第四講傳感器功能材料

1、 傳感器技術是利用各種功能材料來實現(xiàn)檢測目的的一門應傳感器技術是利用各種功能材料來實現(xiàn)檢測目的的一門應用技術。各種功能材料是傳感器技術發(fā)展的物質基礎，新傳用技術。各種功能材料是傳感器技術發(fā)展的物質基礎，新傳感器的研發(fā)離不開新材料的應用。感器的研發(fā)離不開新材料的應用。 所謂功能材料是指那些具有特定的光學、電學、聲學、磁所謂功能材料是指那些具有特定的光學、電學、聲學、磁學、力學、化學、生物學功能及相互轉化功能，并應用于現(xiàn)學、力學、化學、生物學功能及相互轉化功能，并應用于現(xiàn)代高新技術中的材料。它們優(yōu)良的物理、化學、生物學性能代高新技術中的材料。它們優(yōu)良的物理、化學、生物學性能可以用來制造傳導信息、存

2、儲或記錄、轉化或交換能量的功可以用來制造傳導信息、存儲或記錄、轉化或交換能量的功能元器件。按其性能稱為磁性材料、電阻材料、光學材料；能元器件。按其性能稱為磁性材料、電阻材料、光學材料；或按其材質稱為特殊合金、精密合金、特種陶瓷、功能高分或按其材質稱為特殊合金、精密合金、特種陶瓷、功能高分子材料等。子材料等。 功能材料分類如下圖。功能材料分類如下圖。 感知功能感知功能：能夠檢測并且可以識別外界（或者內部）的刺：能夠檢測并且可以識別外界（或者內部）的刺激強度。激強度。 響應功能響應功能：能夠根據(jù)外界環(huán)境和內部條件變化，適時動態(tài)：能夠根據(jù)外界環(huán)境和內部條件變化，適時動態(tài)地作出相應的反應，并且反應靈敏

3、、及時和恰當?shù)刈鞒鱿鄳姆磻?，并且反應靈敏、及時和恰當。 信息識別與積累功能信息識別與積累功能：能夠識別傳感網(wǎng)絡得到的各類信息：能夠識別傳感網(wǎng)絡得到的各類信息并將其積累起來。并將其積累起來。 恢復功能恢復功能：當外部刺激消除后，能夠迅速恢復到原始狀態(tài)。：當外部刺激消除后，能夠迅速恢復到原始狀態(tài)。 智能功能智能功能：部分材料還具有自診斷、自修復、自調節(jié)等智：部分材料還具有自診斷、自修復、自調節(jié)等智能功能。能功能。敏感材料的功能敏感材料的功能 敏感性好敏感性好：包括靈敏系數(shù)高、響應速度快、適用范圍寬、：包括靈敏系數(shù)高、響應速度快、適用范圍寬、檢測精度高、動態(tài)特性好、輸出特性易于調整和補償、選擇檢測

4、精度高、動態(tài)特性好、輸出特性易于調整和補償、選擇性好等。性好等。 可靠性好可靠性好：包括耐熱、耐磨損、耐腐蝕、耐振動、耐過載：包括耐熱、耐磨損、耐腐蝕、耐振動、耐過載等。等。 加工性好加工性好：包括易成型、批量生產(chǎn)實現(xiàn)集成化、尺寸穩(wěn)定、：包括易成型、批量生產(chǎn)實現(xiàn)集成化、尺寸穩(wěn)定、互換性好等?；Q性好等。 經(jīng)濟性好經(jīng)濟性好：包括成本低、成品率高、性能：包括成本低、成品率高、性能/ /價格比高等。價格比高等。 敏感材料的特征敏感材料的特征一、半導體材料一、半導體材料1.半導體材料的特性半導體材料的特性 室溫下半導體電導率為室溫下半導體電導率為10-910-3S/m。 半導體電導率的基本公式為半導體

5、電導率的基本公式為npe np19np:pe電子電荷量（e=-1.602 10C）n:傳導電子濃度； ：空穴濃度；：傳導電子遷移率；：空穴遷移率2.半導體材料的分類半導體材料的分類 （1）元素半導體材料）元素半導體材料 主要應用是硅，主要應用是硅，90%以上的半導體器件和電路用硅制作，以上的半導體器件和電路用硅制作，此外還有硒、鍺。此外還有硒、鍺。l本征半導體本征半導體lN型半導體型半導體lP型半導體型半導體（2）化合物半導體材料）化合物半導體材料3.半導體硅材料半導體硅材料優(yōu)點優(yōu)點：優(yōu)異的機械特性，便于批量生產(chǎn)微結構和微機電元：優(yōu)異的機械特性，便于批量生產(chǎn)微結構和微機電元件；與集成電路工藝兼

