
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

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文檔簡介
…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁,總=sectionpages22頁第=page11頁,總=sectionpages11頁2025年湘師大新版選修3化學下冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍:全部知識點;考試時間:120分鐘學校:______姓名:______班級:______考號:______總分欄題號一二三四五六總分得分評卷人得分一、選擇題(共8題,共16分)1、下列電子排布式或軌道表示式正確的是()A.C原子的軌道表示式:B.Ca原子的核外電子排布式:C.N原子的軌道表示式:D.的核外電子排布式:2、下列關于氫原子電子云圖的說法正確的是()A.通常用小黑點來表示電子的多少,黑點密度大,電子數(shù)目多B.黑點密度大,單位體積內(nèi)電子出現(xiàn)的機會多C.通常用小黑點來表示電子繞核做高速圓周運動D.電子云圖是對運動無規(guī)律性的描述3、元素的原子結構決定其性質(zhì)和在周期表中的位置.下列敘述正確的是A.多電子原子中,在離核較近的區(qū)域內(nèi)運動的電子能量較高B.原子核外電子的數(shù)目越多,電子的運動狀態(tài)就越多C.軌道表示式,是對原子核外電子運動狀態(tài)最完美的描述D.所有元素原子的最外層電子數(shù)都等于該元素的最高化合價4、下列有關原子結構與性質(zhì)的說法正確的是()A.的基態(tài)原子的第一電離能依次遞增B.的基態(tài)電子排布式為C.有6種不同能量的電子D.化合物中S元素顯-2價,說明C元素比S元素的電負性弱5、下列說法中正確的是A.NO2、BF3、NCl3分子中沒有一個分子中原子的最外層電子都滿足了8電子穩(wěn)定結構B.P4和CH4都是正四面體形分子且鍵角都為109°28′C.NH4+的電子式為離子呈平面正方形結構D.NH3分子中有一對未成鍵的孤電子對,它對成鍵電子的排斥作用較強6、毒奶粉事件震驚全國,這主要是奶粉中含有有毒的三聚氰胺下列關于三聚氰胺分子的說法正確的是()A.所有碳原子采用sp3雜化,所有氮原子采用sp3雜化B.一個分子中共含有15個σ鍵C.屬于極性分子,故極易溶于水D.分子內(nèi)既有極性鍵又有非極性鍵7、下列有關物質(zhì)結構與性質(zhì)的說法中合理的是()A.CO與CN—結構相似,含有的σ鍵與π鍵個數(shù)此均為1:2B.根據(jù)VSEPR理論可知H2O、NH3、CH4分子內(nèi)鍵角依次減小C.銅的電負性為1.9,氯的電負性為3.0,氯化銅為離子化合物,溶于水能完全電離D.HF比HCl更穩(wěn)定是因為HF分子間存在氫鍵8、CaC2晶體的晶胞結構與NaCl晶體的相似(如圖所示),但CaC2晶體中含有的啞鈴形C2-的存在,使晶胞沿一個方向拉長(該晶胞為長方體)。下列關于CaC2晶體的說法中正確的是()
A.1個Ca2+周圍距離最近且等距離的數(shù)目為6B.6.4gCaC2晶體中含陰離子0.1molC.該晶體中只有離子鍵D.與每個Ca2+距離相等且最近的Ca2+共有12個評卷人得分二、填空題(共5題,共10分)9、Mn、Fe均為第四周期過渡元素,兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:。元素FeFe電離能/kJ·mol-1I1717759I2150915611561I3324829572957
回答下列問題:
(1)亞鐵離子價電子層的電子排布式為_______
(2)Fe原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道而能與一些分子或離子形成配合物。
①與Fe原子或離子形成配合物的分子或離子應具備的結構特征是_______;
②六氰合亞鐵離子(Fe(CN))中的配體CN-中C原子的雜化軌道類型是_______,寫出一種與CN-互為等電子體的單質(zhì)分子的電子式_______;
(3)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如右圖所示。體心立方晶胞和面心立方晶胞中實際含有的Fe原子個數(shù)之比為_______。
10、下圖是一種鈀(Pd)的氯配合物X的晶胞結構?;卮鹣铝袉栴}:
請回答下列問題:
(1)基態(tài)Cl原子中存在未成對電子的能級,畫出其該能級的軌道表示式______。
(2)下列關于Cl元素的敘述正確的是______(填序號)。
A.Cl2分子中無π鍵B.Cl是p區(qū)主族元素。
C.第一電離能:ClD.電負性:Cl>S
(3)NCl3分子的中心原子N的雜化方式是______。
(4)NH3常作制冷劑,其鍵角______(填“大于”或“小于”)NH4+的鍵角,NH3的沸點高于N2沸點的主要原因是______。
(5)物質(zhì)X的晶體類型為______,其中的Pd元素的化合價為______、配位數(shù)為______。
(6)配合物Y是含有Pd的平面四方的配合物,經(jīng)過元素分析與計算可知Y中Pd:Cl:N:H的數(shù)量比=1:2:2:6。試畫出配合物Y的可能結構______。11、比較下列各項中的前者和后者,用“>”、“<”或“=”填空。
(1)熔點:NaCl_______CaO
(2)沸點:____
(3)在水中的溶解度:SO2_____CO2
(4)酸性:H3PO3_________H3PO4
(5)鍵能:H—O______H—S
(6)價電子數(shù):O________Cr12、每個時代的發(fā)展都離不開化學材料。黃銅是人類最早使用的合金之一;主要由鋅和銅組成。回答下列問題:
(1)基態(tài)鋅原子的價電子排布式為___,屬于周期表___區(qū)元素。電子占據(jù)最高能層的電子云輪廓圖形狀為___。
(2)第一電離能I1(Zn)___I1(Cu)(填“大于”或“小于”)。
(3)向[Cu(H2O)4]2+溶液(天藍色)中加入過量氨水將生成更穩(wěn)定的[Cu(NH3)4]2+溶液(深藍色),原因是___;向深藍色溶液中逐滴加入稀鹽酸,觀察到的現(xiàn)象是___。13、把CoCl-2溶解于水后加氨水直到先生成的Co(OH)2沉淀又溶解后,生成[Co(NH3)6]2+。此時向溶液中通入空氣,得到的產(chǎn)物中有一種其組成可用CoCl3·5NH3表示。把分離出的CoCl3·5NH3溶于水后立即加硝酸銀溶液,則析出AgCl沉淀。經(jīng)測定,每1molCoCl3·5NH3只生成2molAgCl。請寫出表示此配合物結構的化學式:_________;此配合物中的Co化合價為_____________。評卷人得分三、有機推斷題(共5題,共10分)14、Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知:①Z的原子序數(shù)為29,其余的均為短周期主族元素;Y原子的價電子(外圍電子)排布為msnmpn;②R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù);③Q;X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4.請回答下列問題:
