電池片各工序影響因素及異常情況

1、一次清洗影響因素1.溫度溫度過高，首先就是IPA不好控制，溫度一高，IPA的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了PN結的有效面積，反應加劇，還會出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加?？煽爻潭龋赫{節(jié)機器的設置，可以很好的調節(jié)溫度。2.時間金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長；金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降?？煽爻潭龋赫{節(jié)設備參數(shù)，可以精確的調節(jié)時間。3.IPA1協(xié)助氫氣的釋放。2減弱NaOH溶液對硅片的腐蝕力度，調節(jié)各向因子。純NaOH溶液在高溫下對原

2、子排列比較稀疏的100晶面和比較致密的111晶面破壞比較大，各個晶面被腐蝕而消融，IPA明顯減弱NaOH的腐蝕強度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。乙醇含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于1。可控程度：根據(jù)首次配液的含量，及每次大約消耗的量，來補充一定量的液體，控制精度不高。4. NaOH形成金字塔絨面。NaOH濃度越高，金字塔體積越小，反應初期，金字塔成核密度近似不受NaOH濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨NaOH濃度變化比較顯著，濃度高的NaOH溶液與硅反映的速度加快，再反應一段時間后，金字塔體積更大oNaOH濃度超過一定界限時，各向異性因子變小，絨面會越來越差

3、，類似于拋光?？煽爻潭龋号cIPA類似，控制精度不高。5. Na2SiO3SI和NaOH反應生產(chǎn)的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到緩沖劑的作用，使反應不至于很劇烈，變的平緩。Na2SiO3使反應有了更多的起點，生長出的金字塔更均勻，更小一點Na2SiO3多的時候要及時的排掉，Na2SiO3導熱性差，會影響反應溶液的粘稠度也增加，容易形成水紋、花藍印和表面斑點?？煽爻潭龋汉茈y控制。4#酸洗HCL去除硅片表面的金屬雜質鹽酸具有酸和絡合劑的雙重作用，氯離子能與多種金屬離子形成可溶與水的絡合物。6#酸洗HF去除硅片表面氧化層，SiO2+6HF=H2siF6+2H2Oo控制點1減薄量定義：硅片制

4、絨前后的前后重量差?？刂品秶鷨尉?25，硅片厚度在200±25微米以上，減薄量在0.5±0.2g；硅片厚度在200±25微米以上，減薄量在0.4±0.2g。單晶156,首籃減薄量在0.7±0.2g；以后減薄量在0.6±0.2g。2絨面判斷標準：成核密度高，大小適當，均勻?？刂品秶簡尉В航鹱炙叽?10um。3外觀無缺口，斑點，裂紋，切割線，劃痕，凹坑，有無白斑，贓污。異常處理問題原因解決方法硅片表面大部分發(fā)白，發(fā)白區(qū)域未出絨面l.NaOH含量偏低，不能充分進行反應，或者IPA含量過高，抑止反應進行。1首先判斷原因。2.增加NaOH的

5、濃度，減少IPA的用量。3如果不能調節(jié)，重新配制溶液。2.如果表現(xiàn)后續(xù)返工可以處理發(fā)白區(qū)域，則可以斷定NaOH濃度不夠。米用稀堿超聲。3.表面清潔度不好。延長超聲時間。4溶液狀態(tài)不夠均勻。1對溶液進行充分攪拌，補加溶液必須先溶解,加入之后必須進行溶液充分攪拌，使用燒杯或竿進行“8”字形狀攪拌溶液。2.查看電源控制柜相應的加熱開關是否都在正常工作。硅片表面有白斑，部分白斑區(qū)域出現(xiàn)在不同硅片同一位置，白斑區(qū)域明顯表現(xiàn)為被覆蓋沒有出絨現(xiàn)象硅片表面的有機物等污染物粘附于硅片表面，阻止硅片制絨。只使用檸檬酸進行超聲，中間對超聲槽溶液進行更換。硅片過腐，表現(xiàn)為絨面角錐體過大，減薄量過大堿濃度過大或反應溫度