6、容；微機械和為電子線路便于集成。件；與集成電路工藝兼容；微機械和為電子線路便于集成。（1）單晶硅）單晶硅為各向異性材料，有良好的機械性能和導熱性能。為各向異性材料，有良好的機械性能和導熱性能。l例如，單晶硅的密度為不銹鋼的例如，單晶硅的密度為不銹鋼的1/3.5，而彎曲強度是不，而彎曲強度是不銹鋼的銹鋼的3.5倍，可見其強度倍，可見其強度-密度比和剛度密度比和剛度-密度比均較高。密度比均較高。l單晶硅的熱導率為不銹鋼的單晶硅的熱導率為不銹鋼的5倍，而熱膨脹系數(shù)只有不銹倍，而熱膨脹系數(shù)只有不銹鋼的鋼的1/7，與低膨脹材料連接時，可避免熱應力產(chǎn)生。，與低膨脹材料連接時，可避免熱應力產(chǎn)生。l90%以上

7、大規(guī)模、超大規(guī)模、甚大規(guī)模集成電路都是制作以上大規(guī)模、超大規(guī)模、甚大規(guī)模集成電路都是制作在高純優(yōu)質的硅拋光片和外延片上的。在一塊硅片上制作在高純優(yōu)質的硅拋光片和外延片上的。在一塊硅片上制作集成電路、微傳感器、微結構等構成集成電路、微傳感器、微結構等構成MEMS系統(tǒng)，可實現(xiàn)系統(tǒng)，可實現(xiàn)傳感器技術的微型化、集成化、智能化、批量化傳感器技術的微型化、集成化、智能化、批量化.l 多晶硅是由硅的微晶粒組成的，這些晶粒的尺寸在多晶硅是由硅的微晶粒組成的，這些晶粒的尺寸在0.1到到十幾微米之間，無序排列，不同晶粒有不同的單晶取向，十幾微米之間，無序排列，不同晶粒有不同的單晶取向，晶粒之間的部位叫晶界。晶界對

8、多晶硅電特性的影響可以晶粒之間的部位叫晶界。晶界對多晶硅電特性的影響可以通過摻雜原子濃度調節(jié)。通過摻雜原子濃度調節(jié)。l 多晶硅具有同單晶硅類似的機械性能，只不過沒有晶面，多晶硅具有同單晶硅類似的機械性能，只不過沒有晶面，在受到相對比較低的應力時就會發(fā)生破裂。在受到相對比較低的應力時就會發(fā)生破裂。l 多晶硅的制作一般利用低壓化學氣相沉積（多晶硅的制作一般利用低壓化學氣相沉積（LPCVD）將）將硅材料沉積在基片表面獲得，也可以用增壓化學沉積硅材料沉積在基片表面獲得，也可以用增壓化學沉積（PECVD）法生長多晶硅。）法生長多晶硅。l 多晶硅電阻率高于單晶硅，并隨摻雜原子濃度變化較大多晶硅電阻率高于單

9、晶硅，并隨摻雜原子濃度變化較大l 多晶硅電阻溫度系數(shù)隨摻雜濃度在很大范圍變化，適合制多晶硅電阻溫度系數(shù)隨摻雜濃度在很大范圍變化，適合制作熱敏電阻。作熱敏電阻。（2）多晶硅）多晶硅 氧化硅（氧化硅（SiO2）、碳化硅和氮化硅（）、碳化硅和氮化硅（Si3N4）l 氧化硅是非常有用的電子材料，其介電常數(shù)低，電阻率非氧化硅是非常有用的電子材料，其介電常數(shù)低，電阻率非常高，且容易成形、粘附力強。常高，且容易成形、粘附力強。l 氧化硅通過熱氧化或沉積（常壓化學氣相沉積氧化硅通過熱氧化或沉積（常壓化學氣相沉積AVCD、低、低壓化學氣相沉積壓化學氣相沉積LCVD、等離子增壓化學氣相沉積、等離子增壓化學氣相沉積

