式中為第二長(zhǎng)。;磁場(chǎng)強(qiáng)度只有圓周方向分量，被稱(chēng)為“圓磁模式”。;在r=0中心軸線(xiàn)上，電場(chǎng)軸向分量Ez取得最大值?！?3.多選題：對(duì)寬邊尺寸為a、窄邊尺寸為b的銅制矩形波導(dǎo)H10模式的衰減常數(shù)α，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、窄邊和寬邊比b/a增大時(shí)，衰減常數(shù)α減小。

B、工作頻率f趨向截止頻率fc時(shí)，衰減常數(shù)α急劇增大。

C、電導(dǎo)率增大，衰減常數(shù)α減小。

D、b/a=1和b/a=0.1相比，前者對(duì)應(yīng)的衰減常數(shù)α更小。

E、窄邊和寬邊的比值b/a增大時(shí)，衰減常數(shù)α增大。

F、工作頻率f趨向截止頻率fc時(shí)，衰減常數(shù)α急劇減小。

G、電導(dǎo)率增大，衰減常數(shù)α增大。

H、b/a=1和b/a=0.1相比，前者對(duì)應(yīng)的衰減常數(shù)α更大。

答案：【窄邊和寬邊比b/a增大時(shí)，衰減常數(shù)α減小。;工作頻率f趨向截止頻率fc時(shí)，衰減常數(shù)α急劇增大。;電導(dǎo)率增大，衰減常數(shù)α減小。;b/a=1和b/a=0.1相比，前者對(duì)應(yīng)的衰減常數(shù)α更小?！?4.多選題：為計(jì)算波導(dǎo)壁為非理想導(dǎo)體的有耗波導(dǎo)的導(dǎo)體損耗，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、已知長(zhǎng)為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)的輸入功率P1、功率損耗PL，則在PL<

B、對(duì)有耗矩形波導(dǎo)H10模，已知輸入功率P1，通過(guò)計(jì)算長(zhǎng)度為L(zhǎng)的波導(dǎo)損耗功率PL，即可計(jì)算衰減常數(shù)α。

C、對(duì)長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)，輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：P1/P2=exp(2αL)。

D、長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：α=1/(2L)·ln(P1/P2)。

E、對(duì)長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)，可以通過(guò)波導(dǎo)壁表面電阻Rs和表面切向磁場(chǎng)Hτ計(jì)算功率損耗PL。

F、對(duì)長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)，輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：P2/P1=exp(2αL)。

G、長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：α=1/(2L)·ln(P2/P1)。

H、已知長(zhǎng)為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)的輸入功率P1、功率損耗PL，則在PL<

答案：【已知長(zhǎng)為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)的輸入功率P1、功率損耗PL，則在PL<;對(duì)有耗矩形波導(dǎo)H10模，已知輸入功率P1，通過(guò)計(jì)算長(zhǎng)度為L(zhǎng)的波導(dǎo)損耗功率PL，即可計(jì)算衰減常數(shù)α。;對(duì)長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)，輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：P1/P2=exp(2αL)。;長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)輸入功率為P1，輸出功率為P2，衰減常數(shù)為α，則有：α=1/(2L)·ln(P1/P2)。;對(duì)長(zhǎng)度為L(zhǎng)的有耗波導(dǎo)，可以通過(guò)波導(dǎo)壁表面電阻Rs和表面切向磁場(chǎng)Hτ計(jì)算功率損耗PL。】35.多選題：關(guān)于引起實(shí)用波導(dǎo)傳播導(dǎo)行波功率衰減的原因，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、波導(dǎo)內(nèi)填充的媒質(zhì)所引起的媒質(zhì)損耗。

