電路設計和布圖規(guī)則PPT課件

1、混合電路的優(yōu)良設計結果依賴于三個要素： 1) 能夠實現(xiàn)它被設計時所有預期的功能； 2) 能夠在系統(tǒng)的使用周期內無間斷地完成這些 功能； 3) 能夠經濟地加工生產。 根據以上三點的要求，混合電路在設計中應遵 循特定的設計規(guī)則和設計順序。以下列出一些 設計順序，它指出了每一階段的設計特點和應 當考慮的設計參數。在實際操作中，可根據具 體情況適當調整。 設計流程參考圖2.17（P52） 系統(tǒng)要求系統(tǒng)要求：系統(tǒng)的技術規(guī)范將會確定一些影響混合電路設 計的因素。技術規(guī)范應包括環(huán)境條件(如溫度和濕度)、系 統(tǒng)尺寸、質量、每個元器件的消耗功率、可靠性及信號源。 此外，還應當給出材料總成本和人工成本。 電路要求

2、電路要求：根據系統(tǒng)所要達到的目的，所選電路的形式、 配合和功能是這個階段的基本考慮因素。 搭建實驗板搭建實驗板：用實驗板的形式來演示電路功能，以便確定 影響最終基片布圖電性能的一些限制條件。 最終電路原理圖最終電路原理圖：在此階段必須考慮元器件定義的問題， 其中包括元器件的性能規(guī)范和對于不同組裝工藝的封裝兼 容性。 2.2.1 混合電路設計元素（設計順序見表2.2） 工藝過程定義工藝過程定義：在這個設計階段，確定使用厚膜工藝還 是薄膜工藝制造電路中的無源元件。 設計評審設計評審：在這個階段應當選定外貼元器件，確定厚膜 或薄膜工藝過程，對所選擇的工藝的可生產性進行評估。 基片布圖基片布圖：此階段

3、需將模塊的尺寸、引出腳、性能和可 測試性要求與已建立的設計規(guī)則的要求統(tǒng)一起來 制作電路原型制作電路原型 生產工藝總結生產工藝總結 PCB抗干擾設計的布線技巧抗干擾設計的布線技巧 一、元器件布線 1盡可能縮短高頻元器件之間的連線，設法 減少它們的分布參數和相互間的電磁干擾。 輸入和輸出元件應遠離。輸入輸出端用的導 線應盡量避免相鄰平行，最好加上線間地線， 以免發(fā)生反饋耦合。 2某些元器件或導線之間可能有較高的電 位差，應加大它們之間的距離，以免放電引 起意外短路。 二、一般導線及焊盤布線 1.印刷板導線的最小寬度主要由導線與絕緣基 板的粘附強度和流過它們的電流值決定。 2印刷導線拐彎處一般取圓弧

4、，而直角或夾角 在高頻電路中會影響電氣性能。 3.盡量避免使用大面積銅箔，否則，長時間受 熱時，易發(fā)生銅箔膨脹和脫落現(xiàn)象。 4.焊盤中心也要比器件引線直徑稍大一些。焊 盤太大易形成虛焊。 三、電源線及地線設計 1.根據印刷線路板電流的大小，盡量加粗電源線寬度， 減少環(huán)路電阻，同時，使電源線、地線的走向和數 據傳遞的方向一致，這樣有助于增強抗噪聲能力。 2. 在小信號電路與大電流電路做在一起的電路中，必 須將GND明顯地區(qū)分開來。布線方法為將小信號 GND與大電流的GND進行分離，通常使用兩根引線 的GND。使大電流不在布線電阻上流動，從而不產 生干擾，如像功率放大級和負載那樣，將大電流流 動的