10、PECVD）法生成。法生成。 微傳感器之材料技術22222()22()SiOSiOSiH OSiOH干法氧化濕法氧化l氧化硅可用作多層金屬之間的絕緣層、腐蝕掩膜、離子氧化硅可用作多層金屬之間的絕緣層、腐蝕掩膜、離子注入和擴散掩膜等。注入和擴散掩膜等。（3）硅化合物）硅化合物l 氮化硅的電阻率非常高，介電常數(shù)低，是一種優(yōu)氮化硅的電阻率非常高，介電常數(shù)低，是一種優(yōu)良的電子材料。比起硅材料本身，氮化硅可耐受良的電子材料。比起硅材料本身，氮化硅可耐受多種化學腐蝕。多種化學腐蝕。l 氮化硅比氧化硅絕緣性能更好，常用于在器件之氮化硅比氧化硅絕緣性能更好，常用于在器件之間以及器件與襯底材料之間提供絕緣。間以

11、及器件與襯底材料之間提供絕緣。l 碳化硅是一種性能優(yōu)良的制模材料，硬度高，特碳化硅是一種性能優(yōu)良的制模材料，硬度高，特別在高溫下耐化學腐蝕性能好，可用于制作高溫別在高溫下耐化學腐蝕性能好，可用于制作高溫壓力傳感器的壓敏膜片。壓力傳感器的壓敏膜片。（4）鍺，砷化鎵）鍺，砷化鎵l鍺是一種單晶材料，電子遷移率約為硅的鍺是一種單晶材料，電子遷移率約為硅的2.5倍，霍爾系數(shù)為硅的倍，霍爾系數(shù)為硅的2倍，適合制作霍爾器件。倍，適合制作霍爾器件。l單晶硅和鍺可以通過摻雜工藝制成光敏電阻，單晶硅和鍺可以通過摻雜工藝制成光敏電阻，但硅靈敏度更大，工作波長約為但硅靈敏度更大，工作波長約為0.8微米，鍺約微米，鍺約

12、為為1.4微米。微米。l砷化鎵是一種半導體化合物，是霍爾元件的理砷化鎵是一種半導體化合物，是霍爾元件的理想材料，其缺點是屈服強度低，僅為硅的想材料，其缺點是屈服強度低，僅為硅的1/3，因此不適合作基底材料。因此不適合作基底材料。利用的物理現(xiàn)象利用的物理現(xiàn)象相應的元器件相應的元器件所用的材料所用的材料壓阻效應壓阻效應應變片應變片Si、Ge、GaP、InSbPN結的變化結的變化感壓二極管、三極管感壓二極管、三極管Si、Ge電阻變化電阻變化熱敏電阻、測輻射器熱敏電阻、測輻射器Si、Ge、金屬氧化物等、金屬氧化物等P、N間的感壓電勢，半導體間的感壓電勢，半導體與金屬間的電勢與金屬間的電勢熱電偶熱電偶S

13、i、GaAs、光電效應光電效應攝像管、光電池攝像管、光電池CdS、PbS、光電勢效應光電勢效應光二極管、光二極管、CCD磁阻效應磁阻效應磁阻器件磁阻器件InSb、Si、GeI層中的電勢效應層中的電勢效應PIN光電二極管光電二極管霍爾效應霍爾效應霍爾元件、霍爾霍爾元件、霍爾IC、Si、Ge、InSb、利用半導體材料制作的各種傳感器利用半導體材料制作的各種傳感器二、功能陶瓷材料二、功能陶瓷材料指利用材料的電、磁、聲、光、熱等方面直接的或耦合的指利用材料的電、磁、聲、光、熱等方面直接的或耦合的效應以實現(xiàn)某種使用功能的多晶無機固體材料。效應以實現(xiàn)某種使用功能的多晶無機固體材料。功能陶瓷一般通過高溫燒結

14、制成，其一般工藝流程為：功能陶瓷一般通過高溫燒結制成，其一般工藝流程為： 原料粉體原料粉體預處理預處理成形成形燒結燒結加工加工制品制品與傳感器有關的常用功能陶瓷類別：與傳感器有關的常用功能陶瓷類別：u壓電陶瓷：超聲波發(fā)生器、換能器壓電陶瓷：超聲波發(fā)生器、換能器u半導體陶瓷：熱敏、壓敏、光敏、氣敏、濕敏器件半導體陶瓷：熱敏、壓敏、光敏、氣敏、濕敏器件u熱釋電陶瓷熱釋電陶瓷超聲波壓電陶瓷片的形式超聲波壓電陶瓷片的形式 超聲波接觸式直探頭超聲波接觸式直探頭 常用頻率范圍：常用頻率范圍：0.50.510MHz10MHz，常見晶片直徑：常見晶片直徑：5 530mm30mm 外殼用金屬制外殼用金屬制作，保

