2025年湘教新版選擇性必修2化學(xué)上冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè)，總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè)，總=sectionpages11頁(yè)2025年湘教新版選擇性必修2化學(xué)上冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共5題，共10分)1、若將基態(tài)6C的電子排布式寫成ls22s22p2x，它違背了A.能量守恒原理B.泡利原理C.能量最低原理D.洪特規(guī)則2、工業(yè)上用C還原SiO2可得半導(dǎo)體材料Si和CO。下列說(shuō)法正確的是A.鍵能大小：E(C-C)B.電離能大?。篒1(Si)<I1(O)C.電負(fù)性大?。簒(O)<x(C)D.酸性強(qiáng)弱：H2CO32SiO33、某化合物可用于治療汞中毒；結(jié)構(gòu)如下圖所示，其中X；W、Y、M、Z是短周期主族元素且原子序數(shù)依次增大，Y與Z屬于同族元素。下列說(shuō)法正確的是。

A.簡(jiǎn)單離子半徑大?。篗>Y>XB.簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)：Y>WC.電負(fù)性大小：Y>W>ZD.除X以外，其它元素均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)4、四種基態(tài)原子的價(jià)電子排布式如下：①2s22p5；②3s23p3；③2s22p4；④3s23p2，下列有關(guān)說(shuō)法正確的是A.電負(fù)性：③＞④＞①B.簡(jiǎn)單離子半徑：①＞③C.單質(zhì)的氧化性：②＞③D.最高價(jià)含氧酸的酸性：②＞④5、某多孔儲(chǔ)氫材料前驅(qū)體結(jié)構(gòu)如圖；M；W、X、Y、Z五種短周期元素原子序數(shù)依次增大，Z原子最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍。下列說(shuō)法正確的是。

A.Z的氧化物只含極性鍵B.原子半徑：M>W>X>Y>ZC.Z的氫化物沸點(diǎn)一定比X的氫化物的沸點(diǎn)高D.W形成最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性弱于X評(píng)卷人得分二、多選題(共7題，共14分)6、下列敘述不正確的是A.z≥83的元素都是放射性元素B.周期表中過(guò)渡元素種數(shù)比主族元素種數(shù)多C.在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子D.離子化合物中不一定含有非金屬元素7、膦(PH3)又稱磷化氫，在常溫下是一種無(wú)色有大蒜臭味的有毒氣體，電石氣的雜質(zhì)中常含有磷化氫。以下關(guān)于PH3的敘述正確的是A.PH3分子中無(wú)未成鍵的孤對(duì)電子B.PH3是極性分子C.它的分子構(gòu)型是三角錐形D.磷原子采用sp2雜化方式8、下列各組分子的立體構(gòu)型相同的是A.B.C.D.9、下列分子或離子中，VSEPR模型為四面體形，但分子或離子的空間結(jié)構(gòu)為V形的是A.B.C.D.10、鈷是重要的過(guò)渡元素，能形成多種穩(wěn)定的配合物。CoCl3·6NH3是一種重要的配合物，研究分子結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)其絡(luò)離子形狀為正八面體。取1mol該配合物，加入足量硝酸銀溶液，產(chǎn)生xmol不溶于稀硝酸的白色沉淀。下列說(shuō)法正確的是A.Co元素在周期表中位于第4周期VIIIB族B.配合物中絡(luò)離子化學(xué)式為[Co(NH2)6]3+C.x≤3D.若晶體Co為A1型密堆積，晶胞參數(shù)為acm，則鈷原子的半徑為a×1010pm11、金屬鐵有δ；γ、α三種結(jié)構(gòu)；各晶胞如圖。下列說(shuō)法不正確的是。

A.三種晶胞中實(shí)際含有的鐵原子的個(gè)數(shù)之比為2：4：1B.三種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為1：3：2C.三種晶胞密度之比為32：37：29D.δ-Fe晶胞的空間利用率為12、設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法中正確的是A.12g金剛石中含有C-C的個(gè)數(shù)為4NAB.124g白磷(P4)晶體中含有P-P的個(gè)數(shù)為6NAC.28g晶體硅中含有Si-Si的個(gè)數(shù)為2NAD.SiO2晶體中1mol硅原子可與氧原子形成2NA個(gè)共價(jià)鍵(Si-O)評(píng)卷人得分三、填空題(共5題，共10分)13、銅礦資源是金屬礦產(chǎn)資源之一；我國(guó)具有豐富的銅礦資源，主要有斑巖型；硅卡巖型、砂巖型、火山巖型、銅鎳型等?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)焰火中的綠色是銅的焰色，基態(tài)銅原子在灼燒時(shí)價(jià)電子發(fā)生了_______而變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。

(2)基態(tài)Cu原子的價(jià)電子排布式為_______，基態(tài)鎳原子的價(jià)電子軌道表示式為_______。

(3)黃銅是人類最早使用的合金之一，主要由Zn和Cu組成。Zn的第一電離能_______(填“大于”或“小于”)Cu的第一電離能﹐原因是_______。14、Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知：①Z的原子序數(shù)為26，其余的均為短周期主族元素；②Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msnmpn③R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)；④Q；X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）R3-的核外電子排布式是____________________________；

