與IC有關(guān)部分筆試、面試題目的答案舉例

1、1近年近年招聘會(huì)招聘會(huì)上上與與IC有關(guān)部分有關(guān)部分筆試、面試題目的答案舉例筆試、面試題目的答案舉例 21、我們公司的產(chǎn)品是集成電路，請(qǐng)描我們公司的產(chǎn)品是集成電路，請(qǐng)描述一下你對(duì)集成電路的認(rèn)識(shí)，列舉一些述一下你對(duì)集成電路的認(rèn)識(shí)，列舉一些與集成電路相關(guān)的內(nèi)容（如講清楚模擬、與集成電路相關(guān)的內(nèi)容（如講清楚模擬、數(shù)字、雙極型、數(shù)字、雙極型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概等的概念）。念）。3單片微型計(jì)算機(jī)單片微型計(jì)算機(jī)(簡(jiǎn)稱單片機(jī)簡(jiǎn)稱單片機(jī))有有時(shí)也稱為微控制器時(shí)也稱為微控制器MCU (micro control unit) 。 當(dāng)然，與當(dāng)然，與MPU相相比，比，

2、MCU上的上的CPU的功能比較的功能比較簡(jiǎn)單，存儲(chǔ)器的容量也很有限。簡(jiǎn)單，存儲(chǔ)器的容量也很有限。MCU已被廣泛應(yīng)用于各種家用已被廣泛應(yīng)用于各種家用電器產(chǎn)品以及工業(yè)控制。用得最電器產(chǎn)品以及工業(yè)控制。用得最多的是多的是4位和位和8位位MCU。4什么是什么是MCU？MCU(Micro Controller Unit)，又，又稱單片微型計(jì)算機(jī)稱單片微型計(jì)算機(jī)(Single Chip Microcomputer)，是指隨著大規(guī)模集，是指隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展，將計(jì)算機(jī)的成電路的出現(xiàn)及其發(fā)展，將計(jì)算機(jī)的CPU、RAM、ROM、定時(shí)數(shù)器和多、定時(shí)數(shù)器和多種種I/O接口集成在一片芯片上，形成芯接口集

3、成在一片芯片上，形成芯片級(jí)的計(jì)算機(jī)。片級(jí)的計(jì)算機(jī)。5設(shè)計(jì)方法上從設(shè)計(jì)方法上從CISC結(jié)構(gòu)演變到結(jié)構(gòu)演變到RISC結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)通常將采用英特爾處理器的服務(wù)器稱為通常將采用英特爾處理器的服務(wù)器稱為IA (Intel Architecture)架構(gòu)服務(wù)器，由于架構(gòu)服務(wù)器，由于該架構(gòu)服務(wù)器采用了開放式體系，并且該架構(gòu)服務(wù)器采用了開放式體系，并且實(shí)現(xiàn)了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)和得到國(guó)內(nèi)外大實(shí)現(xiàn)了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)和得到國(guó)內(nèi)外大量軟硬件供應(yīng)商的支持，在大批量生產(chǎn)量軟硬件供應(yīng)商的支持，在大批量生產(chǎn)的基礎(chǔ)上，以其極高的性能價(jià)格比而在的基礎(chǔ)上，以其極高的性能價(jià)格比而在全球范圍內(nèi)，尤其在我國(guó)得到廣泛的應(yīng)全球范圍內(nèi)，尤其在我國(guó)得到廣

4、泛的應(yīng)用。用。2000年國(guó)內(nèi)年國(guó)內(nèi)IA架構(gòu)服務(wù)器供應(yīng)商前架構(gòu)服務(wù)器供應(yīng)商前三位是惠普、三位是惠普、IBM、浪潮。、浪潮。6（1）CISC指令集指令集 CISC指令集，也稱為指令集，也稱為復(fù)雜指令集復(fù)雜指令集，英文名是英文名是CISC，（，（Complex Instruction Set Computer的縮寫）。在的縮寫）。在CISC微處理微處理器中，程序的各條指令是按順序串行執(zhí)器中，程序的各條指令是按順序串行執(zhí)行的，每條指令中的各個(gè)操作也是按順行的，每條指令中的各個(gè)操作也是按順序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是控制序串行執(zhí)行的。順序執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是控制簡(jiǎn)單，但計(jì)算機(jī)各部分的利用率不高，簡(jiǎn)單，但計(jì)算機(jī)

5、各部分的利用率不高，執(zhí)行速度慢。執(zhí)行速度慢。7（2）RISC指令集指令集 lRISC是英文是英文“Reduced Instruction Set Computing ” 的縮寫，中文意思是的縮寫，中文意思是“精簡(jiǎn)精簡(jiǎn)指令集指令集”。它是在。它是在CISC指令系統(tǒng)基礎(chǔ)上指令系統(tǒng)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，有人對(duì)發(fā)展起來的，有人對(duì)CISC機(jī)進(jìn)行測(cè)試表機(jī)進(jìn)行測(cè)試表明，各種指令的使用頻度相當(dāng)懸殊，最常明，各種指令的使用頻度相當(dāng)懸殊，最常使用的是一些比較簡(jiǎn)單的指令，它們僅占使用的是一些比較簡(jiǎn)單的指令，它們僅占指令總數(shù)的指令總數(shù)的20，但在程序中出現(xiàn)的頻度，但在程序中出現(xiàn)的頻度卻占卻占80。復(fù)雜的指令系統(tǒng)必然增加微

6、處。復(fù)雜的指令系統(tǒng)必然增加微處理器的復(fù)雜性，使處理器的研制時(shí)間長(zhǎng)，理器的復(fù)雜性，使處理器的研制時(shí)間長(zhǎng)，成本高。并且復(fù)雜指令需要復(fù)雜的操作，成本高。并且復(fù)雜指令需要復(fù)雜的操作，必然會(huì)降低計(jì)算機(jī)的速度。必然會(huì)降低計(jì)算機(jī)的速度。8 基于上述原因，基于上述原因，20世紀(jì)世紀(jì)80年代年代RISC型型CPU誕誕生了，相對(duì)于生了，相對(duì)于CISC型型CPU ,RISC型型CPU不僅不僅精簡(jiǎn)了指令系統(tǒng)，還采用了一種叫做精簡(jiǎn)了指令系統(tǒng)，還采用了一種叫做“超標(biāo)量超標(biāo)量和超流水線結(jié)構(gòu)和超流水線結(jié)構(gòu)”，大大增加了并行處理能力。，大大增加了并行處理能力。RISC指令集是高性能指令集是高性能CPU的發(fā)展方向。它與的發(fā)展方向

7、。它與傳統(tǒng)的傳統(tǒng)的CISC(復(fù)雜指令集復(fù)雜指令集)相對(duì)。相比而言，相對(duì)。相比而言，RISC的指令格式統(tǒng)一，種類比較少，尋址方的指令格式統(tǒng)一，種類比較少，尋址方式也比復(fù)雜指令集少。當(dāng)然處理速度就提高很式也比復(fù)雜指令集少。當(dāng)然處理速度就提高很多了。目前在中高檔服務(wù)器中普遍采用這一指多了。目前在中高檔服務(wù)器中普遍采用這一指令系統(tǒng)的令系統(tǒng)的CPU，特別是高檔服務(wù)器全都采用，特別是高檔服務(wù)器全都采用RISC指令系統(tǒng)的指令系統(tǒng)的CPU。RISC指令系統(tǒng)更加適指令系統(tǒng)更加適合高檔服務(wù)器的操作系統(tǒng)合高檔服務(wù)器的操作系統(tǒng)UNIX，現(xiàn)在，現(xiàn)在Linux也也屬于類似屬于類似UNIX的操作系統(tǒng)。的操作系統(tǒng)。RISC型

