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2222序言序言ISTIF12目錄目錄 1 1 3 4 5 6 7 9 1 研究方法 3.2.3高帶寬內(nèi)存(HBM) 3.3.1量子通信技術(shù) 3.4.1CRISPR-Cas9基因編輯技術(shù)創(chuàng)新 BCI AI 3.5.1太空能源系統(tǒng) 3.5.2核聚變能源系統(tǒng) 4.4彌合數(shù)字鴻溝 2第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)1.1外部環(huán)境錯(cuò)綜復(fù)雜,抑制科技合作創(chuàng)新12第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)1.2國(guó)家戰(zhàn)略引領(lǐng),政策效應(yīng)凸顯.......政策..》....3 年的4第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)AI1.4“有組織科研”模式成為攻關(guān)主力5WPI1.5市場(chǎng)需求倒逼技術(shù)變革6第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)1.6前沿技術(shù)密集爆發(fā),不確定風(fēng)險(xiǎn)增加7-48第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)1.7智能化全方位滲透生產(chǎn)生活A(yù)IAIAIAI9X1.8顛覆性技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)制定和場(chǎng)景建設(shè)加快ATISTTAAI第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)1.9可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域創(chuàng)新不斷1.10企業(yè)創(chuàng)新能力與質(zhì)量持續(xù)提升ICT第一章全球科技創(chuàng)新十大趨勢(shì)件PCT件Wi-Fi第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展2.1全球科技創(chuàng)新現(xiàn)狀GII第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展14%元。之比達(dá)到5.2%。第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展來(lái)源:OECD、Statista、德勤分析來(lái)源:OECD、Statista、德勤分析來(lái)源:EUIndustrialR&DInvestment、德勤分析第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展年LAC長(zhǎng)件。。第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展2.2亞洲科技創(chuàng)新水平與特點(diǎn)和來(lái)源:OECD、Statista、德勤分析第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展 第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展年件。GenAI))第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展來(lái)源:IPRdaily、德勤研究SDG7。第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展年AIOECDSTI第二章全球與亞洲科技創(chuàng)新發(fā)展—第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法數(shù)據(jù)來(lái)源:LexisNexis圖34資料來(lái)源:Lens、GoogleTrends、德勤研究..3.1智能制造:量子計(jì)算融合雙智大模型與具身智能的新型制造模式第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法...第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法.到..NQMNSCS第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法AIGC..IBM的..E.AI.第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法....第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法..的3.2半導(dǎo)體:持續(xù)突破摩爾定律界限UWBGBN圖41Eg第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法EbTFOM.進(jìn)行氧化鎵功率元件研發(fā)的并不是Cree、Rohm、ST、Infineon、Bosch、OnSemi等功.日本NCTEV.中國(guó)3.2.2Chiplet(小芯片)技術(shù):實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成圖42Chiplet工藝示例資料來(lái)源:TrendForce、德勤研究第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法圖43Chiplet技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)....AMD個(gè)兼計(jì)8顆共計(jì)128GB的HBM3芯片。1.數(shù)據(jù)中心AI集3.消費(fèi)電子Chiplet各地區(qū)Chiplet發(fā)展情況.年第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法.家ASRA.ETRI3.2.3高帶寬內(nèi)存(HBM)HBMAIAIHBM.和多的I/O數(shù)量使總帶寬遠(yuǎn)高于GDDR5;例如HBM2帶寬可以達(dá)到307GB/s。.I/O帶。.HBMGD-第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法為顆顆HBM顆HBM.12nmHBM.HBM4hybridbonding的需求。HBM412hi產(chǎn)品將于2026年推出;而16hi產(chǎn)品則預(yù)計(jì)于2027..韓國(guó)SKSKHBM4.中國(guó)HBMHBM料及圖45第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法借.IEDM。.和。.型,nTSV.韓國(guó)MBCFET.臺(tái)灣低第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法資料來(lái)源:YoleIntelligence和SiOx和.TSV..接至100,000個(gè)通孔;.臺(tái)積電在高階CPU產(chǎn)品中采用混合鍵合。其SoIC解決方案Cu/OxideHybrid3.3互聯(lián)通信:更遠(yuǎn)距離、更安全第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法3.3.1量子通信技術(shù)-.QKD.第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法..到到第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法.......年8108顆衛(wèi)星。.移動(dòng)3.4生物制造:基因編輯技術(shù)與腦機(jī)接口第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法3.4.1CRISPR-Cas9基因編輯技術(shù)創(chuàng)新圖51當(dāng)前CRISPR-Cas9技術(shù)到創(chuàng)新CRISPRoff技術(shù)的演變第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法圖52當(dāng)前CRISPR-Cas9技術(shù)到創(chuàng)新NICER技術(shù)的演變圖53CRISPR-Cas9技術(shù)到創(chuàng)新dCas9-Based技術(shù)的演變近90.第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法..BCIBCIBCI)水第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法....BCIAI制藥第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法AIIIIIIAIAIAIAIAI可AIAIADMETADMETAI.中國(guó)年.韓國(guó)第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法分別.日本Mitsui項(xiàng)DNA和RNA3.5綠色能源:太空能源與核聚變能源系統(tǒng)了率高全性3.5.1太空能源系統(tǒng)2第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法99%LED●..年提第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法萬(wàn)ESAESA在ESA年SO-LARIS3.5.2核聚變能源系統(tǒng)氘第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法...衰 年億·秒。于反ITER億年。3.6數(shù)據(jù)與網(wǎng)絡(luò)安全行業(yè):人工智能及量子加密技術(shù)強(qiáng)化數(shù)據(jù)與網(wǎng)絡(luò)安全AI第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法AI+AIAIAI到了85.8%。MLNTTNTTDATA年,+第三章全球前沿創(chuàng)新應(yīng)用及影響研究方法年QKD年KTQKDIDQ年

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