第三知識點(diǎn)總結(jié)

1、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 知識點(diǎn)總結(jié)知識點(diǎn)總結(jié)第三章第三章考綱定標(biāo)考綱定標(biāo)1.了解原子晶體的特征，能描述了解原子晶體的特征，能描述 金剛石、二氧化硅等原子晶體金剛石、二氧化硅等原子晶體 的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。2.了解分子晶體與原子晶體、離了解分子晶體與原子晶體、離 子晶體、金屬晶體的構(gòu)成粒子子晶體、金屬晶體的構(gòu)成粒子 及粒子間作用力的區(qū)別。及粒子間作用力的區(qū)別。3.理解離子鍵的形成，能根據(jù)離理解離子鍵的形成，能根據(jù)離 子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物 理性質(zhì)。理性質(zhì)。4.理解金屬鍵的含義，能用金屬理解金屬鍵的含義，能用金屬 鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)

2、。鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。熱點(diǎn)定位熱點(diǎn)定位1.晶體與非晶體的區(qū)別，晶體中粒晶體與非晶體的區(qū)別，晶體中粒 子的空間堆積方式，晶胞的結(jié)構(gòu)子的空間堆積方式，晶胞的結(jié)構(gòu) 特點(diǎn)及其應(yīng)用。特點(diǎn)及其應(yīng)用。 2.晶胞中粒子個(gè)數(shù)及邊長等的計(jì)算。晶胞中粒子個(gè)數(shù)及邊長等的計(jì)算。 3.晶體類型與性質(zhì)之間的關(guān)系。晶體類型與性質(zhì)之間的關(guān)系。 4.晶體類型與粒子間作用力的關(guān)系。晶體類型與粒子間作用力的關(guān)系。 5.四類晶體的特征及代表物質(zhì)。四類晶體的特征及代表物質(zhì)。1晶體與非晶體晶體與非晶體比較比較晶體晶體非晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)粒子結(jié)構(gòu)粒子_排列排列結(jié)構(gòu)粒子結(jié)構(gòu)粒子_排列排列性質(zhì)性質(zhì)特征特征自范性自范性有有無

3、無熔點(diǎn)熔點(diǎn)固定固定不固定不固定異同表現(xiàn)異同表現(xiàn)_二者二者區(qū)別區(qū)別方法方法間接方法間接方法測定其是否有固定的測定其是否有固定的_科學(xué)方法科學(xué)方法對固體進(jìn)行對固體進(jìn)行 實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)周期性有序周期性有序無序無序各向異性各向異性各向同性各向同性熔點(diǎn)熔點(diǎn)X射線衍射射線衍射(1)晶體與非晶體的區(qū)別：晶體與非晶體的區(qū)別： 熔融態(tài)物質(zhì)熔融態(tài)物質(zhì)凝固凝固。 氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華凝華)。 溶質(zhì)從溶液中析出溶質(zhì)從溶液中析出(結(jié)晶結(jié)晶)。 (2)獲得晶體的三條途徑：獲得晶體的三條途徑： 2晶胞晶胞 (1)概念：晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。概念：晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。 (

4、2)晶體與晶胞的關(guān)系：數(shù)量巨大的晶胞晶體與晶胞的關(guān)系：數(shù)量巨大的晶胞“ ”構(gòu)成晶體。構(gòu)成晶體。無隙并置無隙并置1下列關(guān)于晶體與晶胞的說法正確下列關(guān)于晶體與晶胞的說法正確 ()A. 晶體有自范性但排列無序晶體有自范性但排列無序B不同的晶體中晶胞的大小和形狀都相同不同的晶體中晶胞的大小和形狀都相同C晶胞是晶體中的最小的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元晶胞是晶體中的最小的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元D固體固體SiO2一定是晶體一定是晶體C練習(xí)練習(xí) 4.如圖所示晶體結(jié)構(gòu)是一種具有優(yōu)良的如圖所示晶體結(jié)構(gòu)是一種具有優(yōu)良的壓電、光電等功能的晶體材料的最小壓電、光電等功能的晶體材料的最小結(jié)構(gòu)單元結(jié)構(gòu)單元(晶胞晶胞)。晶體內(nèi)與每個(gè)。晶體內(nèi)與每個(gè)“

