安康市年產(chǎn)2萬噸半導(dǎo)體材料項目建議書

1、安康市年產(chǎn)2萬噸半導(dǎo)體材料項目建議書編制單位：安康市招商局編制時間：2015年10月安康市年產(chǎn)2萬噸半導(dǎo)體材料項目建議書一、安康市概況安康市古稱金州，地處我國南北交匯處和東西結(jié)合部，位于關(guān)天、成渝、江漢三大經(jīng)濟圈的幾何中心，地理條件優(yōu)越，是全國為數(shù)不多的富硒產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略基地，也是全世界難得的土壤富硒且易于被植物吸收的富硒區(qū)域。安康市周邊與四川、重慶、湖北毗鄰，南依大巴山北坡，北靠秦嶺主脊，長江最大支流漢江由西向東橫貫其中，構(gòu)成“兩山夾一川”的自然地貌，是南水北調(diào)中線工程的水源地。全市國土面積23529平方公里，轄1區(qū)9縣，總?cè)丝?03萬人，森林覆蓋率60%，氣候溫暖濕潤，冬無嚴寒，夏無酷暑，四季分

2、明，雨量充沛，屬亞熱帶大陸性季風(fēng)氣候，無霜期長（210-270天），年平均氣溫12-15攝氏度左右。全市日照時數(shù)1495.6小時（鎮(zhèn)坪）-1836.2小時（白河）之間。年降水量在750毫米-1100毫米之間。安康市交通條件便利，有襄渝、滬蓉、西康三條電氣化鐵路，有包茂高速西安至安康至紫陽段、京昆高速安康段、十天高速安康至漢中段三條高速公路，316、210兩條國道在此交匯，還有7條高速公路、5條鐵路、1個中型機場相繼建成，安康將真正成為連接西北、西南、華中的重要交通樞紐。安康市境內(nèi)蘊藏著極為豐富的石英礦產(chǎn)（3000萬噸），主要分布于漢濱區(qū)早陽鄉(xiāng)（儲量1000萬噸）、花園鄉(xiāng)、譚壩鄉(xiāng)、石泉縣城關(guān)鎮(zhèn)銀

3、屏山、銀龍鄉(xiāng)，白河冷水鎮(zhèn)、中廠鄉(xiāng)，以及嵐皋、平利、旬陽、紫陽、鎮(zhèn)坪等地區(qū)具有儲量大、品位高的特點，開發(fā)利用價值較大。豐富優(yōu)質(zhì)的石英礦石是發(fā)展半導(dǎo)體材料的重要基礎(chǔ)資源，優(yōu)越的區(qū)位交通可為周邊成都、重慶、西安等國家重要的電子信息產(chǎn)業(yè)基地提供很好的配套服務(wù)。所以，建設(shè)年產(chǎn)2萬噸半導(dǎo)體材料項目市場前景廣闊。二、項目提出的背景和建設(shè)的必要性(一)、項目提出的背景1、半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀、半導(dǎo)體材料發(fā)展現(xiàn)狀半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的固體材料。半導(dǎo)體于室溫時電導(dǎo)率約在 101010000/cm 之間，純凈的半導(dǎo)體溫度升高時電導(dǎo)率按指數(shù)上升。半導(dǎo)體材料有很多種，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)

4、體兩大類。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導(dǎo)體材料；將砷化鎵、磷化錮、磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導(dǎo)體材料；而將寬禁帶(Eg>2.3eV)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導(dǎo)體材料。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，三代半導(dǎo)體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。硅材料。硅材料可算半導(dǎo)體中應(yīng)用最為廣泛的一類材料，目前直徑為8英寸的Si單晶已經(jīng)實現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)，基于直徑為12英寸硅片的集成電路技術(shù)正處在由實驗室向工業(yè)生產(chǎn)轉(zhuǎn)變中。目前，直徑8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，下一目標是更大尺寸的片材。GaAs和InP單晶材料。這種材料可以提高

5、器件和電路的速度以及解決由于集成度的提高帶來的功耗增加問題。其優(yōu)勢頗多：一是發(fā)光效率比較高;二是電子遷移率高，適合于制作超高速、超高頻、低噪音的電路;三是可以實現(xiàn)光電集成，大大提高電路的功能和運算速度。目前，基于GaAs和InP的超晶格、量子阱材料已經(jīng)發(fā)展得很成熟，廣泛應(yīng)用于光通信、移動通訊、微波通訊領(lǐng)域。寬帶隙半導(dǎo)體材料。氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等均屬于寬帶隙半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶，適用于航空航天等高溫惡劣環(huán)境中。例如，如果用碳化硅的高功率發(fā)射器件，體積至少可以減少幾十到上百倍，壽命亦大大增加，因此，高溫寬帶隙半導(dǎo)體材料是非常重要的新型半

