家用漏電保護(hù)器芯片說(shuō)明書(shū)（V2）

1、. <CONTROL / DRIVER IC>戶(hù)保HB-X系列芯片說(shuō)明書(shū) HB-XEARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR描述2010年6月8日 14:44 (星期二)彭成發(fā)來(lái)HB-X系列芯片是應(yīng)用于家用漏電保護(hù)器的半導(dǎo)體集成電路芯片。芯片采用CMOS數(shù)模混合設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成了抗瞬態(tài)尖峰干擾、雷電干擾以及其它外界非連續(xù)性干擾，具有分級(jí)保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)等功能，是一種多功能、高精度、抗干擾、低功耗的漏電保護(hù)器專(zhuān)用IC芯片。 該系列芯片共有三款：HB-Y、HB-S和HB-0型號(hào)。HB-Y型號(hào)具有一般型的延時(shí)功能，HB-S則具有S型的延時(shí)功能, HB-0為非延時(shí)型芯片，用戶(hù)

2、可以根據(jù)實(shí)際的需要進(jìn)行選擇。這三種型號(hào)芯片均采用SOP的封裝（見(jiàn)圖1）。 *;10圖1 HB-X芯片封裝示意圖特點(diǎn)l 抗外界干擾能力強(qiáng)。芯片具有對(duì)輸入信號(hào)的有效性進(jìn)行辨識(shí)的功能，對(duì)信號(hào)的連續(xù)性和持續(xù)時(shí)間進(jìn)行判定，可有效地屏蔽許外界干擾（如2ms以?xún)?nèi)的尖峰脈沖、雷電干擾和其它非連續(xù)性干擾）。l 高輸入靈敏度。輸入信號(hào)動(dòng)作電壓典型峰值為6.25mV。l 內(nèi)置高精度延時(shí)功能。芯片采用數(shù)字延時(shí)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的RC延時(shí)方式，可以獲得高精度的延時(shí)，提高了各個(gè)應(yīng)用等級(jí)之間的匹配精確度。l 具有分級(jí)保護(hù)功能。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用要求，對(duì)檢測(cè)到的不同漏電流強(qiáng)度采用不同的延時(shí)時(shí)間。這樣既符合人身安全的要求，又有利于供電的連續(xù)性

3、和可靠性。l 具有過(guò)壓保護(hù)功能。當(dāng)實(shí)際工作電壓超過(guò)了額定工作電壓的1.4倍時(shí)，芯片會(huì)自動(dòng)將電路斷開(kāi)，以保護(hù)各種家用電器不會(huì)因過(guò)高的工作電壓而損壞。l 具有多種型號(hào)備選用。芯片集成了一般型（HB-Y）與S型(HB-S)兩種型號(hào)，同時(shí)還有一種無(wú)延時(shí)的HB-0型號(hào)。用戶(hù)可根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)選用。l 低功耗。芯片靜態(tài)工作電流為350uA左右，芯片的功耗僅為1.75mW。l 高可靠性設(shè)計(jì)。芯片能在環(huán)境溫度25到85變化范圍內(nèi)保持正常工作，并適用于110V和220V兩種工作電壓環(huán)境。應(yīng)用本系列芯片應(yīng)用于家用漏電保護(hù)器中。HB-Y、HB-S和HB-0動(dòng)作電壓（峰值）和延時(shí)時(shí)間相關(guān)指標(biāo)如下表。表1 芯片動(dòng)作電壓與延

4、時(shí)時(shí)間關(guān)系對(duì)應(yīng)表漏電保護(hù) 動(dòng)作電壓延時(shí) 電壓類(lèi)型時(shí)間6.25mV12.5mV31.25mV500A備注一般型（HB-Y）0.2s0.09s0.013s0.013s動(dòng)作時(shí)間0.15s0.07s0.010s0.010s不驅(qū)動(dòng)時(shí)間S型(HB-S)0.3s0.15s0.08s0.08s動(dòng)作時(shí)間0.27s0.12s0.05s0.05s不驅(qū)動(dòng)時(shí)間HB-00.008s0.008s0.008s0.008s動(dòng)作時(shí)間過(guò)壓保護(hù)HB-Y、HB-SHB-01.41.6注：為額定工作電壓5s0.5s HB-Y（一般型）延時(shí)曲線(xiàn) HB-S（S型）延時(shí)曲線(xiàn) HB-0延時(shí)曲線(xiàn) 過(guò)壓保護(hù)曲線(xiàn)圖2 三種芯片各檔延時(shí)時(shí)間動(dòng)作電壓對(duì)應(yīng)

