半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫及常見問題

1、半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的撰寫及常見問題電學(xué)發(fā)明審查部 半導(dǎo)體處沈麗本文簡介： 申請人和代理人關(guān)心的是申請人和代理人關(guān)心的是如何將一個技術(shù)方案撰寫成一個形式合格并且保護(hù)范圍適當(dāng)?shù)纳暾埼募鴮彶閱T關(guān)心的是審查員關(guān)心的是該申請文件中存在哪些專利法和實施細(xì)則中不允許的問題。本文從審查員的角本文從審查員的角度度介紹審查標(biāo)準(zhǔn)和常見的撰寫問題，希望從不同的角度有助于申請人和代理人理解審查的原則并避免一些常見問題。主要內(nèi)容： .半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹 .申請文件的撰寫要求及相應(yīng)的常見問題 .審查答復(fù)通知書時提交文本的常見問題 .導(dǎo)致駁回的幾種常見情況及案例分析一、半導(dǎo)體領(lǐng)域介紹 半導(dǎo)體領(lǐng)域廣義的說是與半導(dǎo)體材料有關(guān)的

2、領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體材料的制備、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件的制備、半導(dǎo)體器件的應(yīng)用、半導(dǎo)體器件的測量等等半導(dǎo)體器件的制備包含通過常見的半導(dǎo)體工藝形成半導(dǎo)體器件的各個部件以及半導(dǎo)體封裝件，半導(dǎo)體器件的應(yīng)用將具有特定的電學(xué)特性的半導(dǎo)體器件例如IC應(yīng)用在電路、計算機(jī)、通信、商業(yè)等領(lǐng)域中。典型和常用的半導(dǎo)體材料是硅；硅的制備包括硅單晶的制備、硅晶片的加工；半導(dǎo)體器件從形式分可以分成分立器件和集成器件； 電學(xué)發(fā)明審查部的半導(dǎo)體處僅涉及分立或集成的半導(dǎo)體器件及其制備，不涉及這些器件的應(yīng)用，從分類號的角度來說，僅涉及H01L下的專利申請。因此，下面介紹的內(nèi)容也主要針對半導(dǎo)體器件及其制備。 H01L領(lǐng)域的

3、特點(diǎn)是涉及到的產(chǎn)品種類多產(chǎn)品種類多、工藝方法多工藝方法多、功能性限定相對少功能性限定相對少。半導(dǎo)體器件的零部件半導(dǎo)體器件的零部件例如有：將引線框架、引線鍵合或焊料凸點(diǎn)、安裝架、安裝容器、散熱裝置、密封層、封裝樹脂層等。產(chǎn)品種類多產(chǎn)品種類多：分立器件分立器件例如有：二極管、晶體管、晶閘管、太陽能電池、壓電器件、發(fā)光器件等；集成電路集成電路例如有：集成的晶體管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；工藝方法多工藝方法多：外延生長、摻雜、擴(kuò)散、離子注入、退火、光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、拋光、引線鍵合、載帶自動焊、芯片倒裝焊、外殼封裝、表面貼裝等等。功能性限定相對少

4、功能性限定相對少：由于涉及元器件和制造工藝多，因此對于元器件來說，通常不需要借助功能性限定，用元器件的結(jié)構(gòu)特征及各個結(jié)構(gòu)特征之間的位置或連接關(guān)系就可以將產(chǎn)品限定清楚，對于制造工藝，需要用制造步驟、工藝方法、工藝參數(shù)來限定，而不是功能性描述。二、申請文件的撰寫要求及相應(yīng)的常見問題 根據(jù)專利法第26條第1款的規(guī)定，申請發(fā)明或者實用新型專利的，應(yīng)當(dāng)提交請求書請求書、說明書說明書及其摘要摘要和權(quán)利要求書權(quán)利要求書等文件。專利申請文件的組成（一） 說明書應(yīng)當(dāng)符合專利法第26條第3款、專利法實施細(xì)則第18條、19條的規(guī)定。 專利法第26條第3款規(guī)定：說明書應(yīng)當(dāng)對發(fā)明或者實用新型作出清楚清楚、完整完整的說明

5、，以所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)實現(xiàn)為準(zhǔn)；必要的時候，應(yīng)當(dāng)有附圖。1）說明書應(yīng)當(dāng)滿足專利法第26條第3款的規(guī)定i）說明書的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)清楚清楚，具體應(yīng)滿足下述要求。l主題明確主題明確，前后一致前后一致l用詞準(zhǔn)確用詞準(zhǔn)確，無歧義無歧義ii）說明書的內(nèi)容應(yīng)當(dāng)完整完整 一份完整的說明書應(yīng)當(dāng)包含下列各項內(nèi)容：（1）幫助理解發(fā)明或者實用新型不可缺少的內(nèi)容。（有助于理解發(fā)明）（2）確定發(fā)明或者實用新型具有新穎性、創(chuàng)造性和實用性所需的內(nèi)容。（有別于現(xiàn)有技術(shù)）（3）再現(xiàn)發(fā)明或者實用新型所需的內(nèi)容。（能夠再現(xiàn)） iii）所屬技術(shù)領(lǐng)域能夠?qū)崿F(xiàn)實現(xiàn) 是指所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說明書記載的內(nèi)容，不需要創(chuàng)造性的勞動，

6、就能夠再不需要創(chuàng)造性的勞動，就能夠再現(xiàn)現(xiàn)該發(fā)明的技術(shù)方案，解決其技術(shù)問題，并且產(chǎn)生預(yù)期的技術(shù)效果。提示：如果申請人視為“技術(shù)秘密技術(shù)秘密”（know-how）的內(nèi)容是是該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員實施或再現(xiàn)實施或再現(xiàn)本發(fā)明或?qū)嵱眯滦退夭豢缮俚谋夭豢缮俚?，就不可作為技術(shù)秘密保留起來，應(yīng)當(dāng)記載在說明書中應(yīng)當(dāng)記載在說明書中；否則否則，由于“說明書的修改不得超出原說明書和權(quán)利要求的記載范圍”，那些被申請人當(dāng)作技術(shù)秘密保留起來的必不可少的技術(shù)內(nèi)容在修改時就不能補(bǔ)充到就不能補(bǔ)充到說明書中去說明書中去，從而可能導(dǎo)致最后駁回申請。 以下各種情況由于缺乏解決技術(shù)問題的技術(shù)手段而被認(rèn)為無法實現(xiàn)： 1）說明書中僅給出了任