5、Ti”緊鄰的氧原子數(shù)和這種晶體材料的化學(xué)式分別是緊鄰的氧原子數(shù)和這種晶體材料的化學(xué)式分別是(各元素所各元素所帶電荷均已略去帶電荷均已略去) ()A8；BaTi8O12 B8；BaTi4O9C6；BaTiO3 D3；BaTi2O3C2已知已知NaCl的摩爾質(zhì)量為的摩爾質(zhì)量為58.5 gmol1，食鹽晶體的密度為食鹽晶體的密度為 gcm3，若右圖，若右圖中中Na與最鄰近的與最鄰近的Cl的核間距離為的核間距離為a cm，那么阿伏加德羅常數(shù)的值可表示為，那么阿伏加德羅常數(shù)的值可表示為 ()D常見晶體類型的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)常見晶體類型的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)1四種晶體類型的比較四種晶體類型的比較比較類型比較類型分子晶體分

6、子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子晶體離子晶體構(gòu)成粒子構(gòu)成粒子_粒子間的相粒子間的相互作用力互作用力_(某些含某些含氫鍵氫鍵)_分子分子原子原子陰、陽陰、陽離子離子范德華力范德華力共價(jià)鍵共價(jià)鍵金屬鍵金屬鍵離子鍵離子鍵金屬陽離金屬陽離子、自由子、自由電子電子比較類型比較類型分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體離子晶體離子晶體硬度硬度熔、沸點(diǎn)熔、沸點(diǎn)溶解性溶解性導(dǎo)電、傳熱導(dǎo)電、傳熱性性較小較小很大很大有大，有小有大，有小較大較大較低較低很高很高有高，有低有高，有低較高較高相似相溶相似相溶難溶于任何難溶于任何溶劑溶劑常見溶劑難溶常見溶劑難溶大多易溶于水大多易溶于水等極性溶劑等極性

7、溶劑一般不導(dǎo)電，一般不導(dǎo)電，溶于水后有溶于水后有的導(dǎo)電的導(dǎo)電一般不具一般不具有導(dǎo)電性有導(dǎo)電性電和熱的電和熱的良導(dǎo)體良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電態(tài)導(dǎo)電比較比較類型類型分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶金屬晶體體離子晶體離子晶體物質(zhì)物質(zhì)類別類別及舉及舉例例大多數(shù)非金屬單大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化酸、非金屬氧化物物(SiO2除外除外)、絕大多數(shù)有機(jī)物絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外有機(jī)鹽除外)部分非金屬單部分非金屬單質(zhì)質(zhì)(如金剛石、如金剛石、硅、晶體硼硅、晶體硼)，部分非金屬化部分非金屬化合物合物(如如SiC、SiO2)金屬單金屬單質(zhì)合

8、金質(zhì)合金(如如Na、Al、Fe、青銅青銅)金屬氧化物金屬氧化物(如如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿強(qiáng)堿(如如KOH、NaOH)、絕大部、絕大部分鹽分鹽(如如NaCl)1(2011四川高考四川高考)下列說法正確的是下列說法正確的是 ()A分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在分子晶體中一定存在分子間作用力，不一定存在共價(jià)鍵共價(jià)鍵B分子中含兩個(gè)氫原子的酸一定是二元酸分子中含兩個(gè)氫原子的酸一定是二元酸C含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體含有金屬陽離子的晶體一定是離子晶體D元素的非金屬性越強(qiáng)，其單質(zhì)的活潑性一定越強(qiáng)元素的非金屬性越強(qiáng)，其單質(zhì)的活潑性一定越強(qiáng)A2(2012上海高考上海高考)氮氧化鋁氮氧化鋁