（2）寫出Z(OH)3加熱的化學(xué)方程式_________________________；

（3）Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，下列判斷正確的是________；

a．穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲>乙b．穩(wěn)定性：甲>乙，沸點(diǎn)：甲<乙。

c．穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲<乙d．穩(wěn)定性：甲<乙，沸點(diǎn)：甲>乙。

（4）Q、R、Y三種元素的原子半徑從大到小的順序?yàn)開___________（用元素符號(hào)作答）

（5）Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26，其電子式為__________________

（6）X和Y形成的化合物晶體屬于____________。15、(1)比較結(jié)合OH-能力的強(qiáng)弱：___________Al3+(填“>”“＜”或“=”)。用一個(gè)化學(xué)方程式來(lái)說(shuō)明乙酸的酸性強(qiáng)于碳酸___________。

(2)已知化學(xué)式為NH5的物質(zhì)是離子化合物，其中氮元素的化合價(jià)為-3價(jià)，各原子均達(dá)到稀有氣體的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其電子式為___________。

(3)SiO2的熔點(diǎn)比CO2的熔點(diǎn)高。原因是___________。16、CO2和CH4在一定條件下合成乙酸：CO2+CH4CH3COOH。完成下列填空：

(1)①寫出碳原子最外電子層的軌道表示式______

②鈦(Ti)是22號(hào)元素，它是______(選填編號(hào))

a.主族元素b.副族元素c.短周期元素d.長(zhǎng)周期元素。

(2)CS2分子的電子式為______；其熔沸點(diǎn)比CO2高，原因是______常溫下，向1LpH=10的NaOH溶液中持續(xù)通入CO2。通入CO2的體積(V)與溶液中水電離產(chǎn)生的OH﹣離子濃度(c)的關(guān)系如圖所示。

(3)c點(diǎn)溶液中離子濃度由大至小的關(guān)系是：______

(4)a點(diǎn)溶液中由水電離產(chǎn)生的c(H+)=______；b點(diǎn)溶液中c(H+)______1×10﹣7mol/L(填寫“等于”；“大于”或“小于”)

(5)能使0.1mol/L乙酸溶液的電離程度以及pH都增大的是______(選填序號(hào))

a.加水稀釋b.加入少量乙酸鈉固體c.通氯化氫d.加入少量苛性鈉固體17、Goodenough等人因在鋰離子電池及鈷酸鋰；磷酸鐵鋰等正極材料研究方面的卓越貢獻(xiàn)而獲得2019年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)基態(tài)Fe2+價(jià)電子排布圖為___________。

(2)Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能(I1)如表所示。I1(Li)＞I1(Na)，原因是___________。I1(Be)＞I1(B)＞I1(Li)，原因是___________。熔點(diǎn)Li2O___________Na2O(填“＞”或“＜”)。I1/(kJ/mol)Li：520Be：900B：801Na：496Mg：738Al：578

(3)磷酸根離子的空間構(gòu)型為___________，其中P的雜化軌道類型為___________；與PO互為等電子體的陰離子有___________(寫出一種離子符號(hào))。

(4)金剛石與石墨都是碳的同素異形體。金剛石屬于___________晶體。若碳原子半徑為rnm，根據(jù)硬球接觸模型，金剛石晶胞中碳原子的空間占有率為___________(用含π的代數(shù)式表示)。

評(píng)卷人得分四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共2題，共8分)18、已知銅的配合物A(結(jié)構(gòu)如圖)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）Cu的簡(jiǎn)化電子排布式為___________________。

（2）A中配位原子是_________，配位原子的第一電離能由大到小順序?yàn)開________，雜化軌道類型均為_______________。

（3）配體氨基乙酸根(H2NCH2COO-)受熱分解可產(chǎn)生CO2和N2，N2中α鍵和π鍵數(shù)目之比是_________；N2O與CO2互為等電子體，且N2O分子中0只與一個(gè)N相連，則N2O的電子式為_________。

（4）在Cu催化下，甲醇可被氧化為甲醛(HCHO),甲醛分子中H—C—O的鍵角_________（選填“大于”、“小于”或“等于”）120?。甲醇沸點(diǎn)_________甲醛（選填“大于”、“小于”或“等于”)，原因是_________。

（5）立方氮化硼與金剛石結(jié)構(gòu)相似，是超硬材料。立方氮化硼的晶胞如圖所示，N填充在由B組成的四面體空隙中，則N原子半徑RN最大為_________(用B原子半徑RB和晶體邊長(zhǎng)a表示)，立方氮化硼晶體內(nèi)B—N鍵數(shù)與硼原子數(shù)之比為_________。結(jié)構(gòu)化學(xué)上用原子坐標(biāo)參數(shù)表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，下圖（右）立方氮化硼的晶胞中，B原子的坐標(biāo)參數(shù)分別有：B(0，0，0)；B(l/2，0，l/2)；B(l/2，l/2，0)等。則距離上述三個(gè)B原子最近且等距的N原子的坐標(biāo)參數(shù)為_________。19、氫；氮、氧、鐵、銅等元素及其化合物在人們的日常生活中有著廣泛的用途?；卮鹣铝袉?wèn)題:

