常見存儲(chǔ)器辨析

1、有關(guān)各種存儲(chǔ)器速度性能的資料大收集，RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、FRAM最后面重點(diǎn)捜集r NOR FLASH存儲(chǔ)湍的資料。常見存儲(chǔ)器概念辨析：RAM. SRAM. SDRAM. ROM. EPROM.常見存儲(chǔ)器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM. EEPROH、Flash #儲(chǔ)器可以分為很多種類.其中 根據(jù)掉電數(shù)據(jù)是否丟失可以分為RAH （隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和ROM （只讀存儲(chǔ)器）其中RAM的訪問速度比較 快.但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，而ROH掉電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。ROM和RAM抬的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器.ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是R

2、andom Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)瞅 而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù).典空的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM又可分為SRAM （Static RAM/靜態(tài)存儲(chǔ)器）和DRAM （Dynamic RAM/動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）。SRAM是利用雙穩(wěn)態(tài) 觸發(fā)幣來保存信息的.只要不掉電，信息是不會(huì)丟失的。DRAM是利用HOS （金屬氧化物半導(dǎo)體）電容存儲(chǔ) 電荷來儲(chǔ)存信息因此必須通過不停的給電容充電來維持信息.所以DRAM的成木.集成度.功耗等明顯 優(yōu)于SRAM。SRAM速度非?？?是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻 的地方使用，

3、譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖° DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短.速度也比SRAM慢.不過它還 是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很紡 訃算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。而通常人們所說的SDRAM是DRAM的一種，它是同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，利用一個(gè)爪一的系統(tǒng)時(shí)鐘同步所有的地址數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。使用SDRAM不但能提商系統(tǒng)表現(xiàn).還能簡(jiǎn)化設(shè)訃、提供島速的數(shù)據(jù)傳輸。在嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常使用。ROH也有很多種，PROM是可編程的RO* PROM和EPROM （可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后.就無法修改這種是早期的產(chǎn)品.現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用而EPRO

4、M是通過紫外光的照射擦出原先的程序.是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價(jià)格很島，寫入時(shí)間很長(zhǎng)，寫入很慢。Flash也是一種非易失性存儲(chǔ)器（掉電不會(huì)丟失），它擦寫方便，訪問速度快.已大大取代了傳統(tǒng)的EPROM 的地位。由于它具有和ROM樣掉電不會(huì)丟失的特性因此很多人稱其為Flash ROMa FLASH存儲(chǔ)器又稱閃 存，它結(jié)合/ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同 時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)）.I；盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器c在過去的20年里，磁入式系 統(tǒng)一直使用ROM （EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備.然

5、而近年來Flash全面代替（ROM （EPROM）在嵌入式系統(tǒng) 中的地位用作存儲(chǔ)bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接片換盤使用（U盤）。 目前Flash主要有兩種XOR Flash和NADH Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣， 用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼.這樣可以減少SRAM的容雖從而節(jié)約J成札NAXD Flash 沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進(jìn)行的.通常是一次讀収512個(gè)字節(jié)， 采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行'AND Flash上的代碼因此好茹使用XAND

6、 Flash的 開發(fā)板除了使用NAND Flah以外.還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。一般小容址的用NOR Flash,因?yàn)槠渥x取速度快，笫用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而大容雖的用NANDFLASH,最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC (Disk On Chip)和我們通常用的“閃盤” 可以在線擦除。目前市而上的FLASH主要來自Inteb AMD, Fujitsu和Toshiba,而生產(chǎn)XANDFlash的主要丿家有Samsung和Toshiba。轉(zhuǎn)自:http： / www cnblogs. com/zhspy/archive/2010/06/06/