6、過大，導致在100面上反應速率遠大于vlll面上反應速率。測試溫度，確定是否為80度；稀釋溶液濃度，同時保證溶液的均勻性；降低下次堿配制的濃度。晶硅片四邊都有白邊仍有白邊部份硅片反應不夠充分，這部份對中間無白邊部份偏厚。換言之，整個硅片化學反應不夠均勻，中間部份反應放熱不易，導致反應激烈。保證溶液均勻，控制硅片中心速度，增加緩沖劑。硅酸鈉溶液可視為緩沖劑。硅片兩側出現(xiàn)“花藍印”的白邊由于溶液中硅酸鈉的濃度過大，粘稠度增加，使得承片盒與硅片接觸的地方得不到充分反應。視花藍印的嚴重程度和數(shù)量。通常需要對溶液進行部分排放,并進行補對。鼓泡此時一定要開啟。雨點氫氣泡粘附或氫氣泡移動緩慢形成。雨點處的絨

7、面相對正常區(qū)域主要表現(xiàn)為制絨不夠。1、及早發(fā)現(xiàn)，并進行IPA補加，通常會去掉或消弱痕跡。2、即使形成雨點狀不必繼續(xù)返工，鍍完減反射膜，可以蓋住。但這并不是成為做出雨點而不加以改善的理由。制絨時槽內(nèi)硅片區(qū)域性發(fā)白溶液不均勻或硅片本身原因導致。長時間制絨未見效果，對相應區(qū)域進行少許NaOH補充，撒在相應槽區(qū)域即可;下次制絨之前需要對溶液攪拌均勻。制絨時硅片漂浮制絨IPA量不足，導致氫氣粘附于硅片表面，沒有及時被帶走。補加相應IPA量即可。擴散影響因素1.溫度溫度T越高，擴散系數(shù)D越大，擴散速度越快。2.時間對于恒定源：時間t越長結深越深，但表面濃度不變。對于限定源：時間t越長結深越深，表面濃度越小

8、。3. 濃度決定濃度的因素：氮氣流量、源溫。表面濃度越大，擴散速度越快。4. 第三組元主要是摻硼量對擴散的影響，雜質增強擴散機制。在二元合金中加入第三元素時，擴散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大，擴散速率越快。即電阻率越小，越容易擴散。48所擴散過程中問題解決方案問題原因解決方法擴散不到1爐門沒關緊，有源被抽風抽走。2攜帶氣體大氮量太小，不能將源帶到管前。3管口抽風太大。1由設備人員將爐門重新定位，確保石英門和石英管口很好貼合。2.增大攜帶氣體大氮的流量。3將石英門旁邊管口抽風減小。擴散方塊電阻偏高/偏低偏高：1.擴散溫度偏低。2.源量不夠，不能足夠摻雜。3源溫較低于設置20度。4.石英管飽和不夠

9、。1升高擴散溫度，加大源量.2延長擴散時間。3.增加淀積溫度。偏低。1擴散溫度偏高。2.源溫較咼于20度。1減小擴散溫度。2減少擴散時間。3減少淀積溫度。擴散片與片間方塊電阻不均勻擴散溫度不均勻重新拉擴散爐管恒溫擴散后單片上方塊電阻不均勻擴散氣流不均勻，單片上源沉積不均勻。1調整擴散氣流量，加勻流板。2調整擴散片與片之間距離。擴散后硅片上有色斑甩干機擴散前硅片沒甩干調整甩干機設備及工藝條件擴散過程中偏磷酸滴落長時間擴散后對擴散管定期進行HF浸泡清洗環(huán)境濕度過大增大除濕機功率太陽能電池效率忽高忽低擴散間或石英管被污染，特別是在生產(chǎn)線被改造時最明顯。清洗石英管及石英制品，加強擴散間工藝衛(wèi)生，強化T

10、CA。擴散方塊電阻正常，但填充因子偏低。品質因子有問題，n趨向于2，J02偏大，表明結區(qū)復合嚴重。方法同上Tempress擴散過程中問題解決方案問題原因解決方法方塊電阻在源一側低，爐口處高1. 爐門與爐管的密封性不好2. 尾部排氣嚴重3. 假片數(shù)量太少1. 調整爐門密封性2. 減少尾部排氣氣流3. 使用更多的假片單片（交叉）方塊電阻在源一側低，爐口處高1. 爐門與爐管的密封性不好2. 尾部排氣嚴重3. 假片數(shù)量太少1. 調整爐門密封性2. 減少尾部排氣氣流3. 使用更多的假片單片（交叉）方塊電阻均勻性差1. POCl3不夠2. 排氣壓力過高3. 沉積溫度過高1. 增加小n2流量2. 降低排氣壓