(1)Z2+的核外電子排布式是________。
(2)在[Z(NH3)4]2+離子中,Z2+的空軌道接受NH3分子提供的________形成配位鍵。
(3)Q與Y形成的最簡單氣態(tài)氫化物分別為甲;乙;下列判斷正確的是________。
a.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲>乙。
b.穩(wěn)定性:甲>乙,沸點:甲<乙。
c.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲<乙。
d.穩(wěn)定性:甲<乙,沸點:甲>乙。
(4)Q;R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序為________(用元素符號作答)。
(5)Q的一種氫化物相對分子質(zhì)量為26;其中分子中的σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為________,其中心原子的雜化類型是________。
(6)若電子由3d能級躍遷至4p能級時,可通過光譜儀直接攝取________。A.電子的運動軌跡圖像B.原子的吸收光譜C.電子體積大小的圖像D.原子的發(fā)射光譜(7)某元素原子的價電子構型為3d54s1,該元素屬于________區(qū)元素,元素符號是________。15、元素A;B、C、D都是短周期元素;A元素原子的2p軌道上僅有兩個未成對電子,B的3p軌道上有空軌道,A、B同主族,B、C同周期,C是同周期中電負性最大的,D的氣態(tài)氫化物的水溶液能使無色酚酞試液變紅。試回答:
(1)A的價電子軌道排布圖為______________________________;B的電子排布式為_________;C的價電子排布式為____________;D的原子結構示意圖為__________。
(2)已知D與H原子能形成一種高能量的分子D2H2,其中D原子滿足8電子結構特征,則該分子的電子式為_____________,含有_____個σ鍵和_____個π鍵。
(3)B的原子核外電子運動狀態(tài)________有多少種,原子軌道數(shù)為______,能級數(shù)__________,電子占據(jù)的最高能層符號為_________。
(4)四種元素最高價氧化物水化物酸性由強到弱的是(用對應化學式回答)____________________。16、已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子。X跟Y可形成化合物X2Y3;Z元素可以形成負一價離子。請回答下列問題:
(1)X元素原子基態(tài)時的電子排布式為__________,該元素的符號是__________。X與同周期鹵族元素的第一電離能比較,較大的是____________________(填元素符號)。
(2)Y元素原子的價層電子的電子排布圖為________,該元素的名稱是__________。
(3)X與Z可形成化合物XZ3,XZ3分子的VSEPR模型為____________________。
(4)已知化合物X2Y3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為XZ3,產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O,該反應的化學方程式是___________________。
(5)XY43-的空間構型為__________,與其互為等電子體的一種分子__________。
(6)X的某氧化物的分子結構如圖所示。
該化合物的化學式為___________,X原子采取___________雜化。17、有A、B、D、E、F、G六種前四周期的元素,A是宇宙中最豐富的元素,B和D的原子都有1個未成對電子,B+比D少一個電子層,D原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道全充滿;E原子的2p軌道中有3個未成對電子,F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4。R是由B、F兩元素形成的離子化合物,其中B+與F2-離子數(shù)之比為2∶1。G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的。請回答下列問題:
(1)D元素的電負性_______F元素的電負性(填“>”;“<”或“=”)。
(2)G的價電子排布圖_________________________________。
(3)B形成的晶體堆積方式為________,區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學方法是對固體進行_______實驗。
(4)D-的最外層共有______種不同運動狀態(tài)的電子,有___種能量不同的電子。F2D2廣泛用于橡膠工業(yè),各原子均滿足八電子穩(wěn)定結構,F2D2中F原子的雜化類型是___________,F2D2是______分子(填“極性”或“非極性”)。
(5)A與E形成的最簡單化合物分子空間構型為_____,在水中溶解度很大。該分子是極性分子的原因是_____。
(6)R的晶胞如圖所示,設F2-半徑為r1cm,B+半徑為r2cm。試計算R晶體的密度為______。(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示;寫表達式,不化簡)
18、原子序數(shù)依次增大的X;Y、Z、Q、E五種元素中;X元素原子核外有三種不同的能級且各個能級所填充的電子數(shù)相同,Z是地殼內(nèi)含量(質(zhì)量分數(shù))最高的元素,Q原子核外的M層中只有兩對成對電子,E元素原子序數(shù)為29。
用元素符號或化學式回答下列問題:
(1)Y在周期表中的位置為__________________。
(2)已知YZ2+與XO2互為等電子體,則1molYZ2+中含有π鍵數(shù)目為___________。
(3)X、Z與氫元素可形成化合物XH2Z,XH2Z分子中X的雜化方式為_________________。
(4)E原子的核外電子排布式為__________;E有可變價態(tài),它的某價態(tài)的離子與Z的陰離子形成晶體的晶胞如圖所示,該價態(tài)的化學式為____________。
(5)氧元素和鈉元素能夠形成化合物F,其晶胞結構如圖所示(立方體晶胞),晶體的密度為ρg··cm-3,列式計算晶胞的邊長為a=______________cm(要求列代數(shù)式)。評卷人得分四、結構與性質(zhì)(共3題,共12分)19、(一)Na;Cu、O、Si、S、Cl是常見的六種元素.
(1)Na位于元素周期表第__周期第__族;S的基態(tài)原子核外有__個未成對電子;
Si的基態(tài)原子核外電子排布式為__.