5、部分由電源直接進行布線。還有，將小信號部 分進行匯總，也直接由電源進行布線。如果這樣做， 小信號線與大電流線完全分離，再將匯總的小信號 GND與功率放大級的GND相連接。 3.數字地與模擬地分開。 厚膜電路設計要點厚膜電路設計要點 1 1、切實掌握、切實掌握設計依據設計依據 電路的設計依據是供需雙方簽訂的合同或電子系統(tǒng)對電路提出的電路的設計依據是供需雙方簽訂的合同或電子系統(tǒng)對電路提出的 最基本的設計要求；有參數指標、質量等級、考核標準和其它的附加條最基本的設計要求；有參數指標、質量等級、考核標準和其它的附加條 件。可參照下列條件：件。可參照下列條件： 電性能指標；電性能指標； 系統(tǒng)研制提供的電

6、源種類及數量；系統(tǒng)研制提供的電源種類及數量； 輸入信輸入信 號的波形、頻率、電平；號的波形、頻率、電平； 應輸出信號的波形、頻率、功率及參數要應輸出信號的波形、頻率、功率及參數要 求；求； 輸出負載形式；輸出負載形式； 所允許的最大功耗；所允許的最大功耗； 產品工作環(huán)境條件產品工作環(huán)境條件 可靠性、先進性及經濟性?？煽啃?、先進性及經濟性。 產品結構、外形尺寸和重量產品結構、外形尺寸和重量 產品產品 封裝形式及氣密性要求。封裝形式及氣密性要求。 2 2、嚴格遵守、嚴格遵守設計原則設計原則 在設計過程必須遵守下列原則和指導思想：在設計過程必須遵守下列原則和指導思想： 設計的先進性和繼承性設計的先進

7、性和繼承性 通用化、系列化、標準化通用化、系列化、標準化 方案優(yōu)選、參數優(yōu)選方案優(yōu)選、參數優(yōu)選 材料、元器件標準選用材料、元器件標準選用 工藝的可行性、可生產性工藝的可行性、可生產性 可靠性可靠性 性能價格比性能價格比 3 3、全程遵循設計程序、全程遵循設計程序 3.1 3.1 線路設計：線路設計：方案論證方案論證、電路設計電路設計、熱設計熱設計、可靠性設計、可靠性設計、電路設計的電路設計的 正確性驗證正確性驗證、電路設計評審電路設計評審、出電原理圖出電原理圖等。等。 3.23.2 封裝結構設計封裝結構設計 ：按照環(huán)境按照環(huán)境、尺寸、重量、功耗、氣密性及引出端數目尺寸、重量、功耗、氣密性及引出

8、端數目 選擇合適的封裝形式和外殼結構。盡量選用標準外殼。必須重新設計時選擇合適的封裝形式和外殼結構。盡量選用標準外殼。必須重新設計時 選用的材料、鍍層、引出端及封裝邊緣距離必須滿足附錄規(guī)定。選用的材料、鍍層、引出端及封裝邊緣距離必須滿足附錄規(guī)定。 3.33.3 組裝工藝設計組裝工藝設計：根據對產品的力學環(huán)境、熱學環(huán)境及電性能要求選擇根據對產品的力學環(huán)境、熱學環(huán)境及電性能要求選擇 芯片裝貼、無源器件裝貼、基片裝貼、互連工藝和封裝工藝確定產品工芯片裝貼、無源器件裝貼、基片裝貼、互連工藝和封裝工藝確定產品工 藝基線藝基線 。 3.43.4、版圖平面設計版圖平面設計：版圖平面設計的主要依據是最終線路圖

9、，已選定的封版圖平面設計的主要依據是最終線路圖，已選定的封 裝結構，組裝工藝及工藝基線提供的工藝參數。裝結構，組裝工藝及工藝基線提供的工藝參數。 3.53.5、工藝設計評審工藝設計評審 3.63.6、制版制版 3.73.7、繪制印刷、激光調阻和元器件組裝、互連圖及基片尺寸圖。繪制印刷、激光調阻和元器件組裝、互連圖及基片尺寸圖。 2.2.2 薄厚膜無源元件設計 一、厚膜電阻 1)直線狀厚膜電阻 直線狀電阻器的長度和寬度之比稱為方數，用N表示。 (6) P0:電阻器的額定功率密度，簡稱功率密度，它表示單 位面積的電阻體上能夠承受的功率，其大小主要與 電阻器的基片材料和電阻材料有關。(如Ta膜電阻材

