三極管的命名、參數(shù)及測試

1、三極管的命名和參數(shù)三極管的命名和參數(shù)半導(dǎo)體器件的命名方式半導(dǎo)體器件的命名方式第一部分第一部分?jǐn)?shù)字?jǐn)?shù)字 字母字母 字母字母(漢拼漢拼) 數(shù)字?jǐn)?shù)字 字母字母(漢拼漢拼) 電極數(shù)電極數(shù) 材料和極性材料和極性 器件類型器件類型 序號序號 規(guī)格號規(guī)格號3 三極管三極管第二部分第二部分第三部分第三部分X 低頻小功率管低頻小功率管G 高頻小功率管高頻小功率管D 低頻大功率管低頻大功率管A 高頻大功率管高頻大功率管第四部分第四部分第五部分第五部分例：例： 3AX31 3DG12B 3DD6PNP低頻小功率鍺三極管低頻小功率鍺三極管 NPN高頻小功率硅三極管高頻小功率硅三極管 NPN低頻大功率硅三極管低頻大功率

2、硅三極管 3CG 3AD 3DK PNP高頻小功率硅三極管高頻小功率硅三極管 PNP低頻大功率鍺三極管低頻大功率鍺三極管 NPN硅開關(guān)三極管硅開關(guān)三極管 D 硅材料硅材料 NPNC 硅材料硅材料 PNPA 鍺材料鍺材料 PNPB 鍺材料鍺材料 NPN 2.1.6 半導(dǎo)體三極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、 G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關(guān)管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的種類用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號

3、用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管三極管1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ， 當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)( (無輸入信號無輸入信號) )時(shí)集時(shí)集電極電流與基極電流的比值稱為電極電流與基極電流的比值稱為靜態(tài)電流靜態(tài)電流( (直流直流) )放大放大系數(shù)系數(shù) BCII 當(dāng)晶體管工作在動態(tài)當(dāng)晶體管工作在動態(tài)( (有輸入信號有輸入信號) )時(shí)，基極電流的變化時(shí)，基極電流的變化量為量為 IB ，它引起集電極電流的變化量為，它引起集電極電流的變化量為 IC 。 IC 與與 IB的比值稱為的比值稱為動態(tài)電流動態(tài)

4、電流( (交流交流) )放大系數(shù)放大系數(shù) BCII 在輸出特性曲線近于平行等距并且在輸出特性曲線近于平行等距并且 ICEO 較小的情況下較小的情況下,可近似認(rèn)為可近似認(rèn)為 ，但二者含義不同。，但二者含義不同。 電流放大系數(shù)一般在電流放大系數(shù)一般在10100之間。太小，放大能力弱，太大易使管子性之間。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不穩(wěn)定。一般取能不穩(wěn)定。一般取3080為宜。為宜。 (1)(1)直流參數(shù)直流參數(shù) 極間反向電流 1.集電極基極間反向飽和電流集電極基極間反向飽和電流ICBO ICBO的下標(biāo)CB代表集電極和基極，O是Open的字頭，代表第三個(gè)電極E開路。它相當(dāng)于集電結(jié)的反向飽和電流。

5、 指發(fā)射極開路時(shí)，集電極與基極之間的反向電流。一定溫度下ICBO是一個(gè)常數(shù)，所以又稱為反向飽和電流。EC ICBO 2.集電極發(fā)射極間的反向飽和電流集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO ICEO和和ICBO有如下關(guān)系有如下關(guān)系 ICEO=（1+ ）ICBO 相當(dāng)基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流，即輸出相當(dāng)基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極間的反向飽和電流，即輸出特性曲線特性曲線IB=0那條曲線所對應(yīng)的那條曲線所對應(yīng)的Y坐標(biāo)的數(shù)值。如下圖所示。坐標(biāo)的數(shù)值。如下圖所示。ECICEO飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)IC / mAUCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6

6、9 1243212.31.5放放 大大 區(qū)區(qū) 1.集電極集電極 基極反向飽和電流基極反向飽和電流ICBO。 反向飽和電流隨反向飽和電流隨溫度溫度增加而增加，是管子工作狀態(tài)增加而增加，是管子工作狀態(tài)不穩(wěn)定的主要因素。因此，常把它作為不穩(wěn)定的主要因素。因此，常把它作為判斷管子性能判斷管子性能的的重要依據(jù)。重要依據(jù)。硅硅管管反向飽和電流反向飽和電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)小小于于鍺鍺管，在溫度變化管，在溫度變化范圍大的工作環(huán)境應(yīng)選用硅管。范圍大的工作環(huán)境應(yīng)選用硅管。 二、極間反向飽和電流二、極間反向飽和電流CBOCEO)1 (II2.集電極集電極 發(fā)射極反向飽和電流發(fā)射極反向飽和電流ICEO。 (2.1.7)1. 電流