7、務(wù)和僅給出了任務(wù)和/或設(shè)想或設(shè)想，或者或者只表明一種愿望和只表明一種愿望和/或結(jié)果或結(jié)果，而未給出任何使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┑募夹g(shù)手段； 2）說明書中給出了解決手段，但對所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，該手段是含糊不清的手段是含糊不清的，根據(jù)說明書記載的內(nèi)容無法具體實施； 3）說明書中僅給出了解決手段，但所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員采用該手段并不能解決所述技術(shù)問該手段并不能解決所述技術(shù)問題題； 4）申請的主題為由多個技術(shù)措施構(gòu)成的技術(shù)方案，對于其中一個技術(shù)措施其中一個技術(shù)措施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員按照說明書記載的內(nèi)容并不能實現(xiàn)不能實現(xiàn)； 5）說明書中給出了具體的技術(shù)方案，但未提未提供實驗證據(jù)

8、供實驗證據(jù)，而該方案又必須依賴實驗結(jié)果加以證實才能成立。舉例舉例1：發(fā)明名稱發(fā)明名稱：半導(dǎo)體器件三維接觸的形成背景技術(shù)背景技術(shù)：現(xiàn)有技術(shù)中大多采用等離子體蝕刻等離子體蝕刻技術(shù)進(jìn)行三維蝕刻，但需要價格昂貴的設(shè)備價格昂貴的設(shè)備，并且等離子體蝕刻中還有晶格損傷問題還有晶格損傷問題，盡管可以通過熱處理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的熱處理過程會導(dǎo)致制造成本上升熱處理過程會導(dǎo)致制造成本上升。發(fā)明內(nèi)容發(fā)明內(nèi)容：用特殊的化學(xué)藥品特殊的化學(xué)藥品進(jìn)行各向異性腐蝕形成半導(dǎo)體器件的電極接觸，增加電極接觸面積，使工作時通過表面的電流密度下降，從而使器件內(nèi)部的壓降降低。 采用化學(xué)藥品進(jìn)行腐蝕，晶格損傷為零晶格損傷為零，

9、可以大量成批處理大量成批處理。只要控制化學(xué)藥品的組成控制化學(xué)藥品的組成、腐蝕溫度和時間，就能得到一定深度的槽狀結(jié)構(gòu)。實施例實施例： 結(jié)晶方向為單晶棒，按一定的厚度切割成片，表面鏡面拋光。然后在表面涂布光刻膠，利用通常的方法進(jìn)行曝光、顯影形成線寬為10micron，間隔為3micron連續(xù)圖形。如圖1所示，光刻膠（A）幅寬為10micron，間隔（B）為3micron。將此硅片放入溫度為40的堿性化學(xué)藥品中。附圖1：舉例舉例2：發(fā)明名稱發(fā)明名稱：納米孔道中的晶體管及其集成電路技術(shù)方案技術(shù)方案：利用分子篩材料的納米孔道特點(diǎn)，在納米在納米孔道中裝入孔道中裝入P型和N型半導(dǎo)體材料，并且在P型和N型半導(dǎo)

10、體的結(jié)合處形成P-N結(jié)。分別在孔道的兩端在孔道的兩端P型和N型半導(dǎo)體上蒸鍍金屬電極蒸鍍金屬電極，作為外部引線的基礎(chǔ)。這樣便在納米孔道中構(gòu)成了一種二極管。以此為出發(fā)點(diǎn)，利用分子篩中的納米孔道可控制生長特性，可以構(gòu)造晶體管和集成電路構(gòu)造晶體管和集成電路。附圖：分析：申請人在實施例中指出“在孔道內(nèi)的兩側(cè)分別裝入P型和N型半導(dǎo)體材料”、“在三個不同方向的微孔內(nèi)分別裝入P型或N型半導(dǎo)體”、“通過分子組裝化學(xué)方法，將P型半導(dǎo)體材料18、22和N型半導(dǎo)體材料分別裝入圖2的納米孔道中”。然而眾所周知，制造均勻、具有20nm的孔徑、20nm厚度的管壁的納米管是非常困難的，依據(jù)現(xiàn)有的技術(shù)條件，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員難

11、以理解：如何利用分子組裝化學(xué)方法將P型半導(dǎo)體材料或N型半導(dǎo)體材料分別裝入納米孔道中，如何制造該申請中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三維尺寸都不超過20納米的晶體管及其集成電路。也就是說明中僅給出了解決手段，但僅給出了解決手段，但對所對所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，該手段是含糊不屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，該手段是含糊不清的清的，根據(jù)說明書記載的內(nèi)容無法具體實施，不符合專利法第26條第3款的規(guī)定。2）說明書的撰寫順序應(yīng)當(dāng)符合實施細(xì)則第18條的規(guī)定，具體為： （1）發(fā)明名稱i）應(yīng)與請求書中的名稱一致，一般不超過25個字；舉例舉例：a）“穩(wěn)定絕緣體基半導(dǎo)體器件的制造方法及絕緣體基半導(dǎo)體器件”； b）

12、“非紡玻璃纖維部件的表面?zhèn)雀采w材料的太陽能電池組件” ii）采用所屬技術(shù)領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語，最好采用國際專利分類表中的技術(shù)術(shù)語，不得采用非技術(shù)術(shù)語；舉例舉例：“形成半導(dǎo)體器件金屬互連的方法” H01L 21/768 “形成動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的方法” H01L21/8242 “線架及其制造方法” “二極體及其制造方法” iii）清楚簡明清楚簡明地反映要求保護(hù)的發(fā)明或者實用新型技術(shù)方案的主題和類型主題和類型（產(chǎn)品或方法）；舉例舉例：“半導(dǎo)體封裝裝置及成形物質(zhì)引起的寄生電容的計算方法計算方法” “熱電半導(dǎo)體材料或元器件材料或元器件及其制造方法與裝置” iv）應(yīng)該全面地反映全面地反映一件申請中包含的各