B、波導(dǎo)壁為非理想導(dǎo)體所引起的導(dǎo)體損耗。

C、波導(dǎo)系統(tǒng)不均勻引起的反射損耗。

D、波導(dǎo)拼接縫隙的輻射損耗。

E、截止?fàn)顟B(tài)下的電抗性損耗。

F、終端負(fù)載吸收的功率損耗。

G、波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體所引起的導(dǎo)體損耗。

H、波導(dǎo)內(nèi)填充的媒質(zhì)為理想介質(zhì)所引起的媒質(zhì)損耗。

答案：【波導(dǎo)內(nèi)填充的媒質(zhì)所引起的媒質(zhì)損耗。;波導(dǎo)壁為非理想導(dǎo)體所引起的導(dǎo)體損耗。;波導(dǎo)系統(tǒng)不均勻引起的反射損耗。;波導(dǎo)拼接縫隙的輻射損耗?！?6.多選題：對(duì)沿軸向（z向）傳輸主模的規(guī)則波導(dǎo)的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度Ebr和功率容量Pbr，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、波導(dǎo)中所能承受的最大功率稱(chēng)為波導(dǎo)的功率容量，可以用Pbr來(lái)表示。

B、波導(dǎo)的功率容量Pbr取決于本身所能承受的最大電場(chǎng)強(qiáng)度Ebr，Ebr為擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

C、如果其他條件均相同，沿軸向?yàn)樾胁顟B(tài)下的功率容量大于沿軸向?yàn)樾旭v波狀態(tài)下的功率容量。

D、沿軸向?yàn)樾旭v波狀態(tài)時(shí)，駐波比ρ越小，功率容量越大。

E、為了留有余地，一般取規(guī)則波導(dǎo)的最大傳輸功率為功率容量Pbr的90%左右。

F、空氣的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度Ebr=30V/cm。

G、沿軸向?yàn)樾旭v波狀態(tài)時(shí)，行波系數(shù)K越大，功率容量越小。

H、規(guī)則波導(dǎo)的功率容量是恒定的，與軸向是行波狀態(tài)還是行駐波狀態(tài)無(wú)關(guān)。

答案：【波導(dǎo)中所能承受的最大功率稱(chēng)為波導(dǎo)的功率容量，可以用Pbr來(lái)表示。;波導(dǎo)的功率容量Pbr取決于本身所能承受的最大電場(chǎng)強(qiáng)度Ebr，Ebr為擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。;如果其他條件均相同，沿軸向?yàn)樾胁顟B(tài)下的功率容量大于沿軸向?yàn)樾旭v波狀態(tài)下的功率容量。;沿軸向?yàn)樾旭v波狀態(tài)時(shí)，駐波比ρ越小，功率容量越大。】37.多選題：對(duì)軸向?yàn)閦向的無(wú)耗規(guī)則波導(dǎo)內(nèi)電磁波模式的功率傳輸特征，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、導(dǎo)通狀態(tài)下，傳播常數(shù)γ=jβ，β為相位常數(shù)，波阻抗ηw為實(shí)數(shù)，沿z方向有實(shí)功率傳輸。

B、截止?fàn)顟B(tài)下，傳播常數(shù)γ=α，α為衰減常數(shù)，波阻抗ηw為虛數(shù)，沿z方向無(wú)實(shí)功率傳輸。

C、截止?fàn)顟B(tài)下的功率衰減為電抗性衰減，即波導(dǎo)本身并不耗散功率。

D、無(wú)耗規(guī)則波導(dǎo)中，每一個(gè)模式均獨(dú)立地傳輸自身所攜帶的功率，功率不會(huì)發(fā)生從一個(gè)模式向另外一個(gè)模式的轉(zhuǎn)移，即彼此沒(méi)有耦合。

E、導(dǎo)通狀態(tài)下，傳播常數(shù)γ=jβ，β為相位常數(shù)，波阻抗ηw為虛數(shù)，沿z方向有實(shí)功率傳輸。

F、截止?fàn)顟B(tài)下，傳播常數(shù)γ=α，α為衰減常數(shù)，波阻抗ηw為實(shí)數(shù)，沿z方向無(wú)實(shí)功率傳輸。