7、放大系數(shù)電流放大系數(shù) ， 當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)( (無輸入信號無輸入信號) )時(shí)集時(shí)集電極電流與基極電流的比值稱為電極電流與基極電流的比值稱為靜態(tài)電流靜態(tài)電流( (直流直流) )放大放大系數(shù)系數(shù) BCII 當(dāng)晶體管工作在動態(tài)當(dāng)晶體管工作在動態(tài)( (有輸入信號有輸入信號) )時(shí)，基極電流的變化時(shí)，基極電流的變化量為量為 IB ，它引起集電極電流的變化量為，它引起集電極電流的變化量為 IC 。 IC 與與 IB的比值稱為的比值稱為動態(tài)電流動態(tài)電流( (交流交流) )放大系數(shù)放大系數(shù) BCII 在輸出特性曲線近于平行等距并且在輸出特性曲線近于平行等距并

8、且 ICEO 較小的情況下較小的情況下,可近似認(rèn)為可近似認(rèn)為 ，但二者含義不同。，但二者含義不同。 電流放大系數(shù)一般在電流放大系數(shù)一般在10100之間。太小，放大能力弱，太大易使管子性之間。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不穩(wěn)定。一般取能不穩(wěn)定。一般取3080為宜。為宜。 (2)(2)交流參數(shù)交流參數(shù)下下降降到到 1 1 時(shí)時(shí)所所對對應(yīng)應(yīng)的的頻頻率率 fT 與與結(jié)結(jié)電電容容 CD、CT有有關(guān)關(guān)1fTf 特征頻率特征頻率fT 三極管的值不僅與工作電流有關(guān)，而且與工作頻率有關(guān)。由于結(jié)電容的影響，當(dāng)信號頻率增加時(shí)，三極管的將會下降。當(dāng)下降到1時(shí)所對應(yīng)的頻率稱為特征頻率，用fT表示。(2)(2)交流

9、參數(shù)交流參數(shù) 當(dāng)當(dāng) 值下降到正常數(shù)值的三分之二時(shí)的集電極電流，稱為值下降到正常數(shù)值的三分之二時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流集電極最大允許電流 ICM 。1. 集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM (3)極限參數(shù)極限參數(shù) 基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集稱為集射反相擊穿電壓射反相擊穿電壓 U(BR)CEO 。 2.V(BR)CEO發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)擊穿電壓。發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)擊穿電壓。下標(biāo)下標(biāo)BR代表擊穿之意，是代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，的字頭，CB代表集電極和基極，代表集電極和基極，O代

10、表第三個(gè)電極代表第三個(gè)電極B開路。開路。 管子基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的最大允許電管子基極開路時(shí)，集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。當(dāng)電壓越過此值時(shí)，管子將發(fā)生電壓擊穿，若電擊穿壓。當(dāng)電壓越過此值時(shí)，管子將發(fā)生電壓擊穿，若電擊穿導(dǎo)致熱擊穿會損壞管子。導(dǎo)致熱擊穿會損壞管子。2. 集電極集電極 發(fā)射極間反向擊穿電壓發(fā)射極間反向擊穿電壓V(BR)CEO 當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時(shí)，集電當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率，稱為集電極最大允許耗散功率極所消耗的最大功率，稱為集電極最大允許耗散功率 PCM。ICICMU(BR)CEOUCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 區(qū)區(qū) 由由 ICM 、 U(BR)CEO 、 PCM 三者共同確定晶體管三者共同確定晶體管的安全工作區(qū)。的安全工作區(qū)。返回返回正常工作時(shí)，正常工作時(shí)，I IC C流過集電結(jié)要消耗功率，而使三極管發(fā)熱流過集電結(jié)要消耗功率，而使三極管發(fā)熱，三極管達(dá)到一定溫度后，性能變差或者損壞。使用時(shí)應(yīng)，三極管達(dá)到一定溫度后，性能變差或者損壞。使用時(shí)應(yīng)該使集電極消耗的功率該使集電極消耗的功率P PC C P PCMCM3. 集電極最大允許耗散功率