15、護膜用硬度作，保護膜用硬度很高的耐磨材料制很高的耐磨材料制作，防止壓電晶片作，防止壓電晶片磨損。磨損。 保護膜保護膜接插件接插件各種超聲波接觸式斜探頭各種超聲波接觸式斜探頭常用頻率范圍：常用頻率范圍：1 15MHz5MHz熱敏電阻熱敏電阻 熱敏電阻是由兩種以上的金屬氧化物如熱敏電阻是由兩種以上的金屬氧化物如Mn、Co、Ne、Fe等氧化物構成的燒結體，根據(jù)組成的不同，可以調整溫等氧化物構成的燒結體，根據(jù)組成的不同，可以調整溫度特性度特性正溫度系數(shù)熱敏電阻正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)、負溫度系數(shù)熱敏、負溫度系數(shù)熱敏電阻電阻(NTC)和臨界溫度系數(shù)熱敏電阻和臨界溫度系數(shù)熱敏電阻(CTR)。 對于具有

16、負溫度系數(shù)的對于具有負溫度系數(shù)的熱敏電阻，當溫度升高時，熱敏電阻，當溫度升高時，載流子數(shù)目增加，電阻降低，載流子數(shù)目增加，電阻降低，因而具有負溫度系數(shù)。圖中因而具有負溫度系數(shù)。圖中是各種熱敏電阻的典型特征是各種熱敏電阻的典型特征示意圖。示意圖。CTRPTRNTR工作溫度工作溫度/材材 料料 用用 途途NTC：低溫用（低溫用（-1300）常溫用（常溫用（-20300）Mn,Ni,Co,Fe等過濾金等過濾金屬氧化物屬氧化物冷凍器冷凍器家用電器家用電器工程管理工程管理汽車排氣氣體凈化汽車排氣氣體凈化中溫用（中溫用（250550）高溫用（高溫用（5001000）尖晶石，鈣鈦礦，氧化尖晶石，鈣鈦礦，氧化

17、鋯，鋯，SiCPTC:常溫用（常溫用（1100）中溫用（中溫用（100300）半導性（半導性（Ba，Sr）TiO3固固溶體溶體半導性（半導性（Ba，Pb）TiO3固固溶體溶體電子恒溫器電子恒溫器吹風機吹風機CTR:常溫用（常溫用（0100）釩氧化物釩氧化物火災報警器火災報警器半導體陶瓷系熱敏電阻器件的工作溫度、材料和用途半導體陶瓷系熱敏電阻器件的工作溫度、材料和用途半導體氣體傳感器半導體氣體傳感器 SnO2氣敏元件氣敏元件燒結型燒結型 厚膜型厚膜型 薄膜型薄膜型 陶瓷濕敏傳感器陶瓷濕敏傳感器 特點特點：可實現(xiàn)全濕范圍內的測量；工作溫度高，可達：可實現(xiàn)全濕范圍內的測量；工作溫度高，可達800，響

18、應時間短，精度高，抗污染能力強，工藝簡，響應時間短，精度高，抗污染能力強，工藝簡單，成本低廉。單，成本低廉。濕敏元件種類濕敏元件種類：MgCrMgCr2 2O O4 4-TiO-TiO2 2系、系、TiOTiO2 2-V-V2 2O O5 5系、系、ZnOZnO2 2- -LiLi2 2O O5 5-V-V2 2O O5 5系、系、ZnCrZnCr2 2O O4 4系、系、ZrOZrO2 2-MgO-MgO系、系、FeFe3 3O O4 4系、系、TaTa2 2O O5 5系等，大多數(shù)為電阻型，少數(shù)為電容型。系等，大多數(shù)為電阻型，少數(shù)為電容型。燒結型占燒結型占50%50%以上以上，厚膜型和薄膜