8、型CPU與與Intel和和AMD的的CPU在軟件和硬件上都不兼容。在軟件和硬件上都不兼容。92、FPGA和和ASIC的概念，他們的區(qū)別。的概念，他們的區(qū)別。ASIC:專用集成電路，它是面向?qū)ｉT用專用集成電路，它是面向?qū)ｉT用途的電路，專門為一個(gè)用戶設(shè)計(jì)和制造的。途的電路，專門為一個(gè)用戶設(shè)計(jì)和制造的。根據(jù)一個(gè)用戶的特定要求，能以低研制成根據(jù)一個(gè)用戶的特定要求，能以低研制成本，短、交貨周期供貨的全定制，半定制本，短、交貨周期供貨的全定制，半定制集成電路。與門陣列等其它集成電路。與門陣列等其它ASIC (Application Specific IC)相比，它們又具有相比，它們又具有設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)

9、計(jì)制造成本低、開發(fā)設(shè)計(jì)開發(fā)周期短、設(shè)計(jì)制造成本低、開發(fā)工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測(cè)試、質(zhì)量穩(wěn)定工具先進(jìn)、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無需測(cè)試、質(zhì)量穩(wěn)定以及可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)等優(yōu)點(diǎn)。以及可實(shí)時(shí)在線檢驗(yàn)等優(yōu)點(diǎn)。10從從ASIC的發(fā)展看，它的主要特點(diǎn)不單純的發(fā)展看，它的主要特點(diǎn)不單純?cè)谄浔旧淼膶Ｓ眯?，其更深的含義在于在其本身的專用性，其更深的含義在于用用戶直接參與集成電路的設(shè)計(jì)戶直接參與集成電路的設(shè)計(jì)。由于。由于ASIC是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一部分，它要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)者是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一部分，它要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)者直接參與芯片電路設(shè)計(jì)。直接參與芯片電路設(shè)計(jì)。ASIC可以是專可以是專為某一類特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為某一類特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，

10、稱為為標(biāo)準(zhǔn)專用電路標(biāo)準(zhǔn)專用電路(ASSP-Application Specific Standard Product)，也可以是專，也可以是專為某一用戶的特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，為某一用戶的特定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的集成電路，稱為定制專用電路。稱為定制專用電路。11 FPGA (Field Programmable Gate Array)是是可編程可編程ASIC 。FPGA兼顧了兼顧了PLD和門陣列和門陣列兩者的優(yōu)點(diǎn)：兩者的優(yōu)點(diǎn)： 具有門陣列電路那樣的單元陣列結(jié)構(gòu)，具有門陣列電路那樣的單元陣列結(jié)構(gòu)，但單元與門陣列不同，每個(gè)單元包含了但單元與門陣列不同，每個(gè)單元包含了PLA、若干寄存器和多路開關(guān)。、若干

11、寄存器和多路開關(guān)。 又象又象PLD那樣，用戶可以通過編程，任那樣，用戶可以通過編程，任意設(shè)定每個(gè)單元的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)以及單元意設(shè)定每個(gè)單元的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)以及單元之間的連線之間的連線 基本特征：基本特征：不需要定制式掩膜層，不需要定制式掩膜層，通過可編程實(shí)現(xiàn)組合邏輯和時(shí)序邏輯通過可編程實(shí)現(xiàn)組合邏輯和時(shí)序邏輯123、什么叫做、什么叫做OTP片、掩膜片，片、掩膜片，兩者的區(qū)別何在？?jī)烧叩膮^(qū)別何在？13什么是什么是OTP ？ (OTP-一次性可編程一次性可編程/可編程的一次性燒錄可編程的一次性燒錄) OTP（One Time Programmable）是）是MCU的一種存儲(chǔ)器類型。的一種存儲(chǔ)器類型。MC

12、U按其存儲(chǔ)器按其存儲(chǔ)器類型可分為類型可分為掩膜片掩膜片-MASK(掩模掩模)ROM、OTP(一次性可編程一次性可編程)ROM、FLASH ROM等等類型。類型。MASK ROM的的MCU價(jià)格便宜，但程價(jià)格便宜，但程序在出廠時(shí)已經(jīng)固化，適合程序固定不變的序在出廠時(shí)已經(jīng)固化，適合程序固定不變的應(yīng)用場(chǎng)合；應(yīng)用場(chǎng)合；FALSH ROM的的MCU程序可以程序可以反復(fù)擦寫，靈活性很強(qiáng)，但價(jià)格較高，適合反復(fù)擦寫，靈活性很強(qiáng)，但價(jià)格較高，適合對(duì)價(jià)格不敏感的應(yīng)用場(chǎng)合或做開發(fā)用途；對(duì)價(jià)格不敏感的應(yīng)用場(chǎng)合或做開發(fā)用途；14 OTP ROM的的MCU價(jià)格介于前兩者之間，價(jià)格介于前兩者之間，同時(shí)又擁有一次性可編程能力，

13、適合既同時(shí)又擁有一次性可編程能力，適合既要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用要求一定靈活性，又要求低成本的應(yīng)用場(chǎng)合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速場(chǎng)合，尤其是功能不斷翻新、需要迅速量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。量產(chǎn)的電子產(chǎn)品。15A1A0Y1Y2Y3Y4十進(jìn)制0001101100000001010010010149 熔絲型開關(guān)熔絲型開關(guān) 反熔絲型開關(guān)反熔絲型開關(guān)000000111001用高壓將用高壓將PLICE介質(zhì)擊穿。介質(zhì)擊穿。熔絲斷開為熔絲斷開為1PLICE（可編程邏輯互連電路單元）（可編程邏輯互連電路單元）16在反熔絲在反熔絲PROM中，各連接點(diǎn)放的不是熔絲，而中，各連接點(diǎn)放的不是熔絲，而是一種是一種PL

14、ICE編程單元，如圖所示。未編程時(shí)縱編程單元，如圖所示。未編程時(shí)縱線和橫線間是不通的，編程時(shí)對(duì)需要連接處加上線和橫線間是不通的，編程時(shí)對(duì)需要連接處加上高壓使其中高壓使其中PLICE（可編程邏輯互連電路單元）（可編程邏輯互連電路單元）介質(zhì)擊穿而短路，從而達(dá)到該點(diǎn)邏輯連接的目的。介質(zhì)擊穿而短路，從而達(dá)到該點(diǎn)邏輯連接的目的。反熔絲編程示意圖反熔絲編程示意圖(a)反熔絲編程陣列結(jié)構(gòu)反熔絲編程陣列結(jié)構(gòu) (b)PLICE 編程元件編程元件1718194、如何了解代工公司的情況？、如何了解代工公司的情況？了解一家了解一家IC代工公司代工公司(foundry)最直接和最直接和簡(jiǎn)便的方法，是認(rèn)真瀏覽該代工公司的