11、力3. 降低沉積溫度頂部的方塊電阻低，底部的高1. 舟被污染2. 校準硅片不是最好的（可能被磨光）3. 硅片在爐管中的位置太高4. 槳比硅片和爐管溫度低1. 使用新的干凈的舟2. 使用好的校準硅片，而不是磨光。3. 使用低腳的舟。4. 在升溫步后插入回溫步驟。邊緣處方塊電阻低，中心高1. 假片被污染2. 校準硅片不是最好的（可能1. 使用新的假片2. 使用好的校準硅片，而被磨光）3. 硅片在爐管中的位置太高4. 槳比硅片和爐管溫度低不是磨光3. 使用低腳的舟4. 在升溫步后插入穩(wěn)定溫度步驟方塊電阻均勻性不連續(xù)1. 爐管和舟沒有飽和2. 假片被污染3. 校準硅片不是最好的（可能被磨光）4. 石英

12、件或硅片臟5. 沿著擴散爐通風6. 氣流不足1.預先處理爐管和舟2使用新的假片3. 使用好的校準硅片，而不是磨光4. 清洗爐管、舟、隔熱包塊和勻流擋板5使用干凈的硅片6.通過關閉可能的通風孔減小通風或者減小潔凈室的過壓。7增加N2和干02流量整管方塊電阻太高1. 沉積時間過短2. 沉積溫度過低3. 推進時間太短4. 推進溫度太低1. 增加沉積時間2. 增加沉積溫度3. 增加推進溫度4. 增加推進溫度整管方塊電阻太低1. 沉積時間過長2. 沉積溫度過高3. 推進時間太長4. 推進溫度太高1. 減少沉積時間2. 減少沉積溫度3. 減少推進溫度4. 減少推進溫度二次清洗影響因素1. 射頻功率射頻功率

13、過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結區(qū)（耗盡層）造成的損傷會使得結區(qū)復合增加射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導致并聯(lián)電阻下降。2.時間刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結區(qū)，從而導致?lián)p傷區(qū)域高復合?？涛g時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈，PN結依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。3.壓力壓力越大，氣體含量越少，參與反應的氣體也越多，刻蝕也越充份。工序故障表現(xiàn)診斷措施刻蝕硅片邊緣呈現(xiàn)暗色（刻通正常為金

14、屬色）工藝一般不會有問題，主要是刻蝕機器出現(xiàn)故障，通常伴有壓力不穩(wěn)定、輝光顏色不正常、功率和反射功率超出范圍、氣體流量偏出設定值等現(xiàn)象停止使用，要求設備進行檢修。有效刻蝕寬度過大（鉆刻、刻過現(xiàn)象）硅片沒有被夾具加緊，存在縫隙；硅片沒有被對其；環(huán)氧板變形，邊緣向里延伸；加強員工意識，要求操作規(guī)范；更換出現(xiàn)問題的環(huán)氧板。去PSGPECVD工序存在水紋印清洗后的硅片沒有及時甩干清洗之后的硅片必須立刻甩干，不能滯留在空氣中。PECVD工序有鍍膜發(fā)白現(xiàn)象清洗不十凈；甩干后的硅片在空氣中暴露時間過長，導致氧化做返工處理，對硅片必須清洗干凈，甩干之后的硅片不能放置于空氣中，必須及時鍍膜，否則重新清洗。PEC

15、VD影響因素1頻率射頻PECVD系統(tǒng)大都采用50kHz13.56MHz的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（4MHz）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。2射頻功率增加RF功率通常會改善SiN膜的質量。但是，功率密度不宜過大，超過1W/cm2時器件會造成嚴重的射頻損傷。3襯底溫度PECVD膜的沉積溫度一般為250400°C。這樣能保證氮化硅薄膜在HF中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于200C下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于450C時膜容易龜裂。4氣體流量影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是SiH4。為了防止富硅膜，選擇NH3

