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文檔簡介

模擬電子技術認識晶體管內(nèi)容提要一、晶體管結構、符號和分類二、晶體管的外形和引腳三、晶體管的三種組態(tài)（以NPN管為例）四、晶體管放大的條件六、晶體管的電流分配關系五、晶體管內(nèi)部的載流子傳輸過程

半導體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，因此，還被稱為雙極型晶體管（BipolarJunctionTransistor,簡稱BJT）。

認識晶體管一、晶體管結構、符號和分類NNP發(fā)射極E基極B集電極C發(fā)射結集電結基區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)emitterbasecollectorNPN型PNP型分類：按材料分：硅管、鍺管按結構分：NPN、PNP按使用頻率分：

低頻管、高頻管按功率分：小功率管<500mW中功率管0.5

1W大功率管>1WECBECBPPNEBCECBEBCECEBCB二、晶體管的外形和引腳認識晶體管三、晶體管的三種組態(tài)（以NPN管為例）認識晶體管團隊合作共發(fā)射極BE輸入端CE輸出端共集電極BC輸入端EC輸出端共基極EB輸入端CB輸出端1.內(nèi)部結構三區(qū)基區(qū)：很薄，且摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小集電區(qū)：摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大2.外部（放大）條件兩結發(fā)射結：正偏狀態(tài)，且大于死區(qū)電壓集電結：反偏狀態(tài)ECBECBNPN型PNP型NPN:UC>UB>UE

PNP:UC<UB<UE四、晶體管放大的條件認識晶體管1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子Je正偏，發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射大量的電子。VBB的負極向發(fā)射區(qū)補充電子，形成發(fā)射極電流IE。2.電子在基區(qū)中復合和傳輸注入到基區(qū)的電子極少部分和空穴復合，形成基區(qū)復合電流IBN；絕大多數(shù)電子傳輸?shù)郊娊Y的邊緣。

3.集電區(qū)收集電子因Jc反偏，一是收集集電結邊緣的大量電子，形成電流ICN二是促使基區(qū)和集電區(qū)的少子漂移形成反向飽和電流ICBO。五、BJT內(nèi)部的載流子傳輸過程認識晶體管六、晶體管的電流分配關系集電極基極發(fā)射極1.共基直流電流放大系數(shù)可見，在共基電路中，改變輸入電流IE可以控制輸出電流IC。2.1.2晶體管放大原理IC=ICN+ICBOIB=IBN-ICBOIE=ICN+IBN=IC+IB2.共射直流電流放大系數(shù)稱為穿透電流。一般情況下，

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