19、型各占，厚膜型和薄膜型各占151520%20%。濕敏傳感器濕敏傳感器 陶瓷濕敏元件結構陶瓷濕敏元件結構 感濕體是感濕體是鉻酸鎂鉻酸鎂-二氧化鈦二氧化鈦（MgCrMgCr2 2O O4 4-TiO-TiO2 2 ）多孔陶瓷多孔陶瓷，平均氣孔直徑在，平均氣孔直徑在100100300nm300nm范圍內，相當于一種開口毛細管，容易吸附水分。范圍內，相當于一種開口毛細管，容易吸附水分。三、功能高分子材料三、功能高分子材料功能高分子材料是具有特殊功能的聚合物，一般指具有傳遞、功能高分子材料是具有特殊功能的聚合物，一般指具有傳遞、轉換和存儲物質、能量和信息作用的高分子及其復合材料。轉換和存儲物質、能量和信

20、息作用的高分子及其復合材料。功能高分子材料最主要的制備方法和工藝過程有三條路線：功能高分子材料最主要的制備方法和工藝過程有三條路線：l由功能基單體經(jīng)加聚和縮聚反應制備功能高分子；由功能基單體經(jīng)加聚和縮聚反應制備功能高分子；l已有高分子材料的功能化和多功能材料的復合；已有高分子材料的功能化和多功能材料的復合；l通過一定的加工手段賦予材料特定的功能。通過一定的加工手段賦予材料特定的功能。1.導電高分子材料導電高分子材料按導電原理分按導電原理分復合型復合型和和結構型結構型兩大類。兩大類。導電高分子材料具有質量輕、易成形、電阻率可調節(jié)的特點。導電高分子材料具有質量輕、易成形、電阻率可調節(jié)的特點。通過分

21、子設計可以合成出具有不同特性的導電高分子材料。通過分子設計可以合成出具有不同特性的導電高分子材料。2.壓電和熱電高分子材料壓電和熱電高分子材料聚偏二氟乙烯（聚偏二氟乙烯（PVDF）有很強的壓電性，同時還有熱電性）有很強的壓電性，同時還有熱電性和鐵電性。和鐵電性。PVDF有優(yōu)良的力學性能。其密度僅為壓電陶瓷有優(yōu)良的力學性能。其密度僅為壓電陶瓷的的1/4，強性柔順常數(shù)則比陶瓷大，強性柔順常數(shù)則比陶瓷大30倍。柔軟且有韌性，耐倍。柔軟且有韌性，耐沖擊，可加工成幾微米厚的薄膜，可彎曲成復雜形狀，利于沖擊，可加工成幾微米厚的薄膜，可彎曲成復雜形狀，利于器件小型化。器件小型化。高分子壓電薄膜及拉制高分子壓

22、電薄膜及拉制 高分子壓電材料制作的壓電薄膜和電纜高分子壓電材料制作的壓電薄膜和電纜 3.高分子化學敏感材料高分子化學敏感材料4.光敏高分子材料光敏高分子材料四、功能材料納米結構和納米碳管四、功能材料納米結構和納米碳管具有組成相或晶粒結構的、長度在具有組成相或晶粒結構的、長度在100nm以下的材料稱納米以下的材料稱納米材料。分為納米超微粒子和納米固體材料。材料。分為納米超微粒子和納米固體材料。l納米超微粒子：顆粒尺寸為納米超微粒子：顆粒尺寸為1100nm的超微粒子的材料叫的超微粒子的材料叫納米超微粒子材料。納米超微粒子材料。l納米固體材料：由納米超微粒子組成的固體材料。納米固體材料：由納米超微粒

23、子組成的固體材料。納米材料大致包含納米微粒材料、納米微晶材料、納米顆納米材料大致包含納米微粒材料、納米微晶材料、納米顆粒膜、納米顆粒的燒結體、納米顆粒的致密體粒膜、納米顆粒的燒結體、納米顆粒的致密體5種。種。納米材料的特性納米材料的特性 晶粒極小，比表面積特大晶粒極小，比表面積特大 高度的彌散性高度的彌散性 大量的界面大量的界面 典型納米材料典型納米材料 1）碳納材料）碳納材料2）納米陶瓷）納米陶瓷五、智能材料五、智能材料 新型復合材料，是繼天然材料、人造材料、精細材料之后的第新型復合材料，是繼天然材料、人造材料、精細材料之后的第四代功能材料。四代功能材料。具有感知內外環(huán)境刺激，對之進行分析、