15、簡(jiǎn)便的方法，是認(rèn)真瀏覽該代工公司的技術(shù)發(fā)展路線圖技術(shù)發(fā)展路線圖20華潤(rùn)上華科技有限公司華潤(rùn)上華科技有限公司CSMC技術(shù)發(fā)展路線技術(shù)發(fā)展路線21華潤(rùn)上華科技有限公司華潤(rùn)上華科技有限公司CSMC技術(shù)發(fā)展路線（續(xù)）技術(shù)發(fā)展路線（續(xù)）22什么是什么是eFlach？嵌入（embed）式系統(tǒng)是指操作系統(tǒng)和功能軟件集成于計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)之中。簡(jiǎn)單的說就是系統(tǒng)的應(yīng)用軟件與系統(tǒng)的硬件一體化，具有軟件代碼小，高度自動(dòng)化，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。特別適合于要求實(shí)時(shí)的和多任務(wù)的體系。嵌入式系統(tǒng)不一定就是單片機(jī)。嵌入式系統(tǒng)主要是將軟件系統(tǒng)固化集成到硬件系統(tǒng)（如放到FLASH）中。http:/ 23和艦科技和艦科技(蘇州蘇州 )

16、有限公司有限公司 RoadmapRtn Available Now200620070.35/0.3m 3.3V/ 12V0.35/0.3m 3.3V/ 18V0.35m 3.3V/12V,18V embedded OTP0.25m 2.5V/+-16V0.35m 3.3V CIS0.15m1.5V/+-16V0.18m pixel size 3.2m0.5/0.45m 3.3V/ 5V0.35/0.3m 3.3V/ 5V0.25m 2.5V/3.3V0.18m 1.8V/3.3V0.35/0.3m 3.3V/5V0.25m 2.5V/3.3V, 5V0.18m 1.8V/3.3V0.5m OT

17、P 5V/12V0.35m FLASH 5V/10.5V0.25m FLASH 5V/9V0.25m e-EEPROM 2.5V/ 3.3V0.15m1.2V/3.3V0.15m1.5V/3.3V0.13 m Cu 1.2V/3.3V0.18mFlash1.8V/3.3V0.13me-Flash1.2V/3.3V2008 Logic Mix Mode NVM Hi-Voltage CIS 0.35m3.3V/13.5V0.25m2.5V/5V0.18me-Flash1.8V/3.3V0.18mRF CMOS0.13mFlash 1.2V/3.3V0.13mAl0.13mAl 1.2V/+-16

18、V0.18m1.8V/+-16V0.13m Al1.2V/3.3V0.13m Cu1.2V/3.3V0.162m1.8/3.3V和艦科技和艦科技(蘇州蘇州 )有限公司有限公司 Roadmap24什么是什么是NVM？只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(Read Only Memory，ROM) 它又稱固定存儲(chǔ)器。它又稱固定存儲(chǔ)器。ROM是是把數(shù)據(jù)固定地存儲(chǔ)起來，然后按給定把數(shù)據(jù)固定地存儲(chǔ)起來，然后按給定地址進(jìn)行讀出，但不象地址進(jìn)行讀出，但不象RAM那樣可以那樣可以隨時(shí)快速寫入和修改，只能讀出。它隨時(shí)快速寫入和修改，只能讀出。它在停電后照樣能長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，所以在停電后照樣能長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，所以又被稱為又被稱為不揮

19、發(fā)存儲(chǔ)器不揮發(fā)存儲(chǔ)器(Nonvolatile Memory)。25大陸、臺(tái)灣大陸、臺(tái)灣Foundry技術(shù)演進(jìn)技術(shù)演進(jìn)19941997199920022005大陸大陸 3m0.8m0.35m0.18m0.13m臺(tái)灣臺(tái)灣 0.35m0.25m0.18m0.13m0.09m2621世紀(jì)頭世紀(jì)頭10年將面臨如何進(jìn)行年將面臨如何進(jìn)行0.1m級(jí)級(jí) 電電路的設(shè)計(jì)和制造問題。生產(chǎn)工藝從路的設(shè)計(jì)和制造問題。生產(chǎn)工藝從 微米級(jí)微米級(jí)(micro-M)（3m、2m1985年、年、1.5m、1m1989年）、年）、 亞微米級(jí)亞微米級(jí)（submicro-SM）（）（0.7m、0.5m1993年）發(fā)展到年）發(fā)展到 深亞微

20、米深亞微米（deep submicro-DSM）（）（0.35m1997年、年、0.25m、0.18m2001年、年、0.13m），）， 超深亞微米或亞超深亞微米或亞0.1m2005年（年（very deep submicro-VDSM ）。）。275、有幾種、有幾種IC版圖文件格式？版圖文件格式？ GDSIIGraphicalDesignSystemII二進(jìn)制格式用來備份、導(dǎo)入、導(dǎo)出版圖，以及提交給Foundry流片 CIFCaltechIntermediateFormat文本格式 EDIFElectronicDesignInterchangeFormat文本格式EDIF格式也用于描述線路圖

21、、網(wǎng)表、符號(hào)等其他數(shù)據(jù)286、描述你對(duì)集成、描述你對(duì)集成電路工藝的認(rèn)識(shí)。電路工藝的認(rèn)識(shí)。（仕蘭微面試題目）（仕蘭微面試題目）29晶圓處理制程晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子元件（如電晶體管、電容器、邏輯門等），路與電子元件（如電晶體管、電容器、邏輯門等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程過程 ，以微處理器（，以微處理器（Microprocessor）為例，其所）為例，其所需處理步驟可達(dá)需處理步驟可達(dá)數(shù)百道數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，動(dòng)

22、輒數(shù)千萬一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與度、濕度與 含塵（含塵（Particle）均需控制的無塵室）均需控制的無塵室/超超凈間凈間（Clean-Room），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑矗E通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之後，）之後，接著進(jìn)行氧化（接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最後進(jìn)行顯影、）及沉積，最後進(jìn)行顯影、蝕刻及離子注入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的蝕刻及離子注入等反覆步驟

23、，以完成晶圓上電路的加工與制作。加工與制作。30 晶圓處理制程（晶圓處理制程（Wafer Fabrication；簡(jiǎn)稱；簡(jiǎn)稱 Wafer Fab） 1.圖形轉(zhuǎn)換：圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片類似于照相底片)上的圖上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上 2. 摻雜：摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等位置上，形成晶體管、接觸等 3. 制膜：制膜：制作各種材料的薄膜制作各種材料的薄膜31圖形轉(zhuǎn)換：圖形轉(zhuǎn)換：光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光

24、刻束光刻刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕摻雜：摻雜：離子注入離子注入 退火退火擴(kuò)散擴(kuò)散制膜：制膜：氧化：干氧氧化、濕氧氧化等氧化：干氧氧化、濕氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸發(fā)、濺射：蒸發(fā)、濺射32后部封裝、測(cè)試后部封裝、測(cè)試 （在另外廠房）（在另外廠房）（1）背面減?。┍趁鏈p薄（2）劃片劃片、掰片、掰片（3）粘片）粘片（4）壓焊：金絲球焊）壓焊：金絲球焊（5）切筋）切筋（6）整形）整形（7）封裝封裝（8）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸）沾錫：保證管腳的電學(xué)接觸（9）老化老化（10）成測(cè)，篩選成測(cè)，篩選（11）打字、包裝）打字、包裝33后工序后工序劃片劃片

25、封裝封裝測(cè)試測(cè)試?yán)匣匣Y選篩選 輔助工序輔助工序超凈廠房技術(shù)超凈廠房技術(shù)超純水、高純氣超純水、高純氣體制備技術(shù)體制備技術(shù)光刻掩膜版制備光刻掩膜版制備技術(shù)技術(shù)材料準(zhǔn)備技術(shù)材料準(zhǔn)備技術(shù)347、列舉幾種集成電路典型工藝。工、列舉幾種集成電路典型工藝。工藝上常提到藝上常提到0.25,0.18指的是什么？指的是什么？（仕蘭微面試題目）（仕蘭微面試題目）35集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝流程流程1.雙極集成電路的基本制造工藝2.CMOS集成電路工藝3.Bi-CMOS集成電路工藝36 1.)雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu) 由典型的由典型的PN結(jié)隔