G、截止?fàn)顟B(tài)下的電磁功率被波導(dǎo)本身吸收并耗散，并不能進(jìn)行有效傳輸。

H、如果無(wú)耗規(guī)則波導(dǎo)中傳輸?shù)哪Ｊ接卸鄠€(gè)，則多個(gè)模式攜帶的電磁功率可以互相轉(zhuǎn)移。

I、簡(jiǎn)并模式攜帶的電磁功率可以互相轉(zhuǎn)移，其他模式攜帶的功率不能互相轉(zhuǎn)移。

答案：【導(dǎo)通狀態(tài)下，傳播常數(shù)γ=jβ，β為相位常數(shù)，波阻抗ηw為實(shí)數(shù)，沿z方向有實(shí)功率傳輸。;截止?fàn)顟B(tài)下，傳播常數(shù)γ=α，α為衰減常數(shù)，波阻抗ηw為虛數(shù)，沿z方向無(wú)實(shí)功率傳輸。;截止?fàn)顟B(tài)下的功率衰減為電抗性衰減，即波導(dǎo)本身并不耗散功率。;無(wú)耗規(guī)則波導(dǎo)中，每一個(gè)模式均獨(dú)立地傳輸自身所攜帶的功率，功率不會(huì)發(fā)生從一個(gè)模式向另外一個(gè)模式的轉(zhuǎn)移，即彼此沒(méi)有耦合。】38.多選題：對(duì)矩形波導(dǎo)內(nèi)電磁波模式的復(fù)數(shù)坡印廷矢量，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、電磁波模式導(dǎo)通時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為實(shí)數(shù)，說(shuō)明沿縱向有實(shí)功率傳輸。

B、電磁波模式導(dǎo)通時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿橫向無(wú)實(shí)功率傳輸。

C、電磁波模式截止時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿縱向無(wú)實(shí)功率傳輸。

D、電磁波模式截止時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿橫向無(wú)實(shí)功率傳輸。

E、電磁波模式導(dǎo)通時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿縱向無(wú)實(shí)功率傳輸。

F、電磁波模式導(dǎo)通時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為實(shí)數(shù)，說(shuō)明沿橫向有實(shí)功率傳輸。

G、電磁波模式截止時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為實(shí)數(shù)，說(shuō)明沿縱向有實(shí)功率傳輸。

H、電磁波模式截止時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為實(shí)數(shù)，說(shuō)明沿橫向有實(shí)功率傳輸。

答案：【電磁波模式導(dǎo)通時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為實(shí)數(shù)，說(shuō)明沿縱向有實(shí)功率傳輸。;電磁波模式導(dǎo)通時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿橫向無(wú)實(shí)功率傳輸。;電磁波模式截止時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿縱向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿縱向無(wú)實(shí)功率傳輸。;電磁波模式截止時(shí)，復(fù)數(shù)坡印亭矢量沿橫向的分量為虛數(shù)，說(shuō)明沿橫向無(wú)實(shí)功率傳輸?！?9.多選題：關(guān)于波導(dǎo)內(nèi)電磁波模式的色散，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、波導(dǎo)中電磁波模式產(chǎn)生色散的原因是由波導(dǎo)系統(tǒng)本身的特性(即邊界條件)所引起的。

B、規(guī)則波導(dǎo)中的TE模式是色散波。

C、規(guī)則波導(dǎo)中的TM模式是色散波。

D、規(guī)則波導(dǎo)中的TEM模式是非色散波。

E、對(duì)TE和TM模式，當(dāng)工作頻率靠近截止頻率時(shí)，色散趨于嚴(yán)重。

F、波導(dǎo)中電磁波模式產(chǎn)生色散的原因是由波導(dǎo)內(nèi)填充媒質(zhì)有耗性所引起的。

G、規(guī)則波導(dǎo)中的TE模式是非色散波。

H、規(guī)則波導(dǎo)中的TM模式是非色散波。

I、規(guī)則波導(dǎo)中的TEM模式是色散波。

J、對(duì)TE和TM模式，工作頻率遠(yuǎn)離截止頻率時(shí)，色散趨于嚴(yán)重。

答案：【波導(dǎo)中電磁波模式產(chǎn)生色散的原因是由波導(dǎo)系統(tǒng)本身的特性(即邊界條件)所引起的。;規(guī)則波導(dǎo)中的TE模式是色散波。;規(guī)則波導(dǎo)中的TM模式是色散波。;規(guī)則波導(dǎo)中的TEM模式是非色散波。;對(duì)TE和TM模式，當(dāng)工作頻率靠近截止頻率時(shí)，色散趨于嚴(yán)重?！?0.多選題：對(duì)規(guī)則波導(dǎo)的電磁波模式，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、可以在矩形波導(dǎo)存在的電磁波模式，一定可以在無(wú)界空間中存在。