9、(AlON)屬原子晶體，是一種屬原子晶體，是一種超強(qiáng)透明材料，下列描述錯(cuò)誤的是超強(qiáng)透明材料，下列描述錯(cuò)誤的是 ()AAlON和石英的化學(xué)鍵類型相同和石英的化學(xué)鍵類型相同BAlON和石英晶體類型相同和石英晶體類型相同CAlON和和Al2O3的化學(xué)鍵類型不同的化學(xué)鍵類型不同DAlON和和Al2O3晶體類型相同晶體類型相同D晶體晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解晶體詳解原原子子晶晶體體金剛金剛石石(1)每個(gè)碳與相鄰每個(gè)碳與相鄰 個(gè)碳以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面?zhèn)€碳以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均為鍵角均為_(3)最小碳環(huán)由最小碳環(huán)由 個(gè)個(gè)C組成且六原子不在同一平面組成且六原子不在同一平面內(nèi)內(nèi)(

10、4)每個(gè)每個(gè)C參與參與4條條CC鍵的形成，鍵的形成，C原子數(shù)與原子數(shù)與CC鍵數(shù)之比為鍵數(shù)之比為_SiO2(1)每個(gè)每個(gè)Si與與 個(gè)個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)以共價(jià)鍵結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)構(gòu)(2)每個(gè)正四面體占有每個(gè)正四面體占有1個(gè)個(gè)Si,4個(gè)個(gè)“ “ O”， n n(Si)n(O)_(3)最小環(huán)上有最小環(huán)上有 個(gè)原子，即個(gè)原子，即6個(gè)個(gè)O,6個(gè)個(gè)Si41092861 241 2122.典型晶體模型典型晶體模型晶體晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解晶體詳解分子分子晶體晶體干冰干冰(1)8個(gè)個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又個(gè)面心又各占據(jù)各占據(jù)1個(gè)個(gè)CO2分子分子(2)每個(gè)每個(gè)

11、CO2分子周圍等距緊鄰的分子周圍等距緊鄰的CO2分子分子有有 個(gè)個(gè)離子離子晶體晶體NaCl(型型)(1)每個(gè)每個(gè)Na(Cl)周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Cl(Na)有有6個(gè)。每個(gè)個(gè)。每個(gè)Na周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Na有有 個(gè)個(gè)(2)每個(gè)晶胞中含每個(gè)晶胞中含 個(gè)個(gè)Na和和 個(gè)個(gè)ClCsCl(型型)(1)每個(gè)每個(gè)Cs周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Cl有有_個(gè)，個(gè)，每個(gè)每個(gè)Cs(Cl)周圍等距且緊鄰的周圍等距且緊鄰的Cs(Cl)有有 個(gè)個(gè)(2)如圖為如圖為8個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中含個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中含1個(gè)個(gè)Cs、1個(gè)個(gè)Cl12124488晶體晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解晶體詳解金金屬屬晶

12、晶體體簡單立簡單立方堆積方堆積典型代表典型代表Po，配位數(shù)為，配位數(shù)為 ，空，空間利用率間利用率52%面心立面心立方最密方最密堆積堆積又稱為又稱為A1型或銅型，典型代表型或銅型，典型代表Cu、Ag、Au，配位數(shù)為，配位數(shù)為 ，空間利用率空間利用率74%體心立體心立方堆積方堆積又稱為又稱為A2型或鉀型，典型代表型或鉀型，典型代表Na、K、Fe，配位數(shù)為，配位數(shù)為 ，空，空間利用率間利用率68%六方最六方最密堆積密堆積又稱為又稱為A3型或鎂型，典型代表型或鎂型，典型代表Mg、Zn、Ti，配位數(shù)為，配位數(shù)為 ，空間利用率空間利用率74%6128122下列有關(guān)金屬晶體和離子晶體的敘述中，不正確的是下列

