郝麗敏—分析ESD發(fā)生器和耦合的頻域測(cè)量方法

1、分析靜電放電發(fā)生器 與耦合的頻域測(cè)量方法 郝麗敏 摘摘 要要：在頻域中分析 ESD 發(fā)生器與耦合需要一種方法。在 ESD 發(fā)生器中，脈沖由通過(guò)繼電器觸點(diǎn)的電壓驟降產(chǎn)生。這種電壓的驟降被一個(gè)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的一個(gè)端口所替代。所有的形成矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀電流脈沖與瞬時(shí)場(chǎng)的分立元件，與它們組成的結(jié)構(gòu)都被矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀所激發(fā)，就像它們被電壓的驟降所激發(fā)一樣。這樣一來(lái)，這種方法就允許在消除電路的風(fēng)險(xiǎn)，并且允許使用相對(duì)于示波器來(lái)說(shuō)寬動(dòng)態(tài)范圍的網(wǎng)絡(luò)分析儀的情況下，且在不使用 ESD 器時(shí)，分析電流與場(chǎng)的線性耦合。這種方法適用于其它電壓驟降的驅(qū)動(dòng)下的測(cè)試，例如電氣快速瞬變，需要一個(gè)線性耦合路徑的超寬帶磁化系數(shù)的測(cè)量

2、。 關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞：ESD，網(wǎng)絡(luò)分析儀，仿真 Abstract: In frequency domain analysis ESD generator and coupling need a way. In ESD generator, by through the relay contacts pulse of voltage sag produce. This voltage sag is a vector network analyzer, a port instead. All of the form vector network analyzer current pulse and i

3、nstantaneous field division components, and they structure composed of vector network analyzer were motivated by, as they are motivated by the same voltage sag. So, this kind of method is allowed to eliminate the risk of the circuit, and allows the use of relative to oscilloscope is wide dynamic ran

4、ge of network analyzer, and not in use for ESD, the analysis of the current and a linear coupling. This kind of method applies to other voltage sag under the drive of the test, such as electrical fast transient, need a linear coupling path of ultra-wideband magnetized coefficient measurement. Key wo

5、rds: ESD，network analyzer，simulation 圖 1 三種不同的表現(xiàn)簡(jiǎn)單的電容放電電流流過(guò)電阻 RL 的電路 1.方法方法 A基本概念 這種方法基于在線性系統(tǒng)中時(shí)域與頻域的相似點(diǎn)。為顯示這個(gè)原理，讓我們從使用重現(xiàn)三個(gè)高度簡(jiǎn)化的 ESD發(fā)生器對(duì)負(fù)載放電的電路開(kāi)始。 在圖 1 中，電路 A 中，一個(gè)電容 C 有一個(gè)初始的電壓 VS，在一個(gè)理想的繼電器時(shí)間 t=0 內(nèi)被放電。電流流過(guò)RS與 RL，我們感興趣的是在 RL兩端的電壓。電路元件 C，RS，RL與開(kāi)關(guān)就如同一個(gè)高度近似的 ESD 發(fā)生器與測(cè)試下的設(shè)備在一起時(shí)那樣運(yùn)作。 通過(guò)分析在 t0 時(shí)可見(jiàn)，在開(kāi)關(guān)串聯(lián)的電容有

6、初始電壓 VS（電路 A）時(shí)相比于串聯(lián)有一個(gè)階梯電壓源且沒(méi)有初始電壓的電容（電路 B）時(shí)，終端負(fù)載 RL上的電壓與電流并沒(méi)有不同。 實(shí)際上，通過(guò)一個(gè)時(shí)域轉(zhuǎn)換（TDT）儀的階梯函數(shù)端口與一個(gè)測(cè)量 RL 兩端電壓（耦合電壓）的示波器端口能夠替代這個(gè)延時(shí)。但是，時(shí)域轉(zhuǎn)換儀的動(dòng)態(tài)范圍遠(yuǎn)小于網(wǎng)絡(luò)分析儀的動(dòng)態(tài)范圍，并且時(shí)域分析的抽樣會(huì)輕易地被意外的 ESD 時(shí)間破壞。因此，我們以一個(gè)網(wǎng)絡(luò)分析儀替代時(shí)域轉(zhuǎn)換儀。這個(gè)原理的實(shí)現(xiàn)如題 1 所示的電路 C。 端口 1 連接繼電器部分，端口 2 通過(guò)一個(gè) 50 的電阻測(cè)量電壓。在時(shí)域中網(wǎng)絡(luò)分析儀的轉(zhuǎn)換被用來(lái)得到時(shí)域結(jié)果。網(wǎng)絡(luò)分析儀的動(dòng)態(tài)范圍的典型要求是 100dB，