B、電磁波模式的截止頻率fc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波工作頻率f的下限。

C、電磁波模式的截止波長(zhǎng)λc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波長(zhǎng)λ的上限。

D、電磁波模式的截止波數(shù)kc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波數(shù)k的下限。

E、保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以提高電磁波的頻率。

F、保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以增大波導(dǎo)所填充理想介質(zhì)的介電常數(shù)ε或磁導(dǎo)率μ。

G、沿軸向傳播的電磁波模式的波導(dǎo)波長(zhǎng)λg=λ·G，λ為媒質(zhì)波長(zhǎng)，G為波型因子。

H、沿軸向傳播的電磁波模式的相速度vp=v·G，v為媒質(zhì)波速，G為波型因子。

I、沿軸向傳播的電磁波模式的群速度vg=v/G，v為媒質(zhì)波速，G為波型因子。

J、矩形波導(dǎo)中電磁波模式的波型因子G與工作頻率無(wú)關(guān)。

答案：【可以在矩形波導(dǎo)存在的電磁波模式，一定可以在無(wú)界空間中存在。;電磁波模式的截止頻率fc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波工作頻率f的下限。;電磁波模式的截止波長(zhǎng)λc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波長(zhǎng)λ的上限。;電磁波模式的截止波數(shù)kc是使該模式可在規(guī)則波導(dǎo)中導(dǎo)通的電磁波媒質(zhì)波數(shù)k的下限。;保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以提高電磁波的頻率。;保持其他條件不變，為使波導(dǎo)中可以導(dǎo)通的模式增多，可以增大波導(dǎo)所填充理想介質(zhì)的介電常數(shù)ε或磁導(dǎo)率μ?！?1.多選題：關(guān)于貝塞爾函數(shù)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。

B、第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。

C、第三類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

D、第四類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

E、第三類(lèi)貝塞爾函數(shù)又稱(chēng)第一種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從外向內(nèi)傳播的行波。

F、第四類(lèi)貝塞爾函數(shù)又稱(chēng)第二種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從內(nèi)向外傳播的行波。

G、第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

H、第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。

I、第三類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。

J、第四類(lèi)貝塞爾含糊表示柱面駐波。

K、第三類(lèi)貝塞爾函數(shù)又稱(chēng)第一種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從內(nèi)向外傳播的行波。

L、第四類(lèi)貝塞爾函數(shù)又稱(chēng)第二種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從外向內(nèi)傳播的行波。

答案：【第一類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。;第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面駐波。;第三類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。;第四類(lèi)貝塞爾函數(shù)表示柱面行波。;第三類(lèi)貝塞爾函數(shù)又稱(chēng)第一種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從外向內(nèi)傳播的行波。;第四類(lèi)貝塞爾函數(shù)又稱(chēng)第二種漢克爾函數(shù)，表示沿徑向從內(nèi)向外傳播的行波?！?2.多選題：對(duì)圓波導(dǎo)TM波電場(chǎng)強(qiáng)度的分布函數(shù)的Ez(r,φ)分量，進(jìn)行分離變量求解，即使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、只有邊界和柱坐標(biāo)系的坐標(biāo)面重合時(shí)，才能利用分量變量法將Ez(r,φ)寫(xiě)成R(r)函數(shù)和Φ(φ)函數(shù)的乘積并進(jìn)行求解。

B、R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的方程是貝塞爾方程。

C、Φ(φ)滿(mǎn)足的方程是諧方程。

D、R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的邊界條件是：在圓波導(dǎo)內(nèi)壁處為零且在圓波導(dǎo)中心軸線(xiàn)上為有限值。

E、R(r)的通解只能取第一類(lèi)塞爾函數(shù)，而不能包含第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)。

