硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)

1、單晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1范圍1.1 本要求規(guī)定了單晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗(yàn)規(guī)范等1.2 本要求適用于單晶硅片的采購及其檢驗(yàn)。2 規(guī)范性引用文件2.1 ASTM F42-02    半導(dǎo)體材料導(dǎo)電率類型的測試方法2.2 ASTM F26       半導(dǎo)體材料晶向測試方法2.3 ASTM F84       直線四探針法測量硅片電阻率的試驗(yàn)方法2.4 ASTM F1391-93 太陽能硅晶體碳

2、含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.5 ASTM F121-83   太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.6 ASTM F 1535    用非接觸測量微波反射所致光電導(dǎo)性衰減測定載流子復(fù)合壽命的實(shí)驗(yàn)方法  3 術(shù)語和定義3.1 TV：硅片中心點(diǎn)的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；3.2 TTV：總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點(diǎn)厚度：邊緣上下左右6mm處4點(diǎn)和中心點(diǎn)）；3.3位錯(cuò)：晶體中由于原子錯(cuò)配引起的具有伯格斯矢量的一種線缺陷；3.4位錯(cuò)密度：單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長度(cm/cm3)

3、，通常以晶體某晶面單位面積上位錯(cuò)蝕坑的數(shù)目來表示；3.5 崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時(shí)，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；3.6 裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個(gè)晶片厚度的解理或裂痕；3.7 四角同心度：單晶硅片四個(gè)角與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格尺寸相比較的差值。3.8 密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過5條4 分類單晶硅片的等級(jí)有A級(jí)品和B級(jí)品，規(guī)格為：125´125(mm)、125´125(mm)、156 ´156(mm)。5 技術(shù)要求5.1 外觀   見附錄表格中檢驗(yàn)要求

4、。5.2外形尺寸5.2.1 方片TV為200±20 um,測試點(diǎn)為中心點(diǎn)；5.2.2 方片TTV小于30um，測試點(diǎn)為邊緣6mm處4點(diǎn)、中心1點(diǎn)；5.2.3 硅片TTV以五點(diǎn)測量法為準(zhǔn)，同一片硅片厚度變化應(yīng)小于其標(biāo)稱厚度的15%；5.2.4 相鄰C段的垂直度：90 o±0.3o；5.2.5 其他尺寸要求見表1。表1    單晶硅片尺寸要求規(guī)格 （mm）尺寸（mm）A（邊長）B（直徑）C（直線段長）D（弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.

5、Min. 125´125125.5124.5150.5149.583.981.921.920.2 125´125125.5124.5165.5164.5108.8106.69.4 7.9 156´156156.5155.5200.5199.5 126.2124.115.914.9注1：A、B、C、D分別參見圖1。                 &

6、#160;    圖1    硅單晶片尺寸示意圖5.3 材料性質(zhì)5.3.1 導(dǎo)電類型：            序號(hào)硅片類型摻雜劑1N型磷(Phosphorous)2P型硼(Boron)5.3.2 硅片電阻率：見下表；5.3.3 硅片少子壽命：見下表（此壽命為2mm樣片鈍化后的少子壽命）；5.3.4 晶向：表面晶向<100>+/-3.0°；5.3.5 位錯(cuò)密度3000pcs/c

7、m2；5.3.6 氧碳含量：氧含量20ppma，碳含量1.0ppma。 6 檢測環(huán)境、檢測設(shè)備和檢測方法6.1檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度1000Lux）。6.2檢測設(shè)備：游標(biāo)卡尺（0.01mm）、厚度測試儀/千分表（0.001mm）、水平測試臺(tái)面、四探針測試儀、少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。6.3檢測項(xiàng)目：導(dǎo)電類型、氧碳含量、單晶晶向、單晶位錯(cuò)密度、電阻率、少子壽命、外形尺寸。6.4檢測方案：外觀和尺寸進(jìn)行全檢，材料的性能和性質(zhì)以單晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個(gè)批次硅片的檢測報(bào)告。6.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定檢驗(yàn)項(xiàng)目的合格質(zhì)量水平詳見附錄表A檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)方法