7、好于時(shí)域轉(zhuǎn)換儀的 50-60dB 以及示波器的 40dB，如果不使用平均化或信號(hào)加強(qiáng)技術(shù)的話。 B實(shí)現(xiàn) 一個(gè) ESD 發(fā)生器的主要模塊是一個(gè)高電壓，有繼電器，有脈沖形成網(wǎng)絡(luò)，放電電阻（RD） ，一個(gè)儲(chǔ)能電阻（RD） ，一個(gè)接地線與 ESD 發(fā)生器主體的電壓源（見(jiàn)圖 2） 。當(dāng)繼電器開(kāi)啟時(shí)，高電壓的的電壓源對(duì) CS 充電。此時(shí)繼電器片之間的縫隙已經(jīng)足夠小，一個(gè)電擊穿將導(dǎo)致電容放電。 圖 2 一個(gè)簡(jiǎn)易的 ESD 發(fā)生器的等效電路。 高電壓電壓源對(duì)儲(chǔ)能電容（CS）充電。在電容開(kāi)始放電的瞬間繼電器被關(guān)閉。 圖 3 一個(gè)簡(jiǎn)易的改進(jìn)后的 ESD 發(fā)生器的等效電路。為了模仿電路的時(shí)域特性， 電壓的暴跌以矢量

8、網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口 1 所替代并使之允許與繼電器片直接接觸。繼電器附件被開(kāi)啟。 隨著在繼電器片接觸時(shí)電路激勵(lì)的發(fā)生，網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口 1 需要被連接到繼電器片上就如圖 3 所示。顯然，如果不能移除這個(gè)高電壓電壓源，它就需要被關(guān)閉。網(wǎng)絡(luò)分析儀通過(guò)它內(nèi)部的電壓源激勵(lì)了 ESD 發(fā)生器。 在圖 2 中的電壓 V 下降得非常快5。它近似于一個(gè)對(duì) ESD 發(fā)生器的階梯響應(yīng)激勵(lì)。通過(guò)在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀中使用傅里葉逆變換與視窗功能的構(gòu)建，這個(gè)階梯響應(yīng)能被輕易地以 S21 數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)顯示出來(lái)。 傅里葉逆變換（DFT）表達(dá)如下： 10NnkknknXX zx z，k=0,1,2,N-1 (1) 其中exp2kzjk

9、 N。 圖 4 改良后的 ESD 發(fā)生器組件。繼電器被打開(kāi)并且同軸電纜被連接在繼電器的觸體上， SMA 接頭被連在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀上。 如果我們?cè)谝陨系男问街惺褂?Zk，那么就會(huì)變成片分 Z 變換（CZT） ： kkzAW， k=0,1,M-1 (2) 當(dāng) M 為任意的整數(shù)，并且 A 與 W 為任意復(fù)數(shù)時(shí)就有020jAA e與020jWW e。 若 A=1，M=N，exp2WjN與離散的傅里葉變換相符。 CZT 是一種抽取 Z 變換的計(jì)算方法，這種方法在應(yīng)用中相比快速傅里葉變換（FFT）更普遍也更靈活16。 窗口化也是需要的因?yàn)轭l域的帶限響應(yīng)的測(cè)量造成了時(shí)域中響應(yīng)的循環(huán)。窗口化通過(guò)在進(jìn)行轉(zhuǎn)換成時(shí)

10、域數(shù)據(jù)之前過(guò)濾頻域數(shù)據(jù)的方法改善了時(shí)域結(jié)果的動(dòng)態(tài)范圍，同時(shí)也付出了有好的數(shù)據(jù)的頻率響應(yīng)的代價(jià)17，18。 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口 2 能被連接多種傳感器類型，例如一個(gè)指向捕獲 ESD 放電波形的 ESD 電流輸出，或是一個(gè)與測(cè)量的電子系統(tǒng)導(dǎo)線內(nèi)，場(chǎng)傳感器內(nèi)，或是印刷電路板上的走線內(nèi)電流有關(guān)聯(lián)的電流的輸出。這些結(jié)果顯示在章節(jié) 3 中。 這種潛在的方法，如上所述是很簡(jiǎn)便的。但是，為達(dá)到好的效果，需要一個(gè)更仔細(xì)的實(shí)現(xiàn)的方式。有三點(diǎn)要特別注意。 圖 5 一個(gè) ESD 發(fā)生器的等效電路。Rt 與 Ri 代表電流目標(biāo)的電阻與示波器的輸入阻抗 1） 在觸點(diǎn)上矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口 1 需要被準(zhǔn)確地連在繼電器片兩