7、1752887. htmlFLASH存儲(chǔ)器和EEPROM存儲(chǔ)器的區(qū)別K首先從10引腳占用方面比較.EEPROM只需占用兩個(gè)10引腳，時(shí)鐘(elk)和數(shù)據(jù)(data)引腳, 外加電源三個(gè)引腳即可，符合I2C通訊協(xié)議。而FLASH需要占用更多10引腳,有并行和串行的.串行的需 要一個(gè)片選(cs)引腳(可用作節(jié)電功耗控制)，一個(gè)時(shí)鐘(elk)引腳，F(xiàn)LASH讀出和寫入引腳各一個(gè). 也就是四個(gè)。并行的需要8個(gè)數(shù)據(jù)引腳，當(dāng)然比串行的讀寫速度婆快。2、從功能方面比較.EEPROM可以單字節(jié)讀寫.FLASH部分芯片只能以塊方式擦除(整片擦除)，部分芯片 可以乖字節(jié)寫入(編程)，一般需要采用塊寫入方式：FLA

8、SH比EEPROM讀寫速度更快，可維性更融 但比訊片機(jī)片內(nèi)RAM的讀寫還要慢。3. 價(jià)格方而比較,FLASH應(yīng)該要比EEPROM資。另供參考：EEPROM, EPROM, FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM 的浮柵 處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能址來激出.EEPROM的單元是由FLOTOX(Floatinggate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的持性及兩管結(jié)構(gòu)，所以 可以爪元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO

9、M技術(shù)達(dá)到的很多FLASH使用雪j熱電子注入方 式來編紹 擦除和EEPROM 一樣用Fowler-Nordheim tuneling.但主要的不同是，F(xiàn)LASH對(duì)芯片提供大塊 或整塊的擦除.這就降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，它可以不要EEPROM 元里那個(gè)女余的Tansister,所以可以做 到高集成度.大容雖:，另FLASH的浮柵工藝上也不同.寫入速度更快。其實(shí)對(duì)于用戶來說，EEPROM和FLASH的最主要的區(qū)別就是1。EEPROM可以按“位”擦寫，而FLASH只能一大片一大片的擦。2。EEPROM 一般容雖:都不大.如果大的話，EEPROM相對(duì)與FLASH就沒有價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)人市而上賣 的stand

10、alone的EERPOM 一般都是在61KBIT以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT以上(NOR型)。讀的速度的話，應(yīng)該不是兩者的差別.只是EERPOM -般用干低端產(chǎn)品，讀的速度不需要那么快. 真要做的話，其實(shí)也是可以做的和FLASH差不多。4。因?yàn)镋EPROM的存儲(chǔ)譏元是兩個(gè)管子而FLASH是一個(gè)(SST的除外，類似于兩管)，所以CYCLING 的話，EEPROM比FLASH要好一些.到1000K次也沒有問題的。總的來說.對(duì)與用戶來說，EEPROM和FLASH沒有大的區(qū)別，只是EEPROM是低端產(chǎn)品.容雖低，價(jià)格 便宜.但是穩(wěn)定性較FLASH要好一些。但對(duì)于EEPROM和FLASH

11、的設(shè)汁來說.FLASH則要難的篡.不論是從匸藝上的還是從外囤電路設(shè)il上 來說。Flash memory指的是“閃存”，所謂“閃存” 它也是一種非易失性的內(nèi)存.屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn) 品。它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格).而 EEPROM則可以一次只擦除一個(gè)字節(jié)(Byte)。目前“閃存”被廣泛用在PC機(jī)的主板上，用來保存BIOS程序, 便于進(jìn)行程序的升級(jí)c其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來作為砍盤的替代品.具有抗鷄、速度快、無噪聲、耗電 低的優(yōu)點(diǎn).但是將其用來取代RAM就顯得不合適，因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫，而Flash ROM做不到。RO

12、M和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory 的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù).而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的 RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大類.一種稱為靜態(tài)(Static RAM/SRAM), SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲(chǔ) 設(shè)備了.但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖.二級(jí)緩沖。另一種 稱為動(dòng)態(tài)RAM (Dynamic RAWDRAM), DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的 ROM都要快但從價(jià)格上