6、導(dǎo)體材料。目前該材料在研究中的瓶頸在于材料極難生長，或者長出來的材料缺陷很多，各國科學(xué)家們都在著力解決這個問題。低維半導(dǎo)體材料。事實上，這里所講的低維半導(dǎo)體材料即納米材料。目前，低維半導(dǎo)體材料生長與制備主要集中在幾個比較成熟的材料體系，如GaAlAs/GaAs，In(Ga)As/GaAs，GeSi/Si等，并在納米微電子和光電子研制方面取得了重大進展。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎(chǔ)材料，支撐著通信、計算機、信息家電與網(wǎng)絡(luò)技術(shù)等電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會 (SEMI)的數(shù)據(jù)，2014 年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為443億美元，其中晶圓制造

7、材料和封裝材料分別為240 億美元和204億美元。分區(qū)域來看，由于臺灣有著龐大的晶圓代工和先進封裝產(chǎn)業(yè)，連續(xù)五年蟬聯(lián)半導(dǎo)體材料的最大消耗市場，日本和韓國市場分居二、三位，中國大陸是近幾年增長最快的區(qū)域之一，2014 年半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達到了58.3 億美元，位列全球第四。、我國半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀中國半導(dǎo)體材料行業(yè)經(jīng)過四十多年發(fā)展，先后在單晶硅、砷化鎵、碳化硅等半導(dǎo)體材料方面取得了相當大的進展。目前，我國半導(dǎo)體材料企業(yè)的數(shù)量眾多，但大都集中于低端產(chǎn)品。以晶圓制造材料為例，國內(nèi)廠商大多只能供應(yīng)6 英寸及以下生產(chǎn)線所用材料，8 英寸及以上生產(chǎn)線所需材料基本只能依靠海外的公司，像半導(dǎo)體用光刻膠、12 寸

8、硅晶圓、一些超高凈純試劑等高端的材料化學(xué)品基本都要進口。在封裝材料領(lǐng)域，一些封裝樹脂材料、IC 載板及相關(guān)材料、焊線等材料也以進口居多。近年來中國企業(yè)在高端領(lǐng)域已逐漸有所建樹。中國半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展已經(jīng)超過了十年，期間出現(xiàn)了諸如如江豐電子、科華微電子、上海新傲、上海新陽、安集微電子等一批優(yōu)秀的材料公司，這些公司都經(jīng)歷了行業(yè)的起伏和經(jīng)濟周期的歷練，2009 年金融危機以及2011 年日本海嘯給這個行業(yè)帶來了變革，供應(yīng)鏈的穩(wěn)定供貨逐漸成為整個半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)注焦點，這也為本土材料企業(yè)帶來了新的機遇。近年來，在國家的政策和基金扶持、下游終端市場需求驅(qū)動、產(chǎn)業(yè)鏈上下游密切合作、行業(yè)自身不斷突破等因素的

9、共同推動下，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同不再是流于表面，國內(nèi)一些走在前頭的材料公司已經(jīng)能夠打入下游龍頭企業(yè)的供應(yīng)體系，已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)與集成電路先進晶圓制造和先進封裝工藝同步研發(fā)、同步認證、同步量產(chǎn)，國內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)正逐漸成為全球半導(dǎo)體材料的一支重要力量。目前，高純化學(xué)試劑、CMP 拋光材料、高端IC 制造用電子氣體、高端濺射靶材、IC 封裝載板、聚酰亞胺薄膜等高端半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已經(jīng)有中國廠商涉足，部分材料品種已進入12 英寸先進技術(shù)節(jié)點Fab 生產(chǎn)線。完備的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)配套、旺盛的下游需求、價格和服務(wù)，國內(nèi)廠商的這些優(yōu)勢顯而易見，只要供給跟得上，國內(nèi)需求都能將其覆蓋。本土材料行業(yè)和企業(yè)整體上看處于上升趨勢的初段，當

10、前技術(shù)、規(guī)模、團隊提升顯著，從成熟的中低端市場逐漸向高端藍海市場延伸，我們認為一旦開啟通往高端半導(dǎo)體材料之路，本土半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)就將逐漸地被三星、臺積電、日月光等國際龍頭所認可，正反饋效應(yīng)將更加推動本土材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，上升爆發(fā)力更加強勁有力。此外，未來IC 大基金將逐漸滲透到產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，外延式并購對本土半導(dǎo)體材料而言將成為一種切實可行的發(fā)展路徑。根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會 (SEMI)的數(shù)據(jù)，2014 年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為443億美元，中國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達到了58.3 億美元，位列全球第四。2、項目建設(shè)的背景電子信息材料的總體發(fā)展趨勢是向著大尺寸、高均勻性、高完整性、以及薄膜化