16、/SiH4=220（體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區(qū)下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。5反應氣體濃度SiH4的百分比濃度及SiH4/NH3流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。理想Si3N4的Si/N=0.75，而PECVD沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成SiN。因此，必須控制氣體中的SiH4濃度，不宜過高，并采用較高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即SixNyHZ或SiNx:H。6反應壓力、和反應室尺寸等都是影響氮化硅薄膜的性能工

17、藝參數(shù)。故障表現(xiàn)診斷措施Roth&Rau整體鍍膜顏色不符合要求氮化硅層厚度偏離正常范圍調整帶速至顏色符合要求，偏紫增加帶速，偏藍降低帶速。石墨托盤兩邊和中間鍍膜顏色有差異兩邊和中間沉積速率不同調節(jié)兩邊微波峰值功率或Ton,Toff使鍍膜均勻。部分氣孔堵塞用N2吹掃15-30分鐘，嚴重的要打開腔室手工通孔，并每半年更換一次gasshower鍍膜顏色不穩(wěn)定微波反射功率異常，或微波有泄漏停止工藝，重新安裝微波天線或更換石英管。沉壓后顏色異常折射率不在范圍內(nèi)調整NH3和SiH4流量比例使折射率達到要求。壓強達不到工藝要求腔體有漏氣重新開腔擦拭密封圈或更換密封圈、更換或重裝石英管或其管口密封圈，

18、嚴重時用氦檢儀做漏氣點檢查并排除異常。膜層顏色黯淡無光澤反應腔室漏氣或氣壓偏咼通知設備人員檢修。SiH4流量過咼降低SiH4流量，但要保證折射率正常。腔體內(nèi)有硅片碎片載板掛鉤變形或傳動軸異常有掛鉤變形的載板要及時更換,傳動軸擦拭或有異常請設備檢修。Cart卡在腔體內(nèi)傳感器或傳動軸異常請設備檢修。CART某部位突然出現(xiàn)片子偏薄，位置固定加熱腔體內(nèi)有碎片清掃維護時，拿除腔體加熱器上的碎片，偏薄現(xiàn)象就會消失。島津整體鍍膜顏色不符要求氮化硅層厚度偏離正常范圍調整鍍膜時間至顏色符合要求,偏藍減少時間，偏紅增加時間。CART上邊緣片子嚴重偏薄，位置固定一般發(fā)生在清掃后，或更換泵、泵油等狀況下，部分電極板特

19、氣孔堵塞所致通過更長時間的工藝運行，打開特氣孔后即會自行恢復正常。鍍膜顏色不穩(wěn)定氣體流量不穩(wěn)或電極板異常檢修氣體流量閥或電極板到了壽命，更換電極板。鍍膜時顏色異常折射率不在范圍內(nèi)調整NH3和SiH4流量比例和總流量時折射率達到要求。某腔體由于溫度過高，超出設定溫度，造成CART滯留，不能進入下一腔體。測溫裝置（熱電偶）或其附件有問題，造成測溫偏差。設備需檢驗測溫裝置并更換備件。電池Rsh突然明顯異常L/C或H/C腔漏氣、電極板質量問題，未到了更換期限，提前到了使用壽命、清掃時帶入污染源。若漏氣需設備檢漏并維修;若電極板原因，視情況嚴重，可協(xié)調縮短更換周期，安排更換電極板；若分析是清掃時污染的原

20、因，可通過空跑一定時間，帶出污染源。清掃后效率突然嚴重下降。清掃時帶入污染源所致。正常工藝空跑一段時間，帶出污染源。絲印影響因素1. 印刷壓力的影響在印刷過程中刮膠要對絲網(wǎng)保持一定的壓力，且這個力必須是適當?shù)?。印刷壓力過大，易使網(wǎng)版、刮膠使用壽命降低，使絲網(wǎng)變形，導致印刷圖形失真。印刷壓力過小，易使?jié){料殘留在網(wǎng)孔中，造成虛印和粘網(wǎng)。在適當?shù)姆秶鷥?nèi)加大印刷壓力，透墨量會減?。{料濕重減小），柵線高度下降，寬度上升。2. 印刷速度的影響印刷速度的設定必須兼顧產(chǎn)量和印刷質量。對印刷質量而言，印刷速度過快，漿料進入網(wǎng)孔的時間就短，對網(wǎng)孔的填充性變差，印刷出的柵線平整性受損，易產(chǎn)生葫蘆狀柵線。印刷速度上

