“傳感器與檢測(cè)技術(shù)”(5-13章)練習(xí)題.doc

“傳感器與檢測(cè)技術(shù)”（513章）練習(xí)題班級(jí)： 學(xué)號(hào)： 姓名：一、填空題1、根據(jù)工作原理電感式傳感器可分為（ ）、（ ）、（ ）。2、由單線圈變隙式電感傳感器的基本特性可知，其測(cè)量范圍與（ ）及（ ）相矛盾。3、閉磁路變隙式電感傳感器主要由（ ）、（ ）及鐵芯組成。4、閉磁路變隙式電感傳感器工作時(shí)，銜鐵與被測(cè)物體連接。當(dāng)被測(cè)物體移動(dòng)時(shí)，引起磁路中氣隙（ ）發(fā)生相對(duì)變化，從而導(dǎo)致（ ）、（ ）及（ ）的變化。5、螺線管式差動(dòng)變壓器式傳感器從理論上講，銜鐵位于中心位置時(shí)輸出電壓應(yīng)為零，而實(shí)際上差動(dòng)變壓器輸出電壓不為零，我們把這個(gè)不為零的電壓稱為（ ）電壓。利用差動(dòng)變壓器測(cè)量位移時(shí)，如果要求區(qū)別位移方向（或正負(fù)）可采用（ ）、（ ）電路。6、電容式傳感器是將被測(cè)物理量的變化轉(zhuǎn)換成（ ）的一種傳感器，電容式傳感器的測(cè)量電路有（ ）電路、（ ）電路、（ ）電路以及（ ）電路等。7、工業(yè)和計(jì)量部門常用的熱電阻，我國(guó)統(tǒng)一設(shè)計(jì)的定型產(chǎn)品是（ ）熱電阻和（ ）熱電阻。8、銅熱電阻在一些測(cè)量精度要求不高且溫度（ ）的場(chǎng)合，用來測(cè)量（ ）范圍的溫度。9、熱電阻在電橋測(cè)量電路中的接法有：（ ）制、（ ）制和（ ）制。10、采用熱電阻作為測(cè)量元件是將（ ）的測(cè)量轉(zhuǎn)換為（ ）的測(cè)量。11、熱電偶中熱電勢(shì)的大小僅與（ ）的性質(zhì)、（ ）有關(guān)，而與熱電極尺寸、形狀及溫度分布無關(guān)。12、按熱電偶本身結(jié)構(gòu)劃分，有（ ）熱電偶、鎧裝熱電偶、（ ） 熱電偶。13、壓電式傳感器的工作原理是基于某些（ ）材料的壓電效應(yīng)。14、用石英晶體制作的壓電式傳感器中，晶面上產(chǎn)生的（ ）與作用在晶面上的壓強(qiáng)成正比，而與晶片（ ）和面積無關(guān)。15、壓電陶瓷是人工制造的多晶體，是由無數(shù)細(xì)微的電疇組成。經(jīng)過（ ）的壓電陶瓷才具有壓電效應(yīng)。16、沿著壓電陶瓷極化方向加力時(shí)，其（ ）發(fā)生變化，引起垂直于極化方向的平面上（ ）的變化而產(chǎn)生壓電效應(yīng)。17、壓電式傳感器具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，但不能測(cè)量（ ）的被測(cè)量。18、壓電式傳感器中，為了克服力傳遞函數(shù)中的（ ）性，幾乎所有的壓電式傳感器都加（ ）。這樣才能測(cè)量拉力和拉壓交變力及扭矩。19、霍爾效應(yīng)是導(dǎo)體中的載流子在磁場(chǎng)中受（ ）的作用發(fā)生（ ）的結(jié)果。20、霍爾元件是N型半導(dǎo)體制成扁平長(zhǎng)方體，扁平邊緣的兩對(duì)側(cè)面各引出一對(duì)電極。一對(duì)叫（ ）電極用于引人（ ）；另一對(duì)叫（ ）電極，用于引出（ ）。