11、、多功能化和集成化方向發(fā)展。當前的研究熱點和技術(shù)前沿包括柔性晶體管、光子晶體、SiC、GaN、ZnSe等寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料、有機顯示材料以及各種納米電子材料等。隨著電子學(xué)向光電子學(xué)、光子學(xué)邁進，微電子材料在未來510年仍是最基本的信息材料。電子、光電子功能單晶將向著大尺寸、高均勻性、晶格高完整性以及元器件向薄膜化、多功能化、片式化、超高集成度和低能耗方向發(fā)展。半導(dǎo)體微電子材料由單片集成向系統(tǒng)集成發(fā)展。微電子技術(shù)發(fā)展的主要途徑是通過不斷縮小器件的特征尺寸，增加芯片面積以提高集成度和信息處理速度，由單片集成向系統(tǒng)集成發(fā)展。Si、GaAs、InP等半導(dǎo)體單晶材料向著大尺寸、高均

12、質(zhì)、晶格高完整性方向發(fā)展。椎8英吋硅芯片是目前國際的主流產(chǎn)品，椎12英吋芯片已開始上市，GaAs芯片椎4英吋已進入大批量生產(chǎn)階段，并且正在向椎6英吋生產(chǎn)線過渡；對單晶電阻率的均勻性、雜質(zhì)含量、微缺陷、位錯密度、芯片平整度、表面潔凈度等都提出了更加苛刻的要求。在以Si、GaAs為代表的第一代、第二代半導(dǎo)體材料繼續(xù)發(fā)展的同時，加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC、GaN、ZnSe、金剛石材料和用SiGe/Si、SOI等新型硅基材料大幅度提高原有硅集成電路的性能是未來半導(dǎo)體材料的重要發(fā)展方向。繼經(jīng)典半導(dǎo)體的同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)之后，基于量子阱、量子線、量子點的器件設(shè)計、制造和集成技術(shù)在未來515

13、年間，將在信息材料和元器件制造中占據(jù)主導(dǎo)地位，分子束外延 MBE 和金屬有機化合物化學(xué)汽相外延 MOCVD 技術(shù)將得到進一步發(fā)展和更加廣泛的應(yīng)用。高純化學(xué)試劑和特種電子氣體的純度要求將分別達到lppb0.1ppb和6N級以上，0.5m以上的雜質(zhì)顆粒必須控制在5個/毫升以下，金屬雜質(zhì)含量控制在ppt級，并將開發(fā)替代有毒氣體的新品種電子氣體。3、項目建設(shè)的必要性符合國家產(chǎn)業(yè)政策國家發(fā)展和改革委員會發(fā)布實施了產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2015年本)，本項目生產(chǎn)產(chǎn)品為半導(dǎo)體材料，符合第一類：鼓勵類，第二十八條：信息產(chǎn)業(yè)，第22款“半導(dǎo)體、光電子器件、新型電子元器件等電子產(chǎn)品材料”。因此，該項目的建設(shè)符合國

14、家產(chǎn)業(yè)政策。符合產(chǎn)業(yè)和和行業(yè)規(guī)劃2012年，工業(yè)和信息化部出臺了電子信息制造業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃，大力支持半導(dǎo)體材料發(fā)展，支持開發(fā)先進技術(shù)和產(chǎn)品，加快半導(dǎo)體材料的創(chuàng)新改進和進入市場速度。產(chǎn)品市場不斷擴大地需求半導(dǎo)體材料市場廣闊，具有很好的社會效益和經(jīng)濟效益。隨著社會進步，生活水平提高，人們對環(huán)境保護日益重視，APET片材這一環(huán)保產(chǎn)品越來越受到人們的歡迎，APET片材設(shè)備的發(fā)展前景將更加廣闊。當?shù)卣罅χС值男枰部凳写罅χС中虏牧系陌l(fā)展,出臺了關(guān)于加快新型材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見，在資金、物質(zhì)、人才等方面進行扶持、引導(dǎo)和獎勵, 在土地、環(huán)境、手續(xù)等方面的大力支持，該項目適合安康市綜合開發(fā)的需要，可