(2)用“>”或“<”填空:
。第一電離能離子半徑熔點酸性Si______SO2-______Na+NaCl______SiH2SO4__________HClO4
(3)ClO2常用于水的凈化,工業(yè)上可用Cl2氧化NaClO2溶液制取。寫出該反應的離子方程式,并標出電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目___
(二).某元素的原子序數(shù)為33;請回答:
(1)該元素原子核外有_______個電子層,______個能級,______個原子軌道。
(2)它的最外層電子排布式為____________,它的電子排布式為________,軌道表示式為_______________。20、硅、鎵、鍺、硒等單質(zhì)及某些化合物(如砷化鎵)都是常用的半導體材料,廣泛用于光電應用領域。具有鈣鈦礦結構的金屬鹵化物(通常用ABX3表示)作為一種新型半導體材料也備受關注,A是陽離子(CH3NHCs+等),B是二價金屬陽離子(Pb2+,Sn2+等);X是鹵離子。
(1)基態(tài)Se原子的核外電子排布式為______,其能量最高軌道的電子云形狀為______。
(2)鎵、鍺、砷、硒的第一電離能由大到小的順序為______(用元素符號表示)。
(3)CH3NH中N原子的雜化方式為______,該離子與______分子互為等電子體;CH3NH中H—N—H鍵角比NH3中H—N—H鍵角______(填“大”或“小”),理由是______。
(4)鍺的一種氧化物的立方晶胞如圖所示:
其中原子坐標參數(shù)A為(0,0,0),B為(1,1,0),則C原子坐標參數(shù)為______,O的配位數(shù)為______,每個Ge原子周圍距離最近且相等的Ge原子有______個。已知Ge與O的最近距離為anm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則該晶體的密度ρ=______g·cm-3(列出計算式即可)。21、均是鉻的重要化合物;回答下列問題:
(1)基態(tài)Cr原子的未成對電子數(shù)為________________。
(2)的結構如圖所示。
①下列有關的說法正確的是__________(填標號)。
A.含離子鍵、σ鍵B.含離子鍵;σ鍵和π鍵。
C.氧原子與中心原子間形成配位鍵D.鉻顯+10價。
②已知電子親和能(E)是基態(tài)的氣態(tài)原子得到電子變?yōu)闅鈶B(tài)陰離子所放出的能量,氧的第一電子親和能E1為__________kJ/mol;△H2>0,其原因是_____________________________________。
(3)雷氏鹽的化學式為
①H、C、N、O四種元素的電負性由大到小的順序為__________________。
②其陽離子的中心原子的雜化方式為_________________,配體之一NH3分子的立體構型為______。
③與配體NCSˉ互為等電子體的陰離子有等,分子有_____________________(寫1種);畫出的結構式:_____________________________。
(4)的晶體密度為晶體結構(如下圖)為六棱柱,底邊邊長為高為設阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則a2c=_______________(列出計算式)。
評卷人得分五、元素或物質(zhì)推斷題(共5題,共20分)22、已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素。化合物DC為離子化合物,D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構?;衔顰C2為一種常見的溫室氣體。B;C的氫化物的沸點比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點高。E的原子序數(shù)為24。請根據(jù)以上情況;回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E用所對應的元素符號表示)
(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是________,在第四周期中,與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同還有_______(填元素符號)。
(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序為____________。
(3)寫出化合物AC2的電子式_____________。
(4)D的單質(zhì)在AC2中點燃可生成A的單質(zhì)與一種熔點較高的固體產(chǎn)物,寫出其化學反應方程式:__________。
(5)1919年,Langmuir提出等電子原理:原子數(shù)相同、電子數(shù)相同的分子,互稱為等電子體。等電子體的結構相似、物理性質(zhì)相近。此后,等電子原理又有發(fā)展,例如,由短周期元素組成的微粒,只要其原子數(shù)相同,各原子最外層電子數(shù)之和相同,也可互稱為等電子體。一種由B、C組成的化合物與AC2互為等電子體,其化學式為_____。
(6)B的最高價氧化物對應的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應時,B被還原到最低價,該反應的化學方程式是____________。23、現(xiàn)有屬于前四周期的A、B、C、D、E、F、G七種元素,原子序數(shù)依次增大。A元素的價電子構型為nsnnpn+1;C元素為最活潑的非金屬元素;D元素核外有三個電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的E元素正三價離子的3d軌道為半充滿狀態(tài);F元素基態(tài)原子的M層全充滿;N層沒有成對電子,只有一個未成對電子;G元素與A元素位于同一主族,其某種氧化物有劇毒。
(1)A元素的第一電離能_______(填“<”“>”或“=”)B元素的第一電離能,A、B、C三種元素的電負性由小到大的順序為_______(用元素符號表示)。
(2)C元素的電子排布圖為_______;E3+的離子符號為_______。
(3)F元素位于元素周期表的_______區(qū),其基態(tài)原子的電子排布式為_______
(4)G元素可能的性質(zhì)_______。
A.其單質(zhì)可作為半導體材料B.其電負性大于磷。
C.其原子半徑大于鍺D.其第一電離能小于硒。
(5)活潑性:D_____(填“>”或“<”,下同)Al,I1(Mg)_____I1(Al),其原因是____。24、原子序數(shù)小于36的X;Y、Z、R、W五種元素;其中X是周期表中原子半徑最小的元素,Y是形成化合物種類最多的元素,Z原子基態(tài)時2p原子軌道上有3個未成對的電子,R單質(zhì)占空氣體積的1/5;W的原子序數(shù)為29?;卮鹣铝袉栴}:
(1)Y2X4分子中Y原子軌道的雜化類型為________,1molZ2X4含有σ鍵的數(shù)目為________。
(2)化合物ZX3與化合物X2R的VSEPR構型相同,但立體構型不同,ZX3的立體構型為________,兩種化合物分子中化學鍵的鍵角較小的是________(用分子式表示),其原因是________________________________________________。