8、及檢驗(yàn)規(guī)則對(duì)照表。 7 包裝、儲(chǔ)存和運(yùn)輸要求7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細(xì)裝箱單，包裝上要有晶體編號(hào)，清單和實(shí)物一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)小包裝要有晶體編號(hào)，不同晶體編號(hào)放在同一包裝要能明確區(qū)分開。7.2 產(chǎn)品應(yīng)儲(chǔ)存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度：1040；濕度：60%；避免酸堿腐蝕性氣氛；避免油污、灰塵顆粒氣氛。7.3產(chǎn)品運(yùn)輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求檢測工具抽樣計(jì)劃驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)硅片等級(jí)A級(jí)品B級(jí)品外  觀崩邊/硅落崩邊硅落長寬0.3mm*0.2mm不穿透。崩邊長寬1mm*1mm不穿透。硅落長寬厚1.5mm*1.5mm*1

9、00um。目 測粗糙度測試儀日光燈(1000Lux)全    檢數(shù)量2數(shù)量4切割線痕線痕深度15um，但無密集線痕。線痕深度30um。缺角/缺口缺口長寬0.2mm*0.1mm。無V型缺口、缺角長寬1mm*0.5mm，無可見有棱角的缺角，數(shù)量2。毛邊/亮點(diǎn)長度10mm,深度不能延伸到硅片表面0.1mm。長不限,深度不能延伸到硅片表面0.3mm。表面清潔度無油污，無殘膠，無明顯水跡。輕微可清洗的污跡可放行。如硅片之間的摩擦產(chǎn)生的印跡以及2個(gè)針尖狀的無凹凸的印跡。無成片的油污，殘膠，水跡。劃傷無肉眼可見有深度感的劃傷。日光燈下無明顯深度感的劃傷。其他

10、無孿晶、slip、應(yīng)力、裂紋、凹坑、氣孔及明顯劃傷。無孿晶、slip、應(yīng)力、裂紋、氣孔及明顯凹坑、劃傷。尺  寸規(guī)格（）寸尺電子卡尺萬能角規(guī)切片前全檢晶錠尺寸邊長（）直徑（）其它尺寸（）垂直度（O）MaxMinMaxMin具體見上表1和圖190±0.3125´125125.5124.5150.5149.5125´125125.5124.5165.5164.5156´156156.5155.5200.5199.5TV200±20m（中心點(diǎn)）200±30m測厚儀/   千 分 表 抽檢TT

11、V30m                       （中心1點(diǎn)和邊緣6mm位置4點(diǎn)） 50m翹曲度70m 100m性  能位錯(cuò)密度3000/cm23000/cm2顯微鏡截取晶錠頭尾部2mm樣片進(jìn)行測試.。退火后測電阻率。鈍化后測試少子壽命。導(dǎo)電型號(hào)N型/P型N型/P型型號(hào)儀電阻率0.5.cm3.5.cm / 1.0.cm3.0.cm電阻

12、率測試儀氧含量20ppmaFTIR氧碳含量測試儀碳含量1.0ppma少子壽命100 s   /   15 s壽命測試儀多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1范圍1.1 本要求規(guī)定了多晶硅片的分類、技術(shù)要求、包裝以及檢驗(yàn)規(guī)范等1.2 本要求適用于多晶硅片的采購及其檢驗(yàn)。2 規(guī)范性引用文件2.1 ASTM F42-02    半導(dǎo)體材料導(dǎo)電率類型的測試方法2.2 ASTM F84       直線四探針法測量硅片電阻率的試驗(yàn)方法2.3 ASTM F1391-93

13、0;太陽能硅晶體碳含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.4 ASTM F121-83   太陽能硅晶體氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測試方法2.5 ASTM F 1535    用非接觸測量微波反射所致光電導(dǎo)性衰減測定載流子復(fù)合壽命的實(shí)驗(yàn)方法  3 術(shù)語和定義3.1 TV：硅片中心點(diǎn)的厚度，是指一批硅片的厚度分布情況；3.2 TTV：總厚度誤差，是指一片硅片的最厚和最薄的誤差（標(biāo)準(zhǔn)測量是取硅片5點(diǎn)厚度：邊緣上下左右4點(diǎn)和中心點(diǎn)）；3.3 崩邊：晶片邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時(shí)，其尺寸由徑向深度和周邊弦長給出；