26、離的摻金結(jié)隔離的摻金TTL電路工藝制作的集成電路中的電路工藝制作的集成電路中的晶體管的剖面圖如下圖所示，它基本上由表面圖形晶體管的剖面圖如下圖所示，它基本上由表面圖形(由光刻掩模決由光刻掩模決定定)和雜質(zhì)濃度分布決定。和雜質(zhì)濃度分布決定。ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+典型數(shù)字集成電路中典型數(shù)字集成電路中NPN晶體管剖面圖晶體管剖面圖 37 2. )CMOS集成電路工藝集成電路工藝 體硅體硅CMOS工藝設(shè)計(jì)中阱工藝的選擇工藝設(shè)計(jì)中阱工藝的選擇 (1) p阱工藝阱工藝實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)CMOS電路的工藝技術(shù)有多種。電路的工藝技術(shù)有多種。CMOS是在是在PMOS工藝技術(shù)基礎(chǔ)上于

27、工藝技術(shù)基礎(chǔ)上于1963年年 發(fā)展起來的，因此采發(fā)展起來的，因此采用在用在n型襯底上的型襯底上的p阱制備阱制備NMOS器件是很自然的選擇。器件是很自然的選擇。由于氧化層中正電荷的作用以及負(fù)的金屬由于氧化層中正電荷的作用以及負(fù)的金屬(鋁鋁)柵與襯柵與襯底的功函數(shù)差，使得在沒有溝道離子注入技術(shù)的條件底的功函數(shù)差，使得在沒有溝道離子注入技術(shù)的條件下，制備低閾值電壓下，制備低閾值電壓(絕對(duì)值絕對(duì)值)的的PMOS器件和增強(qiáng)型器件和增強(qiáng)型NMOS器件相當(dāng)困難。于是，采用輕摻雜的器件相當(dāng)困難。于是，采用輕摻雜的n型襯底型襯底制備制備PMOS器件，采用較高摻雜濃度擴(kuò)散的器件，采用較高摻雜濃度擴(kuò)散的p阱做阱做N

28、MOS器件，在當(dāng)時(shí)成為最佳的工藝組合。器件，在當(dāng)時(shí)成為最佳的工藝組合。38考慮到空穴的遷移率比電子遷移率考慮到空穴的遷移率比電子遷移率要低近要低近2倍多，且遷移率的數(shù)值是摻雜濃倍多，且遷移率的數(shù)值是摻雜濃度的函數(shù)度的函數(shù)(輕摻雜襯底的載流子遷移率較輕摻雜襯底的載流子遷移率較高高)。因此，。因此，采用采用p阱工藝有利于阱工藝有利于CMOS電路中兩種類型器件的性能匹配電路中兩種類型器件的性能匹配，而尺，而尺寸差別較小。寸差別較小。p阱阱CMOS經(jīng)過多年的發(fā)展，經(jīng)過多年的發(fā)展，已成為成熟的主要的已成為成熟的主要的CMOS工藝。與工藝。與NMOS工藝技術(shù)一樣，它采用了硅柵、工藝技術(shù)一樣，它采用了硅柵、

29、 等平面和全離子注入技術(shù)。等平面和全離子注入技術(shù)。39 (2) n阱工藝阱工藝為了實(shí)現(xiàn)與為了實(shí)現(xiàn)與LSI的主流工藝增強(qiáng)型的主流工藝增強(qiáng)型/耗層型耗層型(E/D)的的完全兼容，完全兼容，n阱阱CMOS工藝得到了重視和發(fā)展。它采工藝得到了重視和發(fā)展。它采用用E/D NMOS的相同的的相同的p型襯底材料制備型襯底材料制備NMOS器件，器件，采用離子注入形成的采用離子注入形成的n阱制備阱制備PMOS器件，采用溝道器件，采用溝道離子注入調(diào)整兩種溝遭器件的閾值電壓。離子注入調(diào)整兩種溝遭器件的閾值電壓。 n阱阱CMOS工藝與工藝與p阱阱CMOS工藝相比有許多明顯工藝相比有許多明顯的優(yōu)點(diǎn)。首先是的優(yōu)點(diǎn)。首先是

30、與與E/D NMOS工藝完全兼容工藝完全兼容，因此，因此，可以直接利用已經(jīng)高度發(fā)展的可以直接利用已經(jīng)高度發(fā)展的NMOS工藝技術(shù)；其次工藝技術(shù)；其次是制備在輕摻雜襯底上的是制備在輕摻雜襯底上的NMOS的性能得到了最佳化的性能得到了最佳化-保持了高的電子遷移率，低的體效應(yīng)系數(shù)，低的保持了高的電子遷移率，低的體效應(yīng)系數(shù)，低的n+結(jié)結(jié)的寄生電容，降低了漏結(jié)勢(shì)壘區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而降的寄生電容，降低了漏結(jié)勢(shì)壘區(qū)的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而降低了電子碰撞電離所產(chǎn)生的電流等。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)對(duì)動(dòng)態(tài)低了電子碰撞電離所產(chǎn)生的電流等。這個(gè)優(yōu)點(diǎn)對(duì)動(dòng)態(tài)CMOS電路，如時(shí)鐘電路，如時(shí)鐘CMOS電路，多米諾電路等的性電路，多米諾電路等的性能改

31、進(jìn)尤其明顯。能改進(jìn)尤其明顯。 40 (3) 雙阱工藝雙阱工藝雙阱雙阱CMOS采用高濃度的采用高濃度的n+襯底，在襯底，在上面生長(zhǎng)高阻上面生長(zhǎng)高阻r外延層，并在其上形成外延層，并在其上形成n阱阱和和p阱。它有利于每種溝道類型的器件性能阱。它有利于每種溝道類型的器件性能最佳化，且因存在低阻的通道，使可控硅最佳化，且因存在低阻的通道，使可控硅鎖閂效應(yīng)受到抑制。圖鎖閂效應(yīng)受到抑制。圖A(c)是雙阱是雙阱CMOS結(jié)構(gòu)示意圖。最為理想的結(jié)構(gòu)示意圖。最為理想的CMOS結(jié)構(gòu)應(yīng)該結(jié)構(gòu)應(yīng)該是絕緣襯底上的是絕緣襯底上的CMOS技術(shù)技術(shù)(SOI/CMOS)。它徹底消除了體硅它徹底消除了體硅CMOS電路中的電路中的“可

32、控可控硅鎖閂硅鎖閂”效應(yīng)，提高抗輻射能力并有利于效應(yīng)，提高抗輻射能力并有利于速度和集成度的提高。速度和集成度的提高。41 SOI/CMOS電路電路利用絕緣襯底的硅薄膜利用絕緣襯底的硅薄膜(Silicon on Insulator)制作制作CMOS電路，能徹底消除體電路，能徹底消除體硅硅CMOS電路中的寄生可控硅結(jié)構(gòu)。能大電路中的寄生可控硅結(jié)構(gòu)。能大幅度減小幅度減小PN結(jié)面積，從而減小了電容效結(jié)面積，從而減小了電容效應(yīng)。這樣可以提高芯片的集成度和器件的應(yīng)。這樣可以提高芯片的集成度和器件的速度。下圖示出理想的速度。下圖示出理想的SOI/CMOS結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)。SOI結(jié)構(gòu)是針對(duì)亞微米結(jié)構(gòu)是針對(duì)亞微米CM