13、各種發(fā)明類型種發(fā)明類型；舉例舉例：“半導(dǎo)體器件的互連線及其制造方法” “一種散熱片及形成方法和組合件” “引線框架和半導(dǎo)體器件”（申請文件） “引線框架及其制造方法，和使用此引線框架的半導(dǎo)體器件”（授權(quán)） v）不得使用人名、地名、商標(biāo)、型號或者商品名稱，也不得使用商業(yè)性宣傳用語。舉例舉例：“一種高效替換備用存儲單元陣列的半 導(dǎo)體器件” “一種新穎整流元件的結(jié)構(gòu)及其制法”（2）技術(shù)領(lǐng)域 發(fā)明或者實用新型的技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)當(dāng)是保護(hù)的發(fā)明或者實用新型技術(shù)方案所屬或者直接應(yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域，而不是上位發(fā)明或者實用新型本身。舉例舉例：發(fā)明名稱發(fā)明名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域：“本發(fā)明涉及半導(dǎo)體

14、器件及其制造方法”點(diǎn)評點(diǎn)評：由于半導(dǎo)體器件種類很多并且零部件也很多，因此寫成了廣義的技術(shù)領(lǐng)域，過于籠統(tǒng)，簡單地照抄發(fā)明名稱。發(fā)明名稱發(fā)明名稱：“形成半導(dǎo)體器件的場區(qū)的方法”技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種形成半導(dǎo)體器件的場區(qū)方法，特別涉及一種利用適用于一千兆DRAM規(guī)?；蚋笠?guī)模的半導(dǎo)體器件的STI（淺槽隔離）結(jié)構(gòu)形成場區(qū)的方法。改進(jìn)之處改進(jìn)之處：在形成槽之前先進(jìn)行離子注入。技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)域：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的形成方法（上位的技術(shù)領(lǐng)域），特別涉及先進(jìn)行離子注入再形成STI（淺槽隔離）的半導(dǎo)體器件的場區(qū)的形成方法（發(fā)明本身）。（3）背景技術(shù) 發(fā)明或者實用新型說明書的背景技術(shù)部分應(yīng)當(dāng)寫明對

15、發(fā)明或者實用新型的理解、檢索、審查有用的背景技術(shù)，并且引證反映這些背景技術(shù)的文件。 在說明書涉及背景技術(shù)的部分中，還要客觀地指出背景技術(shù)中存在的問題和缺點(diǎn)。但是，僅限于涉及由發(fā)明或者實用新型的技術(shù)方案所解決的問題和缺點(diǎn)。在可能的情況下，說明存在這種問題和缺點(diǎn)的原因以及解決這些問題時曾經(jīng)遇到的困難。一些申請文件中的缺陷： （i）對背景技術(shù)的描述過于簡單，只是籠統(tǒng)地一提而過，沒有引證文件； （ii）有的即使引用了相關(guān)文件，也與發(fā)明主題相距甚遠(yuǎn)，有意或無意地掩蓋了最相關(guān)的背景技術(shù)； （iii）有的故意把背景技術(shù)說得一無是處，以此襯托發(fā)明的所謂“突出”或“顯著”； （iv）有的對于不重要的背景技術(shù)描述

16、很多，對真正相關(guān)的背景技術(shù)卻避而不談。舉例舉例：附圖：圖面介紹圖面介紹： 圖1是常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝的縱剖圖，如該圖所示，常規(guī)底部引線半導(dǎo)體封裝包括：半導(dǎo)體芯片1；和由多根連接基片的引線2a組成的引線2，引線2a的上表面安裝半導(dǎo)體芯片1，底表面與基片連接（未示出）。多個連接芯片的引線2b從連接基片的引線2a延伸，以便與半導(dǎo)體芯片1引線接合。 粘結(jié)劑3把半導(dǎo)體芯片1粘結(jié)在引線2的連接基片的引線2a的上表面上。多根連線5電連接半導(dǎo)體芯片1的芯片焊盤/接合焊盤（未示出）和引線2的連接芯片的引線2a。模制樹脂4模制包括已導(dǎo)線連接的半導(dǎo)體芯片1和引線2的兩種引線2a及2b的預(yù)定區(qū)域，以使引線框架的連接

17、基片的引線2a的底表面暴露于封裝管座的底表面，引線2的基片連接的引線2a從連接芯片的引線2b向下延伸預(yù)定深度。 美國專利5428248中詳細(xì)說明了這種有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝，該專利已轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓者，在此可對它所公開的內(nèi)容作了引證。然而，在上述常規(guī)半導(dǎo)體封裝中，當(dāng)芯片焊盤位于半導(dǎo)體封裝的側(cè)邊時，可以進(jìn)行引線接合，但當(dāng)芯片焊盤位于其中心時，無法進(jìn)行引線接合。（4）發(fā)明或者實用新型的內(nèi)容要解決的技術(shù)問題 是指發(fā)明或者實用新型要解決的現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題。發(fā)明或者實用新型公開的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)能夠解決這些技術(shù)問題。撰寫要求： 針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足； 用正面、盡可能簡潔的語言客觀而有根據(jù)

18、地反映發(fā)明或者實用新型要解決的技術(shù)問題，也可以進(jìn)一步說明其技術(shù)效果。舉例舉例： I.由于與基板等進(jìn)行電連的外部引線收a被配置為比芯片焊盤3的位置往下，故半導(dǎo)體器件難于薄型化。 II.由于芯片焊盤3設(shè)于IC封裝主體（鑄模樹脂5a）內(nèi)部，故散熱性差。 III.由于與基板等進(jìn)行外部接觸的外部引線4a僅僅配置在半導(dǎo)體器件的下邊的一個方向，故半導(dǎo)體器件的多層化是困難的。本發(fā)明就是為了解決這些問題而創(chuàng)造出來的，目的是提供一種可實現(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型化，可改善散熱性，可實現(xiàn)多層化的半導(dǎo)體器件及其制造方法。技術(shù)方案技術(shù)方案： 說明書中公開的技術(shù)方案是一件發(fā)明專利申請的核心，技術(shù)方案是申請人對要解決的技術(shù)問題采取

