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1、tit界主耍太陽(yáng)電池新記錄 電:也伸婪 轉(zhuǎn)葡率 斫制至位 笛注 卑貝硅電池 24.7 + 0.5 限大.利旻妝電喊爾士大學(xué) 4 C Ga As韋詁電池 34. / i 1.7 spectro lab 55Tfg廉右 多利硅電池 20.3 fc 0.5 幣國(guó)齊朗篷夫研究所 1.002 cm -面右 InGaP/GaAs 30.8f 1.0 日本紐饒公司 4 cmh面枳 北易硅電迪 12.8 + 0.7 芙國(guó)USSC公司 0.27 CIGS電池 19.5A0.6 圭勻可再生腔湧實(shí)垃主 0.41 cm：閒蘇 CdTe電池 16.5 土 6 5 壬國(guó)司再至K厲丈紆電 1.052 cm面積 多品進(jìn)潯傾電

2、池 16.60.4 鴨闔朗圖師伶穴學(xué) 4.017 crow面積 10.1J0.2 P本鐘洲公司 2鍛*鹿（玻璃襯底） 氨化飲戌如織米電 池 11.00.5 EPFL 0.25 cm過(guò)積 GalnP/GaAs/Ge 37.31.9 Spectro lab 175 ffi聚光 背桜/聚比毬巨;11 26 8A0.8 美.IMSu n Power公詞 P6侶聚光 RcfUHuT * ? etH 前制絨 ) 后清洗C刻邊/丟PSG)J PECVD SiNx 、RENA InTex工藝培訓(xùn) 根據(jù)工藝方法不同，制絨可分為堿制絨（僅適用于單晶硅制絨） 和酸制絨（可用于單晶和多晶硅表面的制絨）RENzk設(shè)備為酸制 絨設(shè)備，其目的主要有： 廠-1去除硅片表面的機(jī)械損傷層 2 淸除表面油污和金屬雜質(zhì) 3.形成起伏不平的絨面，減少光的反射，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的 吸收，增

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