13、來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的DRAM 分為很女種.常見的主婆有 FPRAM/FastPagex EDORAM、SDRAM. DDR RAM、RDRAM. SGRAM 以及 WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAMo DDR RAM (Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM.這種改進(jìn)型的RAY 和SDRAM是基木一樣的.不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。 這是目前電腦中用得昴多的內(nèi)存.而且它有著成木優(yōu)如 爭(zhēng)實(shí)上擊敗f Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-Rambus DRAM.在很女舟端的顯卡上，也配備了島速DDR

14、RAM來提兩帶寬，這可以大幅度提商3D加速卡的像素渲染 能力。ROM也有很筍種，PROM是可編程的ROM, PROH和EPROH何擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是，PROH是一 次性的，也就是軟件灌入后.就無法修改這種是早期的產(chǎn)品.現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用而EPROJ1是通 過紫外光的照射擦出原先的程序.是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過電子擦出價(jià)格很商，寫 入時(shí)間很長(zhǎng)，寫入很慢。舉個(gè)例子.于機(jī)軟件般放在EEPROM中，我們打電話.有些最后撥打的號(hào)碼，暫時(shí)是存在SRAM中 的，不是馬上寫入通過記錄(通話記錄保存在EEPROM中)，因?yàn)榘霑r(shí)有很重要工作(通話)要做，如果寫入， 漫長(zhǎng)的等待是讓用

15、戶忍無可忍的。FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存.它結(jié)合f ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦出可編程(EEPROM)的性能, 還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢(shì))，U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過去 的20年里.嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM (EPROM)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備.然而近年來Flash全面代替了 ROM (EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Boot loader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接十碩盤使用 (U 盤)。目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flasho NOR Flash的讀収和我們常見的SDRAH的讀取是 一樣，用戶可以直接

16、運(yùn)行裝栽在NOR FLASH里而的代碼.這樣可以減少SRAM的容雖從而節(jié)約了成木。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512 個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好女使用NAND Flash 的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。一般小容雖的用NOR Flash.因?yàn)槠渥x取速度快，女用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息.而大容址的用 NAND FLASH,最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(Disk On Ch

17、ip)和我們通常用的"閃盤S 可以在線擦除。目前市而上的FLASH主要來自Intel. AMD, Fujitsu和Toshiba,而生產(chǎn)XAND Flash的主 耍廠家有Samsung和Toshiba。SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，它是一種類型的 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。"靜態(tài)"是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)抿就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAH (DRAM)不同， DRAM需耍進(jìn)行周期性的刷新操作。然后.我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器(ROM)和Flash Memory相混淆. 閃為SRAM是一種易失

18、性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。"隨機(jī)訪問"是抬存 儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪問.而不管前一次訪問的是哪一個(gè)位宜。SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管半中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ) 單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài).通常表示為0和lo另外還需婆兩個(gè)訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲(chǔ) *1元的訪問。I対此.一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要八個(gè)MOSFETo對(duì)稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAY的訪問速度婆快于DRAM.： SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個(gè)原伙I是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列 地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。SRAM不應(yīng)該與S

19、DRAM相混淆.SDRAM代表的是同步DRAM (Synchronous DRAM),這與SRAM是完全不 同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。從晶體管的類型分，SRA、(可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分.SRAM可以分為界步SRAM和 同步SRAM(SSRAM).牙步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘.數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所 有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址.數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均干時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。http：/www zlgmcu com/mxic/N0R_F 1 ash_b asp并行NOR Flash存儲(chǔ)器概