(3)與R同主族的三種非金屬元素與X可形成結構相似的三種物質(zhì),三者的沸點由高到低的順序是________。
(4)元素Y的一種氧化物與元素Z的單質(zhì)互為等電子體,元素Y的這種氧化物的結構式是________。
(5)W元素原子的價電子排布式為________。25、下表為長式周期表的一部分;其中的編號代表對應的元素。
。①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
⑨
⑩
請回答下列問題:
(1)表中⑨號屬于______區(qū)元素。
(2)③和⑧形成的一種常見溶劑,其分子立體空間構型為________。
(3)元素①和⑥形成的最簡單分子X屬于________分子(填“極性”或“非極性”)
(4)元素⑥的第一電離能________元素⑦的第一電離能;元素②的電負性________元素④的電負性(選填“>”、“=”或“<”)。
(5)元素⑨的基態(tài)原子核外價電子排布式是________。
(6)元素⑧和④形成的化合物的電子式為________。
(7)某些不同族元素的性質(zhì)也有一定的相似性,如表中元素⑩與元素⑤的氫氧化物有相似的性質(zhì)。請寫出元素⑩的氫氧化物與NaOH溶液反應的化學方程式:____________________。26、下表為長式周期表的一部分;其中的序號代表對應的元素。
(1)寫出上表中元素⑨原子的基態(tài)原子核外電子排布式為___________________。
(2)在元素③與①形成的水果催熟劑氣體化合物中,元素③的雜化方式為_____雜化;元素⑦與⑧形成的化合物的晶體類型是___________。
(3)元素④的第一電離能______⑤(填寫“>”、“=”或“<”)的第一電離能;元素④與元素①形成的X分子的空間構型為__________。請寫出與元素④的單質(zhì)互為等電子體分子、離子的化學式______________________(各寫一種)。
(4)④的最高價氧化物對應的水化物稀溶液與元素⑦的單質(zhì)反應時,元素④被還原到最低價,該反應的化學方程式為_______________。
(5)元素⑩的某種氧化物的晶體結構如圖所示,其中實心球表示元素⑩原子,則一個晶胞中所包含的氧原子數(shù)目為__________。評卷人得分六、計算題(共1題,共9分)27、(1)石墨晶體的層狀結構,層內(nèi)為平面正六邊形結構(如圖a),試回答下列問題:圖中平均每個正六邊形占有C原子數(shù)為____個、占有的碳碳鍵數(shù)為____個,碳原子數(shù)目與碳碳化學鍵數(shù)目之比為_______。
(2)2001年報道的硼和鎂形成的化合物刷新了金屬化合物超導溫度的最高記錄。如圖b所示的是該化合物的晶體結構單元:鎂原子間形成正六棱柱,且棱柱的上下底面還各有1個鎂原子,6個硼原子位于棱柱內(nèi)。則該化合物的化學式可表示為_______。參考答案一、選擇題(共8題,共16分)1、D【分析】【詳解】
A.由洪特規(guī)則可知;2p能級上的電子應優(yōu)先分別占據(jù)一個軌道,故A錯誤;
B.根據(jù)能量最低原理;電子排在4s能級上比排在3d能級上能量低,更穩(wěn)定,所以Ca原子的核外電子排布式違背能量最低原則,故B錯誤;
C.由泡利不相容原理可知;N原子的1s和2s軌道上的兩個電子應該自旋方向相反,故C錯誤;
D.溴的原子序數(shù)為35,得到一個電子后滿足最外層8個電子穩(wěn)定結構,則Br-的核外電子排布式為故D正確;
綜上所述;答案為D。
【點睛】
簡化電子排布式為將電子排布式中的內(nèi)層電子排布用相應的稀有氣體元素符號加括號來表示而得到的式子。2、B【分析】【詳解】
A.小黑點表示電子在核外空間某處出現(xiàn)的機率;不表示電子數(shù)目,故A錯誤;
B.小黑點密度大表示電子在原子核外空間的單位體積內(nèi)出現(xiàn)的概率大;故B正確;
C.小黑點表示電子在核外空間某處出現(xiàn)的機率;不代表電子的運動軌跡,故C錯誤;
D.電子云圖反映電子在核外無規(guī)則運動時在某點出現(xiàn)的概率;是對運動的描述,故D錯誤;
答案選B。
【點睛】
解答本題需要注意:電子云中小黑點本身沒有意義,不代表1個電子,也不代表出現(xiàn)次數(shù),小黑點的疏密表示出現(xiàn)機率的多少,密則機率大,疏則機率小。3、B【分析】【分析】
【詳解】
A.離核較近的區(qū)域能量較低;多電子原子中,能量高的電子在離核較遠的區(qū)域內(nèi)運動,故A錯誤;
B.核外電子沒有運動狀態(tài)相同的電子;核外有幾個電子就有幾種運動狀態(tài)不同的電子,故B正確;
C.軌道表示式不能像電子云那樣形象表示電子在一定區(qū)域運動;故C錯誤;
D.O元素;F元素一般沒有正化合價;故D錯誤;
故選B。
【點晴】
解答本題要熟悉核外電子的排布規(guī)律。本題的易錯項是D,要注意O元素、F元素一般沒有正化合價,尤其是F,化合物中只有-1價。4、D【分析】【詳解】
A.同周期元素自左往右第一電離能呈增大趨勢,但是Mg的基態(tài)原子最外層為全滿狀態(tài),能量低不容易失去一個電子,Al的基態(tài)原子最外層電子以排布;容易失去一個電子形成穩(wěn)定結構,故基態(tài)原子的第一電離能Mg比Al高,故A錯誤;
B.對于Cr的3d軌道來說,5電子是半充滿狀態(tài),結構更穩(wěn)定,所以應采取的排布方式;故B錯誤;
C.的核外電子排布式為應有5種不同能量的電子;故C錯誤;
D.化合物中元素顯負價;說明其吸引電子的能力強,電負性強,即C元素比S元素的電負性弱,故D正確;
答案選D。5、D【分析】【詳解】
A.分子原子的最外層電子都滿足了電子穩(wěn)定結構;故A錯誤;
B.P4的空間結構為鍵角是故B錯誤;
C.中心原子N采取雜化;呈正四面體型結構,故C錯誤;
D.分子中,孤電子對對成鍵電子對的排斥力大于成鍵電子對對成鍵電子對的排斥力,所以分子中有對未成鍵的孤電子對;它對成鍵電子的排斥作用較強,故D正確;
故答案選D。6、B【分析】【詳解】
A.在C=N中,C原子為sp2雜化,C=N中N原子為sp2雜化,?NH2中N原子為sp3雜化;雜化類型不同,故A錯誤;
B.分子中含6個N?H;6個C?N,3個C=N,雙鍵中有1個σ鍵,共15個σ鍵,故B正確;
C.該分子為對稱結構;是由極性鍵組成的非極性分子,水是極性分子,根據(jù)相似相溶原理。則該有機物不易溶于水,故C錯誤;
D.該分子的結構圖中未標注的節(jié)點為碳原子;不存在同種元素之間的共價鍵,則分子內(nèi)只有極性鍵,故D錯誤;
答案選B。
【點睛】
由同種元素之間形成的共價鍵是非極性鍵,由不同種元素之間形成的共價鍵是極性鍵,該題解答時要仔細觀察圖示的結構和原子之間的連接。7、A【分析】【詳解】
A.CO與CN—結構相似;原子間均以三鍵相連,含有的σ鍵與π鍵個數(shù)此均為1:2,A正確;
B.根據(jù)VSEPR理論可知H2O、NH3、CH4分子內(nèi)孤對電子數(shù)依次減少(2;1、0);對鍵合電子的斥力也越來越小,鍵角依次增大,B錯誤;
C.氯化銅中兩原子的電負性只差為1.1;形成的為極性共價鍵,故氯化銅為共價化合物,C錯誤;
D.HF比HCl更穩(wěn)定是因為HF中H-F鍵的鍵能更大;D錯誤;
故答案選A。
【點睛】
氫鍵主要影響物質(zhì)的物理性質(zhì),與物質(zhì)的穩(wěn)定性無關。8、B【分析】【詳解】
A.由晶胞示意圖可以看出,晶胞是非正方體結構,再由圖可知每個Ca2+周圍距離最近且相等的有4個;A選項錯誤;
B.6.4gCaC2為0.1mol,CaC2晶體中的陰離子為則含有0.1mol陰離子,B選項正確;