19、的技術(shù)措施的集合。 技術(shù)措施通常是由技術(shù)特征來體現(xiàn)的。發(fā)明為解決其技術(shù)問題所不可缺少的技術(shù)特征稱為必要的技術(shù)特征，其總和足以構(gòu)成發(fā)明的技術(shù)方案，達(dá)到其目的和效果。與發(fā)明的目的有關(guān)的、用于進(jìn)一步完善或展開技術(shù)方案的技術(shù)特征稱為附加的技術(shù)特征。如果一件申請中有幾項發(fā)明，應(yīng)當(dāng)用獨(dú)立的自然段說明每項發(fā)明的技術(shù)方案。（5）有益效果 有益效果是指由構(gòu)成發(fā)明的特征直接帶來的，或者是由所述的技術(shù)特征必然產(chǎn)生的技術(shù)效果。 通常，有益效果可以由產(chǎn)率、質(zhì)量、精度和效率的提高，能耗、原材料、工序的節(jié)省，加工、操作、控制、使用的簡便，環(huán)境污染的治理或者根治，以及有用性能的增加等方面反映出來。常見缺陷： i）有的說明書提

20、出的發(fā)明目的過于籠統(tǒng)。 例如，本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。 本發(fā)明的發(fā)明目的是提高器件的可靠性。 ii）有的說明書只講背景技術(shù)的缺點(diǎn)和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，而不明確提出本發(fā)明和所要解決的問題，也就是沒有發(fā)明目的部分。 iii）夸大技術(shù)效果。（6）附圖及附圖說明 說明書有附圖的，應(yīng)當(dāng)寫明各幅附圖的圖名，并且對圖示的內(nèi)容做簡要說明。附圖不止一幅的，應(yīng)當(dāng)對所有附圖做出圖面說明。例如：i）附圖說明中的內(nèi)容在相應(yīng)的圖中沒有； 舉例：圖9是沿圖8的B-B線的斷面； 圖11是沿圖10的C-C線的斷面； 圖13是沿圖12的D-D線的斷面； 然而，在相應(yīng)的圖8、10以及12中沒有出現(xiàn)B-B、C-C

21、以及D-D。 ii）缺少部分附圖的介紹；例如有5個附圖，但只介紹了其中4個。（7）具體實施方式 提示：該部分是說明書的重要組成部分，它對于充分公開充分公開、理解理解和再現(xiàn)再現(xiàn)發(fā)明或者實用新型，支持支持和解釋權(quán)利要求解釋權(quán)利要求都是十分重要的。l在描述具體實施方式時，并不要求對已知技術(shù)特征作詳細(xì)展開說明，但必須詳細(xì)說明區(qū)必須詳細(xì)說明區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的必要別于現(xiàn)有技術(shù)的必要技術(shù)特征和各附加附加技術(shù)特征以及各技術(shù)特征之間的關(guān)系之間的關(guān)系及其功能功能和作用作用；l具體實施方式中至少應(yīng)包括一個獨(dú)立權(quán)利至少應(yīng)包括一個獨(dú)立權(quán)利要求的全部必要技術(shù)特征要求的全部必要技術(shù)特征，具體實施方式實施方式中的技術(shù)特征與技術(shù)

22、方案技術(shù)方案以及獨(dú)立權(quán)利要求獨(dú)立權(quán)利要求中的特征沒有矛盾沒有矛盾。舉例舉例： 技術(shù)方案對Cx中的x限定為x400，而實施例1中的x = 400，前后矛盾。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，如果改進(jìn)之處在于產(chǎn)品產(chǎn)品或材料材料，那么應(yīng)借助附圖將產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)及組成組成或者將材料的組成材料的組成、性能性能或制備工藝條件制備工藝條件描述得清楚完整，如果改進(jìn)之處在于方法步驟方法步驟，那么實施例部分應(yīng)當(dāng)借助附圖清楚地描述出工藝的步驟順序步驟順序、工藝方法工藝方法、工藝參數(shù)工藝參數(shù)以及各步驟各步驟得到的相應(yīng)結(jié)構(gòu)得到的相應(yīng)結(jié)構(gòu)。l 當(dāng)權(quán)利要求（尤其是獨(dú)立權(quán)利要求）覆蓋的保護(hù)范圍較寬，其概括的特征不能從一個實不能從一個實施例中

23、找到依據(jù)施例中找到依據(jù)時，應(yīng)當(dāng)給出一個以上的不同應(yīng)當(dāng)給出一個以上的不同實施例實施例，以支持所要求保護(hù)的范圍。舉例舉例： i）僅給出了“碳化硅”作為基底的實施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要求“半絕緣基底”； ii）實施例中為“絕緣材料膜”，而獨(dú)立權(quán)利要求1要求保護(hù)“薄膜層”。l 當(dāng)權(quán)利要求涉及較寬的數(shù)值范圍時，應(yīng)給出兩端值兩端值附近的實施例和至少一個中間值至少一個中間值的實施例。舉例舉例： i）實施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”，獨(dú)立權(quán)利要求1中填充的氬氣含量為30-90%； ii）實施例中為“MnO2”但獨(dú)

24、立權(quán)利要求1中要求保護(hù)“MxOy（x =1-3、y = 2-4）”。l 對照附圖描述發(fā)明的具體實施方式時，使用的附圖標(biāo)記或符號應(yīng)當(dāng)與附圖中所示的一致應(yīng)當(dāng)與附圖中所示的一致，并放在相應(yīng)的技術(shù)名稱后面，不加括號。舉例舉例： i）同一附圖標(biāo)記同一附圖標(biāo)記表示不同的技術(shù)特征不同的技術(shù)特征；例如芯片5；內(nèi)引線5； ii）同一技術(shù)術(shù)語同一技術(shù)術(shù)語前后采用了不同的附圖不同的附圖標(biāo)記標(biāo)記；例如芯片5；芯片8； iii）附圖中顯示的內(nèi)容與顯示的內(nèi)容與附圖說明中的內(nèi)說明中的內(nèi)容不符容不符；例如：說明書第3頁對圖1的說明中記載了：絕緣體上有硅基底100包括埋入式氧化層102和硅材層110，然而從圖1中可以看出，埋入

25、式氧化層102和硅材層110位于絕緣體上有硅基底100之上，氧化層102和硅材層110與硅基底100并非包含關(guān)系。附圖：（8）不符合專利法實施細(xì)則第18條第3款的撰寫缺陷： a）同一技術(shù)術(shù)語前后不一致同一技術(shù)術(shù)語前后不一致；例如：“馬達(dá)16”；“驅(qū)動機(jī)構(gòu)16”；“承載臺28”；“承載28”；“閘刀33”；“間刀33”；“刀刃33”；“第一和第二導(dǎo)熱層17和19”，“金屬層17和19”，“保護(hù)劑材料61”，“保護(hù)材料61”，“包封材料63”，“包封劑材料63”，“接線夾27”，“電連接夾”。 b）采用了不規(guī)范的技術(shù)術(shù)語采用了不規(guī)范的技術(shù)術(shù)語；例如電漿、非等向性、打線、閘極、片子、汲極區(qū)、信道、通