(1)寫出基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布式__________________

(2)和銅在同一周期中，基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)為2的元素共有______種。

(3)NH4HF2中HF2-的結(jié)構(gòu)為F-HF-，則NH4HF2中含有的化學(xué)鍵有_________

(A)離子鍵(B)共價(jià)鍵(C)金屬鍵(D)氫鍵(E)配位鍵。

(4)寫出與NH4+互為等電子體的一種分子的化學(xué)式________；

(5)CH3OH分子中C原子的雜化方式為_________，鍵角：H-C-H_______H-O-C。(填“<”、“>”；“=”)

(6)Cu與Cl形成某種化合物的晶胞如下圖所示，Cu的配位數(shù)是________，該晶體的密度為ρg·cm-3，晶胞邊長(zhǎng)為acm，則阿伏加德羅常數(shù)為____________(用含ρ；a的代數(shù)式表示)。

評(píng)卷人得分五、計(jì)算題(共4題，共12分)20、(1)鈷的一種氧化物的晶胞如圖所示，在該晶體中與一個(gè)鈷原子等距離且最近的鈷原子有___________個(gè)；與一個(gè)鈷原子等距離且次近的氧原子有___________個(gè)；若該鈷的氧化物晶體中鈷原子與跟它最近鄰的氧原子之間的距離為r，該鈷原子與跟它次近鄰的氧原子之間的距離為___________；已知在該鈷的氧化物晶體中鈷原子的半徑為apm，氧原子的半徑為bpm，它們?cè)诰w中是緊密接觸的，則在該鈷的氧化物晶體中原子的空間利用率為___________(用含a、b的式子表示)。

(2)筑波材料科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室一個(gè)科研小組發(fā)現(xiàn)了在5K下呈現(xiàn)超導(dǎo)性的晶體，該晶體具有CoO2的層狀結(jié)構(gòu)(如下圖所示，小球表示Co原子，大球表示O原子)。下列用粗線畫出的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元示意圖不能描述CoO2的化學(xué)組成的是___________。

21、根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖；計(jì)算晶胞的體積或密度。

(1)N和Cu元素形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則該化合物的化學(xué)式為____。該化合物的相對(duì)分子質(zhì)量為M，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。若該晶胞的邊長(zhǎng)為acm，則該晶體的密度是______g·cm-3。

(2)S與Cu形成化合物晶體的晶胞如圖所示。已知該晶體的密度為ag·cm-3，則該晶胞中硫原子的個(gè)數(shù)為______的體積為______cm3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。

22、石墨的片層結(jié)構(gòu)如圖所示；試回答：

(1)片層中平均每個(gè)正六邊形含有_______個(gè)碳原子。

(2)在片層結(jié)構(gòu)中，碳原子數(shù)、C-C鍵、六元環(huán)數(shù)之比為_______。

(3)ng碳原子可構(gòu)成_______個(gè)正六邊形。23、10mL某氣態(tài)烴，在50mLO2中充分燃燒，得到液態(tài)水，以及35mL混合氣體(所有氣體均在同溫同壓下測(cè)定)，該氣態(tài)烴是什么？____________(寫出計(jì)算過(guò)程和烴的分子式)參考答案一、選擇題(共5題，共10分)1、D【分析】【分析】

【詳解】

A．能量既不會(huì)憑空產(chǎn)生，也不會(huì)憑空消失，它只能從一種形式轉(zhuǎn)化為別的形式，或者從一個(gè)物體轉(zhuǎn)移到別的物體，在轉(zhuǎn)化或轉(zhuǎn)移的過(guò)程中其總量不變，6C的電子排布式寫成ls22s22p2x沒(méi)有違背能量守恒原理；故A不符合題意；

B．泡利原理指的是在一個(gè)原子軌道里，最多只能容納兩個(gè)電子，而且它們的自旋狀態(tài)相反，基態(tài)6C的電子排布式寫成ls22s22p2x；沒(méi)有違背泡利原理，故B不符合題意；

C．能量最低原則指的是電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的原子軌道，使整個(gè)原子體系能量處于最低，這樣的狀態(tài)是原子的基態(tài)，6C的電子排布式寫成ls22s22p2x；沒(méi)有違背能量最低原理，故C不符合題意；

D．6C原子2p能級(jí)上有3個(gè)軌道，2p能級(jí)上有2個(gè)電子，2個(gè)電子應(yīng)該排在2個(gè)不同的軌道上，且自旋方向相同，若將基態(tài)6C的電子排布式寫成ls22s22p2x，它違背了洪特規(guī)則，正確的電子排布式為：1s22s22px12py1；故D符合題意；

答案選D。2、B【分析】【詳解】

A．同主族元素；隨著原子核電荷數(shù)變大，半徑半徑變大，鍵能變小，故E(C-C)＞E(Si-Si)，A錯(cuò)誤；

B．同周期原子第一電離能隨著核電荷數(shù)變大呈增大趨勢(shì)，第VA族遵循半滿規(guī)則，能量最低，電離能大于第VIA族電離能，電離能大小VA族＞VIA族＞IVA族，故I1(C)<I1(O)，同主族元素第一電離能隨著核電荷數(shù)增大而增大，故I1(Si)<I1(C)，故I1(Si)<I1(O)；B正確；