20、述NOR Flash是一種非易失性的存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)容址大.數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)的持點(diǎn)，其擦寫次數(shù)命達(dá) 10萬次，數(shù)據(jù)更新速度比EEPROM要快很笫，在斷電的情況下也能保存數(shù)據(jù)，常用來保存一些重婆的配 宜信息。應(yīng)用程序可以直接在NOR Flash內(nèi)運(yùn)行，用戶不必把代碼再讀到RAM中運(yùn)行。XOR Flash的傳 輸效率很高.在小容址時(shí)具有很高的成木效益。NOR Flash根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸?shù)奈粩?shù)可以分為井行NOR Flash和串行NOR Flash-并行NOR Flash每次 傳輸女個(gè)bit位的數(shù)據(jù):而串行NOR Flash每次傳輸一個(gè)bit位的數(shù)據(jù)。并行NOR Flash比串行NOR Flash 具有更快

21、的傳輸速度。旺宏電子提供J'低價(jià)格.商性能.高可靠性的NOR Flash產(chǎn)品。包括很箏3V的并行NOR Flash產(chǎn) 品.其容雖從彳Mb到512Mb不等。此外，針對(duì)伽和8Mb的產(chǎn)品旺宏電子還提供f 1mmX6mm的BGA 封裝，非常適合于用在空間要求嚴(yán)格的場(chǎng)所。并行NOR Flash分類標(biāo)準(zhǔn)讀訪問系列標(biāo)準(zhǔn)讀訪問系列并行NOR Flash有MX29F、MX29LV和MX29SL.它提供8位、16位、8位/16位可選 的數(shù)據(jù)傳輸方式。電源電壓有5V, 3V和1.8Vo頁面模式讀訪問系列MX29GL系列產(chǎn)品提供先進(jìn)的頁模式接口，在讀訪問和編程操作上都進(jìn)行優(yōu)化.用戶可以使用頁模 式連續(xù)讀取多個(gè)

22、數(shù)據(jù)。應(yīng)用Wimax藍(lán)牙廿電話數(shù)碼相機(jī)數(shù)字電視機(jī)頂盒命名規(guī)則S 90_ 童E_蠢L笳2 X器件291 : 5V29LV/29GL: 3V29SL： 1.8¥29LA/29GA :安全Flash選項(xiàng)；空度:20x ； 2Mb40x : 4Mb80x ； 8Nb 16x ； 16Mb32x ； 32Mb 12x : 128Mb25% : 256Mb工藝：C ： 0. ISuni II ： 0.13ufn E : O.llujn速度；55 : 55ns70 : 70ns90 : 90ns10 ； 100ns11 : 110nsG ；兼容RoKSQ :電壓限制:3. ov-3.e 兼容R恥塊

23、類型；T 頂層Boo tB :底層BootH：引導(dǎo)扇醫(yī)，盤高地址扇區(qū)保護(hù)L：引導(dǎo)扇區(qū)，最低地址扇區(qū)保護(hù)U： "0口電壓從1.&5V5JVCC, VCC電壓從2.7VSJ3.6V,攝高地址處扇區(qū)傑護(hù) D： I/O口電壓從1.&5V§JVCC, VCC電壓從2.7V到3.杲低地址處扇區(qū)保護(hù) C :讀保護(hù)，最高地址處扇區(qū)保護(hù)F；讀保護(hù)*最低地址處扇區(qū)保護(hù)封裝類型:溫度范園：c :晉通C 0° E至I :工業(yè)級(jí)(-40P : PDIPM : SOPQ : PI£CT/T2 ； TS0TXB-O. &THTI間距/Q 3mm大小 xc-lO

24、mift間距/04mm大bXE-d.Smm 間距/0.4mm 犬小Xj-l0耐I間距/06mm大小XH-6 5耐i間距大小XF-0.5幀間距/025(ro夬小選型表標(biāo)準(zhǔn)讀訪問系列名稱儲(chǔ)密 度訪問時(shí)間(ns)封裝特性5V系列MX29F20XOCT/BMb8/X 16MX29F04XOCMb8MX29F40XOCT/BMb8/X 16MX29F80XOCT/BMb8/X 163V系列MX29LV0X04CT/BMb80/90MX29LV0X10CMb80/9070/9070/9070/9070/9055R/755R/744-SOP, 48-TS0PV32-TSOP, 32-PLCCV48-TSOP