C.CaC2晶體中C原子和C原子之間還形成共價鍵;C選項錯誤;
D.每個Ca2+周圍距離最近且相等的Ca2+有4個;D選項錯誤;
答案選B。二、填空題(共5題,共10分)9、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)鐵原子構造書寫鐵元素價電子層和電子排布式。
(2)①形成配離子具有的條件為為中心原子具有空軌道;配體具有孤對電子對。
②根據(jù)價層電子對互斥理論確定雜化方式;原子個數(shù)相等價電子相等的微粒為等電子體。
(3)利用均攤法計算晶胞結構。
【詳解】
(1)亞鐵離子的價電子排布式為3d6。
(2)①形成配離子具備的條件為中心原子具有空軌道;配體具有孤對電子。
②CN-中碳原子與氮原子以三鍵連接,三鍵中有一個σ鍵,2個π鍵,碳原子還有一對孤對電子,雜化軌道數(shù)為2,碳原子采取sp雜化,CN-含有2個原子,價電子總數(shù)為4+5+1=10,故其等電子體為氮氣分子等,氮氣分子中兩個氮原子通過共用三對電子結合在一起,其電子式為
(3)體心立方晶胞中含有鐵原子的個數(shù)為面心立方晶胞中實際含有的鐵原子個數(shù)為所以體心立方晶胞和面心立方晶胞中實際含有的鐵原子個數(shù)之比為1:2?!窘馕觥?d6具有孤對電子sp1∶210、略
【分析】【分析】
(1)基態(tài)Cl原子的電子排布式為1s22s22p63s23p5;據(jù)此分析解答;
(2)根據(jù)Cl2分子的結構式為Cl-Cl和Cl原子的電子排布式為1s22s22p63s23p5結合元素周期律分析判斷;
(3)NCl3分子的中心原子N上含有3個N-Clσ鍵;還含有1個孤電子對,據(jù)此分析解答;
(4)孤電子對與成鍵電子對間的排斥力大于成鍵電子對與成鍵電子對間的排斥力;據(jù)此判斷鍵角的大??;結合氫鍵對物質(zhì)性質(zhì)的影響分析解答;
(5)根據(jù)物質(zhì)X的晶體結構圖,結構中含有等微粒,每個Pd原子周圍有6個Cl原子,根據(jù)均攤法計算Pd原子和Cl原子數(shù),同時判斷含有的數(shù);再根據(jù)化合價的代數(shù)和為0,計算Pd元素的化合價;
(6)配合物Y是含有Pd的平面四方的配合物;說明Pd在四邊形的內(nèi)部,結合Y中Pd:Cl:N:H的數(shù)量比=1:2:2:6,分析判斷可能的結構。
【詳解】
(1)基態(tài)Cl原子的電子排布式為1s22s22p63s23p5,其中存在未成對電子的能級為3p,該能級的軌道表示式為故答案為:
(2)A.Cl2分子的結構式為Cl-Cl;分子中無π鍵,故A正確;
B.Cl原子的電子排布式為1s22s22p63s23p5;是p區(qū)主族元素,故B正確;
C.同一周期;從左到右,元素的第一電離能呈增大趨勢,但第IIA族;第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素,因此第一電離能:Cl>S,故C錯誤;
D.元素的非金屬性越強,電負性越大,電負性:Cl>S;故D正確;
故答案為:ABD;
(3)NCl3分子的中心原子N上含有3個N-Clσ鍵,還含有1個孤電子對,價層電子對數(shù)為4,雜化方式是sp3,故答案為:sp3;
(4)孤電子對與成鍵電子對間的排斥力大于成鍵電子對與成鍵電子對間的排斥力,NH3分子中存在孤電子對,使得鍵角小于NH4+的鍵角,NH3分子間存在氫鍵,使得氨氣的沸點高于N2沸點,故答案為:小于;NH3分子間有氫鍵,N2分子間無氫鍵,致使NH3的沸點更高;
(5)根據(jù)物質(zhì)X的晶體結構圖,結構中含有等微粒,說明該晶體屬于離子晶體;根據(jù)圖示,每個Pd原子周圍有6個Cl原子,Pd的配位數(shù)為6,該晶胞中含有8×+6×=4個Pd原子,則含有24個Cl原子,同時含有8個根據(jù)化合價的代數(shù)和為0,其中Pd元素的化合價為=+4;故答案為:離子晶體;+4;6;
(6)配合物Y是含有Pd的平面四方的配合物,說明Pd在平面四邊形的內(nèi)部,配位數(shù)為4,根據(jù)Y中Pd:Cl:N:H的數(shù)量比=1:2:2:6,則結構中含有1個Pd原子,2個Cl原子和2個氨分子,則該配合物Y的結構可能為故答案為:
【點睛】
本題的難點為(5),要注意均攤法在晶胞結構中的靈活應用,關鍵是氯原子數(shù)目的計算,易錯點為(6),要注意(6)中Pd的配位數(shù)與(5)中不一定相等?!窘馕觥緼BDsp3小于NH3分子間有氫鍵,N2分子間無氫鍵,氫鍵使NH3的沸點更高離子晶體+4611、略
【分析】【詳解】
(1)NaCl中離子所帶電荷數(shù)為1,CaO中離子所帶電荷數(shù)為2,且O2-的半徑小于Cl-的半徑,所以氯化鈉的晶格能小于氧化鈣的晶格能,所以熔點:NaCl
(2)形成分子內(nèi)氫鍵,而形成分子間氫鍵,分子間形成氫鍵的物質(zhì)的熔沸點較高,所以沸點:<
(3)SO2分子為V形,結構不對稱,屬于極性分子,CO2分子為直線形,是非極性分子,水是極性分子,根據(jù)相似相溶原理,在水中的溶解度:SO2>CO2;
(4)含氧酸分子的結構中含非羥基(羥基為-OH)氧原子數(shù)越多,該含氧酸的酸性越強,所以含氧酸的通式可寫成(HO)mROn,如果成酸元素R相同,則n值越大,酸性越強,則酸性:H3PO33PO4;
(5)同一主族元素,元素原子半徑隨著原子序數(shù)增大而增大,鍵長:H-O<H-S,所以鍵能:H-O>H-S;
(6)O的價層電子排布式為2s22p4,價電子個數(shù)為6;Cr的價層電子排布式為3d54s1,價電子個數(shù)為6,所以價電子數(shù):O=Cr。
【點睛】
注意判斷含氧酸酸性的方法:含氧酸分子的結構中含非羥基(羥基為-OH)氧原子數(shù)越多,該含氧酸的酸性越強?!窘馕觥竣?<②.<③.>④.<⑤.>⑥.=12、略
【分析】【分析】
(1)鋅的原子序數(shù)為30,位于元素周期表第四周期ⅡB族,價電子排布式為3d104s2;
(2)Cu原子的外圍電子排布式為3d104s1,4s能級處于半充滿狀態(tài),而Zn原子的外圍電子排布式為3d104s2;4s能級處于全充滿狀態(tài);
(3)向天藍色[Cu(H2O)4]2+溶液中加入過量氨水生成更穩(wěn)定的深藍色[Cu(NH3)4]2+溶液,說明配位能力NH3分子大于H2O分子;向深藍色溶液中逐滴加入稀鹽酸;鹽酸先與銅氨絡離子反應生成氫氧化銅藍色沉淀,鹽酸過量,氫氧化銅沉淀溶解生成氯化銅。
【詳解】
(1)鋅的原子序數(shù)為30,位于元素周期表第四周期ⅡB族,價電子排布式為3d104s2,屬于周期表ds區(qū)元素,電子占據(jù)最高能層的電子位于為4s軌道,s電子云輪廓圖形狀為球形,故答案為:3d104s2;ds;球形;
(2)Cu原子的外圍電子排布式為3d104s1,4s能級處于半充滿狀態(tài),而Zn原子的外圍電子排布式為3d104s2;4s能級處于全充滿狀態(tài),Zn原子更不易失去1個電子,所以Zn原子的第一電離能較大,故答案為:大于;
(3)向天藍色[Cu(H2O)4]2+溶液中加入過量氨水生成更穩(wěn)定的深藍色[Cu(NH3)4]2+溶液,說明配位能力NH3分子大于H2O分子,這是因為N原子的電負性小于氧原子,提供孤電子對能力強,形成的配位鍵更加穩(wěn)定;[Cu(NH3)4]2+在溶液中存在如下絡合平衡[Cu(NH3)4]2+Cu2++4NH3;加入鹽酸,氨分子與氫離子反應,濃度減小,平衡向右移動,銅離子與溶液中氫氧根結合生成氫氧化銅藍色沉淀,當鹽酸過量時,氫氧化銅沉淀溶于鹽酸生成氯化銅,溶液呈天藍色,實驗現(xiàn)象為先產(chǎn)生藍色沉淀,后沉淀溶解,溶液變?yōu)樘焖{色,故答案為:N原子的電負性小于氧原子,提供孤電子對能力強,形成的配位鍵更加穩(wěn)定;先產(chǎn)生藍色沉淀,后沉淀溶解,溶液變?yōu)樘焖{色。