11、端。 任何來(lái)自于上面的偏差都將改變?cè)谏漕l上的反應(yīng)因?yàn)榧?lì)點(diǎn)將會(huì)偏離正確的位置。繼電器部分的陶瓷附件被開(kāi)啟，使其能用一個(gè)薄的同軸電纜將其直接連接到繼電器片。 （如圖 4） 2） 電源阻抗應(yīng)被匹配到的 ESD 發(fā)生器電路繼電器部分內(nèi)由火花產(chǎn)生的阻抗上。連接處的阻抗有三部分的變化。首先，這是一個(gè)開(kāi)路（t0） ；其次，繼電器被一個(gè)時(shí)變的電阻進(jìn)行很好的描述（t=0 至大約 100ps） ；然后，這個(gè)繼電器被一個(gè)連續(xù)的 25-40V 的電壓源進(jìn)行很好的描述。使用一個(gè) 50 的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口來(lái)替換繼電器，導(dǎo)致由脈沖形成電路造成的額外的損耗與回響衰減（見(jiàn)章節(jié)一個(gè) 39 的片電阻被焊接為與繼電器觸體并聯(lián)用

12、來(lái)減小源阻抗。這個(gè)電阻如圖 4 所示。 3） 這個(gè)附加的電纜應(yīng)該電磁透明，那就是，在上面沒(méi)有共模電流流動(dòng)。一個(gè)低頻與高頻材料的結(jié)合（商品名稱Gigabuster）已經(jīng)被用來(lái)減小共模電流。這個(gè)精密的布置是實(shí)驗(yàn)最優(yōu)化的的結(jié)果。 C通過(guò)的 SPICE 仿真結(jié)果確認(rèn) SPICE 仿真被用來(lái)核實(shí)這種方法。建立在一個(gè) ESD 發(fā)生器基礎(chǔ)上的等效電路在5中給出，這些需要使用頻域方法的改變已經(jīng)被實(shí)現(xiàn)了。 幾種 ESD 發(fā)生器的等效電路的形式已由46給出。如圖 5 中的電路所示，電阻 Rt與 Ri分別代表電流目標(biāo)的電阻與示波器的輸入電阻。每個(gè) 圖 6 改良后的 ESD 發(fā)生器的等效電路。電阻 Rt 與電阻 Ri

13、 代表電流目標(biāo)的電阻與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀端口 2 的輸入電阻。端口 1 由電壓源 VS 與內(nèi)部阻抗 RS 表示。轉(zhuǎn)換器與 Ra 分別代表用來(lái)減小源阻抗的鐵氧體與附加電阻。 圖 7 使用時(shí)域計(jì)算的電流與頻域分析結(jié)果的比較 元件的功能在5的表 1 中有解釋。 電容 C1 被充電至最高電壓。 這個(gè)代表了它被 ESD 發(fā)生器中的高壓電壓源充電。 。在關(guān)上繼電器后，放電電流經(jīng)過(guò)探針流過(guò) Rt。 改進(jìn)過(guò)的發(fā)生器如圖 6 所示。 1） 階梯電壓源 VS 代表網(wǎng)絡(luò)分析儀的頻率掃描源頭。 2） 接地線的電感由 L1 表示。ESD 發(fā)生器中近場(chǎng)的電耦合被模仿為電容。沒(méi)有計(jì)入輻射效應(yīng)。 3） 鐵氧體在模型中被模擬為一個(gè)