33、OS器件提出的，器件提出的，以取代不適應(yīng)要求的常規(guī)結(jié)構(gòu)和業(yè)已應(yīng)用以取代不適應(yīng)要求的常規(guī)結(jié)構(gòu)和業(yè)已應(yīng)用的蘭寶石襯底外延硅結(jié)構(gòu)的蘭寶石襯底外延硅結(jié)構(gòu)(SOS-Silicon on Sapphire結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu))。SOI結(jié)構(gòu)在高壓集成電路結(jié)構(gòu)在高壓集成電路和三維集成電路中也有廣泛應(yīng)用。和三維集成電路中也有廣泛應(yīng)用。423.) Bi-CMOS工藝工藝Bi-CMOS同時(shí)包括雙極和同時(shí)包括雙極和MOS晶體管的集成電路，它結(jié)合了雙極晶體管的集成電路，它結(jié)合了雙極器件的高跨導(dǎo)、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力和器件的高跨導(dǎo)、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力和CMOS器件的高集成度、低功耗的器件的高集成度、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，使它們互相取長(zhǎng)補(bǔ)短、發(fā)揮優(yōu)點(diǎn)，使它們互

34、相取長(zhǎng)補(bǔ)短、發(fā)揮各自優(yōu)點(diǎn)，制造高速、高集成度、各自優(yōu)點(diǎn)，制造高速、高集成度、好性能的好性能的VLSI。43工藝上常提到工藝上常提到0.25、0.18指的是特征尺寸指的是特征尺寸 特征尺寸特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension） 特征尺寸定義為器件中最小線條寬度特征尺寸定義為器件中最小線條寬度(對(duì)對(duì)MOS器器件而言，通常指器件柵電極所決定的溝道幾何長(zhǎng)件而言，通常指器件柵電極所決定的溝道幾何長(zhǎng)度度)，也可定義為最小線條寬度與線條間距之和，也可定義為最小線條寬度與線條間距之和的一半。減小特征尺寸是提高集成度、改進(jìn)器件的一半。減小特征尺寸是提高集成度、改進(jìn)器

35、件性能的關(guān)鍵。特征尺寸的減小主要取決于性能的關(guān)鍵。特征尺寸的減小主要取決于光刻技光刻技術(shù)術(shù)的改進(jìn)。集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展，的改進(jìn)。集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展，目前的規(guī)模化生產(chǎn)是目前的規(guī)?；a(chǎn)是0.18m、0.15 m 、0.13m工藝，工藝， Intel目前將大部分芯片生產(chǎn)制成轉(zhuǎn)換到目前將大部分芯片生產(chǎn)制成轉(zhuǎn)換到0.09 m、 0.065m 。44雙極型電路結(jié)構(gòu)45CMOS電路電路CMOS電路結(jié)構(gòu)46Bi-CMOS電路電路Bi-CMOS電路結(jié)構(gòu)47SOI絕緣體上硅工藝SilicononInsulator，SOI488、請(qǐng)描述一下國(guó)內(nèi)的工藝現(xiàn)狀。、請(qǐng)描述一下國(guó)內(nèi)的工藝現(xiàn)狀。 國(guó)

36、內(nèi)的集成電路的特征尺寸向深亞微米國(guó)內(nèi)的集成電路的特征尺寸向深亞微米發(fā)展，目前的規(guī)?；a(chǎn)是發(fā)展，目前的規(guī)?；a(chǎn)是0.18m、0.15 m 、0.13m工藝，晶圓的尺寸也工藝，晶圓的尺寸也在增加，當(dāng)前的主流晶圓的尺寸為在增加，當(dāng)前的主流晶圓的尺寸為4、6吋，正在向吋，正在向8吋晶圓邁進(jìn)。吋晶圓邁進(jìn)。49截至截至2006年，我國(guó)年，我國(guó)IC生產(chǎn)線共生產(chǎn)線共47條，其中：條，其中： 大尺寸線：大尺寸線：12英寸英寸2條、條、8英寸英寸10條，共條，共12條占條占25.5%，占四分之一。，占四分之一。 中尺寸線：中尺寸線：6英寸英寸12條、條、5英寸英寸9條，共條，共21條，占條，占44.7%，最多

37、為二分之一弱。，最多為二分之一弱。 小尺寸線：小尺寸線：4英寸英寸14條，占條，占29.8%，三分之一弱。，三分之一弱。 總之，從今年我國(guó)總之，從今年我國(guó)IC生產(chǎn)線投產(chǎn)的速度看出，生產(chǎn)線投產(chǎn)的速度看出，“十一五十一五”規(guī)劃期間原先預(yù)計(jì)將投產(chǎn)規(guī)劃期間原先預(yù)計(jì)將投產(chǎn)20條條25條條芯片線的預(yù)測(cè)是完全可能實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)檫@個(gè)預(yù)測(cè)芯片線的預(yù)測(cè)是完全可能實(shí)現(xiàn)的。因?yàn)檫@個(gè)預(yù)測(cè)平均要求每年投產(chǎn)平均要求每年投產(chǎn)4條條5條芯片線，而頭一年到條芯片線，而頭一年到十一月中旬就已增加了十一月中旬就已增加了7條線。條線。50515253545556579、介紹幾家你所熟悉的封測(cè)廠、介紹幾家你所熟悉的封測(cè)廠江蘇長(zhǎng)電科技股份有

38、限公司（江蘇新潮科技公司）江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司（江蘇新潮科技公司）Http:/www.cj-地址：江蘇省江陰市濱江中路地址：江蘇省江陰市濱江中路275號(hào)江蘇長(zhǎng)電科技號(hào)江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司是中國(guó)半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)基地，國(guó)內(nèi)股份有限公司是中國(guó)半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)基地，國(guó)內(nèi)著名的三極管制造商，集成電路封裝測(cè)試龍頭企著名的三極管制造商，集成電路封裝測(cè)試龍頭企業(yè)，國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)和省園林化工廠。公業(yè)，國(guó)家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)和省園林化工廠。公司占地司占地12萬平方米，凈化廠房萬平方米，凈化廠房8萬平方米。在萬平方米。在2800余名員工中科技人員占余名員工中科技人員占40%.2004年形成年產(chǎn)：集年形成年產(chǎn)

39、：集成電路成電路35億塊；大中小功率三極管億塊；大中小功率三極管150億只的能力。億只的能力。 58無錫華潤(rùn)安盛科技有限公司無錫華潤(rùn)安盛科技有限公司http:/ 無錫華潤(rùn)安盛科技有限公司無錫華潤(rùn)安盛科技有限公司 （以下簡(jiǎn)稱（以下簡(jiǎn)稱“華華潤(rùn)安盛潤(rùn)安盛”），是香港上市公司華潤(rùn)勵(lì)致的），是香港上市公司華潤(rùn)勵(lì)致的 核心核心企業(yè)企業(yè) 和中國(guó)著名的民族微電子企業(yè)和中國(guó)著名的民族微電子企業(yè)華潤(rùn)微華潤(rùn)微電子的下屬公司，也是華潤(rùn)微電子與世界第三電子的下屬公司，也是華潤(rùn)微電子與世界第三大半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)大半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè) STATS Chip PAC 合資合資成立的中外合資股份有限公司。主要為海內(nèi)外成立的中