C．同周期原子，電負(fù)性隨核電荷數(shù)增大而增大，電負(fù)性大?。簒(C)<x(O)；C錯(cuò)誤；

D．同主族元素，非金屬性隨核電荷數(shù)增加而減弱，最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物酸性減弱：H2CO3＞H2SiO3；D錯(cuò)誤；

故答案為：B。3、B【分析】【分析】

X原子序數(shù)最??；且X與Y形成1個(gè)共價(jià)鍵，說(shuō)明X的最外層含有1個(gè)電子，則X為H，Y與Z屬于同族元素，而Y形成2個(gè)共價(jià)鍵，則Y為O；Z為S，W原子序數(shù)比O小，且形成4個(gè)共價(jià)鍵，則W為C，M的原子序數(shù)大于O小于S，且形成一個(gè)正電荷的陽(yáng)離子，則M為Na；

【詳解】

分析可知；X為H，W為C，Y為O，M為Na，Z為S元素；

A．電子層越多離子半徑越大，電子層結(jié)構(gòu)相同時(shí)，核電荷數(shù)越大離子半徑越小，則簡(jiǎn)單離子半徑大小順序?yàn)椋篛2->Na+>H+；即Y＞M＞X，故A錯(cuò)誤；

B．由于H2O中含有氫鍵，沸點(diǎn)比H2S高，則簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)：Y>W；故B正確；

C．非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，非金屬性O(shè)＞S＞C，則電負(fù)性：Y>Z>W；故C錯(cuò)誤；

D．該化合物中S元素只形成4個(gè)共價(jià)鍵；最外層只有6個(gè)電子，Z不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故D錯(cuò)誤；

故選：B。4、D【分析】【分析】

由四種元素基態(tài)原子價(jià)電子排布式可知，①2s22p5是F元素；②3s23p3是P元素；③2s22p4是O元素；④3s23p2是Si元素；據(jù)此解答。

【詳解】

A．同周期自左而右電負(fù)性增大；同主族自上而下電負(fù)性減小，所以電負(fù)性是F＞O＞Si，即①＞③＞④，故A錯(cuò)誤；

B．核外電子排布相同；離子半徑隨原子序數(shù)的增大而減小，故簡(jiǎn)單離子半徑O＞F，即③＞①，故B錯(cuò)誤；

C．非金屬性O(shè)＞P；所以單質(zhì)的氧化性：③＞②，故C錯(cuò)誤；

D．同周期自左而右非金屬性逐漸增強(qiáng)；最高價(jià)含氧酸的酸性逐漸增強(qiáng)，非金屬性P＞Si，所以最高價(jià)含氧酸的酸性P＞Si，即：②＞④，故D正確；

故選D。5、D【分析】【分析】

Z原子最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍；則Z是O元素；根據(jù)多孔儲(chǔ)氫材料前驅(qū)體結(jié)構(gòu)可知M是H元素，W是B元素，X是C元素，Y是N元素，以此解題。

【詳解】

A．O的氫化物有H2O、H2O2，H2O2中含極性鍵；非極性鍵；A錯(cuò)誤；

B．同周期越靠右原子半徑越大，一般來(lái)說(shuō)電子層越多半徑越大，故原子半徑：B>C>N>O>H；B錯(cuò)誤；

C．C能形成多種氫化物，有些C的氫化物呈固態(tài)，所以H2O、H2O2的沸點(diǎn)不一定比C的氫化物的沸點(diǎn)高；C錯(cuò)誤；

D．非金屬性越強(qiáng)；其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性越強(qiáng)，故碳酸的酸性大于硼酸，D正確；

故選D。二、多選題(共7題，共14分)6、AD【分析】【分析】

【詳解】

略7、BC【分析】【分析】

【詳解】

A．PH3分子中的孤對(duì)電子數(shù)為=1，故PH3中有1個(gè)孤電子對(duì)；A錯(cuò)誤；

B．N和P為同一主族元素，故PH3與NH3互為等電子體，NH3極易溶于水，根據(jù)相似相溶原理可知，故PH3是極性分子；B正確；

C．由A分析可知，PH3中P原子周圍形成了3個(gè)σ鍵；有1對(duì)孤電子對(duì)，故它的分子構(gòu)型是三角錐形，C正確；

D．有A和C分析可知，磷原子周圍的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，故P采用sp3雜化方式；D錯(cuò)誤；

故答案為：BC。8、AC【分析】【詳解】

A．空間構(gòu)型為V形；中O原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=4；有1對(duì)孤電子對(duì)，分子的立體構(gòu)型為V形，選項(xiàng)A正確；

B．中O原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=4，有1對(duì)孤電子對(duì)，分子的立體構(gòu)型為V形；NH3中N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+=4，有一對(duì)孤電子對(duì)，則N原子為sp3雜化；分子的空間構(gòu)型為三角錐形，選項(xiàng)B錯(cuò)誤；