26、道、矽、磊晶、晶圓、布植、植入、制程、光罩、罩幕、遮罩、微影、二極體、燒錄、黃光暨蝕刻制作工藝、連接墊、主動區(qū)域、金氧半、側(cè)壁子、側(cè)子、熱載子、電子洞對、載子移動率、淡摻雜、井區(qū)、基材、崩潰電壓等等； c）沒有采用國家法定的計量單位沒有采用國家法定的計量單位；例如：達(dá)因、密耳、乇、英寸、鎊等。（9）說明書附圖要符合專利法實施細(xì)則第19條的規(guī)定。常見問題常見問題： i）說明書中出現(xiàn)的附圖標(biāo)記在附圖中沒有出現(xiàn)；附圖中出現(xiàn)的附圖標(biāo)記在說明書中沒有介紹； ii）附圖中有英文單詞； iii）提交的附圖數(shù)量不夠或數(shù)量夠內(nèi)容不夠； 例如：提交了兩份圖2，但是沒有圖4。（10）說明書摘要及摘要附圖的缺陷： a

27、）缺少技術(shù)內(nèi)容，例如只宣傳產(chǎn)品的性能； b）包括過多的廣告性宣傳用語； c）字?jǐn)?shù)超過300字； d）沒有提交摘要附圖。（二）權(quán)利要求書的撰寫 要符合專利法第26條第4款、專利法實施細(xì)則第20條-23條的規(guī)定。1. 權(quán)利要求的種類 按照權(quán)利要求的內(nèi)容劃分 （1）產(chǎn)品權(quán)利要求，即物的權(quán)利要求；例如：引線框架及使用該引線框架的半導(dǎo)體封裝；動態(tài)隨機(jī)存取存儲器；鐵電半導(dǎo)體存儲器；氮化鎵藍(lán)光發(fā)光二極管；彈簧夾及散熱片組件；靜電放電保護(hù)電路；帶有透明窗口的半導(dǎo)體封裝。 （2）方法權(quán)利要求，即活動的權(quán)利要求；例如：形成半導(dǎo)體器件通孔的方法；在半導(dǎo)體器件內(nèi)制造互連線的方法；半導(dǎo)體芯片的清洗方法；半導(dǎo)體芯片的貼裝

28、方法。 2. 按權(quán)利要求的形式劃分（1）獨(dú)立權(quán)利要求；保護(hù)范圍最大。獨(dú)立權(quán)利要求1應(yīng)當(dāng)滿足實施細(xì)則第21條第2款的規(guī)定，應(yīng)當(dāng)整體上反映發(fā)明或者實用新型的技術(shù)方案，記載解決技術(shù)問題的必要技術(shù)特征。 必要技術(shù)特征必要技術(shù)特征是指，發(fā)明或者實用新型為解決其技術(shù)問題解決其技術(shù)問題所必不可缺少的技術(shù)特征，其總和足以構(gòu)成發(fā)明或者實用新型的技術(shù)方案，使之區(qū)別于背景技術(shù)區(qū)別于背景技術(shù)中所述的其他技術(shù)方案。 要解決的技術(shù)問題：消除半導(dǎo)體薄膜中存在的大量晶界，從而消除因晶界而產(chǎn)生的能級勢壘對相鄰晶粒之間的電子移動的妨礙作用。解決此技術(shù)問題的關(guān)鍵就是形成基本上無晶界的單疇區(qū)。但獨(dú)立權(quán)利要求1中卻缺少特征：所述單疇區(qū)

29、基本上不包括晶界”。 （2）從屬權(quán)利要求：如果一項權(quán)利要求包含了另一項同類權(quán)利要求中的所有技術(shù)特征，且對該另一項權(quán)利要求的技術(shù)方案作了進(jìn)一步的限制，則該權(quán)利要求為從屬權(quán)利要求。（專利法實施細(xì)則第21條第3款）舉例舉例： a）獨(dú)立權(quán)利要求1、9、10、11、12和13分別是對獨(dú)立權(quán)利要求1中底座厚度和焊料厚度關(guān)系的具體限定，因此申請人應(yīng)將權(quán)利要求9-13修改為獨(dú)立權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求。 b）獨(dú)立權(quán)利要求2與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加了“與第二互連相鄰的第二焊接區(qū)”，而權(quán)利要求6與獨(dú)立權(quán)利要求1相比僅增加了位于半導(dǎo)體器件相對側(cè)上的第一和第二刻劃線以及鈍化層還覆蓋導(dǎo)電區(qū)的第三和第四部分，因此申請人

30、應(yīng)將權(quán)利要求2和6修改為獨(dú)立權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求。3 . 權(quán)利要求書應(yīng)當(dāng)滿足的實質(zhì)性要求 1）權(quán)利要求書應(yīng)當(dāng)以說明書為依據(jù)，是指權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)?shù)玫秸f明書的支持。說明書不僅應(yīng)當(dāng)在表述形式上表述形式上得到說明書的支持，而且應(yīng)當(dāng)在實質(zhì)上實質(zhì)上得到說明書的支持。也就是說，權(quán)利要求書中的每一項權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)?shù)乃鶎偌夹g(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠從說明書公開的內(nèi)容直接得直接得到或者概括得出到或者概括得出的技術(shù)方案，并且權(quán)利要求的范圍不得超出說明書記載的內(nèi)容。 （1）如果說明書實施例中實施例中的技術(shù)特征是是下位概念下位概念，而發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案技術(shù)方案是利利用用該下位概念的個性個性，則不允許

31、不允許權(quán)利要求將此技術(shù)特征概括成概括成此下位概念的上位概念上位概念。反之，若發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案是利用了利用了此上位概念技術(shù)特征的所有下位概念的共性所有下位概念的共性，則允許允許權(quán)利要求書將此技術(shù)概念概括成上位概念概括成上位概念；例如：僅給出了“碳化硅”作為基底的實施例，但獨(dú)立權(quán)利要求中要求“半絕緣基底”；將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。 （2）說明書中的實施例或具體實施方式越多，那么可以允許權(quán)利要求書的概括程度越大；但是也可以只有一種具體實施方式，只要這種概括對該技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的；舉例舉例： 實施例中指出使用鎳作為催化劑元素可以得到最顯著的效果，其它可利用的催化劑的種