21、磁電式傳感器是利用（ ）原理，將（ ）轉(zhuǎn)換成感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)信號(hào)輸出。22、磁電式傳感器結(jié)構(gòu)上基本分成兩部分：一是磁路系統(tǒng)，通常用（ ）產(chǎn)生恒磁場(chǎng)；二是（ ）。23、變磁通磁電式傳感器，通常將齒輪的齒（槽）作為（ ）磁路的一部分。當(dāng)齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，引起磁路中（ ），線圈感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)輸出。24、磁電式傳感器有溫度誤差，通常用（ ）分路進(jìn)行補(bǔ)償。25、有一直線光柵，每毫米刻線數(shù)為50，主光柵與指示光柵的夾角q =1.8。該直線光柵的柵距為（ ）莫爾條紋的寬度為（ ）。26、一個(gè)n位二進(jìn)制碼盤能分辨的角度為（ ），一個(gè)6位二進(jìn)制碼盤，其最小分辨的角度（ ）。 二、選擇題1、變氣隙式自感傳感器，當(dāng)街鐵移動(dòng)靠近鐵芯時(shí)，鐵芯上的線圈電感量（ ）。A.增加 B.減小C.不變 D.無規(guī)律2、某自感式傳感器線圈的匝數(shù)為N，磁路的磁阻為Rm，則其自感為（ ）。A.N/Rm B.N2/RmC.Rm/N D.N2/R2m3、差動(dòng)變壓器傳感器的配用測(cè)量電路主要有（ ）。A.差動(dòng)相敏檢波電路 B.差動(dòng)整流電路 C.直流電橋 D.差動(dòng)電橋4、差動(dòng)變壓器屬于（ ）。A.物性式傳感器 B.結(jié)構(gòu)式傳感器C.電阻式傳感器 D.電感式傳感器5、下列不是電感式傳感器的是（ ）。A.變磁阻式自感傳感器 B.電渦流式傳感器 C.變壓器式互感傳感器 D.霍爾式傳感器6、下列傳感器中不能做成差動(dòng)結(jié)構(gòu)的是（ ）。 A.電阻應(yīng)變式 B.電感式 C.電容式 D.電渦流式7、半導(dǎo)體應(yīng)變片具有( )等優(yōu)點(diǎn)。 A.靈敏度高 B.溫度穩(wěn)定性好 C.可靠性高 D.接口電路復(fù)雜8、測(cè)量范圍大的電容式位移傳感器的類型為（ ）。 A變極板面積型 B變極距型 C變介質(zhì)型 D容柵型9、用電容式傳感器測(cè)量固體或液體物位時(shí)，應(yīng)該選用（ ）。A.變間隙式 B.變面積式C.變介電常數(shù)式 D.空氣介質(zhì)變間隙式10、當(dāng)變極距式電容傳感器兩極板間的初始距離d增加時(shí)，將引起傳感器的（ ）。 A靈敏度增加 B靈敏度減小 C非統(tǒng)性誤差增加 D非線性誤差減小11、電容式傳感器通常用來測(cè)量（ ）。A.交流電流 B.電場(chǎng)強(qiáng)度 C.重量 D.位移12、目前我國(guó)使用的鉑熱電阻的測(cè)量范圍是（ ）。 A200850 B50850 C200150 D20065013、我國(guó)目前使用的銅熱電阻，其測(cè)量范圍是（ ）。 A200150 B0150 C50150D5065014、目前，我國(guó)生產(chǎn)的鉑熱電阻，其初始電阻值為（ ）。 A10 B50 C100 D4015、我國(guó)生產(chǎn)的銅熱電阻，其初始電阻為（ ）。 A50 B100 C10 D4016、用熱電阻測(cè)溫時(shí)，熱電阻在電橋中采用三線制接法的目的是（ ）。 