C．中Sn原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=3，有1對(duì)孤電子對(duì)，則中Sn原子為sp2雜化，分子的空間構(gòu)型為V形；中N原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=2；有1對(duì)孤電子對(duì)，則N原子為sp雜化，分子的空間構(gòu)型為V形，選項(xiàng)C正確；

D．中C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+=4，無(wú)孤電子對(duì)，C原子為sp3雜化，分子的立體構(gòu)型為正四面體；SO3中S原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+=3，無(wú)孤電子對(duì)，則S原子為sp2雜化；分子的空間構(gòu)型為平面三角形，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；

答案選AC。9、AD【分析】【詳解】

A．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=4；則VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為V形，故A正確；

B．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+=4；則VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為三角錐形，故B錯(cuò)誤；

C．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=2；則VSEPR模型為直線形，空間構(gòu)型為直線形，故C錯(cuò)誤；

D．中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+=4；則VSEPR模型為四面體形，空間構(gòu)型為V形，故D正確；

故答案為AD。10、BD【分析】【詳解】

A.鈷元素的原子序數(shù)為27；位于元素周期表第四周期Ⅷ族，故A錯(cuò)誤；

B.由絡(luò)離子形狀為正八面體可知，鈷離子與6個(gè)氨氣分子形成絡(luò)離子，化學(xué)式為[Co(NH2)6]3+；故B正確；

C.由絡(luò)離子形狀為正八面體可知，鈷離子與6個(gè)氨氣分子形成絡(luò)離子，氯離子為外界離子，配合物的化學(xué)式為[Co(NH2)6]Cl3；1mol配合物與足量硝酸銀溶液反應(yīng)生成3mol不溶于稀硝酸的氯化銀白色沉淀，故C錯(cuò)誤；

D.若晶體鈷為面心立方堆積，鈷原子位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，設(shè)鈷原子的半徑為r，則面對(duì)角線為4r，由晶胞參數(shù)為acm可得：(4r)2=a2+a2，解得r=acm=a×1010pm；故D正確；

故選BD。11、BC【分析】【分析】

【詳解】

A．三種晶胞中實(shí)際含有的鐵原子的個(gè)數(shù)之比為(8×+1):(8×+6×):(8×)=2：4：1；故A正確；

B．δ-Fe為體心立方堆積；以體心Fe研究可知Fe原子配位數(shù)為8，γ-Fe為面心立方堆積，F(xiàn)e原子配位數(shù)為12，α-Fe為簡(jiǎn)單立方堆積，可知Fe原子配位數(shù)為6，故δ-Fe；γ-Fe、α-Fe兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為8：12：6=4：6：3，故B錯(cuò)誤；

C．設(shè)鐵原子半徑為a，根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖，γ-Fe晶體中晶胞的棱長(zhǎng)為δ-Fe晶體中晶胞的棱長(zhǎng)為α-Fe晶體中晶胞的棱長(zhǎng)為2a，所以三種晶胞的棱長(zhǎng)之比為：233，原子數(shù)之比2：4：1，密度之比：=故C錯(cuò)誤；

D．δ-Fe晶胞的空間利用率為==故D正確；

故選BC。12、BC【分析】【分析】

【詳解】

A．金剛石中每個(gè)C原子形成4個(gè)C-C鍵，每個(gè)C-C鍵被兩個(gè)C原子共用，則每個(gè)C具有=2個(gè)C-C鍵，12g金剛石含有1mol碳原子，含有C-C的個(gè)數(shù)為2NA；A錯(cuò)誤；

B．1mol白磷含有6molP—P鍵，124g白磷(P4)物質(zhì)的量為1mol，因此124g白磷晶體中含有P—P鍵的個(gè)數(shù)為6NA；B正確；

C．與金剛石類似，晶體硅中每個(gè)Si原子形成Si-Si鍵，28g晶體硅物質(zhì)的量為1mol，因此中含有Si—Si鍵的個(gè)數(shù)為2NA；C正確；

D．SiO2晶體中每個(gè)Si與周圍4個(gè)O原子結(jié)合形成4個(gè)Si—O鍵，因此SiO2晶體中每摩爾硅原子可與氧原子形成4NA個(gè)共價(jià)鍵(Si—O鍵)；D錯(cuò)誤；

綜上所述答案為BC。三、填空題(共5題，共10分)13、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)基態(tài)銅原子在灼燒時(shí)價(jià)電子會(huì)發(fā)生躍遷；變成激發(fā)態(tài)，而焰火中的綠色是由激發(fā)態(tài)到基態(tài)的發(fā)射光譜；

(2)Cu為29號(hào)元素，根據(jù)核外電子排布規(guī)律，核外電子排布為[Ar]3d104s1，故價(jià)電子排布為：3d104s1；鎳的原子序數(shù)是28，則基態(tài)鎳原子的價(jià)電子軌道表示式為