32、類，理想的有Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As、Sb，使用Fe（鐵）作為催化劑元素時，鐵的化合物可以使用溴化亞鐵、溴化鐵；用Co（鈷）作為催化劑元素時，鈷的化合物可以使用下列的鈷鹽；用Ru（釕）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；用Rh（銠）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；用Pd（鈀）作為催化劑元素時，其化合物可以使用例如；由此可見，獨(dú)立權(quán)利要求中的特征“含促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑元素的化合物”的概括是允許的。 a）每一項權(quán)利要求每一項權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案在說明書中都應(yīng)清楚地記載都應(yīng)清楚地記載。舉例舉例： i）權(quán)利要求書中的特征“氮化鈦熱退火的時間30 60分鐘”

33、的特征在說明書中沒有記載； ii）權(quán)利要求書中記載的特征“氮化鈦在300 450下熱分解”，與說明書中“氮化鈦在300 500下熱分解”不一致； iii）特征反應(yīng)室內(nèi)電極溫度“從約-60C到25C”與說明書中記載的反應(yīng)室內(nèi)電極溫度保持在“-60C到0C”不一致。 iv）特征“位于第二介質(zhì)層上的第二列鍵合銷”與說明書中記載的“第二列鍵合銷48放置在第三介質(zhì)層20的頂面”不一致。 b）為了獲得盡可能寬的保護(hù)范圍，權(quán)利要求，尤其是獨(dú)立權(quán)利要求一般都要對說明書中記載的一個或多個具體技術(shù)方案進(jìn)行概括，權(quán)利要求的概括應(yīng)當(dāng)適當(dāng)，使其保護(hù)范圍正好保護(hù)范圍正好適應(yīng)說明書所公開的內(nèi)容適應(yīng)說明書所公開的內(nèi)容。舉例舉

34、例： i）獨(dú)立權(quán)利要求1中填充的氬氣含量為30-90%，實施例1中的“充填氣體中氬氣含量為30%”，實施例2中的“充填氣體中氬氣含量為70%”，實施例3中的“充填氣體中氬氣含量為90%”。 ii）特征“芯片載體電極的間距為芯片焊盤的間距的整數(shù)倍整數(shù)倍”，而說明書中記載的是芯片載體電極的間距為芯片焊盤的間距的2倍或更大倍或更大。 分析分析：整數(shù)倍包括1及大于1的整數(shù)倍兩種情況，不能由2倍或更大概括出。iii）權(quán)利要求中的特征“導(dǎo)電組件”包含了很寬的范圍，僅在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域就包括導(dǎo)體、布線、焊盤、突點(diǎn)、引線、焊料球等，而本申請說明書中僅給出了“焊盤及其上導(dǎo)電突點(diǎn)”的實施例。 c）權(quán)利要求中應(yīng)當(dāng)用技

35、術(shù)特征來表達(dá)完整的技術(shù)方案，所采用的技術(shù)特征應(yīng)當(dāng)是有技術(shù)含義的具體特征（例如，結(jié)構(gòu)特征或方法步驟）。 2）權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)清楚清楚（專利法實施細(xì)則第20條第1款） （1）每項權(quán)利要求的類型應(yīng)當(dāng)清楚每項權(quán)利要求的類型應(yīng)當(dāng)清楚，并且應(yīng)當(dāng)與發(fā)明要求保護(hù)的主題一致。產(chǎn)品權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)用產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)關(guān)系結(jié)構(gòu)關(guān)系來描述。方法權(quán)利要求可以用工藝條件、操作條件、步驟或工藝條件、操作條件、步驟或者流程者流程等特征來描述。舉例舉例： a）一種電光探頭電光探頭，由可微調(diào)位置的透明基板和附著在基板上的有機(jī)電光材料層組成，由電光探測光學(xué)單元產(chǎn)生的探測光束經(jīng)顯微物鏡頭聚焦聚焦后，穿過穿過透明基板、基板與電光材料的

36、界面和電光材料層，聚焦光斑落在電光材料層的外表面上，并被該表面上的高反射介質(zhì)膜反射反射，當(dāng)聚焦光斑挨近挨近帶測的電信號傳輸線時，信號電場進(jìn)入進(jìn)入有機(jī)電光材料層。（產(chǎn)品用方法特征限定） b）一種熱電半導(dǎo)體材料或元器件材料或元器件，包括。 c）特征“將其其支承在其其周邊部”中的兩個其指代不清楚。 （2）每項權(quán)利要求所確定的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚。對于產(chǎn)品產(chǎn)品權(quán)利要求而言，應(yīng)當(dāng)盡量避免應(yīng)當(dāng)盡量避免使用功能或者效果特征來限定使用功能或者效果特征來限定發(fā)明。舉例舉例： a）如權(quán)利要求4所述的球點(diǎn)陣列集成電路封裝的方法，其特征在于：所述散熱板的散熱散熱效果效果是將該芯片于通電運(yùn)作時的熱量導(dǎo)至該封裝后的球點(diǎn)陣列（

37、BGA）集成電路之外的效果。 b）權(quán)利要求中使用了含義不確定的詞語，例如：基本上；大約；尤其是；例如；如；類；優(yōu)選；等等； c）從屬權(quán)利要求中引用了在前權(quán)利要求中的特征，但在前權(quán)利要求中根本沒有出現(xiàn)該特征。例如：根據(jù)權(quán)利要求1的存儲器，其中鈍化層為氮化硅。 3）權(quán)利要求書應(yīng)當(dāng)簡明簡明 每一項權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)簡明并且所有權(quán)利要求作為一個整體應(yīng)當(dāng)簡明；權(quán)利要求的數(shù)量數(shù)量應(yīng)當(dāng)合理；權(quán)利要求的用詞用詞應(yīng)當(dāng)簡明；權(quán)利要求之間應(yīng)當(dāng)避免不必要的重復(fù)避免不必要的重復(fù)。舉例舉例： 1. 一種光檢測器，包括： 設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體襯底反面的導(dǎo)體，所述襯底和所述導(dǎo)體之間夾有絕緣體； 12. 根據(jù)權(quán)利要求1的光檢測器，其