14、純的共模電感。 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的端口 2 被連接在 Rt兩端。 端口 1 被連接在繼電器的觸體上。鐵氧體在模型中被模擬為一個(gè)擁有兩個(gè)理想的 100uH 耦合電感的轉(zhuǎn)換器。Ra用來(lái)減少端口 1 的阻抗。 4） 圖 6 中所示的電路允許有兩條路徑接地：一個(gè)是通過(guò)接地帶的一個(gè)是通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀 圖 8 使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量放電電流波形時(shí)的頻域測(cè)量系統(tǒng)的安裝 的。這可能改變最近時(shí)間的電流波形。為避免這種效應(yīng)，低頻的高頻的鐵氧體（在與高頻的鐵氧體的連接上）被放置在同軸電纜附近。這種連接的效應(yīng)在模型中被模擬為兩個(gè)理想的電感。 電流波形的計(jì)算使用圖 5 與圖 6 中所示的電路，圖 7 為結(jié)果的比較。數(shù)據(jù)被處

15、理了，第二個(gè)峰有相同的大小。兩個(gè)波形是相似的；但是，圖 6 中所示電路第一個(gè)峰有壓降，并且電壓的擺動(dòng)更小，上升的時(shí)間更短。這就是通過(guò)并聯(lián) RS與 Ra改變?cè)醋杩沟慕Y(jié)果。源阻抗增加了脈沖形成電阻-電容-電阻濾波器的響應(yīng)時(shí)間，并產(chǎn)生一個(gè)細(xì)微的緩慢的上升時(shí)間與一個(gè)減小過(guò)的放電電流。 2.測(cè)量結(jié)果測(cè)量結(jié)果 在這些數(shù)據(jù)中，一個(gè)時(shí)域測(cè)量（標(biāo)準(zhǔn) ESD 發(fā)生器）的結(jié)果被與一個(gè)使用改良的 ESD 發(fā)生器的頻域結(jié)果進(jìn)行了比較。三種搭配已經(jīng)被表現(xiàn)出來(lái)，這些進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了這些 ESD 測(cè)試有的不同結(jié)果。 A. 時(shí)域與頻域的標(biāo)準(zhǔn)化 測(cè)試使用一個(gè)一般的 ESD 發(fā)生器 1kV 的設(shè)置與一個(gè) a Tektronix 740

16、4 (4 GHz 帶寬, 20 GS/s)的示波器。這個(gè)示波器被分別連接至一個(gè) ESD 電流負(fù)載的輸出上，一個(gè) F-2000 的電流穩(wěn)定器或一個(gè)小的環(huán)。對(duì)于頻域的測(cè)量，要使用一個(gè) HP8753 D 的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。 為比較放電電流的波形，一個(gè)電流的負(fù)載被通過(guò)驗(yàn)證的方法確定。在 ESD 發(fā)生器上這是一個(gè)最好的受控的測(cè)量結(jié)果（如圖 8 所示） 。電流的負(fù)載被放在屏蔽室墻的邊上。第二個(gè)驗(yàn)證結(jié)果的測(cè)量使用一個(gè)小的環(huán)。由于派生的場(chǎng)與感應(yīng)電壓的關(guān) 圖 9 使用示波器（美國(guó)泰克 7404，4GHz BW ，20GS/s）測(cè)量 ESD 放電電流與使用 VNA 測(cè)量的比較 系，這種放置加強(qiáng)了高頻場(chǎng)的響應(yīng)。 測(cè)

17、試的第三個(gè)設(shè)置是， 一個(gè)結(jié)構(gòu)被選擇用來(lái)反應(yīng)料想中的此方法的應(yīng)用， 就像連接至個(gè)人電腦主板的電線的耦合的測(cè)量。更多的測(cè)量裝置安裝的細(xì)節(jié)如圖 13 所示 圖 9 比較了時(shí)域與頻域的測(cè)量結(jié)果。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)量結(jié)果與一般的波形形狀匹配得相當(dāng)好；但是，很多結(jié)構(gòu)的偏差也是存在的。如果使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀則數(shù)值的擺動(dòng)將被減小。最可能的是，這是一個(gè)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（39|50）與一個(gè)較強(qiáng)的連有同軸電纜的鐵氧體共模阻抗的繼電器的負(fù)載的源阻抗的值。第二章的 SOICE 仿真表現(xiàn)了轉(zhuǎn)換在頻率上的振幅與衰減。 我們不認(rèn)為這些差異限制了這種方法的應(yīng)用范圍，這種差異在相同的 ESD 發(fā)生器模型中的不同的樣品，尤其是在有相