10、 料和氧化鋁陶瓷基片為30 ) l RRN R w 2 /mw mm 因此，電阻器的面積(lw) (7) 解式(6),(7)構成的方程組，可以得到滿足阻值和額定功 率要求的直線狀電阻器的寬度w和長度l (8) 0 /lwP p 00 RPP w pRNp R lwNw R 當N1時，一般不用上式，而改用： (9) 長寬比：由于印刷工藝上的限制和厚膜電阻漿料的流 變性，厚膜電阻器的長寬比最小不得低于1/10，最大 不得高于10，最好在1/3到3之間。 接觸電阻：厚膜電阻膜與端頭導體在接觸處存在著接 觸電阻，它是電阻膜與端頭導體膜之間因電流收縮效 應形成的接觸電阻與二者之間因相互擴散或固相化學 反

11、應所產生的新物質的電阻之和。 00 PRPN l pRp Rl wl RN 圖2.2-1接觸電 阻測量方法 圖2.2-2采用pd-Ag系導體漿料圖2.2-3采用Au導體漿料 同一系列的電阻器，方阻越高，接同一系列的電阻器，方阻越高，接 觸電阻就越大。如果縮短電阻體的觸電阻就越大。如果縮短電阻體的 長度，接觸電阻在全部阻值中占的長度，接觸電阻在全部阻值中占的 比例就會變大。接觸電阻的影響越比例就會變大。接觸電阻的影響越 顯著，實際阻值與標稱阻值的差別顯著，實際阻值與標稱阻值的差別 就越大，而且電性能變得越壞。就越大，而且電性能變得越壞。 關于接觸電阻的幾點結論： a.同一系列的電阻器，方阻越高，

12、接觸電阻越大。 b.電阻體長度越短，接觸電阻在全部阻值中占的比例越大。 c.接觸電阻的影響越顯著，實際阻值與設計計算的標稱阻值之間 的差別就越大，且電性能變得越壞。 d.電阻膜與端頭導體之間存在的這種接觸電阻，會對電路性能發(fā) 生影響，在設計時必須注意：兩個電阻器有一個共用端頭 導體的情況下，兩個電阻器的電阻膜不應連成一體，而應 在共用端頭上分開。 電阻的探針測量技術 a. 兩探針法 兩探針是傳統(tǒng)的最簡單的測量電阻的方法。它僅包含 兩根探針放在待測電阻上進行測量。 此方法會引入由探針電阻、探針接觸電阻和端頭導體電 阻組成的誤差，可高達0.2 ，對1000 的電阻，誤 差百分比為0.02%；對于1

13、0 的電阻，誤差百分比高達 2%，故對低阻或要求高精度的場合，不使用兩探針法。 b. 四探針法 兩支探針用來將電流注入到測量環(huán)路中，另兩支探針 放在接近電阻端頭處并聯(lián)數字電壓表。 優(yōu)點優(yōu)點：作為誤差項的探針電阻和探針接觸電阻消失了， 因為數字電壓表是高阻抗儀表，不干擾電流在回路中的 流動，引入的誤差僅是端頭電阻。 缺點缺點：使用兩倍數量的探針，設計時，須為這些額外探 針留有足夠的空間。 2.2.3 無源元件的調整 電阻微調方法(薄、厚膜都適用) A. 激光調阻 最廣泛使用的激光系統(tǒng)：基于一種摻釹的釔鋁石榴石 (YGA)晶體. 特點：較短的紅外波長(1.06微米)，切口較小、較窄， 對周圍電阻材