21、升，柵線線高上升，線寬下降。印刷速度變慢，下墨量增加，濕重上升。3. 絲網(wǎng)間隙的影響在其他條件一定的情況下，絲網(wǎng)間隙與濕重大致有如右圖的關系：最初兩者幾乎呈比例上升，之后絲網(wǎng)間隙加大，濕重降低，最后突然變?yōu)榱恪＝z網(wǎng)印刷時使用的是曲線的前半段（即呈比例上升段）。由此可知，絲網(wǎng)間隙加大，下墨量多，濕重增大。絲網(wǎng)間隙過大，易使印刷圖形失真；過小，容易粘網(wǎng)。刮膠硬度的影響刮膠材料一般為聚胺脂或氟化橡膠，硬度60-90A。刮膠硬度越大，印刷的圖形越精確，原圖的重現(xiàn)性越好。因此，正面柵線的印刷就需要選用硬度較高刮膠。刮膠硬度小，其他參數(shù)不變的情況下濕重就大，線高增加，線寬變大。4. 刮膠角度的影響刮膠角度

22、的調節(jié)范圍為45-75度。實際的刮膠角度與漿料有關，漿料黏度越高，流動性越差，需要刮膠對漿料向下的壓力越大，刮膠角度接就越小。在印刷壓力作用下，刮膠與絲網(wǎng)摩擦。開始一刷時近似直線，刮膠刃口對絲網(wǎng)的壓力很大，隨著印刷次數(shù)增加，刃口呈圓弧形，作用于絲網(wǎng)單位面積的壓力明顯減小，刮膠刃口處與絲網(wǎng)的實際角度小于45度，易使印刷線條模糊，粘網(wǎng)。在可調范圍內(nèi)，減小刮膠角度，下墨量增加，濕重加大。刮膠刃口鈍，下墨量多，線寬大。5. 漿料黏度的影響印刷時漿料黏度的變化（觸變性）如右圖所示：漿料的黏度與流動性呈反比，黏度越低，流動性越大，可在一定程度保證印刷的質量。漿料黏度過大，透墨性差，印刷時易產(chǎn)生桔皮、小孔。

23、漿料黏度過小，印刷的圖形易擴大（柵線膨脹），產(chǎn)生氣泡、毛邊。6. 紗厚、膜厚的影響一般情況下，絲網(wǎng)目數(shù)越低，線徑越粗，印刷后的漿料層越高，因此絲網(wǎng)目數(shù)較高時，印刷后漿料層就低一些。對于同目數(shù)的絲網(wǎng)，紗厚越厚，透墨量越少。在一定范圍內(nèi)，感光膠膜越厚，下墨量越大，印刷的柵線越高。但膜厚增大，易造成感光膠脫落。7. 印刷臺面的影響印刷臺面的水平度：印刷時電池片被吸附于印刷臺面，若臺面不平，電池片在負壓下易破裂。一般電池片水平度應小于0.02mm。印刷臺面與網(wǎng)版的平行度：決定了印刷漿料的一致性。一般二者平行度應小于0.04mm。印刷臺的重復定位精度：太陽能電池片印刷臺的重復定位精度需達到0.01mm。

24、參數(shù)相互關系1. 壓力與間距：壓力越大時，間距也大；因為壓力大時，刮刀與網(wǎng)板接觸的地方凸出來也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會加大。兩個參數(shù)當中的一個改變,另外一個不改,就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質量。2. 印刷速度影響到產(chǎn)能,同時也影響到印刷到硅片漿料的多少。印刷參數(shù)的調整1.先把印刷速度改小，以方便在調試時能很好的觀察（如印刷速度為50mm）。完全松開鎖定螺絲，并保證刮刀和回刮刀左右的固定螺絲未鎖，能自由活動。2. 先設定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的印刷到硅片為宜，無粘片和虛印。（推薦為：1.5+0.3）3. 在間距定下后，設定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加，加到