【點睛】
Cu原子的外圍電子排布式為3d104s1,4s能級處于半充滿狀態(tài),而Zn原子的外圍電子排布式為3d104s2,4s能級處于全充滿狀態(tài),Zn原子更不易失去1個電子是分析難點?!窘馕觥竣?3d104s2②.ds③.球形④.大于⑤.N原子的電負性小于氧原子,提供孤電子對能力強,形成的配位鍵更加穩(wěn)定⑥.先產(chǎn)生藍色沉淀,后沉淀溶解,溶液變?yōu)樘焖{色13、略
【分析】【分析】
1molCoCl3?5NH3只生成2molAgCl,說明一個CoCl3?5NH3的外界有兩個Cl-,一個Cl-為配體,Co3+的配位數(shù)為6,除了一個Cl-為配體,所以5個NH3為配體;據(jù)此確定其化學式。
【詳解】
根據(jù)化合物中各元素的正負化合價的代數(shù)和為0,氯離子的化合價為-1價,NH3不帶電荷,所以Co元素化合價為+3價,1molCoCl3?5NH3只生成2molAgCl,說明一個CoCl3?5NH3的外界有兩個Cl-,一個Cl-為配體,Co3+的配位數(shù)為6,除了一個Cl-為配體,5個NH3為配體,所以其化學式為[Co(NH3)5Cl]Cl2?!窘馕觥縖Co(NH3)5C1]C12+3三、有機推斷題(共5題,共10分)14、略
【分析】Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知:①Z的原子序數(shù)為29,Z為銅元素,其余的均為短周期主族元素;Y原子的價電子(外圍電子)排布為msnmpn,n=2,Y是C或Si;②R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù);③Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4,因此Q為碳元素,則R為氮元素,X為氧元素,Y為硅元素。(1)Z為銅,其核外電子排布式為[Ar]3d104s1,失去2個電子,即為銅離子,其核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d9。(2)配位鍵形成時,銅離子提供空軌道,氨分子中的氮原子提供孤電子對。(3)甲為甲烷,乙為硅烷,同主族元素對應氫化物越向上越穩(wěn)定,沸點越向下越高(不含分子間氫鍵時),所以b選項正確。(4)第一電離能氮比碳高,因為氮元素原子核外電子p軌道為半充滿結構,硅的第一電離能最小,即第一電離能大小順序是Si54s1,該元素是24號元素,為Cr,屬于d區(qū)元素?!窘馕觥?s22s22p63s23p63d9孤電子對bSi15、略
【分析】【詳解】
元素A、B、C、D都是短周期元素,A元素原子的2p軌道上只有兩個電子,則A的外圍電子排布為2s22p2,故A為C元素;B的3p軌道上有空軌道,則B的外圍電子排布為3s23p1或3s23p2;A;B同主族,故B為Si元素;B、C同周期,C是本周期中電負性最大的,故C為Cl元素;D的氣態(tài)氫化物的水溶液能使無色酚酞試液變紅,則D為氮元素。
(1)A為6號的C元素,基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p2,價電子軌道排布圖為B為14號Si元素,電子排布式為1s22s22p63s23p2;C為17號Cl元素,基態(tài)原子電子排布式為1s22s22p63s23p5,價電子排布式為3s23p5;D為7號氮元素,原子結構示意圖為
(2)D與H原子能形成一種高能量的分子N2H2,其中D原子滿足8電子結構特征,則該分子的電子式為根據(jù)結構可知,含有3個σ鍵和1個π鍵;
(3)B的電子排布式為1s22s22p63s23p2;原子核外電子運動狀態(tài)有14種;原子軌道數(shù)為8,能級數(shù)5,電子占據(jù)的最高能層符號為M;
(4)元素非金屬性越強其最高價氧化物的水化物的酸性越強,則四種元素最高價氧化物水化物酸性由強到弱的是HClO4>HNO3>H2CO3>H2SiO3?!窘馕觥?s22s22p63s23p23s23p5311485MHClO4>HNO3>H2CO3>H2SiO316、略
【分析】【分析】
X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子,X元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3,處于第四周期第ⅤA族,故X為As元素;Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子,Y的2p軌道上有2個電子或4個電子,所以Y為碳元素或氧元素,X跟Y可形成化合物X2Y3;故Y為氧元素;X;Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42,則Z的質(zhì)子數(shù)為42-8-33=1,則Z為氫元素,氫原子可以形成負一價離子,符合題意,據(jù)此分析解答。
【詳解】
根據(jù)上述分析;X為As元素,Y為O元素,Z為H元素。
(1)根據(jù)上述分析可知,X為As;X元素原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3;與X同周期鹵族元素為Br,第一電離能較大的是Br,故答案為1s22s22p63s23p63d104s24p3;As;Br;
(2)Y為O元素,O原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子,價層電子的電子排布圖為故答案為氧;
(3)X為As元素,Z為H元素,X與Z可形成化合物AsH3;As的價層電子對數(shù)=3+1=4,VSEPR模型為四面體,故答案為四面體;
(4)X為As元素,Y為O元素,Z為H元素,化合物X2Y3為As2O3,XZ3為AsH3,As2O3在稀硫酸溶液中可被金屬鋅還原為AsH3,產(chǎn)物還有ZnSO4和H2O,反應中Zn元素化合價由0價升高為+2價,As元素化合價由+3價降低為-3價,參加反應的Zn與As2O3的物質(zhì)的量之比為6×2∶2=6∶1,反應方程式為As2O3+6Zn+6H2SO4═2AsH3↑+6ZnSO4+3H2O,故答案為As2O3+6Zn+6H2SO4═2AsH3↑+6ZnSO4+3H2O;
(5)X為As元素,Y為O元素,AsO43-中As的價層電子對數(shù)=4+=4,As采用sp3雜化,空間構型為四面體,AsO43-的原子數(shù)=5,價電子數(shù)=5+4×6+3=32,與其互為等電子體的一種分子為CCl4,故答案為四面體;CCl4;
(6)X為As元素,根據(jù)As的某氧化物的分子結構圖可知,分子中含有4個As原子和6個O原子,化學式為As4O6,As原子與3個O原子形成鍵,含有1個孤電子對,采取sp3雜化,故答案為As4O6;sp3。
【點睛】
本題的易錯點為(3),要注意區(qū)分VSEPR模型和空間構型的區(qū)別,微粒的價層電子對互斥模型略去孤電子對就是該分子的空間構型?!窘馕觥縖Ar]4s24p3AsBr氧四面體As2O3+6Zn+6H2SO4═2AsH3↑+6ZnSO4+3H2O四面體CCl4As4O6sp317、略
【分析】【分析】