14、料及底面介質此材料產生最小的損傷。 因為YGA激光束是不可見的，多數微調系統(tǒng)采 用氦氖激光與YGA結合，發(fā)射可見的紅色光束，方 便定位。 工作原理：激光束通過一系列的透鏡和反射鏡整形 聚焦，最終撞擊電阻材料，于是，材料吸收能量 被加熱，多數材料被氣化，一些被熔化后再凝固， 其余的作為顆粒被彈出。 注意：控制激光束的功率，切口必須清潔、邊緣整齊 為了產生穩(wěn)定的電阻值，需使用高峰值功率的短脈沖。高峰值功率 能使材料迅速揮發(fā)，而將邊界區(qū)域的熱流量減至最??；短脈沖能使 刀口細膩。 吃進尺寸：受每個激光脈沖攻擊的材料的量吃進尺寸：受每個激光脈沖攻擊的材料的量 刀口寬度：切割的外寬刀口寬度：切割的外寬 激

15、光調整系統(tǒng)分類 第一類：雙電阻探針系統(tǒng)。激光束位置固定， 基片可在X軸和Y軸兩個方向上運動。 第二類：基片固定，激光束在固定的基片上 掃過，且具有多探針。 混合微電路激光微調系統(tǒng)如下圖所示，微調過程是全自 動化的，激光束和X-Y工作臺由微機控制，系統(tǒng)還裝有 TV攝像機以監(jiān)視微調過程。 標準激光微調系統(tǒng)工作流程： 探針探測電阻器 數字電壓表測量電阻器的阻值 激光被定位在調整的開始點。這點被編程到計算機中 發(fā)激光脈沖 電壓表再次取讀數 計算機將該讀數與所要求的讀數比較，若在公差范圍內則關閉 激光器，否則再發(fā)出激光脈沖 重復上一過程，直到電阻器的阻值處于程序中規(guī)定的公差內 激光調整大量生產的有效性受

16、到以下幾個因素 影響： 待調材料的種類（厚/薄膜） 電路的幾何形狀，包括電路元件的數量、尺 寸和布圖 激光的類型和工作模式 調整速度 激光調整的噪聲越大就意味著穩(wěn)定性越差。激光調整的噪聲越大就意味著穩(wěn)定性越差。 激光的類型 受激準分子激光器（氟化氪和氟化氬） 氣體激光器，射出的脈沖位于UV頻段 一次鉆多個孔 二氧化碳激光器 缺點：孔的尺寸受限，鉆不透銅,一次鉆一個 孔 YGA激光器-工作在紅外頻段。 雖能鉆透銅，但很難鉆出直徑小于10um的孔， 一次鉆一個孔 P227 表9.3 B. 噴砂調阻 工藝原理：在噴砂調阻中，細粒的砂在 高壓下以高速通過小的噴嘴，噴到待調 的無源電路元件中，砂子摩擦并

17、移去不 需要的電阻材料，使電路元件的尺寸發(fā) 生改變，從而使量值發(fā)生相應的改變， 直到達到所需要的阻值。 優(yōu)點：材料中沒有應力或機械微裂產生。 主要缺點：產生電阻碎屑會成為混合電路 里潛在的玷污源。 注意：從電路元件上去除的材料的數量由 氣體壓力噴嘴結構、材料的硬度和厚度 來決定。 不被廣泛使用原因： 工作過程會產生塵霧，污染環(huán)境； 由于顆粒的運動，會產生靜電放電； 很難在凈化車間內進行操作（ 100級到10級） 會在電阻上留下暴露的邊緣，易受環(huán)境影響 由于受到噴嘴最小孔徑的限制，調整切口寬度 很難小于0.0020.003in。 調整速度低于激光調整。 噴砂微調可用下述兩種方法之一增加阻值： a