40、外合資股份有限公司。主要為海內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造供應(yīng)商提供集成電半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造供應(yīng)商提供集成電路封裝、測(cè)試和超薄減薄等代工服務(wù)。路封裝、測(cè)試和超薄減薄等代工服務(wù)。 59華潤(rùn)安盛面向高速發(fā)展的海內(nèi)外半導(dǎo)體華潤(rùn)安盛面向高速發(fā)展的海內(nèi)外半導(dǎo)體市場(chǎng)，以市場(chǎng)，以“躋身全球十大半導(dǎo)體封裝測(cè)躋身全球十大半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)試企業(yè)”為愿景，遵循為愿景，遵循“以最具競(jìng)爭(zhēng)力以最具競(jìng)爭(zhēng)力的專業(yè)服務(wù)，成為半導(dǎo)體封裝測(cè)試的首的專業(yè)服務(wù)，成為半導(dǎo)體封裝測(cè)試的首選，實(shí)現(xiàn)股東價(jià)值與員工價(jià)值的最大化選，實(shí)現(xiàn)股東價(jià)值與員工價(jià)值的最大化”的使命，產(chǎn)銷規(guī)模以每年的使命，產(chǎn)銷規(guī)模以每年 30% 以上的幅以上的幅度增長(zhǎng)，

41、并躋身國(guó)內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先地位，度增長(zhǎng)，并躋身國(guó)內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先地位，被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院評(píng)選為產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院評(píng)選為“中國(guó)最具成長(zhǎng)中國(guó)最具成長(zhǎng)性的半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)性的半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè)”。6061lGAPT 集團(tuán)是一家外商獨(dú)資的半導(dǎo)體后工序企集團(tuán)是一家外商獨(dú)資的半導(dǎo)體后工序企業(yè)，計(jì)劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技園區(qū)投業(yè)，計(jì)劃于上海浦東開發(fā)區(qū)張江高科技園區(qū)投資數(shù)億美元，建立一個(gè)完整的封裝設(shè)計(jì)資數(shù)億美元，建立一個(gè)完整的封裝設(shè)計(jì),組裝組裝,測(cè)試與凸晶企業(yè)測(cè)試與凸晶企業(yè), GAPT 將結(jié)合現(xiàn)有芯片制造將結(jié)合現(xiàn)有芯片制造商及商及IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)公司,

42、為我們的客戶提供最好的為我們的客戶提供最好的一一站式站式(One Stop shopping)全方位產(chǎn)品及服務(wù)。全方位產(chǎn)品及服務(wù)。GAPT第一顆第一顆 PBGA27X27產(chǎn)品在產(chǎn)品在2001年年5月月1日誕生并已通過所有可靠性測(cè)試并在年底開始日誕生并已通過所有可靠性測(cè)試并在年底開始量產(chǎn)；量產(chǎn)；PBGA35X35、31X31、37.5X37.5（包（包含散熱蓋的設(shè)計(jì)）含散熱蓋的設(shè)計(jì)）,多芯片模組多芯片模組,系統(tǒng)芯片及系統(tǒng)芯片及TFBGA、QFN已通過審驗(yàn)開始量產(chǎn)；同時(shí)已通過審驗(yàn)開始量產(chǎn)；同時(shí)QFP 高腳數(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)線已在高腳數(shù)產(chǎn)品生產(chǎn)線已在2002年第二季度建年第二季度建立，產(chǎn)量不斷提高。立，產(chǎn)量

43、不斷提高。62http:/ 廈門永紅電子有限公司是電子部重點(diǎn)扶持的最廈門永紅電子有限公司是電子部重點(diǎn)扶持的最早從事高精度半導(dǎo)體和集成電路塑封引線框架早從事高精度半導(dǎo)體和集成電路塑封引線框架frame開發(fā)、生產(chǎn)及精密模具開發(fā)、生產(chǎn)及精密模具tooling制造的專制造的專業(yè)廠家。公司于業(yè)廠家。公司于1983年由天水永紅器材廠與廈年由天水永紅器材廠與廈門華夏集團(tuán)聯(lián)營(yíng)創(chuàng)建，門華夏集團(tuán)聯(lián)營(yíng)創(chuàng)建，2001年年7月引入社會(huì)資月引入社會(huì)資金后再經(jīng)股權(quán)優(yōu)化而成。金后再經(jīng)股權(quán)優(yōu)化而成。63l星科金朋公司是世界排名前列的半導(dǎo)體封裝測(cè)試星科金朋公司是世界排名前列的半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司，提供全球各地客戶整體與快捷的高質(zhì)量

44、服公司，提供全球各地客戶整體與快捷的高質(zhì)量服務(wù)?？蛻羧喊〝?shù)家晶圓代工廠、全球知名務(wù)?？蛻羧喊〝?shù)家晶圓代工廠、全球知名IDM大廠與遍布全球各地集成電路設(shè)計(jì)公司。服務(wù)產(chǎn)大廠與遍布全球各地集成電路設(shè)計(jì)公司。服務(wù)產(chǎn)品種類含蓋通信、電腦、電源供應(yīng)器與數(shù)據(jù)型消品種類含蓋通信、電腦、電源供應(yīng)器與數(shù)據(jù)型消費(fèi)性產(chǎn)品等。以先進(jìn)制造與管理技術(shù)為基礎(chǔ)，加費(fèi)性產(chǎn)品等。以先進(jìn)制造與管理技術(shù)為基礎(chǔ)，加上全球性布局，星科金朋在全球封裝測(cè)試業(yè)樹立上全球性布局，星科金朋在全球封裝測(cè)試業(yè)樹立了可靠與高質(zhì)量服務(wù)的標(biāo)竿。星科金朋公司在全了可靠與高質(zhì)量服務(wù)的標(biāo)竿。星科金朋公司在全球擁有一萬多名員工，在新加坡、中國(guó)及中國(guó)臺(tái)球擁有一萬多

45、名員工，在新加坡、中國(guó)及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)、馬來西亞和美國(guó)等地設(shè)有工廠。灣地區(qū)、韓國(guó)、馬來西亞和美國(guó)等地設(shè)有工廠。 星科金朋（上海）有限公司位于上海西郊經(jīng)濟(jì)技星科金朋（上海）有限公司位于上海西郊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，距虹橋機(jī)場(chǎng)僅術(shù)開發(fā)區(qū)，距虹橋機(jī)場(chǎng)僅8公里之遙，現(xiàn)有員工公里之遙，現(xiàn)有員工四千多人，占地面積四千多人，占地面積11萬平方米。公司提供定期萬平方米。公司提供定期和不定期的員工海外培訓(xùn)機(jī)會(huì)，為員工的發(fā)展提和不定期的員工海外培訓(xùn)機(jī)會(huì)，為員工的發(fā)展提供廣闊的平臺(tái)。供廣闊的平臺(tái)。 64樂山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司樂山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司（中國(guó)四川樂山）（中國(guó)四川樂山）l安森美半導(dǎo)體是中國(guó)西部投資的先