A是宇宙中最豐富的元素,說明A為H,D原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道全充滿,說明D為17號元素Cl,B和D的原子都有1個未成對電子,B+比D少一個電子層,說明B為Na,E原子的2p軌道中有3個未成對電子,說明E為N,F(xiàn)的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,說明F為S,G位于周期表第6縱行且是六種元素中原子序數(shù)最大的,說明G為Cr,R是由B、F兩元素形成的離子化合物,其中B+與F2-離子數(shù)之比為2∶1,則R為Na2S,綜上,A為H,B為Na,D為Cl,E為N,F(xiàn)為S,G為Cr;據(jù)此分析作答。
【詳解】
(1)根據(jù)元素周期律可知Cl的電負性大于S;
(2)Cr為24號元素,價電子排布圖為
(3)晶體鈉為體心立方堆積;區(qū)分晶體和非晶體最可靠的科學方法為對固體進行X-射線衍射實驗;
(4)根據(jù)核外電子排布規(guī)律可知,每個電子的運動狀態(tài)不同,Cl-最外層有8個電子,所以就有8種不同運動狀態(tài)的電子,最外層有兩個能級,每個能級上電子能量是相同的,所以最外層有2種能量不同的電子,在S2Cl2中要使個原子都滿足8電子穩(wěn)定結構,則分子存在一個S-S鍵和2個S-Cl鍵,S原子的價電子數(shù)為4,因此S原子以sp3方式雜化;S原子周圍有2對孤電子對,所以分子為極性分子;
(5)A與E形成的最簡單化合物為NH3,NH3分子中N原子周圍有3個共價鍵,一個孤電子對,因此分子空間構型為三角錐形,由于在NH3中有孤電子對的存在;分子中正電中心和負電中心不重合,使分子的一部分呈正電性,另一部分呈負電性,所以分子顯極性;
(6)R為Na2S,在每個晶胞中含有Na+數(shù)為8,S2-為8×+6×=4,由R的晶胞可設S2-的半徑為r1cm,Na+半徑為r2cm,則晶胞的體對角線為4(r1+r2)cm,晶胞的邊長為(r1+r2)cm,晶體的密度==g/cm3=
【點睛】
本題的難點是晶胞密度的計算,只要掌握晶胞中粒子數(shù)與M、ρ(晶體密度,g·cm-3)之間的關系,難度即會降低。若1個晶胞中含有x個粒子,則1mol該晶胞中含有xmol粒子,其質(zhì)量為xMg;又1個晶胞的質(zhì)量為ρa3g(a3為晶胞的體積,單位為cm3),則1mol晶胞的質(zhì)量為ρa3NAg,因此有xM=ρa3NA?!窘馕觥浚倔w心立方堆積X-射線衍射82sp3極性三角錐形分子中正電中心和負電中心不重合,使分子的一部分呈正電性,另一部分呈負電性18、略
【分析】【詳解】
X元素原子核外有三種不同的能級且各個能級所填充的電子數(shù)相同,則X為C,Z是地殼中含有最高的元素,即Z為O,因為原子序數(shù)依次增大,則Y為N,Q原子核外的M層中只有兩對成對電子,即Q為S,E的原子序數(shù)為29,則E為Cu,(1)考查元素在元素周期表中的位置,Y是N,位于第二周期VA族;(2)考查等電子體和π鍵判斷,YZ2+為NO2+,與CO2互為等電子體,等電子體的結構相似,CO2的結構式為O=C=O,因此1molNO2+中含有π鍵的數(shù)目為2NA個;(3)考查雜化類型,形成的化合物是HCHO,其中碳原子是sp2雜化;(4)考查核外電子排布式,通過晶胞的結構確定化學式,Cu位于第四周期IB族,核外電子排布式為1s22s22p63s13p23d63d104s1或[Ar]3d104s1;O原子位于頂點和體心,個數(shù)為8×1/8+1=2,Cu全部位于體心,因此化學式為Cu2O;(5)考查晶胞的計算,核外電子排布相同時,半徑隨著原子序數(shù)增大而減小,即氧元素位于頂點和面心,個數(shù)為8×1/8+6×1/2=4,Na元素位于晶胞內(nèi),有8個,因此化學式為Na2O,晶胞的質(zhì)量為4×62/NAg,晶胞的體積為a3cm3,根據(jù)密度的定義,有ρ=4×62/(NA×a3),即邊長為cm。點睛:本題難點是晶胞邊長的計算,首先根據(jù)晶胞的結構確認化學式,氧元素位于頂點和面心,個數(shù)為8×1/8+6×1/2=4,Na元素位于晶胞內(nèi),有8個,因此化學式為Na2O,然后根據(jù)n=N/NA,確認氧化鈉的物質(zhì)的量,再求出氧化鈉的質(zhì)量,最后利用密度的定義求出邊長?!窘馕觥康诙芷诘赩A族2NA或1.204×1024sp2雜化1s22s22p63s13p23d63d104s1或[Ar]3d104s1Cu2O四、結構與性質(zhì)(共3題,共12分)19、略
【分析】【詳解】
(一);
(1)Na元素位于元素周期表第三周期第IA族;S的基態(tài)原子核外未成對電子處于3p軌道,共2個未成對電子;Si原子核外電子數(shù)為14,核外電子基態(tài)排布式為1s22s22p63s23p2;
故答案為三;IA;2;1s22s22p63s23p2。
(2)同一周期元素,隨著原子序數(shù)的增加,原子核對核外電子的吸引力增強,第一電離能增大,所以第一電離能:S>Si;核外電子排布相同的離子,核電荷數(shù)越大,離子半徑越小,所以離子半徑:O2->Na+;一般來說,原子晶體(Si)的熔點高于離子晶體(NaCl)的熔點,故熔點:Si>NaCl;元素的非金屬性越強,元素最高價氧化物的水化物的酸性越強,因為非金屬性Cl>S,所以酸性:HClO4>H2SO4;
故答案為<;>;<;<。
(3)Cl2氧化NaClO2溶液制取ClO2,本身被還原為氯離子,1個氯氣分子反應得到2個電子,因此離子方程式、電子轉(zhuǎn)移的方向和數(shù)目表示為
故答案為
(二);
(1)根據(jù)核外電子排布規(guī)律寫出33號元素的核外電子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p3;所以該元素原子核外有4個電子層,有8個能級,該元素原子中被電子占據(jù)的軌道,s軌道有4個,p軌道有3×3=9個,d軌道有5個,所以占據(jù)的原子軌道總共有18個,故答案為4;8;18。
(2)該元素的核外電子排布式:1s22s22p63s23p63d104s24p3,最外層電子排布式為4s24p3,軌道表示式為故答案為4s24p3;1s22s22p63s23p63d104s24p3;【解析】①.三②.IA③.2④.1s22s22p63s23p2⑤.<⑥.>⑦.<⑧.<⑨.⑩.4?.8?.18?.4s24p3?.1s22s22p63s23p63d104s24p3?.20、略
【分析】【分析】
【詳解】
(1)基態(tài)Se原子序數(shù)為34,位于第四周期ⅥA族,核外電子排布式為[Ar]3dl04s24p4,其能量最高軌道為p軌道,電子云形狀為啞鈴形或紡錘形;故答案為:[Ar]3dl04s24p4;啞鈴形或紡錘形;
(2)同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢,As族元素原子4p軌道為半充滿穩(wěn)定結構,第一電離能高于同周期相鄰元素的,故第一電離能:As>Se>Ge>Ga;故答案為:As>Se>Ge>Ga;
(3)CH3NH中N原子形成3個共價鍵,價層還有一對孤電子對,則N的價電子對數(shù)為4,為sp3雜化;CH3NH中共18個電子,與CH3CH3互為等電子體;CH3NH中N形成4個σ鍵,而NH3分子中N有一對孤電子對,孤電子對對H—N鍵的排斥力更大,將H—N—H鍵角壓縮變??;故答案為:sp3;CH3CH3;大;CH3NH中N形成4個σ鍵,而NH3分子中N有一對孤電子對;孤電子對對H—N鍵的排斥力更大,將H—N—H鍵角壓縮變??;