25、在印刷時漿料能收干凈就可以參數(shù)的調整4. 在壓力和間距設定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調。（印刷速度未改）5. 合格后，慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺到鎖定螺絲剛碰到東西時，把鎖定螺絲鎖住。這個動作相當于找到了一個刮膠下降的一個限位，保證刮刀在壓力加大時不會再下壓。6. 然后加快印刷速度，并測印刷重量，如過大，則減速，過小，則加速。（推薦170mm）。燒結過程1.室溫300度，溶劑揮發(fā)。2.300500度，有機樹脂分解排出，需要氧氣。3.400度以上，玻璃軟化。4.600度以上，玻璃與減反層反應，實現(xiàn)導電?？刂泣c1.印刷濕重型號背面電極印刷（g）背電場印刷（g）正面電極印刷（g）M1

26、250.09-0.120.90-1.000.13-0.16P1250.09-0.130.95-1.050.13-0.16M1560.14-0.201.25-1.450.16-0.20P1560.14-0.201.30-1.500.18-0.22工序故障表現(xiàn)診斷措施印刷燒結外觀鋁珠印刷過厚降低印刷厚度，調整印刷參數(shù)一一提高印刷壓力、減小絲網(wǎng)間距絨面過大提醒制絨工序改善漿料不匹配更換其他型號漿料鋁皰印刷厚度偏薄增大印刷厚度，調整印刷參數(shù)一一降低印刷壓力、增大絲網(wǎng)間距印刷不均勻網(wǎng)版破損更換網(wǎng)版刮膠磨損更換刮膠刮膠安裝不良重新安裝刮膠絨面過大提醒制絨工序改善漿料問題漿料不均勻重新攪拌漿料異常更換另一個

27、批次的漿料漿料型號更換其他型號漿料翹曲刮膠安裝不良重新安裝刮膠或者更換新刮膠印刷過厚降低印刷厚度，調整印刷參數(shù)一一提高印刷壓力、減小絲網(wǎng)間距硅片過薄更換抗彎曲漿料網(wǎng)版張力不均勻更換網(wǎng)版硅片厚薄不均原材料問題虛印斷線印刷頭在印刷行進過程中抖動需請設備人員進行相應調整解決網(wǎng)版制版不良更換網(wǎng)版，反饋供應商印刷參數(shù)設置不合理調整印刷參數(shù)一加大壓力，減小絲網(wǎng)間隙刮膠翹曲或者破損重新安裝刮膠或者更換新刮膠網(wǎng)版張力不均更換網(wǎng)版堵網(wǎng)擦拭網(wǎng)版或更換網(wǎng)版印刷臺面或者網(wǎng)框支架不平需請設備人員進行相應調整解決印刷J燒結士燒結印刷J燒結士燒結外觀部分區(qū)域過厚或者過薄甚至缺印硅片本身厚度不均勻原材料問題印刷臺面或者網(wǎng)框支架不平需請設備人員進行相應調整解決印刷參數(shù)降低絲網(wǎng)間隙、加大壓力刮膠安裝不良重新安裝刮膠印刷頭在印刷行進過程中壓力或者速度不均勻需請設備人員進行相應調整解決漿料不夠工藝規(guī)定禁止節(jié)點網(wǎng)版制版不良更換網(wǎng)版，反饋供應商印刷參數(shù)設置不合理降低壓力刮膠不良更換刮膠或使用方型刮膠漏漿網(wǎng)版制版不良更換網(wǎng)版，反饋供應商網(wǎng)版破損修補或更換網(wǎng)版印刷臺面、傳送皮帶等有漿料殘留清理印刷臺面、傳送皮帶等印刷偏移設備問題需請設備人員進行相應調整解決網(wǎng)版未對好重新校對網(wǎng)版網(wǎng)版制版不良更換網(wǎng)版，反饋供應商印刷碎片印刷參數(shù)設置不合理降低壓力，提高絲網(wǎng)間隙定位夾具過緊調整定位夾具