13、有關(guān)金屬晶體和離子晶體的敘述中，不正確的是( )A金屬鈉形成的晶體中，每個(gè)鈉原子周圍與其距離最近金屬鈉形成的晶體中，每個(gè)鈉原子周圍與其距離最近 的原子有的原子有8個(gè)個(gè)B金屬鎂形成的晶體中，每個(gè)鎂原子周圍與其距離最近金屬鎂形成的晶體中，每個(gè)鎂原子周圍與其距離最近 的原子有的原子有6個(gè)個(gè)C在在NaCl晶體中，每個(gè)晶體中，每個(gè)Na周圍與其距離最近的周圍與其距離最近的Na有有 12個(gè)個(gè)D在在CsCl晶體中，每個(gè)晶體中，每個(gè)Cs周圍與其距離最近的周圍與其距離最近的Cl有有8 個(gè)個(gè)練習(xí)練習(xí)B考點(diǎn)二晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較考點(diǎn)二晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較2同種晶體類型熔、沸點(diǎn)的比較同種晶體類型熔、沸點(diǎn)的比較 (1

14、)原子晶體：原子晶體： 1不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較不同類型晶體熔、沸點(diǎn)的比較 (1)不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律：不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低一般規(guī)律： 原子晶體離子晶體分子晶體。原子晶體離子晶體分子晶體。 (2)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。很高，汞、銫等熔、沸點(diǎn)很低。 如如 熔點(diǎn)：金剛石碳化硅硅。熔點(diǎn)：金剛石碳化硅硅。 分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高。分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高。 如如H2OH2TeH2SeH

15、2S。 (2)離子晶體：離子晶體： (3)分子晶體：分子晶體：一般地說，陰陽離子的一般地說，陰陽離子的電荷數(shù)越多電荷數(shù)越多，離子半徑越小離子半徑越小，則離，則離 子間的作用力就越強(qiáng)，其離子晶體的子間的作用力就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高熔、沸點(diǎn)就越高如熔點(diǎn)：如熔點(diǎn)：MgOMgCl2NaClCsCl。衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能晶格能。晶格能越大，形。晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高，硬度越大。成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高，硬度越大。 組成和結(jié)構(gòu)相似的組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如沸點(diǎn)越

16、高，如SnH4GeH4SiH4CH4。 組成和結(jié)構(gòu)不相似的組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)物質(zhì)(相對分子質(zhì)量接近相對分子質(zhì)量接近)，分子的，分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高，如極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高，如CON2，CH3OHCH3CH3。 同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。 如如CH3CH2CH2CH2CH3金屬金屬離子半徑越小離子半徑越小，離子電荷數(shù)越多離子電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬屬熔、沸點(diǎn)就越高熔、沸點(diǎn)就越高，如熔、沸點(diǎn)：，如熔、沸點(diǎn)：NaMgAl。 (4)金屬晶體：金屬晶體：3下列各物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由高到底的順序排列正確的是下列各物質(zhì)中，按

17、熔點(diǎn)由高到底的順序排列正確的是()ACH4SiH4GeH4SnH4BKClNaClMgCl2MgOCRbKNaLiD金剛石金剛石Si鈉鈉D4下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)的是有關(guān)的是 ()AF2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高BHF、HCl、HBr、HI的熔、沸點(diǎn)順序?yàn)榈娜邸⒎悬c(diǎn)順序?yàn)镠FHIHBrHClC金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅DNaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低的熔點(diǎn)依次降低C3下表給出幾種氯化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)：下表給出幾種氯化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)：

18、NaClMgCl2AlCl3SiCl4熔點(diǎn)熔點(diǎn)/80171419070沸點(diǎn)沸點(diǎn)/1 4131 41218057.57有關(guān)表中所列四種氯化物的性質(zhì)，有以下敘述：有關(guān)表中所列四種氯化物的性質(zhì)，有以下敘述：氯化鋁氯化鋁在加熱時(shí)能升華，在加熱時(shí)能升華，四氯化硅在晶態(tài)時(shí)屬于分子晶體，四氯化硅在晶態(tài)時(shí)屬于分子晶體，氯化鈉晶體中微粒之間以范德華力結(jié)合，氯化鈉晶體中微粒之間以范德華力結(jié)合，氯化鋁晶體是氯化鋁晶體是典型的離子晶體。其中與表中數(shù)據(jù)一致的是典型的離子晶體。其中與表中數(shù)據(jù)一致的是 ()A B C DA 例例2現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)()數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)：A組組B組組C組組D組組金剛石：金剛石：3