5、曲線(xiàn)以及過(guò)壓保護(hù)曲線(xiàn)推薦工作條件電源電壓范圍：4.5V到5.5V工作環(huán)境溫度：25到85管腳介紹 HB-Y、HB-S和HB-0三種芯片都采用SOP8封裝（如下圖所示），其管腳功能有所區(qū)別。 圖3.芯片管腳示意圖HB-Y管腳介紹管腳序號(hào)管腳名稱(chēng)功能簡(jiǎn)介VDD芯片電源端（單電源5V）OUT跳閘控制信號(hào)輸出端OVS過(guò)壓信號(hào)輸入端RES外接電阻輸入端GND芯片地SIGNAL漏電信號(hào)輸入端(leakage current signal)VREF2.4V共模電壓輸出端(voltage reference)VDD芯片電源端（單電源5V）HB-S管腳介紹管腳序號(hào)管腳名稱(chēng)功能簡(jiǎn)介GND芯片地OUT跳閘控制信號(hào)輸

6、出端OVS過(guò)壓信號(hào)輸入端RES外接電阻輸入端GND芯片地SIGNAL漏電信號(hào)輸入端(leakage current signal)VREF2.4V共模電壓輸出端(voltage reference)VDD芯片電源端（單電源5V）HB-0管腳介紹管腳序號(hào)管腳名稱(chēng)功能簡(jiǎn)介GND芯片地OUT跳閘控制信號(hào)輸出端OVS過(guò)壓信號(hào)輸入端RES外接電阻輸入端VDD芯片電源端（單電源5V）SIGNAL漏電信號(hào)輸入端(leakage current signal)VREF2.4V共模電壓輸出端(voltage reference)GND芯片地跳閘功能示意圖圖4.HB-X跳閘功能示意圖 輸入漏電信號(hào)經(jīng)過(guò)放大器放大后

7、，送入比較器進(jìn)行比較，若信號(hào)大于設(shè)定的閾值，則輸出高電平脈沖，這個(gè)脈沖被送入數(shù)字部分的干擾濾除模塊進(jìn)行處理，將2ms以?xún)?nèi)的尖峰脈沖和由雷電引起的10ms干擾脈沖濾除后，開(kāi)始對(duì)信號(hào)的連續(xù)性進(jìn)行判斷，若信號(hào)一直持續(xù)，并達(dá)到設(shè)定的延時(shí)時(shí)間，則輸出跳閘信號(hào)。 應(yīng)用實(shí)例圖5 ZB-Y應(yīng)用電路圖圖6. HB-S芯片應(yīng)用電路圖圖7. HB-0芯片應(yīng)用電路圖EMC測(cè)試結(jié)果條款檢測(cè)項(xiàng)目及檢測(cè)要求測(cè)量或觀察結(jié)果檢測(cè)結(jié)果GB18499-2001 T3.1靜電放電抗擾度：放電電壓：空氣放電8KV，接觸放電8KV試驗(yàn)次數(shù)：20次（正負(fù)極性各10次）時(shí)間間隔：1s試驗(yàn)后漏電保護(hù)器仍能正常工作符合要求合格GB18499-2001 T1.2電快速瞬變/脈沖群抗擾度試驗(yàn)：試驗(yàn)電壓：電源端口4KV騷擾時(shí)間：1min試驗(yàn)后漏電保護(hù)器仍能正常工作符合要求GB18499-2001 T2.3浪涌抗擾度試驗(yàn)：試驗(yàn)電壓：電源端口（線(xiàn)線(xiàn)，線(xiàn)地）：4KV，試驗(yàn)次數(shù)：20個(gè)脈沖，施加正負(fù)兩極性脈沖，相位為0度和90度每個(gè)極性和每個(gè)相位個(gè)施加5個(gè)脈沖時(shí)間：兩脈沖之間時(shí)間間隔1min試驗(yàn)后漏電保護(hù)器仍能正常工作符合要求GB18499-2001 T2.1射頻電磁場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)：試驗(yàn)電平：10V（電源端和信號(hào)端）頻率要求：150KHZ80MHZ時(shí)間：每個(gè)頻率的幅度調(diào)制波的停頓時(shí)間為500ms1000ms符合要求家用漏