25、 ,44-SOPV44-SOP, 48-TSOP,48-TFBGAV55R/7OOCT/BMb8/X 160/90MX29LV8OOCT/BMbXS/X160/90MX29LV4X55R/732-TSOP, 32-PLCCV32-TSOP, 32-PLCCV48-SOP,48-TSOP, 48-WFBGA>V48-TFBGA, 48-LFBGA, 48-XFLGA48-SOP, 48-TSOP, 48-WFBGA>V48-TFBGA,48-LFBGA, 48-XFLGA裝栽扇區(qū) 引導(dǎo)扇區(qū) 裝載扇區(qū) 裝栽扇區(qū)裝載扇區(qū)引導(dǎo)扇區(qū)裝載扇區(qū)裝載扇區(qū)MX29LV155R/748-S0P,48-

26、TSOP, 48-WFBGA60DT/B6Mb8/X160/90裝載扇區(qū)MX29LV161DT/B6 Mb1690MX29LV320ET/BMb8/X 1670MX29LV321DT/BMb1690MX29LV640ET/BMb8/X 1670MX29LV190/1228DT/B28 Mb 8/X 1648-TFBGA, 48-LFBGA, 48-XFLGA48-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-XFLGA48-TSOP, 48-TFBGA,48-LFBGA, 44-S0P48-TSOP,48-TSOP,48-TSOP,70-SS0P48-TFBGA48-LFBGA56-

27、TSOP,1.8V系列裝載扇區(qū)I/O口電壓18、36V裝救扇區(qū)裝載扇區(qū)I/O口電壓18、36V裝栽扇區(qū)裝載扇區(qū)MX29SL4X8/X 1648-TSOP, 4S-WFBGA.裝載扇區(qū)O2CT/BMb9048-TFBGA, 48-LFBGA8VMX29SL8OOCT/BMbX8/X 169048-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-LFBGA8V裝載扇區(qū)貞模式讀訪問系列名稱存 組 訪問時(shí)間 儲(chǔ)密度織(ns)封裝持性MX29GL32032X8./X1670EH/LMbMX29GL32032X70ET/BMb8/X 16MX29GL61064X90EH/LMbS/X16MX29G

28、L64064X90ET/BMbS/X16MX29GL12812X90EH/L8 MbS/X16MX29GL12812X110EU/D8 MbS/X16MX29GL25625X90REH/L6 Mb8./X16MX29GL25625X110EU/D6 Mb8/X 16MX29GL51251X110REH/L*2 MbS/X1656-TSOP,61-FBGAV引導(dǎo)扇區(qū)48-TSOP,48-LFBGAV裝戦扇區(qū)56-TSOP,64-FBGAV引導(dǎo)扇區(qū)48-TSOP,48-LFBGAV裝載扇區(qū)56-TSOP,64-FBGA, 70-SS0PV引導(dǎo)扇區(qū)56-TSOP,64-FBGAVI/O 口電壓 1.

29、8V56-TSOP,64-FBGA, 70-SS0PV引導(dǎo)扇區(qū)56-TSOP,64-FBGAVI/O 口電壓 1.8V56-TSOP,64-FBGA, 70-SS0PV引導(dǎo)扇區(qū)資料下戦旺宏并行/串行NOR Flash對(duì)比參考指南(英)C69IKPDF2009-12-8:2889次 旺宏并行 NOR Flash 簡(jiǎn)介415KPDF2009-U-27:1711 次聯(lián)系方式 銷售電話： 銷售郵箱：mxic. marketingzlgmcu. com 技術(shù)支持電話： 技術(shù)支持郵箱：NXPARM. supportzlgmcu. com技術(shù)支持論壇:http：/bbs. zlgmcu. comMKMX （