19、 550Li：181HF：83NaCl硅晶體：硅晶體：1 410Na：98HCl：115KCl硼晶體：硼晶體：2 300K：64HBr：89RbCl二氧化硅：二氧化硅：1 732Rb：39HI：51MgO：2 據(jù)此回答下列問題：據(jù)此回答下列問題：(1)由表格可知，由表格可知，A組熔點(diǎn)普遍偏高，據(jù)此回答：組熔點(diǎn)普遍偏高，據(jù)此回答：A組屬于組屬于_晶體，其熔化時(shí)克服的粒子間的作用力是晶體，其熔化時(shí)克服的粒子間的作用力是_；二氧化硅的熔點(diǎn)高于硅晶體，是由于二氧化硅的熔點(diǎn)高于硅晶體，是由于 ；原子原子共價(jià)鍵共價(jià)鍵SiO鍵鍵長小于鍵鍵長小于SiSi鍵，鍵能大鍵，鍵能大 例例2現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)現(xiàn)有幾組物

20、質(zhì)的熔點(diǎn)()數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)：A組組B組組C組組D組組金剛石：金剛石：3 550Li：181HF：83NaCl硅晶體：硅晶體：1 410Na：98HCl：115KCl硼晶體：硼晶體：2 300K：64HBr：89RbCl二氧化硅：二氧化硅：1 732Rb：39HI：51MgO：2 (2)B組晶體中存在的作用力是組晶體中存在的作用力是_，其共同的物理性，其共同的物理性質(zhì)是質(zhì)是_ (填序號填序號)，可以用，可以用_理論解釋。理論解釋。 有金屬光澤有金屬光澤導(dǎo)電性導(dǎo)電性導(dǎo)熱性導(dǎo)熱性 延展性延展性金屬鍵金屬鍵電子氣電子氣(3)C組中組中HF熔點(diǎn)反常是由于熔點(diǎn)反常是由于_。(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是組晶體

21、可能具有的性質(zhì)是_ (填序號填序號)。硬度小硬度小 水溶液能導(dǎo)電水溶液能導(dǎo)電固體能導(dǎo)電固體能導(dǎo)電 熔融狀態(tài)能導(dǎo)電熔融狀態(tài)能導(dǎo)電 例例2現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)()數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)：A組組B組組C組組D組組金剛石：金剛石：3 550Li：181HF：83NaCl硅晶體：硅晶體：1 410Na：98HCl：115KCl硼晶體：硼晶體：2 300K：64HBr：89RbCl二氧化硅：二氧化硅：1 732Rb：39HI：51MgO：2 HF分子間能形成氫鍵，其熔化分子間能形成氫鍵，其熔化時(shí)需要消耗的能量更多時(shí)需要消耗的能量更多 例例2現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)()數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)：A組組B組

22、組C組組D組組金剛石：金剛石：3 550Li：181HF：83NaCl硅晶體：硅晶體：1 410Na：98HCl：115KCl硼晶體：硼晶體：2 300K：64HBr：89RbCl二氧化硅：二氧化硅：1 732Rb：39HI：51MgO：2 (5)D組晶體中組晶體中NaCl、KCl、RbCl的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋旱娜埸c(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋篲，MgO晶體的熔點(diǎn)高于三者，其原因解釋晶體的熔點(diǎn)高于三者，其原因解釋為：為： NaClKClRbClMgO晶體為離子晶體，離子所帶電荷越多，半徑越小，晶體為離子晶體，離子所帶電荷越多，半徑越小，晶格能越大，熔點(diǎn)越高晶格能越大，熔點(diǎn)越高二、非選擇題二、非選擇題

23、4(1)氯酸鉀熔化，粒子間克服了氯酸鉀熔化，粒子間克服了_的作用力；的作用力；二氧化硅熔化，粒子間克服了二氧化硅熔化，粒子間克服了_的作用力；碘的的作用力；碘的升華，粒子間克服了升華，粒子間克服了_的作用力。三種晶體的熔的作用力。三種晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序是點(diǎn)由高到低的順序是_。(2)下列六種晶體：下列六種晶體：CO2，NaCl，Na，Si，CS2，金剛石，它們的熔點(diǎn)從低到高的順序?yàn)榻饎偸?，它們的熔點(diǎn)從低到高的順序?yàn)開 (填序號填序號)。離子鍵離子鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵分子間分子間SiO2KClO3I2(3)在在H2、(NH4)2SO4、SiC、CO2、HF中，由極性鍵形成的中，由極性鍵形成的非極性