18、.如激光調阻一樣，去掉材料形成切口。這樣增加電 阻方數，從而增加阻值。 b.減小電阻器的厚度。減薄膜的厚度增加了面電阻率， 這樣也就增加了阻值。 激光調阻 激光調電阻的原理：激光調電阻的原理：為了提高厚膜電路的精度，必 須進行阻值調整。由于厚膜絲網印刷操作固有的不 準確性，基板表面的不均勻及燒結條件的不重復性， 厚膜電阻常出現(xiàn)正負誤差，如果阻值超過標稱值將 無法修正，但是，一般情況下印刷燒成后阻值低于 目標值的大約30，所以要通過激光調整達到目標 值。 激光調阻系統(tǒng)修調技術機理：激光調阻系統(tǒng)修調技術機理：激光修調是把一束聚 焦的相干光在微機的控制下定位到工件上，使工件 待調部分的膜層氣化切除以

19、達到規(guī)定參數或阻值。 調阻時局部溫升使玻璃熔化，氣化部分阻值槽邊緣 受到玻璃覆蓋，可填平基體表面被切割的介質。 激光修調系統(tǒng)具有多種修調功能，可以修調 混合集成電路、厚薄膜電阻器網絡、電容網 絡、瓷基薄膜集成元件，還可以修調D/A和 A/D轉換器的精度，V/F轉換器的頻率，有源 濾波器的零點頻率及運算放大器的失調電壓 等。同時還具有IEEE488接口，可與其他測 試設備進行數據傳輸。 激光調阻時，被切割的電阻體圖形主要有以下幾種： （1）單刀切割電阻法 （2）雙刀切割電阻法 （3）L型刀口切割電阻法 （4）交叉對切電阻法 （5）曲線型L刀口的切法 （6）曲線型U型刀口的切法 簡易型調阻方案：簡

20、易型調阻方案： 實現(xiàn)功能：通過手動控制控針，對電阻進行自動精密調節(jié)。 1、激光器及控制系統(tǒng)：YAG50激光器 2、光學定位系統(tǒng)：XY自動控制 3、阻值測量及控制系統(tǒng) 4、手動控針 標準型調阻方案：標準型調阻方案： 實現(xiàn)功能：通過自動控制控針，對批量電阻進行自動精密調節(jié)。 1、激光器及控制系統(tǒng)：YAG50激光器 2、光學定位系統(tǒng)：五維工作方式 3、阻值測量及控制系統(tǒng) 4、自動控針：自動上、下 5、監(jiān)控系統(tǒng)：雙路CCD監(jiān)控 在線功能調阻方案：在線功能調阻方案： 實現(xiàn)功能：通過電路中電阻進行精密調節(jié)，完成電路功能。 1、激光器及控制系統(tǒng)：YAG50激光器 2、光學定位系統(tǒng)：XY自動控制 3、阻值測量

21、及控制系統(tǒng) 4、自動控針：手動 5、功能信號接口：根據電路功能要求 激光調阻機的種類激光調阻機的種類 目前調阻機按功能可分單純調阻及功能性調阻 兩類： 單純調阻： 對電阻進行調節(jié)，調節(jié)至某一固定阻值，完 成調阻。這類設備比較簡單。 功能性調阻： 對某一電路中的電阻進行精密調節(jié)，使此電 路模塊完成相應的功能。此類設備比較復雜， 且設備與電路要求相適應。 調阻的設計標準 1.嚴格控制無源電路元件標稱值的公差 2.電阻的幾何形狀-電阻的長寬比 3.調整基于百分數進行，而不是基于尺寸大小 進行。 4.激光調整的高熱量梯度會引起應力效應。 5.針對大長寬比的電阻，一般選用L切、平行切 或蛇形切進行調整。