38、特征在于：所述n型半導(dǎo)體襯底的反面設(shè)置在所述導(dǎo)體上，所述襯底和所述導(dǎo)體之間夾有絕緣體。4 . 權(quán)利要求存在的形式缺陷 1）從屬權(quán)利要求沒有緊跟沒有緊跟在所引用的獨(dú)立權(quán)利要求之后； 2）權(quán)利要求不僅結(jié)尾處存在句號，中間處中間處也存在句號也存在句號； 3）權(quán)利要求中使用的技術(shù)術(shù)語技術(shù)術(shù)語與說明書中使用的不一致； 4）權(quán)利要求中存在括號存在括號，但括號中的內(nèi)容內(nèi)容不是附圖標(biāo)記不是附圖標(biāo)記； 5）權(quán)利要求中存在公司名稱或商品名稱公司名稱或商品名稱。5 . 獨(dú)立權(quán)利要求的撰寫要求 1）獨(dú)立權(quán)利要求的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)清楚清楚，以符合專利法實施細(xì)則第20條第1款的規(guī)定。 2）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)反映出與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)

39、別，使其描述的發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案具有新穎性和創(chuàng)造性具有新穎性和創(chuàng)造性，以符合專利法第22條的規(guī)定。 3）獨(dú)立權(quán)利要求應(yīng)當(dāng)從整體上反映出發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷募夹g(shù)方案，記載記載為達(dá)到發(fā)明或?qū)嵱眯滦湍康牡谋匾夹g(shù)特征必要技術(shù)特征，以符合專利法實施細(xì)則第21條的規(guī)定。 4）獨(dú)立權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案應(yīng)該以說明書為依據(jù)以說明書為依據(jù)，以符合專利法第26條第4款的規(guī)定。6 . 從屬權(quán)利要求的撰寫要求 1）從屬權(quán)利要求只能只能引用其前面的權(quán)利要求，不得不得引用在其后的權(quán)利要求或者其本身；例如：5 . 根據(jù)權(quán)利要求5的制造方法，其中。 2）多項多項從屬權(quán)利要求不得作為另一項從屬權(quán)利要求的引用基礎(chǔ)；例如：5

40、 . 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4的半導(dǎo)體器件，其中。 6 . 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5的半導(dǎo)體器件，其中。 3）多項從屬權(quán)利要求只能擇一地引用擇一地引用在前的權(quán)利要求；例如：6 . 根據(jù)權(quán)利要求2、3、4以及5的半導(dǎo)體器件，其中。 4）一項從屬一項從屬權(quán)利要求不得同時引用不得同時引用在前的兩項或兩項以上兩項或兩項以上的獨(dú)立權(quán)利要求獨(dú)立權(quán)利要求。 5）從屬權(quán)利要求的主題名稱主題名稱應(yīng)與所引用的主題名稱一致；例如：24. 根據(jù)權(quán)利要求17的電子互連器件，其特征在于：。 25. 根據(jù)權(quán)利要求24的電子封裝外殼，其特征在于：。三.答復(fù)通知書時提交文本中的常見問題 （一）說明書中的問題1.發(fā)明名稱 1）權(quán)

41、利要求書中產(chǎn)品或方法的獨(dú)立權(quán)利要求及從屬權(quán)利要求刪除之后，發(fā)明名稱沒沒有進(jìn)行相應(yīng)的變更有進(jìn)行相應(yīng)的變更，仍然是產(chǎn)品和方法； 2）審查員在第一次審查意見通知書中指出修改發(fā)明名稱，但仍然沒有修改沒有修改； 3）審查員在通知書中沒有指出修改發(fā)明名稱，但申請人主動變更主動變更了發(fā)明名稱。2 . 技術(shù)領(lǐng)域 發(fā)明名稱已變更但技術(shù)領(lǐng)域沒有變更。例如：發(fā)明名稱已由“芯片尺寸封裝及其制造方法”修改為“芯片尺寸封裝的制造方法”，但是技術(shù)領(lǐng)域仍然為“本發(fā)明涉及芯片尺寸封裝及其制造方法。3 . 要解決的技術(shù)問題 為了相對于審查員提出的對比文件具有新穎性和創(chuàng)造性，修改了獨(dú)立權(quán)利要求，增加了技術(shù)特征，但修改后的獨(dú)立權(quán)利要

42、求的技術(shù)方案要解決的技術(shù)問題明顯與說明書中原有的要解決的技術(shù)問題不同，此時應(yīng)該修改說明書中的該部分。4 . 技術(shù)方案 申請人修改了獨(dú)立權(quán)利要求，但沒有相應(yīng)地修改技術(shù)方案部分。5 . 有益效果 1）為區(qū)別于審查員提出的對比文件，申請人在意見陳述書中強(qiáng)調(diào)的有益效果在原申請文強(qiáng)調(diào)的有益效果在原申請文件中沒有記載件中沒有記載，也不能明顯推導(dǎo)出。 2）申請人修改權(quán)利要求的同時，在該部分中添加有益效果添加有益效果，但該效果不能從原申請文件中明顯推導(dǎo)出。 3）補(bǔ)充實驗數(shù)據(jù)補(bǔ)充實驗數(shù)據(jù)。6 . 附圖說明 由于原說明書中的一些技術(shù)特征在附圖中沒有出現(xiàn)，審查員指出后添加附圖及圖面添加附圖及圖面說明說明，但這些內(nèi)容

43、不能從原申請文件中唯一地推導(dǎo)出，導(dǎo)致修改超范圍。7 . 具體實施方式 1）修改技術(shù)內(nèi)容中的連接關(guān)系使修改后的技術(shù)內(nèi)容與原說明書中的技術(shù)內(nèi)容完全不同，導(dǎo)致修改超范圍。 2）修改技術(shù)術(shù)語，導(dǎo)致修改超范圍。例如：將“非晶硅”修改為“含硅的半導(dǎo)體膜”。 在本領(lǐng)域中半導(dǎo)體材料有很多種，有元素半導(dǎo)體、二元化合物半導(dǎo)體、固溶體半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、玻璃半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體，常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、碳化硅、砷化鎵等，半導(dǎo)體材料還分為單晶、多晶、非晶等，因此非晶硅僅是含硅的半導(dǎo)體膜中的一種。8 . 說明書附圖9 . 說明書摘要 對獨(dú)立權(quán)利要求進(jìn)行修改后，沒有對摘要中的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行相應(yīng)的修改。10. 權(quán)利要求書