(3)Zn為30號(hào)原子，核外電子排布為[Ar]3d104s2，軌道電子處于全滿結(jié)構(gòu)，能量較低，物質(zhì)較穩(wěn)定，難失去電子，所以Zn的第一電離能大于Cu的第一電離能?！窘馕觥寇S遷大于Zn核外電子排布為全滿結(jié)構(gòu)，難失去電子14、略

【分析】【分析】

Z的原子序數(shù)為26，則Z為Fe元素；Q、R、X、Y均為短周期主族元素，Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。Q、X的p軌道為2和4，二者有2個(gè)電子層，則為Q為C元素和X為O元素；Y原子價(jià)電子（外圍電子）排布msnmpn；s能級(jí)容納電子數(shù)為2，則Y可能為C或Si，由于Q為C元素，所以Y為Si元素；R的核外L層為奇數(shù)，所以R有2個(gè)電子層，則可能為L(zhǎng)i；B、N或F，R的原子序數(shù)介于Q與X之間，Q為C元素，X為O元素，則R為N元素。所以可推出：Q為C，R為N，X為O，Y為Si，Z為Fe，據(jù)此答題。

【詳解】

（1）則R為N元素，N3-核外電子排布式為：1S22S22P6，故答案為：1S22S22P6；

（2）Z為Fe，F(xiàn)e(OH)3加熱的化學(xué)方程式為：故答案為：

（3）Q、Y的氫化物分別為CH4和SiH4，由于C的非金屬性強(qiáng)于Si，則穩(wěn)定性CH4＞SiH4．因?yàn)镾iH4的相對(duì)分子質(zhì)量比CH4大，故分子間作用力大，沸點(diǎn)高，故答案為：b；

（4）Q為C；R為N，Y為Si，C；N和Si中，C、Si位于同一主族，Si的原子半徑大于C.N位于同一周期，C的半徑大于N，故原子半徑從大到小的順序?yàn)椋篠i＞C＞N，故答案為：Si＞C＞N；

（5）C、H形成的相對(duì)分子質(zhì)量為26的物質(zhì)為C2H2；其電子式為：H∶C┇┇C∶H，故答案為：H∶C┇┇C∶H；

（6）X為O，Y為Si，兩者構(gòu)成的SiO2；構(gòu)成微粒是原子，作用力是共價(jià)鍵，則屬于原子晶體，故答案為：原子晶體。

【點(diǎn)睛】

本題主要考查了核外電子排布、配位鍵、原子半徑比較、化學(xué)鍵、晶體類型等知識(shí)，元素推斷是解題的前提，答題時(shí)注意審題，按要求答題?！窘馕觥?S22S22P6bSi＞C＞NH∶C┇┇C∶H原子晶體15、略

【分析】【詳解】

(1)由反應(yīng)Al3++3NH3·H2O=Al(OH)3↓+3可知，NH3·H2O電離出OH-的能力比Al(OH)3強(qiáng)，則結(jié)合OH-能力的強(qiáng)弱：＜Al3+。能說(shuō)明乙酸的酸性強(qiáng)于碳酸的化學(xué)方程式為NaHCO3+CH3COOH=CH3COONa+H2O+CO2↑。答案為：NaHCO3+CH3COOH=CH3COONa+H2O+CO2↑；

(2)已知化學(xué)式為NH5的物質(zhì)是離子化合物，其中氮元素的化合價(jià)為-3價(jià)，各原子均達(dá)到稀有氣體的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則其化學(xué)式為NH4H，電子式為答案為：

(3)SiO2與CO2雖然組成類似，但晶體類型不同，前者形成原子晶體，后者形成分子晶體，所以SiO2的熔點(diǎn)比CO2的熔點(diǎn)高，原因是SiO2形成原子晶體，熔化時(shí)破壞Si、O原子間的共價(jià)鍵，CO2形成分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間的作用力，而共價(jià)鍵的能量比分子間作用力大得多。答案為：SiO2形成原子晶體，熔化時(shí)破壞Si、O原子間的共價(jià)鍵，CO2形成分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間的作用力，而共價(jià)鍵的能量比分子間作用力大得多?！窘馕觥竣?＜②.NaHCO3+CH3COOH=CH3COONa+H2O+CO2↑③.④.SiO2形成原子晶體，熔化時(shí)破壞Si、O原子間的共價(jià)鍵，CO2形成分子晶體，熔化時(shí)破壞分子間的作用力，而共價(jià)鍵的能量比分子間作用力大得多16、略

【分析】【分析】

(1)①C原子共2個(gè)電子層；最外層電子為2s；2p電子；

②鈦(Ti)是22號(hào)元素；位于第四周期ⅣB族；

(2)CS2的電子式類似于CO2；二者都為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越高；

(3)當(dāng)水電離出的OH?離子濃度最大時(shí)；說(shuō)明此時(shí)的溶液是碳酸鈉溶液，對(duì)水的電離起促進(jìn)作用；

(4)水電離出的氫離子與氫氧根離子的濃度始終相等，a是沒(méi)有通二氧化碳的情況，即pH＝10的NaOH溶液，結(jié)合水的離子常數(shù)分析求解；b點(diǎn)是強(qiáng)堿溶液對(duì)水的電離起抑制作用，所以溶液中的c(H＋)＜1×10?7mol/L；