18、同牌子的模擬器中給出了不同。 B在頻域中的感應(yīng)環(huán)路電壓的測(cè)量 在2中可知，瞬時(shí)場(chǎng)的產(chǎn)生不僅僅源于接入點(diǎn)的電流，也可能源于 ESD 發(fā)生器內(nèi)部構(gòu)造所產(chǎn)生的電流。由于電流上升時(shí)間的不同，大于 1HZ 的場(chǎng)將被電流內(nèi)部的結(jié)構(gòu)所主宰。為了了解對(duì)場(chǎng)尤其是在高頻場(chǎng)的頻域分析的有效性，在每個(gè)小環(huán)的感應(yīng)電壓都被進(jìn)行了測(cè)量。 把一個(gè)半圓環(huán)（直徑 28mm ，線圈直徑 0. 7 mm）放在地線層上然后分別接在示波器或者 VNA 上。見(jiàn)圖 10的實(shí)驗(yàn)設(shè)置和圖 11 和 12 的結(jié)果。這些結(jié)果說(shuō)明了 VNA 的測(cè)量方法恰能激起 ESD 發(fā)生器內(nèi)的高頻電流。 C. 頻域中感應(yīng)電壓在主板走線中的測(cè)量。 圖 10 使用矢量

19、網(wǎng)絡(luò)分析儀的頻域測(cè)量裝置對(duì)感應(yīng)環(huán)電壓的測(cè)量 圖 11 用圖 10 裝置測(cè)量的感應(yīng)環(huán)電壓 圖12 用圖10裝置測(cè)量的感應(yīng)環(huán)電壓的頻譜 選擇第三種實(shí)驗(yàn)設(shè)置反映 ESD 與在 PC 主板上的 IC 的走線的耦合。其他兩個(gè)實(shí)驗(yàn)設(shè)置僅僅強(qiáng)調(diào)了一個(gè)耦合路徑。 圖 13 對(duì)連接至主板的電線與電路板走線的 ESD 耦合的測(cè)量方法 圖 14 在供電良好的主板走線上的干擾電壓。ESD 發(fā)生器被充電至-0.5kV。頻域數(shù)據(jù)通過(guò) 2V 的直流電壓轉(zhuǎn)換。 現(xiàn)在的目標(biāo)對(duì)驗(yàn)證是否放出電流是很好的再生是有用的，并且由于耦合所派生出的自然屬性，使用小的環(huán)主要是為了吸引瞬時(shí)場(chǎng)和加強(qiáng)高頻場(chǎng)。 在測(cè)量電壓路徑之前， 要使用14和15

20、中概述的方法來(lái)分析主板。 這就顯示了Power Good路徑是對(duì) ESD 最敏感的。由于這個(gè)原因，所以選它來(lái)檢測(cè) ESD 產(chǎn)生的感應(yīng)電壓 這個(gè)測(cè)量設(shè)置在圖 13 中顯示。操作主板被放在一個(gè)使用絕緣電環(huán)的金屬平臺(tái)上。發(fā)生器產(chǎn)生的 ESD 被應(yīng)用于主板平面上同時(shí)走線上的電壓也被測(cè)量。一個(gè)鐵氧體的同軸電纜和一個(gè) 470- SMT 的電阻器被使用在走線中的電壓上。一個(gè)過(guò)濾了來(lái)自電源供應(yīng)器產(chǎn)生的Power Good線的并聯(lián)電容器 Cshunt 被去除以確保主板的干擾來(lái)自與Power Good線圈（PGL）所產(chǎn)生的耦合。這使得主板重置從 8KV 下降到大概 4KV。 圖像 14 中顯示了時(shí)域和頻域的測(cè)量比

21、較。ESD 發(fā)生器被控制在0.5KV。 在那樣的條件下，主板是成直線的；因此，電壓路徑可以被上述方法重新產(chǎn)生。 圖 15 在供電良好的主板走線上的干擾電壓。ESD 發(fā)生器被充電至-4.5kV。耦合效應(yīng)已經(jīng)顯現(xiàn)出來(lái)。 3. 方法局限性的研究方法局限性的研究 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明 VNA 方法能夠重新產(chǎn)生 ESD 發(fā)生器直到大約 2GHz。 但是為了更合適的應(yīng)用那些方法， 我們需要考慮下述局限性。 A 線性度 關(guān)于應(yīng)用的放電電壓的耦合路徑需要是直線的。ESD 發(fā)生器應(yīng)用于關(guān)于充電電壓的相關(guān)模式中是線性的，也就是電流波形隨著電壓伸縮。大多數(shù)耦合路徑被無(wú)源元件所形成，例如，屏蔽，走線和電感性或者電容性耦合。假