(4)C與周圍4個原子形成正四面體結構,則C原子坐標參數(shù)為();由圖知1個Ge連著4個O,1個O連著4個Ge,所以O配位數(shù)為4;每個Ge原子周圍距離最近且相等的Ge原子有12個;已知Ge與O的最近距離為anm,設晶胞邊長為xnm,則x=則1mol晶胞的體積為:NA1個晶胞含有Ge原子個數(shù)為4,O原子個數(shù)為則則1mol晶胞的質(zhì)量為:4g=4g,晶體密度為:故答案為:();4;12;【解析】[Ar]3dl04s24p4啞鈴形或紡錘形As>Se>Ge>Gasp3CH3CH3大CH3NH中N形成4個σ鍵,而NH3分子中N有一對孤電子對,孤電子對對H—N鍵的排斥力更大,將H—N—H鍵角壓縮變小()41221、略
【分析】【分析】
(1)根據(jù)基態(tài)Cr原子核外電子排布分析;
(3)①非金屬性越強;電負性越大;
②根據(jù)價層電子對互斥理論判斷;
③根據(jù)同族替換和等量代換原則找等電子體;
(4)根據(jù)均攤法確定晶胞所含微粒個數(shù),從而確定晶胞質(zhì)量,根據(jù)計算晶胞體積,根據(jù)幾何知識根據(jù)晶胞體積計算a2c。
【詳解】
(1)Cr是24號元素,其原子核外有24個電子,根據(jù)能量最低原理可寫出電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,Cr原子有6個未成對電子;
(2)①鉀離子和CrO之間形成離子鍵,O原子之間為σ鍵,不含π鍵;根據(jù)共價鍵的飽和性,O原子可以形成2個共價鍵,圖示結構氧原子形成3個單鍵,說明有一個配位鍵,O原子提供孤電子對,Cr3+提供空軌道;據(jù)圖可知該物質(zhì)中O原子之間形成過氧鍵,所以O元素化合價為-1價,根據(jù)電中性原則可知Cr為+5價;綜上所述選AC;
②根據(jù)可知氧的第一電子親和能E1為140kJ/mol;
Oˉ帶負電荷,對再得到的電子產(chǎn)生排斥,克服斥力需消耗能量,所以△H2>0;
(3)①非金屬性O>N>C>H,所以電負性O>N>C>H;
②其陽離子為NH中心原子的價層電子對數(shù)為=4,為sp3雜化;NH3分子的中心原子價層電子對數(shù)為4;含一對孤電子對,所以立體構型為三角錐形;
③NCSˉ價電子數(shù)為16,原子數(shù)為3,用S、O代替Nˉ可得互為等電子的分子有CO2、CS2,同理還有N2O;F電負性較強,容易形成氫鍵,根據(jù)共價鍵的飽和性可知中有氫鍵,所以其結構式為
(4)根據(jù)均攤法,晶胞中Cr的數(shù)目為=3,B的數(shù)目為6,所以晶胞的質(zhì)量為m=根據(jù)幾何知識,晶胞的體積為V=nm3,晶胞的密度解得a2c=cm3
【點睛】
第2小題為易錯點,要注意根據(jù)的結構判斷出含有過氧鍵,O為-1價,然后計算Cr的化合價,根據(jù)共價鍵的飽和性判斷出有配位鍵?!窘馕觥?AC140Oˉ帶負電荷,對再得到的電子產(chǎn)生排斥,克服斥力需消耗能量O>N>C>H三角錐形CO2(或CS2、N2O等)五、元素或物質(zhì)推斷題(共5題,共20分)22、略
【分析】【分析】
已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素?;衔顳C為離子化合物,D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結構,化合物AC2為一種常見的溫室氣體,則A為C,C為O,B為N,D為Mg。B、C的氫化物的沸點比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點高。E的原子序數(shù)為24,E為Cr。
【詳解】
(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1),在第四周期中,與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同即最外層電子數(shù)只有一個,還有K、Cu;故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1);K;Cu;
(2)同周期從左到右電離能有增大趨勢;但第IIA族元素電離能大于第IIIA族元素電離能,第VA族元素電離能大于第VIA族元素電離能,因此A;B、C的第一電離能由小到大的順序為C<O<N;故答案為:C<O<N;
(3)化合物AC2為CO2,其電子式故答案為:
(4)Mg的單質(zhì)在CO2中點燃可生成碳和一種熔點較高的固體產(chǎn)物MgO,其化學反應方程式:2Mg+CO22MgO+C;故答案為:2Mg+CO22MgO+C;
(5)根據(jù)CO與N2互為等電子體,一種由N、O組成的化合物與CO2互為等電子體,其化學式為N2O;故答案為:N2O;
(6)B的最高價氧化物對應的水化物的稀溶液為HNO3與Mg的單質(zhì)反應時,NHO3被還原到最低價即NH4NO3,其反應的化學方程式是4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O;故答案為:4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O?!窘馕觥?s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1)K、CuC<O<N2Mg+CO22MgO+CN2O4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O23、略
【分析】【分析】
A元素的價電子構型為nsnnpn+1,則n=2,故A為N元素;C元素為最活潑的非金屬元素,則C為F元素;B原子序數(shù)介于氮、氟之間,故B為O元素;D元素核外有三個電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的最外層電子數(shù)為2,故D為Mg元素;E元素正三價離子的3d軌道為半充滿狀態(tài),原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2,則原子序數(shù)為26,為Fe元素;F元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個未成對電子,核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1;故F為Cu元素;G元素與A元素位于同一主族,其某種氧化物有劇毒,則G為As元素,據(jù)此解答。
【詳解】
(1)N原子最外層為半充滿狀態(tài);性質(zhì)穩(wěn)定,難以失去電子,第一電離能大于O元素;同一周期元素從左到右元素的電負性逐漸增強,故元素的電負性:N<O<F;
(2)C為F元素,電子排布圖為E3+的離子符號為Fe3+;
(3)F為Cu,位于周期表ds區(qū),其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1,故答案為:ds;1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;
(4)A.G為As元素;與Si位于周期表對角線位置,則其單質(zhì)可作為半導體材料,A正確;
B.同主族從上到下元素的電負性依次減??;則電負性:As<P,B錯誤;
C.同一周期從左到右原子半徑依次減小;As與Ge元素同一周期,位于Ge的右側,則其原子半徑小于鍺,C錯誤;
D.As與硒元素同一周期;由于其最外層電子處于半充滿的
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