內存種類知多少_圖文

1、內存種類知多少？一五一十告訴你吧！凡是對電腦有所了解的朋友都知道內存這玩意，可是，可能有不少朋友對內存的認識僅僅局限在SDRAM和DDR SDRAM這兩種類型，事實上，內存的種類是非常多的，從能否寫入的角度來分，就可以分為RAM(隨機存取存儲器和ROM(只讀存儲器這兩大類。每一類別里面有分別有許多種類的內存。以下就讓我們看看內存到底有些什么種類吧！ 一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器RAM的特點是：電腦開機時，操作系統(tǒng)和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，并且隨時可以對存放在里面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續(xù)的電力提供，一旦系統(tǒng)斷電，存放

2、在里面的所有數據和程序都會自動清空掉，并且再也無法恢復。根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：（Dynamic RAM，動態(tài)隨機存取存儲器）：這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為24ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。（Static RAM，靜態(tài)隨機存取存儲器）靜態(tài)，指的是內存里面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器

3、，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態(tài)隨機處理內存處理速度更快更穩(wěn)定，往往用來做高速緩存。（Video RAM，視頻內存）它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負擔。它采用雙數據口設計，其中一個數據口是并行式的數據輸出入口，另一個是串行式的數據輸出口。多用于高級顯卡中的高檔內存。04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態(tài)隨機存取存儲器）改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統(tǒng)的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發(fā)了行地

4、址后，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續(xù)輸出列地址而不必再輸出行地址了。由于一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續(xù)的，這種情況下輸出行地址后連續(xù)輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續(xù)區(qū)域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態(tài)隨機存取存儲器）這是繼FPM之后出現的一種存儲器，一般為72Pin、168

5、Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定一段時間，然后才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用于中檔以下的Pentium主板標準內存，后期的486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM開始執(zhí)行。06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發(fā)式延伸數據輸出動態(tài)隨機存取存儲器）這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一個地址計數器

6、來追蹤下一個地址。它是突發(fā)式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出后，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。（Multi-Bank DRAM，多插槽動態(tài)隨機存取存儲器）MoSys公司提出的一種內存規(guī)格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，一般應用于高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用于L2高速緩存中。（Window

7、RAM，窗口隨機存取存儲器）韓國Samsung公司開發(fā)的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區(qū)塊搬移功能（BitBlt），可應用于專業(yè)繪圖工作上。（Rambus DRAM，高頻動態(tài)隨機存取存儲器）Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存后內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用于專業(yè)的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。（Synchronous DRAM，同步動態(tài)隨機存取存儲器）這是一種與CPU實

8、現外頻Clock同步的內存模式，一般都采用168Pin的內存模組，工作電壓為。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）SDRAM的改良版，它以區(qū)塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，并提供區(qū)塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高于SDRAM。12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器）一

9、般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統(tǒng)同步，這就是SB SRAM產生的原因。13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器）CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loo

10、p：延時鎖定回路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環(huán)動態(tài)隨機存取存儲器） 這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由于技術顯示，投入實用的難度不小。（CACHED DRAM，同步緩存動態(tài)隨機存取存儲器）這是三菱電氣公司首先研制的專利技術，它是在DRAM芯片的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統(tǒng)性能產生的影響將會越來越大

11、，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散后將既有的研發(fā)成果與DDR整合之后的未來新標準。DDRII的詳細規(guī)格目前尚未確定。18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM是下一代的主流內存標準之一，由Rambus 公司所設計發(fā)展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。二、

12、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性制造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，并且不能夠進行修改。一般應用于PC系統(tǒng)的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System等。它的讀取速度比RAM慢很多。根據組成元件的不同，ROM內存又分為以下五種：1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）制造商為了大量生產ROM內存，需要先制作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然后再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的

13、成本比較低。2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為“一次可編程只讀存儲器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1， 以實現對其“編程”的目的。3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）這是一種具有可擦除功能，擦除后即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把里面的內容用紫外線照射它的IC卡上的透明視窗的方式來清除掉。這一類芯片比較容易識別，其封裝中包含有“石英玻璃窗”，一個編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