14、3.4 裂紋、裂痕：延伸到晶片表面，可能貫穿，也可能不貫穿整個(gè)晶片厚度的解理或裂痕；3.5 四角同心度：多晶硅片四個(gè)角與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格尺寸相比較的差值。3.6 密集型線痕：每1cm上可視線痕的條數(shù)超過5條4 分類多晶硅片的等級(jí)有A級(jí)品和B級(jí)品，規(guī)格為： 156mm ´156mm。5 技術(shù)要求5.1 外觀    見附錄表格中檢驗(yàn)要求。5.2外形尺寸5.2.1 方片TV為200±20 um,測試點(diǎn)為中心點(diǎn)；5.2.2 方片TTV小于30um，測試點(diǎn)為邊緣6mm處4點(diǎn)、中心1點(diǎn)；5.2.3 硅片TTV以五點(diǎn)

15、測量法為準(zhǔn)，同一片硅片厚度變化應(yīng)小于其標(biāo)稱厚度的15%；5.2.4  相鄰C段的垂直度：90 o±0.3o。5.2.5  其他尺寸要求見表1。表1    多晶硅片尺寸要求規(guī)格 （mm）尺寸（mm）A（邊長）B（對(duì)角線）C（直線段長）D（弧長投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min. 156´156156.5155.5219.7218.7 155.6152.91.40.35注1：A、B、C、D分別參見圖1。   

16、0;                                             圖1    硅多晶片尺寸示

17、意圖 5.3 材料性質(zhì)5.3.1 導(dǎo)電類型：P型，摻雜劑：B，硼(Boron)；5.3.2 硅片電阻率：摻硼多晶片：電阻率為1·cm3·cm；5.3.3 多晶硅少子壽命2us；5.3.4 氧碳含量：氧含量12ppma，碳含量12ppma。 6 檢測環(huán)境、檢測設(shè)備和檢測方法6.1檢測環(huán)境：室溫，有良好照明（光照度1000Lux）。6.2檢測設(shè)備：游標(biāo)卡尺（0.01mm）、厚度測試儀/千分表（0.001mm）、水平測試臺(tái)面、四探針測試儀、少子壽命儀、氧碳含量測試儀、光學(xué)顯微鏡、角度尺等。6.3檢測項(xiàng)目：導(dǎo)電類型、氧碳含量、電阻率、少子壽命、外形尺寸。6.4檢

18、測方案：外觀和尺寸進(jìn)行全檢，材料的性能和性質(zhì)以多晶鑄錠頭尾部參數(shù)為參考，并提供每個(gè)批次硅片的檢測報(bào)告。6.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定7 包裝、儲(chǔ)存和運(yùn)輸要求7.1每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明細(xì)裝箱單，包裝上要有晶體編號(hào)，清單和實(shí)物一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)小包裝要有晶體編號(hào)，不同晶體編號(hào)放在同一包裝要能明確區(qū)分開。7.2 產(chǎn)品應(yīng)儲(chǔ)存在清潔、干燥的環(huán)境中：溫度：1040；濕度：60%；避免酸堿腐蝕性氣氛；避免油污、灰塵顆粒氣氛。7.3產(chǎn)品運(yùn)輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。 8附錄A   多晶硅片檢驗(yàn)項(xiàng)目、檢驗(yàn)方法及檢驗(yàn)規(guī)則對(duì)照表。      注：本多晶硅片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)中未明示事項(xiàng)或?qū)Ξa(chǎn)品檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)存在異議，均以附件太陽能級(jí)多晶硅片國家標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)。 外觀可以見FTS限度樣本。檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)要求檢測工具抽樣計(jì)劃驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)硅 片 等 級(jí)A級(jí)品B級(jí)品外  觀崩邊/ 硅落崩邊硅落長寬0.3mm*0.2mm不穿透。崩邊長寬1mm*1mm不穿透。硅落長寬厚1.5mm*1.5mm*100um目 測粗糙度測試儀日光燈(1000Lux)全  &#