博鰲亞洲論壇：創(chuàng)新報告2024

2222序言序言ISTIF12目錄目錄 1 1 3 4 5 6 7 9 1 研究方法 3.2.3高帶寬內(nèi)存(HBM) 3.3.1量子通信技術(shù) 3.4.1CRISPR-Cas9基因編輯技術(shù)創(chuàng)新 BCI AI 3.5.1太空能源系統(tǒng) 3.5.2核聚變能源系統(tǒng) 4.4彌合數(shù)字鴻溝 2第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢1.1外部環(huán)境錯綜復(fù)雜，抑制科技合作創(chuàng)新12第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢1.2國家戰(zhàn)略引領(lǐng)，政策效應(yīng)凸顯.......政策..》....3 年的4第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢AI1.4“有組織科研”模式成為攻關(guān)主力5WPI1.5市場需求倒逼技術(shù)變革6第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢1.6前沿技術(shù)密集爆發(fā)，不確定風險增加7-48第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢1.7智能化全方位滲透生產(chǎn)生活A(yù)IAIAIAI9X1.8顛覆性技術(shù)的標準制定和場景建設(shè)加快ATISTTAAI第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢1.9可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域創(chuàng)新不斷1.10企業(yè)創(chuàng)新能力與質(zhì)量持續(xù)提升ICT第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢件PCT件Wi-Fi第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展2.1全球科技創(chuàng)新現(xiàn)狀GII第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展14%元。之比達到5.2%。第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展來源：OECD、Statista、德勤分析來源：OECD、Statista、德勤分析來源：EUIndustrialR&DInvestment、德勤分析第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展年LAC長件。。第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展2.2亞洲科技創(chuàng)新水平與特點和來源：OECD、Statista、德勤分析第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展 第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展年件。GenAI))第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展來源：IPRdaily、德勤研究SDG7。第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展年AIOECDSTI第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展—第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法數(shù)據(jù)來源：LexisNexis圖34資料來源：Lens、GoogleTrends、德勤研究..3.1智能制造：量子計算融合雙智大模型與具身智能的新型制造模式第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法...第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法.到..NQMNSCS第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法AIGC..IBM的..E.AI.第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法....第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法..的3.2半導(dǎo)體：持續(xù)突破摩爾定律界限UWBGBN圖41Eg第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法EbTFOM.進行氧化鎵功率元件研發(fā)的并不是Cree、Rohm、ST、Infineon、Bosch、OnSemi等功.日本NCTEV.中國3.2.2Chiplet（小芯片）技術(shù)：實現(xiàn)異構(gòu)集成圖42Chiplet工藝示例資料來源：TrendForce、德勤研究第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法圖43Chiplet技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢....AMD個兼計8顆共計128GB的HBM3芯片。1.數(shù)據(jù)中心AI集3.消費電子Chiplet各地區(qū)Chiplet發(fā)展情況.年第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法.家ASRA.ETRI3.2.3高帶寬內(nèi)存(HBM)HBMAIAIHBM.和多的I/O數(shù)量使總帶寬遠高于GDDR5;例如HBM2帶寬可以達到307GB/s。.I/O帶。.HBMGD-第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法為顆顆HBM顆HBM.12nmHBM.HBM4hybridbonding的需求。HBM412hi產(chǎn)品將于2026年推出；而16hi產(chǎn)品則預(yù)計于2027..韓國SKSKHBM4.中國HBMHBM料及圖45第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法借.IEDM。.和。.型,nTSV.韓國MBCFET.臺灣低第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法資料來源：YoleIntelligence和SiOx和.TSV..接至100,000個通孔；.臺積電在高階CPU產(chǎn)品中采用混合鍵合。其SoIC解決方案Cu/OxideHybrid3.3互聯(lián)通信：更遠距離、更安全第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法3.3.1量子通信技術(shù)-.QKD.第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法..到到第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法.......年8108顆衛(wèi)星。.移動3.4生物制造：基因編輯技術(shù)與腦機接口第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法3.4.1CRISPR-Cas9基因編輯技術(shù)創(chuàng)新圖51當前CRISPR-Cas9技術(shù)到創(chuàng)新CRISPRoff技術(shù)的演變第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法圖52當前CRISPR-Cas9技術(shù)到創(chuàng)新NICER技術(shù)的演變圖53CRISPR-Cas9技術(shù)到創(chuàng)新dCas9-Based技術(shù)的演變近90.第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法..BCIBCIBCI)水第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法....BCIAI制藥第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法AIIIIIIAIAIAIAIAI可AIAIADMETADMETAI.中國年.韓國第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法分別.日本Mitsui項DNA和RNA3.5綠色能源：太空能源與核聚變能源系統(tǒng)了率高全性3.5.1太空能源系統(tǒng)2第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法99%LED●..年提第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法萬ESAESA在ESA年SO-LARIS3.5.2核聚變能源系統(tǒng)氘第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法...衰 年億·秒。于反ITER億年。3.6數(shù)據(jù)與網(wǎng)絡(luò)安全行業(yè)：人工智能及量子加密技術(shù)強化數(shù)據(jù)與網(wǎng)絡(luò)安全AI第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法AI+AIAIAI到了85.8%。MLNTTNTTDATA年,+第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法年QKD年KTQKDIDQ年