F、Φ(φ)需要滿(mǎn)足周期性的邊界條件，故其通解Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)中的n只能取整數(shù)。

G、R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的方程是諧方程。

H、Φ(φ)滿(mǎn)足的方程是貝塞爾方程。

I、Φ(φ)滿(mǎn)足的方程是拉普拉斯方程。

J、R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的方程是拉普拉斯方程。

答案：【只有邊界和柱坐標(biāo)系的坐標(biāo)面重合時(shí)，才能利用分量變量法將Ez(r,φ)寫(xiě)成R(r)函數(shù)和Φ(φ)函數(shù)的乘積并進(jìn)行求解。;R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的方程是貝塞爾方程。;Φ(φ)滿(mǎn)足的方程是諧方程。;R(r)函數(shù)滿(mǎn)足的邊界條件是：在圓波導(dǎo)內(nèi)壁處為零且在圓波導(dǎo)中心軸線(xiàn)上為有限值。;R(r)的通解只能取第一類(lèi)塞爾函數(shù)，而不能包含第二類(lèi)貝塞爾函數(shù)。;Φ(φ)需要滿(mǎn)足周期性的邊界條件，故其通解Φ(φ)=Acos(nφ-φ0)中的n只能取整數(shù)?！?3.多選題：對(duì)圓波導(dǎo)TM波電場(chǎng)強(qiáng)度分布函數(shù)的Ez(r,φ)分量，滿(mǎn)足的邊界條件是：

選項(xiàng)：

A、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面（即r=a，a為圓波導(dǎo)半徑）等于零。

B、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)中心軸線(xiàn)（即r=0）等于有限值。

C、當(dāng)φ角變化2π時(shí)，Ez(r,φ)保持不變，即Ez(r,φ)=Ez(r,φ+2π)。

D、通過(guò)分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿(mǎn)足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于有限值。

E、通過(guò)分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則Φ(φ)應(yīng)滿(mǎn)足邊界條件是：Φ(φ)=Φ(φ+2π)。

F、當(dāng)φ角變化π時(shí)，Ez(r,φ)保持不變，即Ez(r,φ)=Ez(r,φ+π)。

G、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)中心軸線(xiàn)（即r=0）等于無(wú)限值。

H、Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面（即r=a，a為圓波導(dǎo)半徑）的對(duì)r的導(dǎo)數(shù)等于零。

I、通過(guò)分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿(mǎn)足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于0。

J、通過(guò)分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿(mǎn)足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于無(wú)限值。

答案：【Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)內(nèi)壁表面（即r=a，a為圓波導(dǎo)半徑）等于零。;Ez(r,φ)在圓波導(dǎo)中心軸線(xiàn)（即r=0）等于有限值。;當(dāng)φ角變化2π時(shí)，Ez(r,φ)保持不變，即Ez(r,φ)=Ez(r,φ+2π)。;通過(guò)分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則R(r)應(yīng)滿(mǎn)足邊界條件是：在r=a處等于0，在r=0處等于有限值。;通過(guò)分離變量使Ez(r,φ)=R(r)·Φ(φ)，則Φ(φ)應(yīng)滿(mǎn)足邊界條件是：Φ(φ)=Φ(φ+2π)?！?4.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)導(dǎo)行波電磁場(chǎng)的分布函數(shù)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)表示橫截面的場(chǎng)分布規(guī)律。

B、對(duì)TE和TM波，復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。

C、復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)等于零，則表示對(duì)應(yīng)時(shí)諧場(chǎng)的振幅為零。

D、對(duì)TE波，需先求解復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)Hz(r,φ)，Hz(r,φ)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。

E、對(duì)TM波，需先求解復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)Ez(r,φ)，Ez(r,φ)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。

F、對(duì)TE和TM波，復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)滿(mǎn)足三維波動(dòng)方程。

G、復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)表示沿軸向的場(chǎng)分布規(guī)律。

H、復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)不等于零，則表示對(duì)應(yīng)時(shí)諧場(chǎng)的取值不可能為零。

I、對(duì)TE波，需先求解復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)Ez(r,φ)，Ez(r,φ)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。