30、旺宏）SPI（串口）NOR FLASH型號(hào)容址頻率封裝溫度MX25L512512K85MHZS0P-8-40Cto+85CMX25L10051M85MH2S0P-8-IOCto85CMX25L20052M85MH2S0P-8-IOCtoS5CMX25L10051M85MH2S0P-8-IOCtoS5CMX25L80058M85MHZS0P-8-10Cto85CMX25L160516M86MHZSOP-S-40Cto+85CMX25L32O532MS6MHZSOP-S-40Cto+85CMX25L610564M86MHZSOP-8-40Cto+85CMX（旺宏）Parallel （并口）NOR

31、FLASH型號(hào)容址讀取速度封裝溫度MX29LV002C2M70nsTSOPTOC to -85CMX29LV4OOCx MX29LV010C4M70nsTSOP-10C to +85CMX29LV800Cx MX29SL800C8M70nsTSOP-10C to +85CMX29LV160D16M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV320D32M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV610D/E61M110nsTSOP-40C to +85CMX29LV128D/E128M130nsTSOP-40C to *85CMX29LV256EH/LT2I256M150ns

32、TSOP-10C to +85C型號(hào)容雖頻率封裝溫度M25PO5A512K33MHZSOP-8-40C to +85CM25P10x M25PE10. M15PE10IM33MHZSOP-8-IOC to 85CM25P20. M25PE20. M15PE202M33MHZSOP-8-IOC to -85CM25P40. M25PE10. M15PE1O4M50MH2SOP-8-40C to +85CM25PS0s M25PE80. M15PE8O8M50MH2SOP-8-40C to +85CM25P16x M25PE16> M45PE1616M50MH2SOP-8-IOC to +8

33、5CM25P32、 M25PE32、 M15PE3232M66MHZSOP-8-IOC to +85CST（總:法）SPICED） NOR FLASH61M80MHZSOP-8-IOC to +85CM25P61SST （超捷）SPI（串口）NOR FLASH型號(hào)容雖頻率封裝溫度SST25VF512A512K33MHZSOP-8-IOC to +85CSST25LF010A、 SST25VF010AIM33MHZSOP-8-40C to +85CSST25LF020A. SST25VF020B2M10MH2SOP-8-40C to +85CSST25LF010A> SST25VF010B

34、IM50MH2SOP-8-IOC to +85CSST25LF080A. SST25VF0S0B8M50MH2SOP-8-IOC to +85CSST25VF016B16M50MH2SOP-8-IOC to +85CSST25VF032B32M66MH2SOP-8-40C to +85CSST（超捷）Parallel（并口）NOR FLASH型號(hào)容雖讀取速度封裝溫度SST39VF0101M70nsTSOP-10C to +85CSST39VF0202M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF010鋤70nsTSOP-10C to +85CSST39VF160K SST39VF16

35、0216M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF1681、 SST39VF168216M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF320K SST39VF320232M70nsTSOP-10C to +85CSST39VF6101Bs SST39VF6102B64M70nsTSOP-40C to +85CSpansion （飛索）Parallel（并口）NOR FLASH空號(hào)容量讀取速度封裝溫度S29AL008D70TFI0208M70nsTSOP-48-40C tc> +85CS29AL016D70TFI02016M70nsTSOP-18-IOC to+85

36、CS29GL032N90TFI04032M90nsTSOP-18-IOC to+85CS29GL064N90TFI04061M110nsTSOP-18-10C to千85CS29GL128P10TFI010128M130nsTSOP-56-10C to -卜85CWmbond（華邦）SPI（串口） NOR FLASH封型號(hào)裝溫度容雖頻率W25P10.舵5X10、 W25Q101M33MHZSOP8-40Cto +85CW25P20. W25X20. W25Q202M10MHZS0P-8-10Cto +85CW25P40、腔5X40、 W25Q404M50MHZS0P-8-40Cto +85CW

