文章控制在3個(gè)最多不超過4個(gè)頁碼（單倍行距,頁邊距各2cm）

1、Comment u1: 文章標(biāo)題為二號(hào)黑體字，要求在 20 字以內(nèi)，上下空半行Comment w2: 作者為小四號(hào)仿宋字Comment u3: 單位為六號(hào)宋體字，與英文相對(duì)應(yīng)，下空半行Comment u4: 摘要，中圖分類號(hào)為小五號(hào)字。內(nèi)容包括目的、過程及方法、結(jié)果，字?jǐn)?shù)在 100300 字以內(nèi)Comment u5: 關(guān)鍵詞須 5-8 個(gè)以上，小五號(hào) Comment u6: 英文標(biāo)題為四號(hào)英文黑體字，上空半行Comment u7: 英文作者為五號(hào)英文黑體字，下空半行Comment u8: 英文單位應(yīng)與中文對(duì)應(yīng)，且是本單位對(duì)外標(biāo)準(zhǔn)單位， 六號(hào)英文字Comment u9: 英文摘要、關(guān)鍵詞內(nèi)容應(yīng)全

2、部與中文一一對(duì)應(yīng)， 小五號(hào) Comment 豬豬豬.CN10: 引言簡(jiǎn)要敘述，不得有圖表和公式Comment u11: 文章正文為五號(hào)宋體字Comment u12: 一級(jí)標(biāo)題為小四號(hào)仿宋字，上下空半行Comment u13: 二級(jí)小標(biāo)題為五號(hào)黑體字 收稿日期：收稿日期：2006-08-18基金項(xiàng)目：基金項(xiàng)目：國(guó)家“九七三”基金資助項(xiàng)目(Z01)作者簡(jiǎn)介：作者簡(jiǎn)介：*(1981-),女(漢)，湖北黃岡人，碩士生,主要從事鈦酸鍶鉛鐵電薄膜的制備及性能研究。文章控制在文章控制在3 3個(gè)最多不超過個(gè)最多不超過4 4個(gè)頁碼（單倍行距，頁邊距各個(gè)頁碼（單倍行距，頁邊距各2cm2cm）PbPbx xSrSr

3、1-x1-xTiOTiO3 3陶瓷及薄膜的制備和陶瓷及薄膜的制備和性能研究性能研究*,*， *， *， （電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 四川 成都 610054）摘摘 要要： 研究了Pb含量 對(duì)PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷微結(jié)構(gòu)和介電性能的影響，當(dāng)x0.45時(shí)晶體為立方相，x0.45時(shí)為四方相；隨著Pb含量增大，陶瓷氣孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐漸增大，居里峰近似線性地向高溫方向移動(dòng),并具有一致的居里外斯常數(shù)。采用射頻磁控濺射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制備了Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜，經(jīng)550 退火后為(111)擇

4、優(yōu)取向的多晶薄膜，1 kHz下的可調(diào)率為21.8。關(guān)鍵詞關(guān)鍵詞： PbxSr1-xTiO3陶瓷；射頻磁控濺射；Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜；微結(jié)構(gòu)；介電性能中圖分類號(hào)：中圖分類號(hào)：TN384 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A Preparation and Properties of PbxSr1-xTiO3 Ceramics and Thin FilmsPEI Ya-fang, YANG Chuan-ren, CHEN Hong-wei, ZHANG Ji-hua, LENG wen-jian(State Key Laboratory of Electronic Thin Fil

5、ms and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China)Abstract: PbxSr1-xTiO3 (x=0.20.8) ceramics were prepared by conventional powder-processing method. The effect of the Pb content on the microstructure and dielectric properties were studied. X-R

6、ay diffraction studies show that the lattice structure changes from cubic to tetragonal phase at 45 % Pb content. Scanning Electron Microcopy studies indicate that the higher Pb content is, the greater grain size and the higher density is.r-T curve exhibits that Curie-Temperature linearly increases

7、with the increase of Pb content and the compositions ( x=0.200.55 ) show the similar Curie-Wiess constant. Pb0.3Sr0.7TiO3thin film are prepared by RF magnetron sputtering on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrate and annealed at 550 . Meanwhile, the films exhibit (111) orientation and the tunability is measur

8、ed to be 21.8% at 1 kHz.Key words:PbxSr1-xTiO3ceramics; RF magnetron sputtering ;Pb0.3Sr0.7TiO3 thin film; microstructure; dielectric properties引言微波可調(diào)介電材料在微波可調(diào)元件上有著廣闊的應(yīng)用前景，如移相器、諧振器、濾波器等1-2，目前研究得最多的是BaxSr1-xTiO3 (BST)及其摻雜系列。最近，Cross3等發(fā)現(xiàn)PbxSr1-xTiO3(PST)陶瓷可調(diào)性高達(dá)70,介電損耗低于0.1,優(yōu)值(FOM)高達(dá)700，并且其薄膜具有比BST更低的晶

9、化溫度，是一種非常實(shí)用的新型電場(chǎng)調(diào)節(jié)元件材料。目前PST材料的研究尚處于起步階段，只是對(duì)溶膠-凝膠(Sol-Gel)法制備PST薄膜的研究相對(duì)較多，研究顯示可調(diào)率可高達(dá)80.14，損耗低至0.2 5，而對(duì)PST系列陶瓷以及磁控濺射法制備PST薄膜的研究較少6。本文一方面就PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷中Pb含量對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌和介電性能的影響進(jìn)行研究，另一方面就磁控濺射制備PST薄膜及其相關(guān)性能作初步研究。1 實(shí)驗(yàn)1.1 PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷的制備陶瓷的制備采用傳統(tǒng)的陶瓷制備工藝，以分析純的Pb3O4、SrCO3和 TiO2為原料并使 Pb