J、對(duì)TM波，需先求解復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)Hz(r,φ)，Hz(r,φ)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。

答案：【復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)表示橫截面的場(chǎng)分布規(guī)律。;對(duì)TE和TM波，復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。;復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)等于零，則表示對(duì)應(yīng)時(shí)諧場(chǎng)的振幅為零。;對(duì)TE波，需先求解復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)Hz(r,φ)，Hz(r,φ)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。;對(duì)TM波，需先求解復(fù)數(shù)場(chǎng)的分布函數(shù)Ez(r,φ)，Ez(r,φ)滿(mǎn)足橫截面的二維波動(dòng)方程。】45.多選題：求解圓波導(dǎo)和矩形波導(dǎo)的導(dǎo)行波電磁場(chǎng)時(shí)，有何相同點(diǎn)？

選項(xiàng)：

A、求解時(shí)均假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。

B、求解時(shí)均假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)部填充媒質(zhì)為理想介質(zhì)。

C、求解時(shí)均假設(shè)沿縱向?yàn)闊o(wú)限長(zhǎng)，為導(dǎo)行波。

D、波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TEM波。

E、將波導(dǎo)內(nèi)的模式分為T(mén)E波、TM波兩大類(lèi)。

F、截止波長(zhǎng)最大的模式稱(chēng)為主模。

G、波導(dǎo)內(nèi)均可能存在高次模式。

H、波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TE波。

I、波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TM波。

J、波導(dǎo)內(nèi)均可以傳輸TEM波，但均需要用另外的方法求解。

答案：【求解時(shí)均假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。;求解時(shí)均假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)部填充媒質(zhì)為理想介質(zhì)。;求解時(shí)均假設(shè)沿縱向?yàn)闊o(wú)限長(zhǎng)，為導(dǎo)行波。;波導(dǎo)內(nèi)均不能傳輸TEM波。;將波導(dǎo)內(nèi)的模式分為T(mén)E波、TM波兩大類(lèi)。;截止波長(zhǎng)最大的模式稱(chēng)為主模。;波導(dǎo)內(nèi)均可能存在高次模式?！?6.多選題：關(guān)于圓波導(dǎo)以及圓波導(dǎo)求解假設(shè)條件，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。

B、求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充理想介質(zhì)。

C、求解時(shí)假設(shè)沿縱向（z方向）是行波。

D、可以先求解場(chǎng)的分布函數(shù)，分布函數(shù)再乘以傳播因子即為復(fù)數(shù)場(chǎng)表示。

E、TE波的縱向磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)分量的分布函數(shù)Hz、TM波的縱向電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)分量的分布函數(shù)Ez均滿(mǎn)足相同形式的二維波動(dòng)方程，只是截止波數(shù)kc取值可能不同。

F、圓波導(dǎo)橫截面是圓形，假設(shè)沿縱向?yàn)橛邢揲L(zhǎng)。

G、求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充導(dǎo)電媒質(zhì)。

H、求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充理想導(dǎo)體。

I、圓波導(dǎo)橫截面改成橢圓形，則不可能再傳播導(dǎo)行波。

J、求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)壁是良導(dǎo)體。

答案：【求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)壁為理想導(dǎo)體。;求解時(shí)假設(shè)波導(dǎo)內(nèi)填充理想介質(zhì)。;求解時(shí)假設(shè)沿縱向（z方向）是行波。;可以先求解場(chǎng)的分布函數(shù)，分布函數(shù)再乘以傳播因子即為復(fù)數(shù)場(chǎng)表示。;TE波的縱向磁場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)分量的分布函數(shù)Hz、TM波的縱向電場(chǎng)強(qiáng)度復(fù)分量的分布函數(shù)Ez均滿(mǎn)足相同形式的二維波動(dòng)方程，只是截止波數(shù)kc取值可能不同?！?7.多選題：在選擇矩形波導(dǎo)的寬邊尺寸a、窄邊尺寸b時(shí)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、當(dāng)bλ>a。