22、P232圖9.8 6.一般不用一種方式進行切割。實用方法：雙線切割。 原因：單直線切割將電阻從初始值調節(jié)到標稱值時， 刀口會進得很深，造成電阻不穩(wěn)定。為避免這種不 穩(wěn)定性，應用雙切來代替。 第一刀，可以是L切，將阻值調整到標稱值的80%， 剩下的20%由第二刀完成。 第一刀必須從距離電阻一端的固定位置處開始，以滿 足所有可能的公差范圍。 第二刀不能切入電阻的另一端頭，否則可能將電阻完 全切斷。 7.當長寬比大于5時，建議設計為帽形電阻 電阻的微調方法 向上調整：通過切掉部分電阻材料來增加阻值， 達到所要求阻值； 向下調整：在布圖時，在電阻體上添加金導體 焊盤，然后用線焊短路焊盤來跳過一段電阻，

23、 從而減小阻值，達到標稱值。 直線狀厚膜電阻器的微調 HIC中厚膜和薄膜電阻器的主要優(yōu)點在 于它們能被微調到精確的電阻值。 印刷燒結的厚膜電阻器的公差：20% ， 可調整到標稱值的 1% 。 薄膜電阻器在淀積后的公差：10% ， 可調整到標稱值的0.01% 。 下面列出了對直線狀電阻器向上微調法常用的微調圖形 (薄膜，厚膜都適用) a. 直線切割 b. 雙線切割 直線切割速度快，典型的用于一方 或小于一方的直線狀電阻和帽形電 阻的微調。此類型調整對通過電阻 的電流引起的擾動最大，并在微調 切口處形成一過熱點。 也叫陰影切割，允許一次粗調后 接著在第一次切割的陰影內進行 細調。激光損傷小于L形切

24、割。然 而，這種切割會比單直線切割引 起更大的熱點。 c. L形切割 d. 掃描切割 L形切割比直線切割提供更高的精度， 垂直的腿提供粗調，平行的腿提供細調。 角形切割和J形切割比標準的L形切割有 更少的熱點，更為穩(wěn)定。這是由于在微 調切口中去處了尖銳的轉角。激光微調 會引起微裂，由于微裂垂直于刀口，在 L形切割中，它們能傳播到電阻的邊緣 處使阻值增加或引起開路。 掃描切割是所有切割類型中最慢的，但 它能提供較高精度和較穩(wěn)定的電阻器， 因為它不像其他微調結構那樣對流過的 電流有干擾。由于沒有過熱點形成，掃 描切割的電阻器更適合高頻應用，其熱 噪聲也很低。 e. 蛇形切割 f. 數字切割 當需要

25、大范圍改變阻值時使用蛇形切 割。它能增加電流路徑長度。它必須 使用大面積電阻器的設計。這種類型 的切割一般常用于動態(tài)調整。 最精確和最穩(wěn)定的電阻器是通過數 字微調方法得到的。這種技術要求 有非常大的面積。由于微調切口處 沒有電流流過，微調過的電阻非常 穩(wěn)定。 2)帽狀厚膜電阻器 優(yōu)點：每個電阻器的阻值可調范圍大，面積損失小，用 同一種漿料在一塊基片上可設計出阻值范圍較寬的電 阻器。 例如，從下圖中的(a)調成(b)的 形狀，阻值增加約80%，而僅 損失總面積的15%，并不會顯 著的降低它承受功率的能力。 帽形電阻器的調整方式 第一刀可向帽形的頂部切然后向帽形下端切。兩個切口（向 上和向下兩個切

26、口）間應當留有足夠大的距離（至少為 2/3）。 當切割不止一刀時，必須注意調整深度及刀口間的間距，使 其不會影響電阻的功率性。 一般第一刀進得深一些，第二刀在第一刀的陰影內，且淺一 些。 從底部向上進行調整-可獲得范圍較大的敏感度基本恒定的 水平區(qū)域，有利于快速精調 從頂部向下調整-變化量太小或靈敏度過高，使調整范圍很 窄。 帽形電阻的調整對于切口在電阻中的位置比較敏感。如果切 口距某一邊緣過近，會形成一個高阻值通路，增大敏感性， 導致電流密度過大。 厚膜帽狀電阻器幾何形貌的計算步驟(已知R,P, ) a.由于在微調中常用向上微調法，阻值是一直上升的，所以初始 設計的電阻器的阻值一般均應小于標