(5)電離程度增大；電離平衡應(yīng)正向移動(dòng)，且pH增大，則酸性減弱，以此來(lái)解答。

【詳解】

(1)①C原子共2個(gè)電子層，最外層電子為2s、2p電子，最外電子層的軌道表示式為故答案為：

②鈦(Ti)是22號(hào)元素，位于第四周期ⅣB族，為長(zhǎng)周期副族元素，故答案為：bd；

(2)CS2的電子式類似于CO2，電子式為二者都為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，則熔點(diǎn)越高，故答案為：二者都為分子晶體；相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大；

(3)當(dāng)水電離出的OH?離子濃度最大時(shí)，說(shuō)明此時(shí)的溶液是碳酸鈉溶液，對(duì)水的電離起促進(jìn)作用，所以離子溶液濃度大小為c(Na+)＞c(CO32﹣)＞c(HCO3﹣)，故答案為：c(Na+)＞c(CO32﹣)＞c(HCO3﹣)；

(4)水電離出的氫離子與氫氧根離子的濃度始終相等，a是沒(méi)有通二氧化碳的情況，即pH＝10的NaOH溶液，則c(H＋)＝1×10?10mol/L，而氫離子來(lái)源于水的電離，所以水電離出的c(H＋)＝1×10?10mol/L，b點(diǎn)是強(qiáng)堿溶液對(duì)水的電離起抑制作用，所以溶液中的c(H＋)＜1×10?7mol/L，故答案為：1×10?10mol/L；小于；

(5)a．加水稀釋，促進(jìn)電離，且氫離子濃度減小，pH增大，故選；

b．加入少量乙酸鈉固體，抑制電離，電離程度減小，故不選；

c．通氯化氫，酸性增強(qiáng)，pH減小，故不選；

d．加入少量苛性鈉固體；促進(jìn)電離，且氫離子濃度減小，pH增大，故選；

故答案為：ad?！窘馕觥縝d二者都為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大c(Na+)＞c(CO32﹣)＞c(HCO3﹣)1×10﹣10mol/L小于ad17、略

【分析】【分析】

（1）

基態(tài)Fe2+的電子排布式為3d6，可得基態(tài)Fe2+的電子排布圖為

（2）

①Na與Li同主族；Na的電子層數(shù)更多，原子半徑更大，故第一電離能更?。?/p>

②Li；Be、B為同周期元素；同周期元素從左向右，第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì)，但由于基態(tài)Be原子的s能級(jí)軌道處于全充滿狀態(tài)，能量更低更穩(wěn)定，故其第一電離能大于B的；

③氧化鈉跟氧化鋰都是離子晶體；所以晶格能越大，熔點(diǎn)越高。比較晶格能，看離子半徑和，半徑和越小，晶格能越大。鈉離子的半徑大于鋰離子，所以氧化鋰的熔點(diǎn)高。

（3）

磷酸根中心原子磷的成鍵電子對(duì)數(shù)目為4，價(jià)層電子對(duì)數(shù)目為4，磷酸根離子中不含有孤電子對(duì)，因此其構(gòu)型為正四面體形，P原子是采用sp3雜化形成的4個(gè)sp3雜化軌道。

等電子體是指價(jià)電子數(shù)和原子數(shù)(氫等輕原子不計(jì)在內(nèi))相同的分子；離子或原子團(tuán)。據(jù)此可寫出與磷酸根離子互為等電子體的陰離子。

（4）

金剛石是正八面體結(jié)構(gòu)。C碳原子按四面體成鍵方式互相連接，組成無(wú)限的三維骨架，是典型的原子晶體，每個(gè)碳原子都以sp3雜化軌道與另外4個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵，構(gòu)成正四面體；由晶胞的位置關(guān)系可得體對(duì)角線為8r，設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為anm，則晶胞中有8個(gè)C，則空間占有率為【解析】(1)

(2)Na與Li同主族，Na的電子層數(shù)更多，原子半徑更大，故第一電離能更小Li、Be、B為同周期元素，同周期元素從左向右，第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢(shì)，但由于基態(tài)Be原子的s能級(jí)軌道處于全充滿狀態(tài)，能量更低更穩(wěn)定，故其第一電離能大于B的>

(3)正四面體形sp3SO或ClOBrOIOSiO等。

(4)原子四、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共2題，共8分)18、略

【分析】【詳解】

試題分析：(1).根據(jù)能量最低原則、泡利不相容原理、洪特規(guī)則書寫核外電子排布式；(2)根據(jù)A的結(jié)構(gòu)式，銅原子與N、O原子形成配位鍵；原子最外層電子為全滿、半滿為相對(duì)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，能量較低，失去電子較難，氮原子最外層電子為半滿結(jié)構(gòu)，第一電離能高于相鄰的原子；形成配位鍵的N、O原子，全形成單鍵為sp3雜化；（3）N2中含有氮氮三鍵；二氧化碳和笑氣分子具有相似的結(jié)構(gòu)，且N2O分子中氧原子只與一個(gè)氮原子相連，所以笑氣的電子式為：（4）甲醇分子中的碳采取sp3雜化，是四面體結(jié)構(gòu)，甲醛分子中的碳采取sp2雜化，是平面三角形結(jié)構(gòu)，所以甲醇分子的O-C-H鍵角小于甲醛分子的O-C-H鍵角；（5）根據(jù)均攤原則，一個(gè)氮化硼晶胞含有4個(gè)B、4個(gè)N，根據(jù)晶胞的體積=4個(gè)B的體積+4個(gè)N原子的體積，；根據(jù)坐標(biāo)B(0，0，0)；B(l/2，0，l/2)；B(l/2，l/2；0)，可知晶胞的邊長(zhǎng)為1。