15、作為安康市的新興產(chǎn)業(yè)扶持項目，切實推進安康市相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，符合安康市的投資導(dǎo)向，并能促進全市出口創(chuàng)匯工作。三、市場需求分析中國的IT產(chǎn)業(yè)即將進入快速發(fā)展時期，這一點已成為人們的普遍共識。在信息產(chǎn)品市場的拉動下，電子信息材料產(chǎn)業(yè)也將獲得持續(xù)較快的增長。電子信息材料業(yè)在IT產(chǎn)業(yè)中乃至整個國民經(jīng)濟中的地位將會進一步上升。中國制造2025重點聚焦十大領(lǐng)域，其中新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)包括集成電路及專用裝備、信息通信設(shè)備、操作系統(tǒng)及工業(yè)軟件三個大類，并將集成電路列在首位。半導(dǎo)體已上升到國家戰(zhàn)略的高度，近年以來扶持政策層出不窮。從大的政策層面來看，2014 年國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要正式出臺，而后國家集成

16、電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組和產(chǎn)業(yè)投資基金成立和運行，政府工作報告多次強調(diào)集成電路、信息網(wǎng)絡(luò)兩個重要問題，可以說集成電路逐漸上升到國家戰(zhàn)略的高度，集成電路產(chǎn)業(yè)作為其他各項新興應(yīng)用的基礎(chǔ)占據(jù)了越來越高的戰(zhàn)略地位。據(jù)中國報告大廳發(fā)布的半導(dǎo)體行業(yè)市場調(diào)查分析報告統(tǒng)計，2014年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入達3015.4億元，同比增長20.2，增速較2013年提高4個百分點。業(yè)界預(yù)測，2015年我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到3500億元，相關(guān)產(chǎn)業(yè)增速將達到19.4。世界半導(dǎo)體行業(yè)巨頭紛紛到國內(nèi)投資，整個半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展，這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐?？梢哉f，市場發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來前所未有的發(fā)展機

17、遇。四、 產(chǎn)品方案及生產(chǎn)工藝（一）產(chǎn)品方案根據(jù)產(chǎn)品市場、技術(shù)和設(shè)備及資金籌措能力等因素，確定項目為年產(chǎn)導(dǎo)電涂層材料、樹脂材料、防靜電樹脂材料等產(chǎn)品，年形成達到2萬噸的規(guī)模。 （二）生產(chǎn)工藝1、生產(chǎn)工藝流程如下圖：印刷涂飾劑生產(chǎn)工藝印刷工藝2、工藝流程簡述粒料干燥擠出機擠出換網(wǎng)壓光成型托架冷卻牽引收卷包裝進料攪拌冷卻反應(yīng)混合分離攪拌分散檢測3、廠址選擇項目建設(shè)地擬選擇安康市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，項目占地50畝。安康高新區(qū)位于漢江之北，規(guī)劃控制面積67平方公里，與安康中心城市一橋相連,是國家級高新技術(shù)開發(fā)區(qū)。近年來，圍繞建設(shè)中國富硒食品、中國植物提取、陜西新型材料“三大基地”、打造陜、川、渝、鄂交匯區(qū)的

18、產(chǎn)業(yè)、研發(fā)、商業(yè)、物流“四大中心”和富硒食品、生物醫(yī)藥、新型材料、特色服務(wù)、裝備制造“五大產(chǎn)業(yè)”建設(shè)，已逐步成為安康戰(zhàn)略門戶之區(qū)、宜業(yè)宜居之區(qū)、生態(tài)文化之區(qū)和循環(huán)產(chǎn)業(yè)之區(qū)。高新區(qū)的功能定位和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向是本項目落戶的最佳選擇地。五、投資估算及資金籌措（一） 主要建設(shè)內(nèi)容項目新建生產(chǎn)車間、倉庫以及水電氣等公用基礎(chǔ)設(shè)施廠房15000平方米，購置真空型高速分散機、行星攪拌機、自動上料機、連續(xù)干燥機、三輥壓光機、單螺桿擠出機、換網(wǎng)器、片材機頭、導(dǎo)電液制造設(shè)備等各種生產(chǎn)和檢測設(shè)備35臺（套），形成年產(chǎn)導(dǎo)電涂層材料、樹脂材料、防靜電樹脂材料等半導(dǎo)體材料2萬噸。（二） 投資估算通過初步分析估算，本項目工程總投8000萬元。其中，建設(shè)投資2500萬元，設(shè)備購置及安裝費4000萬元，流動資金1000萬元，其它費用500萬元。（三） 資金籌措項目總投資8000萬元，資金來源為企業(yè)自籌。六、效益分析：（一）經(jīng)濟效益1、項目總投資8000萬元其中：建設(shè)投資2500萬元設(shè)備購置及安裝費4000萬元流動資金1000萬元其它費用500萬元2、年銷售收入20000萬元3、正常年