44、a）意見陳述書中指出已修改，但提交的權(quán)利要求書中仍存在同樣的缺陷； b）僅提交修改底稿僅提交修改底稿，或者刪除部分權(quán)利要求之后，權(quán)利要求的編號沒有改變；例如：i）1 . 一種半導(dǎo)體封裝，包括： 2 . （刪除） 3 . 根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝，其中。 ii）6 . 根據(jù)權(quán)利要求7的引線框架，其中。 c）采用的技術(shù)術(shù)語與原申請文件中的技術(shù)術(shù)語不同技術(shù)術(shù)語不同；例如將“金屬化孔”修改為“通過口”； d）意見陳述與修改的內(nèi)容不一致意見陳述與修改的內(nèi)容不一致；例如：申請人的意見陳述書中記載“相對低能量的雜質(zhì)離子不能穿過氧化層的中央部分”，但是權(quán)利要求中記載了特征“采用比第一能量低的第二注入能量所述

45、第二注入能量足以足以使雜質(zhì)的所述離子通過所述場氧化層的所述中央?yún)^(qū)域”，而說明書記載的是“第二次低能量注入的硼離子不能不能穿過厚的場氧化薄膜102的中心區(qū)域，而僅能穿過場氧化薄膜的周圍區(qū)域即鳥嘴”，因此所述特征既沒有記載在原說明書和權(quán)利要求書中，也不能由原說明書和權(quán)利要求書所記載的內(nèi)容導(dǎo)出，因此超出了原說明書和權(quán)利要求書記載的范圍，不符合專利法第33條的規(guī)定。 e）修改數(shù)值范圍，導(dǎo)致修改超范圍修改數(shù)值范圍，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將獨(dú)立權(quán)利要求1將組合物的淀積厚度由“2.5-11微英寸”修改為“小于11微英寸”。 f）修改技術(shù)術(shù)語，導(dǎo)致修改超范圍修改技術(shù)術(shù)語，導(dǎo)致修改超范圍；例如：將“磷硅玻璃”修

46、改成“玻璃”。特征“玻璃”概括了很寬的范圍，廣義的玻璃包括單質(zhì)玻璃、有機(jī)玻璃和無機(jī)玻璃，除工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn)的硅酸鹽玻璃之外，還有氧化物玻璃、非氧化物玻璃、由某些合金形成的金屬玻璃等。因此僅由說明書中記載的“PSG”是無法推導(dǎo)出特征“玻璃”。 g）相對于審查員提出的對比文件修改了獨(dú)立權(quán)利要求，但修改后的權(quán)利要求的保護(hù)保護(hù)范圍沒有實質(zhì)性的變化范圍沒有實質(zhì)性的變化。四、導(dǎo)致駁回的幾種常見情況及案例分析1 . 駁回的條件 1）屬于專利法實施細(xì)則第五十三條規(guī)定的駁回情形； 2）給申請人至少一次陳述意見至少一次陳述意見和/或進(jìn)行修改修改申請文件的機(jī)會；3）申請人在指定的期限內(nèi)未提出有說服力的意見和/或證據(jù)

47、，也未未對申請文件進(jìn)行符合專利法及實施細(xì)則規(guī)定的修改修改；4）或者修改后的申請文件中仍然存在足以用已通知過申請人的理由和證據(jù)予以駁回的缺陷。2 . 駁回的種類 1）發(fā)明專利申請的主題違反國家法律、社會公德或者妨礙公共利益，或者申請的主題屬于專利法第25條規(guī)定的不授予發(fā)明專利權(quán)的客體；（專利法第專利法第5條和條和25條條） 2）申請的發(fā)明不具備新穎性、創(chuàng)造性和實用性；（專利法專利法22條條） 3）發(fā)明專利法申請沒有充分公開請求保護(hù)的主題（專利法第專利法第26條第條第3款款），或者權(quán)利要求未以說明書為依據(jù)；（專利法第專利法第26條第條第4款款） 4）申請不符合專利法關(guān)于發(fā)明專利申請單一性的規(guī)定（專

48、利法第（專利法第31條第條第1款）；款）； 5）申請的發(fā)明根據(jù)“先申請原則”不能取得專利權(quán)（專利法第專利法第9條條），或者申請不符合“一發(fā)明創(chuàng)造、一專利”的規(guī)定；（專利法實施細(xì)則第專利法實施細(xì)則第13條第條第1款款）； 6）發(fā)明專利申請不是對產(chǎn)品、方法或者改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案（細(xì)則第細(xì)則第2條第條第1款款）； 7）權(quán)利要求書不清楚、簡要（專利法實施專利法實施細(xì)則第細(xì)則第20條第條第1款款），獨(dú)立權(quán)利要求缺少解決技術(shù)問題的必要技術(shù)特征（專利法實施細(xì)則第專利法實施細(xì)則第21條第條第2款款）； 8）申請的修改或者分案的申請超出原說明書和權(quán)利要求書記載的范圍（專利法第專利法第33條條）。3 . 案

49、例發(fā)明名稱發(fā)明名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法申請簡介：申請簡介：薄膜半導(dǎo)體形成的薄膜晶體管（TFT）通常使用無定形硅膜作為半導(dǎo)體層，通常使用催化元素使其晶化，利用等離子體處理或蒸鍍會大量引入上述元素產(chǎn)生不利影響。發(fā)明目的：發(fā)明目的： 控制引入催化劑元素的量，并且將其控制在最低限度的量 也就是，僅僅在表面引入極微量催化元素申請文件中的部分權(quán)利要求申請文件中的部分權(quán)利要求： 1）獨(dú)立權(quán)利要求1中包含特征“使含促進(jìn)結(jié)晶化的催化劑元素的溶液與暴露的無定形硅膜連接的工序”； （不支持） 2）從屬權(quán)利要求4的附加技術(shù)特征為催化劑元素使用選自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一種或幾種元素。審查過程審查過程： 在第一次審查意見通知書第一次審查意見通知書中的其中一條意見中指出：特征“使溶液與硅膜