27、稱值。一般將帽狀電阻器 微調前的阻值設計成標稱值的70%，即 (10) 式中， 是微調前阻值，R是所要求的標稱阻值。 0 p 0 0.7RR 0 R W-帽沿寬度；L-帽沿長度 帽高； 帽頂長度 T-調阻切口寬度； h w h l 00 0 RP w pR R lwNw R 它造成的誤差可在以后的阻值微調中予以補償。 b.計算帽狀電阻器沿帽沿部分的寬度和帽沿的長度。計算 時，先忽略突出的帽頂部分的分流作用，用直線狀電阻 計算公式(8)來算(注意此時未考慮調阻，故用 代替R)。 即 (11) 0 R c. 此時，可得帽頂的長度為： (12) 切口寬度T的大小由切割工藝確定。帽高 的選擇應當能夠保

28、證 最終實現(xiàn)標稱阻值。下面計算帽高： 對于帽狀電阻器的阻值，可以表示為(注意這里因考慮了調阻而取 R)： (13) 為避免由于近似計算以及工藝中的誤差而導致最大限度微調最終仍 達不到標稱阻值的現(xiàn)象，需將計算值取得比標稱值大一些，通常取 為1.5倍，(13)式變?yōu)椋?(14) 2 h lwT h w 1 4()2 2 hh llwwT RRRRR www 1 1.54()2 2 hh llwwT RRRRR www 將 代入，解出： (15) 例：用方阻 ，功率密度 的材 料，設計一個阻值 ，額定功率 的帽狀 厚膜電阻器。(微調切口寬度 ) 解：取電阻未調整時的阻值 所以， 2 h lwT (0

29、.751)0.5 h R wwl R 5/Rk 2 0 50/pmw mm 56Rk250Pmw 0.75Tmm 0 0.70.7*5639.2RRk 00 250*5 0.8 50*39.2 PR wmm p R 0 0.8*39.2/56.28 wR lmm R 22*0.80.752.35 h lwTmm (0.75/1)0.5 0.8(0.75*56/5 1)0.5*6.284.38 h wwR Rl mm 這樣計算出的電阻器，最大限度可以微調到標稱阻值的1.5倍， 即56*1.5=84千歐。因此，不需要微調到最大限度就可以滿足 標稱阻值的要求了。 帽狀電阻圖形的等電阻調整 當計算出來

30、的帽狀電阻圖形， 由于電路布局的原因需要加以修 改時，可采用以下原則：若帽的 高度增加x,則電阻器兩端頭的距 離即整個帽沿長度必須減少2x.右 圖中的三個帽狀電阻器的阻值是 相同的。 向上調阻法會使電阻器的阻值升高，所以在進行向上調阻法會使電阻器的阻值升高，所以在進行 圖形設計時，應保證這種圖形在微調前的理論計圖形設計時，應保證這種圖形在微調前的理論計 算值小于電阻器的標稱阻值，而經最大限度的微算值小于電阻器的標稱阻值，而經最大限度的微 調后的理論計算值比標稱阻值大。調后的理論計算值比標稱阻值大。 當N1時，一般不用上式，而改用： (9) 長寬比：由于印刷工藝上的限制和厚膜電阻漿料的流 變性，厚膜電阻器的長寬比最小不得低于1/10，最大 不得高于10，最好在1/3到3之間。 接觸電阻：厚膜電阻膜與端頭導體在接觸處存在著接 觸電阻，它是電阻膜與端頭導體膜之間因電流收縮效 應形成的接觸電阻與二者之間因相互擴散或固相化學 反應所產生的新物質的電阻之和。