A接線方便 B減小引線電阻變化產(chǎn)生的測(cè)量誤差 C減小橋路中其它電阻對(duì)熱電阻的影響 D減小橋路中電源對(duì)熱電阻的影響17、通常用熱電阻測(cè)量（ ）。 A電阻 B扭矩 C溫度 D流量18、一個(gè)熱電偶產(chǎn)生的熱電勢(shì)為EO，當(dāng)打開其冷端串接與兩熱電極材料不同的第三根金屬導(dǎo)體時(shí)，若保證已打開的冷端兩點(diǎn)的溫度與未打開時(shí)相同，則回路中熱電勢(shì)（ ）。 A增加 B減小 C增加或減小不能確定 D不變19、熱電偶中熱電勢(shì)由（ ）組成。 A感應(yīng)電勢(shì) B溫差電勢(shì) C接觸電勢(shì) D切割電勢(shì)20、熱電偶中產(chǎn)生熱電勢(shì)的條件分別為（ ）。 A兩熱電極材料相同 B兩熱電板材料不同 C兩熱電極的兩端點(diǎn)溫度不同 D兩熱電極的兩端點(diǎn)溫度相同21、實(shí)用熱電偶的熱電極材料中，用的較多的是（ ）。 A純金屬 B非金屬 C半導(dǎo)體 D合金22、利用熱電偶測(cè)溫時(shí)，只有在（ ）條件下才能進(jìn)行。 A分別保持熱電偶兩端溫度恒定 B保持熱電偶兩端溫差恒定 C保持熱電偶冷端溫度恒定 D保持熱電偶熱端溫度恒定23、工程（工業(yè)）中，熱電偶冷端處理方法有（ ）。 A熱電勢(shì)修正法 B冷端溫度修正法 C0恒溫法D冷端延長(zhǎng)法24、熱電偶的冷端處理中，冷端延長(zhǎng)法是（ ）。 A將冷端引到低溫，且變化較小的地點(diǎn) B使冷端溫度恒為零 C補(bǔ)償由于冷端溫度變化引起熱電墊的變化 D使冷端保持某一恒定溫度25、熱電偶可以測(cè)量（ ）。 A壓力 B電壓 C溫度 D熱電勢(shì)26、壓電式傳感器目前多用于測(cè)量（ ）。 A靜態(tài)的力或壓力 B動(dòng)態(tài)的力或壓力 C速度 D加速度27、壓電石英晶體表面上產(chǎn)生的電荷密度與（ ）。 A晶體厚度成反比 B晶體面積成正比 C作用在晶片上的壓力成正比 D剩余極化強(qiáng)度成正比28、壓電陶瓷傳感器與壓電石英晶體傳感器的比較是（ ）。 A前者比后者靈敏度高得多 B后者比前者靈敏度高得多 C前者比后者性能穩(wěn)定性高得多 D后者比前者性能穩(wěn)定性高得多29、霍爾效應(yīng)中，霍爾電勢(shì)與（ ）。 A激磁電流成正比B激磁電流成反比 C磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比D磁感應(yīng)強(qiáng)度成反比30、霍爾效應(yīng)中，霍爾電勢(shì)與（ ）。 A霍爾常數(shù)成正比 B霍爾常數(shù)成反比 C霍爾元件的厚度成正比 D霍爾元件的厚度成反比31、制造霍爾元件的半導(dǎo)體材料中，目前用的較多的是鍺、銻化銦、砷化銦，其原因是這些（ ）。 A半導(dǎo)體材料的霍爾常數(shù)比金屬的大 B半導(dǎo)體中電子遷移率比空穴高 C半導(dǎo)體材料的電子遷移率比較大 DN型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件32、莫爾條紋對(duì)被測(cè)位移量所起的作用是（ ）。A.調(diào)制B.放大C.細(xì)分D.降噪三.選擇合適的傳感器進(jìn)行工程檢測(cè)中的位移量、溫度量、磁場(chǎng)量、振動(dòng)量的測(cè)量。電阻應(yīng)變