B、媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值趨近2a時(shí)，色散趨于嚴(yán)重。

C、媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值趨近2a時(shí)，功率容量下降。

D、媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值趨近2a時(shí)，衰減常數(shù)α上升。

E、當(dāng)b>a/2時(shí)，相對(duì)于b

F、當(dāng)bλ>2b。

G、媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值遠(yuǎn)離2a時(shí)，色散趨于嚴(yán)重。

H、媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值遠(yuǎn)離2a時(shí)，功率容量下降。

I、媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值遠(yuǎn)離2a時(shí)，衰減常數(shù)α上升。

J、當(dāng)ba/2情況，單模工作帶寬△f下降。

K、主模的波導(dǎo)波長(zhǎng)λg等于2a，a為矩形波導(dǎo)寬邊尺寸。

答案：【當(dāng)bλ>a。;媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值趨近2a時(shí)，色散趨于嚴(yán)重。;媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值趨近2a時(shí)，功率容量下降。;媒質(zhì)波長(zhǎng)λ取值趨近2a時(shí)，衰減常數(shù)α上升。;當(dāng)b>a/2時(shí)，相對(duì)于b】48.多選題：一般而言，對(duì)實(shí)用矩形波導(dǎo)橫截面尺寸確定的依據(jù)，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、應(yīng)保證只傳輸主模H10模。

B、損耗和衰減盡量小。

C、色散盡量小，以免信號(hào)失真。

D、尺寸盡可能小。

E、應(yīng)保證可以多模傳輸。

F、損耗和衰減盡量大。

G、色散盡量大，以免信號(hào)失真。

H、尺寸盡可能大。

答案：【應(yīng)保證只傳輸主模H10模。;損耗和衰減盡量小。;色散盡量小，以免信號(hào)失真。;尺寸盡可能小?！?9.多選題：對(duì)寬邊尺寸為a、窄邊尺寸為b的矩形波導(dǎo)的H10模式的傳播特性參量，以下敘述正確的是：

選項(xiàng)：

A、截止波長(zhǎng)λc=2a，波型因子G=[1-(λ/λc)^2]^(1/2)=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)，波導(dǎo)波長(zhǎng)λg=λ/G，λ為媒質(zhì)波長(zhǎng)。

B、截止波數(shù)kc=π/a，波型因子G=[1-(kc/k)^2]^(1/2)=[1-(π/a/k)^2]^(1/2)，相位常數(shù)β=k·G，k為媒質(zhì)波數(shù)。

C、截止頻率fc=v/λc=v/(2a)，波型因子G=[1-(fc/f)^2]^(1/2)=[1-(v/a/2/f)^2]^(1/2)，電磁波頻率f=fc/(1-G^2)^(1/2)。

D、波阻抗ηH10=η/G，其中波型因子G=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)。

E、沿波導(dǎo)軸向?yàn)轳v波狀態(tài)時(shí)，相鄰波節(jié)點(diǎn)的間距等于λg/2，λg為波導(dǎo)波長(zhǎng)。

F、導(dǎo)通狀態(tài)下，(1/λ)^2=(1/λc)^2+(1/λg)^2，其中λ為媒質(zhì)波長(zhǎng)，λc=2a為截止波長(zhǎng)，λg為軸向波導(dǎo)波長(zhǎng)。

G、相速度vp=v·G，其中波型因子G=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)。

H、群速度vg=v/G，其中波型因子G=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)。

I、沿波導(dǎo)軸向?yàn)轳v波狀態(tài)時(shí)，相鄰波節(jié)點(diǎn)的間距等于λ/2，λ為媒質(zhì)波長(zhǎng)。

答案：【截止波長(zhǎng)λc=2a，波型因子G=[1-(λ/λc)^2]^(1/2)=[1-(λ/2a)^2]^(1/2)，波導(dǎo)波長(zhǎng)λg=λ/G，λ為媒質(zhì)波長(zhǎng)。;截止波數(shù)kc=π/a，波型因子G=[1-(kc/k)^2]^(1/2)=[1-(π/a/k)^2]^(1/2)，相位常數(shù)β=k·G，k為媒質(zhì)波數(shù)。;截止頻