46、驅(qū)者，在安森美半導(dǎo)體是中國(guó)西部投資的先驅(qū)者，在1995年其作年其作為摩托羅拉半導(dǎo)體元件部與樂山無線電股份有限公司合為摩托羅拉半導(dǎo)體元件部與樂山無線電股份有限公司合資成立了樂山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司，走在中國(guó)的資成立了樂山菲尼克斯半導(dǎo)體有限公司，走在中國(guó)的西部大開發(fā)政策之前。安森美半導(dǎo)體在這個(gè)合資企業(yè)里西部大開發(fā)政策之前。安森美半導(dǎo)體在這個(gè)合資企業(yè)里擁有擁有51的股份的股份, 樂山無線電股份有限公司占樂山無線電股份有限公司占39，摩托，摩托羅拉占羅拉占10。樂山菲尼克斯已成為四川省最大的外商。樂山菲尼克斯已成為四川省最大的外商投資企業(yè)和最大的電子出口商之一。該公司在新芯片廠投資企業(yè)和最大的電子出

47、口商之一。該公司在新芯片廠投資前的核準(zhǔn)投資額達(dá)投資前的核準(zhǔn)投資額達(dá)2.80億美元。樂山菲尼克斯已億美元。樂山菲尼克斯已經(jīng)成為安森美半導(dǎo)體中國(guó)乃至全球卓越的半導(dǎo)體制造中經(jīng)成為安森美半導(dǎo)體中國(guó)乃至全球卓越的半導(dǎo)體制造中心，并能制造出具有世界級(jí)品質(zhì)和成本保持在基準(zhǔn)點(diǎn)水心，并能制造出具有世界級(jí)品質(zhì)和成本保持在基準(zhǔn)點(diǎn)水平的產(chǎn)品。工廠每年生產(chǎn)超過平的產(chǎn)品。工廠每年生產(chǎn)超過100億只器件，生產(chǎn)能力正億只器件，生產(chǎn)能力正在穩(wěn)定地增長(zhǎng)。在穩(wěn)定地增長(zhǎng)。2002年年8月，安森美半導(dǎo)體成為首家宣布月，安森美半導(dǎo)體成為首家宣布在中國(guó)西部投資六英寸芯片廠的跨國(guó)公司，在中國(guó)西部投資六英寸芯片廠的跨國(guó)公司， 擴(kuò)大其在樂擴(kuò)大其

48、在樂山菲尼克斯合資廠的規(guī)模。山菲尼克斯合資廠的規(guī)模。65宇芯宇芯 (成都成都) 集成電路封裝測(cè)試有限公司集成電路封裝測(cè)試有限公司友尼森（友尼森（Unisem）（）（.my）成立）成立于于1989年，馬來西亞第二大半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司，年，馬來西亞第二大半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司，1992年開始從事獨(dú)立的年開始從事獨(dú)立的IC封裝和測(cè)試，目前為客封裝和測(cè)試，目前為客戶提供晶圓制造，晶圓測(cè)試、戶提供晶圓制造，晶圓測(cè)試、IC封裝與測(cè)試及相封裝與測(cè)試及相關(guān)輔助服務(wù)，擁有世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝測(cè)試技關(guān)輔助服務(wù)，擁有世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)，總部位于馬來西亞霹靂州怡保，并在馬來西術(shù)，總部位于馬來西亞霹靂州怡保，并在

49、馬來西亞，英國(guó)，中國(guó)等國(guó)家擁有生產(chǎn)基地，約亞，英國(guó)，中國(guó)等國(guó)家擁有生產(chǎn)基地，約94%的的產(chǎn)品銷往歐美，產(chǎn)品銷往歐美，6%銷往亞洲。銷往亞洲。 66l2004年年8月，友尼森宣布，將投資月，友尼森宣布，將投資2.1億美金在億美金在成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗下成都高新西區(qū)出口加工區(qū)西區(qū)新建友尼森旗下現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體工廠，使其成為友尼現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體工廠，使其成為友尼森在全球的旗艦企業(yè)森在全球的旗艦企業(yè)宇芯（成都）集成電宇芯（成都）集成電路封裝測(cè)試有限公司路封裝測(cè)試有限公司,新工廠將采用目前世界上新工廠將采用目前世界上最先進(jìn)的全新的設(shè)備，生產(chǎn)最先進(jìn)的全新的設(shè)備，生產(chǎn)SLP、B

50、GA、SOIC、TSSOP等高端產(chǎn)品。等高端產(chǎn)品。2004年底，宇芯工廠開建，年底，宇芯工廠開建， 2006年中開始投產(chǎn)。友尼森宇芯年中開始投產(chǎn)。友尼森宇芯(成都成都)項(xiàng)目全部項(xiàng)目全部建成后，員工總數(shù)將達(dá)到建成后，員工總數(shù)將達(dá)到4500-5600人。人。 宇芯宇芯成都以團(tuán)隊(duì)精神、信賴、責(zé)任、主動(dòng)、關(guān)愛為成都以團(tuán)隊(duì)精神、信賴、責(zé)任、主動(dòng)、關(guān)愛為核心價(jià)值，并傾注極大的關(guān)注在員工福利、健核心價(jià)值，并傾注極大的關(guān)注在員工福利、健康與安全上。我們把員工視為企業(yè)最有價(jià)值的康與安全上。我們把員工視為企業(yè)最有價(jià)值的資產(chǎn)，并為員工提供良好的培訓(xùn)包括海外培訓(xùn)資產(chǎn)，并為員工提供良好的培訓(xùn)包括海外培訓(xùn)的機(jī)會(huì)，及廣闊的

51、發(fā)展空間。的機(jī)會(huì)，及廣闊的發(fā)展空間。67lhttp:/www.fujitsu- 公司現(xiàn)有公司現(xiàn)有DIP、SIP、SOP、QFP、SSOP、TQFP、MCM等系列等系列封裝形式，多個(gè)產(chǎn)品填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。封裝形式，多個(gè)產(chǎn)品填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。68692006年度國(guó)內(nèi)十大半導(dǎo)體企業(yè)統(tǒng)計(jì)結(jié)果年度國(guó)內(nèi)十大半導(dǎo)體企業(yè)統(tǒng)計(jì)結(jié)果http:/行業(yè)動(dòng)態(tài)行業(yè)動(dòng)態(tài)2007年4月9日 為全面總結(jié)為全面總結(jié)2006年國(guó)內(nèi)各有關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)所取年國(guó)內(nèi)各有關(guān)半導(dǎo)體企業(yè)所取得的成績(jī)，依據(jù)參加全國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)統(tǒng)計(jì)企業(yè)的得的成績(jī)，依據(jù)參加全國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)統(tǒng)計(jì)企業(yè)的上報(bào)數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分別排出上報(bào)數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分別排出2006年

52、年度國(guó)內(nèi)度國(guó)內(nèi)10大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、大集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、10大集成電路與大集成電路與分立器件制造企業(yè)以及分立器件制造企業(yè)以及10大封裝測(cè)試企業(yè)，其結(jié)大封裝測(cè)試企業(yè)，其結(jié)果如下：果如下：707172天津天津江陰江陰7310、半導(dǎo)體工藝中，摻雜有哪、半導(dǎo)體工藝中，摻雜有哪幾種方式？幾種方式？74GDS D G SP-siNN2SiOAl 摻雜工藝（擴(kuò)散與離子注入）摻雜工藝（擴(kuò)散與離子注入） 通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導(dǎo)體區(qū)通過摻雜可以在硅襯底上形成不同類型的半導(dǎo)體區(qū)域，構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過域，構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過某種技術(shù)措施，將一定濃度