解析：(1).根據(jù)能量最低原則、泡利不相容原理、洪特規(guī)則，29號(hào)Cu元素的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d104S1；(2)根據(jù)A的結(jié)構(gòu)式，銅原子與N、O原子形成配位鍵；原子最外層電子為全滿、半滿為相對(duì)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，能量較低，失去電子較難，氮原子最外層電子為半滿結(jié)構(gòu)，第一電離能高于相鄰的原子，所以第一電離能N>O；形成配位鍵的N、O原子，全形成單鍵，所以軌道雜化方式為sp3雜化；（3）N2中含有氮氮三鍵；二氧化碳和笑氣分子具有相似的結(jié)構(gòu)，且N2O分子中氧原子只與一個(gè)氮原子相連，根據(jù)成鍵規(guī)律，笑氣的電子式為：（4）甲醇分子中的碳采取sp3雜化，是四面體結(jié)構(gòu)，甲醛分子中的碳采取sp2雜化，是平面三角形結(jié)構(gòu)，所以甲醇分子的O-C-H鍵角小于甲醛分子的O-C-H鍵角；（5）根據(jù)均攤原則，一個(gè)氮化硼晶胞含有4個(gè)B、4個(gè)N，根據(jù)晶胞的體積=4個(gè)B的體積+4個(gè)N原子的體積，則根據(jù)坐標(biāo)B(0，0，0)；B(l/2，0，l/2)；B(l/2，l/2，0)，可知晶胞的邊長(zhǎng)為1,距離上述三個(gè)B原子最近且等距的N原子的坐標(biāo)參數(shù)為（)。

點(diǎn)睛：根據(jù)均攤原則，頂點(diǎn)上的原子被一個(gè)晶胞占用棱上的原子被一個(gè)晶胞占用面上的原子被一個(gè)晶胞占用晶胞中心的原子被一個(gè)晶胞完全占用?！窘馕觥縖Ar]3d104S1NON>0sp3雜化1∶2大于大于甲醇和甲醛都屬于分子晶體，甲醇分子之間存在氫鍵，分子間作用力較大，故沸點(diǎn)較高4∶1（)19、略

【分析】【分析】

(1)Cu是29號(hào)元素，處于中第四周期第IB族，屬于過(guò)渡元素，價(jià)電子包括3d、4s電子；

(2)與Cu同周期，基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)為2的元素價(jià)電子排布式為3d24s2、3d84s2、4s24p2、4s24p4；

(3)NH4+與HF2-形成離子鍵，HF2-中F與H原子之間存在極性鍵、氫鍵，NH4+中含有配位鍵；氫鍵不屬于化學(xué)鍵；

(4)與NH4+互為等電子體的一種分子可以用C原子替換N原子與1個(gè)單位正電荷；

(5)碳原子沒(méi)有孤電子對(duì)數(shù)；形成4個(gè)σ鍵，C原子雜化軌道數(shù)目=0+3=4；孤對(duì)電子之間排斥力＞孤對(duì)電子與成鍵電子對(duì)之間排斥力＞成鍵電子對(duì)之間排斥力，排斥力越大化學(xué)鍵鍵角被壓縮程度越大；

(6)由晶胞結(jié)構(gòu)可知；黑色球的配位數(shù)為4，而晶胞中黑色球；白色球數(shù)目均為4，二者配位數(shù)相同；結(jié)合晶胞中原子數(shù)目用阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞質(zhì)量，而晶胞質(zhì)量=晶體密度×晶胞體積，聯(lián)立計(jì)算。

【詳解】

(1)Cu是29號(hào)元素，處于中第四周期第IB族，屬于過(guò)渡元素，價(jià)電子包括3d、4s電子，故價(jià)電子排布式為：3d104s1；

(2)與Cu同周期，基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)為2的元素價(jià)電子排布式為3d24s2、3d84s2、4s24p2、4s24p4；共有4種；

(3)NH4+與HF2-形成離子鍵，HF2-中F與H原子之間存在極性鍵、氫鍵，NH4+中含有配位鍵；氫鍵不屬于化學(xué)鍵；

(4)與NH4+互為等電子體的一種分子可以用C原子替換N原子與1個(gè)單位正電荷為CH4等；

(5)碳原子沒(méi)有孤電子對(duì)數(shù)，形成4個(gè)σ鍵，C原子雜化軌道數(shù)目=0+3=4，C原子采取sp3雜化；O原子有2對(duì)孤電子對(duì)，形成2