37、25P80、脣25X80、 W25Q808M50MHZS0P-8-IOC to +85CW25P16.骨25X16、 W25Q1616M50MHZS0P-8-40C to +85CW25P32x 骨25X32、 W25Q3232M66MHZS0P-8-40C to *85CW25P6K W25X64. W25Q6461M80MH2S0P-8-10C to +85C并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用類別：嵌入式系統(tǒng)隨著FPGA技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了一種新概念的嵌入式系統(tǒng).即SOPC （System On Programmable Chip）。 SOPC技術(shù)融合f SoC和FPGA的優(yōu)點(diǎn)，將

38、處理器、片上總線.片上存儲(chǔ)器.內(nèi)部外設(shè).I/O接口以及自定義 邏輯集成在同一片F(xiàn)PGA中.而且軟換件可裁剪、可升級(jí).可修改，具有軟碩件在系統(tǒng)編程能力，在保證商 性能的同時(shí)具有非常島的靈活性。由于大部分功能部件在FPGA內(nèi)實(shí)現(xiàn).外部只需要很少的器件，如大容:© 的RAM. Flash. DAC、ADC等。在系統(tǒng)需要脫離訃算機(jī)獨(dú)立運(yùn)行時(shí)（絕大部分情況如此），非易失的存儲(chǔ)器 件Flash是必不可少的。Flash可以用來存儲(chǔ)配置比特流.代碼、數(shù)據(jù)或參數(shù)等重要信息。本文以Intel StrataFlash 3V Memory 系列的 JS28F128J3D75 并行NOR Flash （簡(jiǎn)稱

39、“J3D”）和 Xilinx FPGA Spartan3E 系列的XC3S1600E （簡(jiǎn)稱"1600E" 為背景，在結(jié)合項(xiàng)目開發(fā)經(jīng)驗(yàn)和參閱相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，介紹了并行 NOR Flash在SOPC開發(fā)中的4種不同應(yīng)用。1存儲(chǔ)FPGA配宜比特流1600E工作在BPI （Bytewide Peripheral InteRFace）配置模式時(shí).通過專門的引腳與J3D連 接，這些引腳在配宜完成后可以作為用戶I/O使用。連接時(shí).大部分引腳參考1600E的數(shù)據(jù)于冊(cè)直接連接 即可.但有些引腳需要特別注總:。J3D有X8 （數(shù)據(jù)總線寬度為8位）和心6 （數(shù)據(jù)總線寬度為16位）兩 種工作模

40、式。配置時(shí)應(yīng)工作在X8模式.配宜完成后,根據(jù)需要可以設(shè)置為X8或X16模式。圖1為1600E 與J3D引腳連接示意圖。圖1 1600E與J3D引腳連接示總圖若配匱后需要切換至X 16模式，則需綜合考慮1600E的HSWAP腳。HSWAP接禹電平時(shí).1600E所 有用戶I/O的內(nèi)部上拉電阻禁用 HDC通過47kQ電阻接高電平,LDC2通過47 kQ電阻接地,LDC1和 LDCO通過4. 7kQ電阻接高電平，同時(shí)這3個(gè)信號(hào)應(yīng)分別連到J3D的BYTE#、OE#、CEO腳。這樣上電后的 瞬間.J3D工作在X8模式.且I大I CEO腳被拉商而處于非選中狀態(tài)，不會(huì)導(dǎo)致對(duì)J3D的誤操作：然后在1600E 的