53、的某種技術(shù)措施，將一定濃度的價(jià)元素，如硼，或價(jià)元素，如硼，或價(jià)價(jià)元素，如磷、砷等摻入半導(dǎo)體襯底。元素，如磷、砷等摻入半導(dǎo)體襯底。75摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻、結(jié)、電阻、歐姆接觸歐姆接觸磷磷(P)、砷、砷(As) N型硅型硅硼硼(B) P型硅型硅摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入76替位式擴(kuò)散：替位式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：雜質(zhì)離子占據(jù)硅原子的位：、族元素族元素一般要在很高的溫度一般要在很高的溫度(9501280)下進(jìn)行，下進(jìn)行，橫向擴(kuò)散嚴(yán)重。但

54、對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低。橫向擴(kuò)散嚴(yán)重。但對(duì)設(shè)備的要求相對(duì)較低。磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均磷、硼、砷等在二氧化硅層中的擴(kuò)散系數(shù)均遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，遠(yuǎn)小于在硅中的擴(kuò)散系數(shù)，可以利用氧化層可以利用氧化層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層作為雜質(zhì)擴(kuò)散的掩蔽層間隙式擴(kuò)散：間隙式擴(kuò)散：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：雜質(zhì)離子位于晶格間隙：Na、K、Fe、Cu、Au 等元素等元素?cái)U(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大擴(kuò)散系數(shù)要比替位式擴(kuò)散大67個(gè)數(shù)量級(jí)個(gè)數(shù)量級(jí)（絕對(duì)不許用手摸硅片（絕對(duì)不許用手摸硅片防止防止Na+沾污沾污。）77例如，在例如，在N型襯底上摻硼，可以使原先型襯底上摻硼，可以使原先的的N型襯底電子濃度變小，或使型襯底

55、電子濃度變小，或使N型襯底改型襯底改變成變成P型；如在型；如在N型襯底表面摻磷，可以提型襯底表面摻磷，可以提高襯底的表面雜質(zhì)濃度。高襯底的表面雜質(zhì)濃度。 摻雜分為熱擴(kuò)散法摻雜和離子注入法摻雜分為熱擴(kuò)散法摻雜和離子注入法摻雜。由光刻工藝摻雜。由光刻工藝(刻蝕刻蝕)為摻雜確定摻雜的為摻雜確定摻雜的區(qū)域，在需要摻雜處區(qū)域，在需要摻雜處(即摻雜窗口即摻雜窗口)裸露出硅裸露出硅襯底，非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅襯底，非摻雜區(qū)則用一定厚度的二氧化硅或者氮化硅等薄膜材料進(jìn)行屏蔽。離子注或者氮化硅等薄膜材料進(jìn)行屏蔽。離子注入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠入則常采用一定厚度的二氧化硅、光刻膠或這兩層材料同

56、時(shí)作為摻雜屏蔽?；蜻@兩層材料同時(shí)作為摻雜屏蔽。78對(duì)對(duì)P型襯底，如果將一定濃度的型襯底，如果將一定濃度的價(jià)元素價(jià)元素?fù)饺?，將使原先的摻入，將使原先的P型襯底空穴濃度變低，或型襯底空穴濃度變低，或使使P型襯底改變?yōu)樾鸵r底改變?yōu)镹型。同樣的，如果在型。同樣的，如果在P型襯型襯底表面摻硼，將提高底表面摻硼，將提高P型襯底的表面濃度。型襯底的表面濃度。 所謂所謂熱擴(kuò)散摻雜熱擴(kuò)散摻雜就是利用原子在高溫下的就是利用原子在高溫下的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴(kuò)散并形成一定的分布。熱擴(kuò)散通常分兩硅中擴(kuò)散并形成一定的分布。熱擴(kuò)散通常分兩個(gè)步驟進(jìn)行：預(yù)淀積和

57、再分布。預(yù)淀積是在高個(gè)步驟進(jìn)行：預(yù)淀積和再分布。預(yù)淀積是在高溫下，利用雜質(zhì)源，如硼源、磷源等，對(duì)硅片溫下，利用雜質(zhì)源，如硼源、磷源等，對(duì)硅片上的摻雜窗口進(jìn)行擴(kuò)散，在窗口處形成一層較上的摻雜窗口進(jìn)行擴(kuò)散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。這是一種恒定表薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。這是一種恒定表面源的擴(kuò)散過程。面源的擴(kuò)散過程。79再分布是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層再分布是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴(kuò)散做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴(kuò)散的過程。通常再分布的時(shí)間較長(zhǎng)，通過再分布，的過程。通常再分布的時(shí)間較長(zhǎng)，通過再分布，可以在硅襯底上形成一定的雜質(zhì)

58、分布和結(jié)深?？梢栽诠枰r底上形成一定的雜質(zhì)分布和結(jié)深。再分布是限定表面源擴(kuò)散過程。再分布是限定表面源擴(kuò)散過程。 80離子注入離子注入 離子注入離子注入是另一種摻雜技術(shù)，離子是另一種摻雜技術(shù)，離子注入摻雜也分為兩個(gè)步驟：離子注入和注入摻雜也分為兩個(gè)步驟：離子注入和退火再分布。離子注入是通過高能離子退火再分布。離子注入是通過高能離子束轟擊硅片表面，在摻雜窗口處，雜質(zhì)束轟擊硅片表面，在摻雜窗口處，雜質(zhì)離子被注入硅本體，在其他部位，雜質(zhì)離子被注入硅本體，在其他部位，雜質(zhì)離子被硅表面的保護(hù)層屏蔽，完成選擇離子被硅表面的保護(hù)層屏蔽，完成選擇摻雜的過程。進(jìn)入硅中的雜質(zhì)離子在一摻雜的過程。進(jìn)入硅中的雜質(zhì)離子在一

59、定的位置形成一定的分布。通常，離子定的位置形成一定的分布。通常，離子注入的深度注入的深度(平均射程平均射程)較淺且濃度較大，較淺且濃度較大，必須重新使它們?cè)俜植肌诫s深度由注必須重新使它們?cè)俜植?。摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目(劑量劑量)決定。決定。 81同時(shí)，由于高能粒子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)同時(shí)，由于高能粒子的撞擊，導(dǎo)致硅結(jié)構(gòu)的晶格發(fā)生損傷。為恢復(fù)晶格損傷，在離構(gòu)的晶格發(fā)生損傷。為恢復(fù)晶格損傷，在離子注入后要進(jìn)行退火處理，根據(jù)注入的雜質(zhì)子注入后要進(jìn)行退火處理，根據(jù)注入的雜質(zhì)數(shù)量不同，退火溫度在數(shù)量不同，

60、退火溫度在450950之間，摻之間，摻雜濃度大則退火溫度高，反之則低。在退火雜濃度大則退火溫度高，反之則低。在退火的同時(shí)，摻入的雜質(zhì)同時(shí)向硅體內(nèi)進(jìn)行再分的同時(shí)，摻入的雜質(zhì)同時(shí)向硅體內(nèi)進(jìn)行再分布，如果需要，還要進(jìn)行后續(xù)的高溫處理以布，如果需要，還要進(jìn)行后續(xù)的高溫處理以獲得所需的結(jié)深和分布。獲得所需的結(jié)深和分布。 離子注入技術(shù)以其摻雜濃度控制精確、離子注入技術(shù)以其摻雜濃度控制精確、位置準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，正在取代熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)，位置準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)，正在取代熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)，成為成為VLSI工藝流程中摻雜的主要技術(shù)。工藝流程中摻雜的主要技術(shù)。 82離子注入離子注入 的優(yōu)點(diǎn)：的優(yōu)點(diǎn)： 摻雜的均勻性好摻雜的均勻性好