22、如這樣，那么被提議的方法論將正確的確定走線上的電流和電壓。然而，如果 ICs 或者非線性 ESD 保護(hù)的耦合效應(yīng)能決定電壓，只有在耦合成一個(gè)走線的線性效應(yīng)可以被分離成非線性電壓耦合效應(yīng)【6】，這個(gè)方法才能被應(yīng)用。 圖 15 展示了一個(gè)耦合的例子。它的測(cè)量方法和圖 14 一樣，但是 ESD 發(fā)生器被充電到4.5kV。頻域數(shù)據(jù)被放電電壓所測(cè)量。如果沒(méi)有非線性的域效應(yīng)，耦合電壓應(yīng)該被 ESD 發(fā)生器的充電電壓測(cè)量為線性的。然而，在4.5kV，我們可以發(fā)現(xiàn) IC 的輸入電壓的耦合是由 ESD 防護(hù)二極管所引起。這樣的耦合不能被上述所說(shuō)的 VNA方法所模擬。 當(dāng) ESD 產(chǎn)生了軟件性錯(cuò)誤，感應(yīng)電壓常常低

23、于耦合臨界值，同時(shí)位翻轉(zhuǎn)能夠在電壓電平發(fā)生，這個(gè)電壓電平在地電壓（GND）和電源電壓（VDD）之間。當(dāng)然，在上述方法所說(shuō)的情況下，初始的 ESD 引起二次衰弱，這個(gè)方法將不會(huì)再次產(chǎn)生耦合電壓。總之，我們建議使用耦合測(cè)量的方法，但不是為了電路效應(yīng)測(cè)量。它提供了不用冒任何損壞的危險(xiǎn)就能分析 ESD 的機(jī)會(huì)，就像執(zhí)行在一 圖 16 并聯(lián) 50 與問(wèn)并聯(lián) 50 電阻的頻域測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)源阻抗的建模中繼電器觸點(diǎn)間電壓的驟降如圖所示 個(gè)復(fù)雜的同類系統(tǒng)中。他們需要被模仿，例如，通過(guò)結(jié)合耦合數(shù)據(jù)與非線性電路使用 SPICE。 B.激勵(lì)等效 繼電器刀片連接被 50- VNA 端口所取代，這個(gè)端口有額外并聯(lián)的 39

24、- 電阻器。然而，繼電器內(nèi)火花的阻抗不能被簡(jiǎn)單的表示為 22（50 與 39 并聯(lián)） 。如果足夠的電流在流動(dòng)，最好用恒定的電壓降在 2540 V 去模仿，而不是一個(gè)用電阻器。電源抗阻的影響可以通過(guò)對(duì)照 50- 電源抗阻和 22- 電源抗阻來(lái)分析。這個(gè)可以通過(guò)看圖16 所顯示的更高抗阻所導(dǎo)致的更弱的聲音，這就說(shuō)明了即使是 22 也可能不足夠低來(lái)完全代替波形的初始高峰的細(xì)節(jié)。然而，因?yàn)槟繕?biāo)是確定耦合，需要區(qū)別與變化性的耦合相斥的波形。它的變化性由底架的觸體和線圈的位置所確定。 C.同軸電纜上的普通模式電流 理想上，激勵(lì)不能夠改變?nèi)魏?ESD 發(fā)生器和接地母線中的電流。然而，把一個(gè)額外的電纜被加上。

25、電纜上的普通模式電流改變了電流和輻射特性。在我們的實(shí)驗(yàn)中，一個(gè) 20-mil 半剛性電纜被使用，它有許多鐵氧體波導(dǎo)管伴隨著它的長(zhǎng)和延伸的高滲透性材料來(lái)超越任何低頻率電流。然而，普通模式電流不能夠被完全抑制。這在某種程度上減弱了振幅。 5. 總結(jié)總結(jié) 提出了一種描述 ESD 發(fā)生器和頻域耦合的方法。這個(gè)方法可以分析放電電流和場(chǎng)效應(yīng)，根據(jù) ESD 發(fā)生器中的高電壓壓降，且不需要使用高壓。這種方法被 SPICE 模擬和改進(jìn)的與非改進(jìn)的 ESD 發(fā)生器的比較所證明。 參考文獻(xiàn)參考文獻(xiàn)： 1 EMCPart 4-2: Testing and Measurement TechniquesElectrost

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