24、分子是非極性分子是_，由非極性鍵形成的非極性分子，由非極性鍵形成的非極性分子是是_，能形成分子晶體的物質(zhì)是，能形成分子晶體的物質(zhì)是_，含有氫鍵的晶體的化學(xué)式是含有氫鍵的晶體的化學(xué)式是_，屬于離，屬于離子晶體的是子晶體的是_，屬于原子晶體的是，屬于原子晶體的是_，五種物質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序，五種物質(zhì)的熔點(diǎn)由高到低的順序是是 。CO2H2H2、CO2、HFHF(NH4)2SO4SiCSiCSiC(NH4)2SO4HFCO2H2(4)A、B、C、D為四種晶體，性質(zhì)如下：為四種晶體，性質(zhì)如下：A固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，能溶于鹽酸固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，能溶于鹽酸B能溶于能溶于CS2，不溶于水，不溶于水C固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，液

25、態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，可溶于水固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，液態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，可溶于水D固態(tài)，液態(tài)時(shí)均不導(dǎo)電，熔點(diǎn)為固態(tài)，液態(tài)時(shí)均不導(dǎo)電，熔點(diǎn)為3 500試推斷它們的晶體類型：試推斷它們的晶體類型：A_；B._；C_；D._。金屬晶體金屬晶體分子晶體分子晶體離子晶體離子晶體原子晶體原子晶體8(2011海南高考海南高考)(1)元素金元素金(Au)處于周期表中的第六周期，處于周期表中的第六周期，與與Cu同族，同族，Au原子最外層電子排布式為原子最外層電子排布式為_；一種銅合金；一種銅合金晶體具有立方最密堆積的結(jié)構(gòu)，在晶胞中晶體具有立方最密堆積的結(jié)構(gòu)，在晶胞中Cu原子處于面心，原子處于面心，Au原子處于頂點(diǎn)位置，則該合金中原子處

26、于頂點(diǎn)位置，則該合金中Cu原子與原子與Au原子數(shù)量之比原子數(shù)量之比為為_；該晶體中，原子之間的作用力是；該晶體中，原子之間的作用力是_；(2)上述晶體具有儲氫功能，氫原子可進(jìn)入到由上述晶體具有儲氫功能，氫原子可進(jìn)入到由Cu原子與原子與Au原原子構(gòu)成的四面體空隙中。若將子構(gòu)成的四面體空隙中。若將Cu原子與原子與Au原子等同看待，該原子等同看待，該晶體儲氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與晶體儲氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與CaF2的結(jié)構(gòu)相似，該晶體儲氫后的化的結(jié)構(gòu)相似，該晶體儲氫后的化學(xué)式應(yīng)為學(xué)式應(yīng)為_。6s13 1金屬鍵金屬鍵Cu3AuH810(2011新課標(biāo)全國高考新課標(biāo)全國高考)氮化硼氮化硼(BN)是一種重要的功能是一種重

27、要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到得到BF3和和BN，如圖所示：，如圖所示：(2)基態(tài)基態(tài)B原子的電子排布式為原子的電子排布式為_ ；B和和N相比，電負(fù)相比，電負(fù)性較大的是性較大的是_，BN中中B元素的化合價(jià)為元素的化合價(jià)為_；1S22S22P1+3N10(2011新課標(biāo)全國高考新課標(biāo)全國高考)氮化硼氮化硼(BN)是一種重要的功能是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以陶瓷材料。以天然硼砂為起始物，經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到得到BF3和和BN，如圖所示：，如圖所示：120SP2正四面體正四面體10(2011新課標(biāo)全國高考新課標(biāo)全國高考)氮化硼氮化硼(BN)是一種重要的功能是一種重要的功能陶瓷材料。以天