10、過量 10 x %， 根據(jù)所需的化學(xué)計(jì)量比制備 PbxSr1-xTiO3陶瓷圓片，在 900 下預(yù)燒 2 h，1 300 下燒結(jié) 2 h。省略。 。 。 。 。2實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論2.12.1 PbPbx xSrSr1-1-x xTiOTiO3 3 陶瓷陶瓷2.1.1 Pb含量對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的影響。圖1為PbxSr1-xTiO3 陶瓷的XRD圖譜。從圖中可看出，PST陶瓷均為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)沒有出現(xiàn)礁綠石相。圖2為其晶格常數(shù)a、c以及a/c與組分x的關(guān)系圖?？梢?，隨著Pb含量增加，a、c均逐漸增大，晶體對(duì)稱性降低，逐漸由立方相向四方相轉(zhuǎn)變，即當(dāng)x0.45時(shí)，c/a1 ，晶體為立方順電相；x0.45Comme

11、nt u14: 圖全部為黑白對(duì)比度大的圖形，存 JPG 或 TIF，可編輯，圖寬 5cm，圖注全部譯成中文，縱橫坐標(biāo)物理量、單位等各項(xiàng)須齊全，不得缺項(xiàng)；量為斜體，單位為正體。六號(hào)宋體加粗Comment u15: 參考文獻(xiàn)應(yīng)在文按順序全部標(biāo)出，文章各項(xiàng)目必須齊全，不得缺項(xiàng)，具體標(biāo)準(zhǔn)如本文后。五號(hào)字Comment w16: 中文期刊用雙語，即中英文對(duì)應(yīng)。時(shí)，c/a省略省略 。 。 。 。 。 。圖1 PbxSr1-xTiO3 陶瓷的XRD圖譜圖 4 PbxSr1-xTiO3 陶瓷的介溫特性曲線圖 5 為 TC、居里-外斯溫度（T0）與組分 x 的關(guān)系圖，從圖中可看出，TC都比 T0高，其差值在4.

12、611.4 范圍內(nèi)。 根據(jù)居里-外斯定律，計(jì)算得到相應(yīng)的居里常數(shù)如表 1 所示。從表中可知其居里常數(shù)基本一致，約為 0.63105 。 省略。 。 。 。 。 。3 結(jié)束語采用傳統(tǒng)的陶瓷工藝制備了PbxSr1-xTiO3(x=0.20.8)陶瓷，研究了Pb含量 對(duì)其微結(jié)構(gòu)和介電性能的影響。當(dāng)x0.45時(shí)為立方相，x0.45時(shí)為四方相；隨著Pb含量的增加，陶瓷氣孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐漸增大，并且TC近似線性的向高溫方向移動(dòng)，不同組分的PST的TC均比其T0高4.611.4 ，且具有一致的居里常數(shù)。采用射頻磁控濺射法制備了具有良好鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的PST30薄膜，550 退火后為(111)擇優(yōu)

13、取向生長(zhǎng)，取向度為0.71。薄膜表面平整致密無孔洞，晶粒大小均勻但細(xì)小，結(jié)晶不夠完整。該薄膜具有明顯的介電系數(shù)非線性，可調(diào)率21.8。參考文獻(xiàn)參考文獻(xiàn)：1 胡士強(qiáng)，敬忠良.粒子濾波算法綜述J.控制與決策，2005,20（4）：361-366.HU ShiQiang, JING Zhongliang. Overview of Particle Filter AlgorithmJ. Control and Decision,2005,20(4)：361-366. 2 陸佩文無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)M武漢：武漢大學(xué)出版社，19963 王斐.聲表面波無源電子標(biāo)簽研究以及射頻識(shí)別閱讀器設(shè)計(jì)D.天津：南開大學(xué)，2

14、009.4 VENDIK O G. Dielectric nonlinearity of the displacive ferroelectrics at UHFJ.Ferroelectrics, 1976, 12(1-4):85-90.首頁腳注包括：1. 基金項(xiàng)目（包括項(xiàng)目名稱及編號(hào)） ；2. 作者簡(jiǎn)介（姓名，出身年，性別，民族，籍貫，職稱，學(xué)位，研究方向） 參考文獻(xiàn)請(qǐng)參考 10 年內(nèi)文獻(xiàn)，最好在 5 年內(nèi)，文中的各項(xiàng)目須齊全，具體要求： 參考文獻(xiàn)采用順序編碼制，按文中出現(xiàn)的先后順序編號(hào)（私人通信、報(bào)紙、待發(fā)表的文章一律不引用） 。文獻(xiàn)的著錄格式請(qǐng)嚴(yán)格按照以下形式書寫（含標(biāo)點(diǎn)符號(hào)）： 1） 專著：作者.書名M.版本.（第一版不著錄）.出版地：出版者，出版年：起止頁碼. 2） 譯著：作者.書名.譯者.出版地：出版者，出版年：起止頁碼. 3） 期刊（中文期刊請(qǐng)用雙語，即每條中英文對(duì)應(yīng)）：作者.題名J.刊名，出版年，卷（期）：起止頁碼. 4） 論文集：作者.題名.見（In）：編者.論文集名C/.出版地：出版者，出版年：起止頁碼. 5） 學(xué)位論文：作者.題名D.保存地：保存者，年份. 6） 專利文獻(xiàn)：專利申請(qǐng)者.題名P.專利國(guó)別，專利文獻(xiàn)種類，專利號(hào).出版日期. 7) 標(biāo)準(zhǔn):標(biāo)準(zhǔn)號(hào),標(biāo)準(zhǔn)名稱S. 8） 電子文獻(xiàn):