41、控制下進(jìn)入配辻狀態(tài)，配迓結(jié)束可通過控制LDC2輸出商電平而將J3D切換為X 16模式。HSWAP接低電平 時(shí),1600E所有用戶I/O的內(nèi)部上拉電阻使能,LDCK LDCO和HDC無需外接上拉電阻：而LDC2應(yīng)接310Q 的下拉電阻，以使上電后J3D匸作在X8模式.從而順利進(jìn)入配宜狀態(tài).配宜結(jié)來后可將J3D切換為X 16 模式。若配宜后工作在X8模式.則J3D的BYTES腳接低電Ts 1600E的LDC2懸空。半HS霄AP接島電平 時(shí)，LCD1和LCDO分別連至OES CEO腳同時(shí)應(yīng)通過47kQ電阻上拉:HSMP接低電平時(shí),LCD1和LCDO不用上拉。配宜比持流文件首先通過1MPCT轉(zhuǎn)換成HC

42、S文件.再通過PicoBlaze NOR Flash Programmer （http：/www xilinx coni-'products/boards/sSestarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_programme r. zip）下載到J3D中。J3D可以同時(shí)配過*塊FPGA,也可對(duì)同一塊FPGA進(jìn)行多比特流配宜。例如先配習(xí)一個(gè)診斷測(cè)試 比特流，測(cè)試成功后，再重新配宜應(yīng)用比特流。2存儲(chǔ)可引導(dǎo)的軟處理器代碼首先利用Xilinx嵌入式開發(fā)匸具箱EDK創(chuàng)建一個(gè)嵌入式丄程，包括MicroBlaze換件平臺(tái)和相 應(yīng)的軟件工程。在EDK界面下.用輸標(biāo)選

43、中創(chuàng)建的軟件工程右擊并在彈出的菜單中選Generate Linker Script.項(xiàng),進(jìn)入 Generate Linker Script 對(duì)話框。將 Sections% Heap 和 Stack 指定到 BRAM 或外部 RAM （一般將Heap和Stack指定到BRAJ1,代碼和數(shù)據(jù)段抬定到外部RAM），并抬定輸出腳木文件名及路徑，如 圖 2 所示。圖 2 Generate Linker Script 對(duì)話框雙擊相應(yīng)軟件匸程下的Compiler Options選項(xiàng)，進(jìn)入Set Compiler Options對(duì)話框，設(shè)定Link Script項(xiàng)為剛才產(chǎn)生的腳木文件并抬定Output ELF

44、 File項(xiàng)的路徑與名稱°現(xiàn)在可以編譯相應(yīng)的軟件匸 程，產(chǎn)生相應(yīng)的可執(zhí)行ELF文件,設(shè)為Bootable, elf o在 EDK 主界面下,用鼠標(biāo)選擇 Device Configuration -* Program Flash Memory,進(jìn)入 Program Flash Memory對(duì)話框.并按圖3進(jìn)行設(shè)宜。貳擊0K按鈕，會(huì)把Bootable, elf文件自動(dòng)轉(zhuǎn)為SREC格式. 并下載到J3D的抬定地址處同時(shí)產(chǎn)生名為bootloadr.O的軟件匸程。bootloadr.O匸程編譯后產(chǎn)生的可 執(zhí)行文件executable, elf用來執(zhí)行引導(dǎo)裝戦功能，應(yīng)將其合并到系統(tǒng)比持流syst

45、em, bit,從而生成 dowload. bito dowload. bit經(jīng)iMPCT轉(zhuǎn)為MCS文件后下載到配S PROM中（若使用同一片J3D,注意不能與 Bootable, elf發(fā)生地址空間沖突）°這樣.系統(tǒng)上電后.首先對(duì)FPGA進(jìn)行配宜，然后引導(dǎo)加載J3D中的 代碼至相應(yīng)的BRAM或SDRAM中（具體映射位宜已在Generate Linker Script對(duì)話框中設(shè)定）°圖 3 Program Flash Memory 對(duì)話框3存儲(chǔ)可直接執(zhí)行的軟處理器代碼這里仍然使用上而創(chuàng)建的EDK工程，由于J3D具有類似SRAM的接口.上電后可以宜接像SRAM 一樣進(jìn)行讀操作,但卻不能直接進(jìn)行寫操作。因此.應(yīng)將只讀段c。"、ro