24、處理、具有感知內外環(huán)境刺激，對之進行分析、處理、判斷、并采取一定的措施進行適度響應的智能特征的材料。判斷、并采取一定的措施進行適度響應的智能特征的材料。 將高技術傳感器或敏感元件與傳統(tǒng)的結構材料和功能材料結合將高技術傳感器或敏感元件與傳統(tǒng)的結構材料和功能材料結合在一起，賦予材料嶄新的性能，兼具傳感、調節(jié)驅動、處理執(zhí)在一起，賦予材料嶄新的性能，兼具傳感、調節(jié)驅動、處理執(zhí)行的功能，能隨著環(huán)境的變化而改變性能或形狀，使自身功能行的功能，能隨著環(huán)境的變化而改變性能或形狀，使自身功能處于最佳狀態(tài)。處于最佳狀態(tài)。 智能材料是傳感技術與材料科學、信息處理與控制相融合的產(chǎn)智能材料是傳感技術與材料科學、信息處理

25、與控制相融合的產(chǎn)物。物。 1.1.智能材料的智能材料的特征特征 傳感功能傳感功能：能夠感知外界或自身所處的環(huán)境條件，如負載、：能夠感知外界或自身所處的環(huán)境條件，如負載、應力、應變、振動、熱、光、電、磁、化學、核輻射等的強度應力、應變、振動、熱、光、電、磁、化學、核輻射等的強度及其變化。及其變化。 反饋功能反饋功能：可通過傳感網(wǎng)絡，對系統(tǒng)輸入與輸出信息進行對：可通過傳感網(wǎng)絡，對系統(tǒng)輸入與輸出信息進行對比，并將其結果提供給控制系統(tǒng)。比，并將其結果提供給控制系統(tǒng)。 信息識別與積累功能信息識別與積累功能：能夠識別傳感網(wǎng)絡得到的各類信息并：能夠識別傳感網(wǎng)絡得到的各類信息并將其積累起來。將其積累起來。 思

26、考功能和預見功能思考功能和預見功能：能在過去經(jīng)驗的基礎上，對來自傳感：能在過去經(jīng)驗的基礎上，對來自傳感網(wǎng)絡的各種信息進行分析，并可預見未來將出現(xiàn)的情況。網(wǎng)絡的各種信息進行分析，并可預見未來將出現(xiàn)的情況。 響應功能響應功能：能夠根據(jù)外界環(huán)境和內部條件變化，適時動態(tài)：能夠根據(jù)外界環(huán)境和內部條件變化，適時動態(tài)地作出相應的反應，并采取必要行動。地作出相應的反應，并采取必要行動。 自診斷能力自診斷能力：能通過分析比較系統(tǒng)目前的狀況與過去的情：能通過分析比較系統(tǒng)目前的狀況與過去的情況，對諸如系統(tǒng)故障與判斷失誤等問題進行自診斷并予以校況，對諸如系統(tǒng)故障與判斷失誤等問題進行自診斷并予以校正。正。 自修復能力自

27、修復能力：能通過自繁殖、自生長、原位復合等再生機：能通過自繁殖、自生長、原位復合等再生機制，來修補某些局部損傷或破壞。制，來修補某些局部損傷或破壞。 自調節(jié)能力自調節(jié)能力：對不斷變化的外部環(huán)境和條件，能及時地自：對不斷變化的外部環(huán)境和條件，能及時地自動調整自身結構和功能，并相應地改變自己的狀態(tài)和行為，動調整自身結構和功能，并相應地改變自己的狀態(tài)和行為，從而使材料系統(tǒng)始終以一種優(yōu)化方式對外界變化做出恰如其從而使材料系統(tǒng)始終以一種優(yōu)化方式對外界變化做出恰如其分的響應。分的響應。2.2.智能材料的智能材料的構成構成 基體材料基體材料：擔負著承載的作用，一般宜選用輕質材料。：擔負著承載的作用，一般宜選

28、用輕質材料。高分子材料（重量輕、耐腐蝕），金屬材料（輕質有色合高分子材料（重量輕、耐腐蝕），金屬材料（輕質有色合金為）。金為）。 敏感材料敏感材料：擔負著傳感的任務，其主要作用是感知環(huán)境：擔負著傳感的任務，其主要作用是感知環(huán)境變化。形狀記憶材料、壓電材料、光纖材料、磁致伸縮材變化。形狀記憶材料、壓電材料、光纖材料、磁致伸縮材料、電致變色材料、電流變體、磁流變體和液晶材料等。料、電致變色材料、電流變體、磁流變體和液晶材料等。 驅動材料驅動材料：因為在一定條件下驅動材料可產(chǎn)生較大的應：因為在一定條件下驅動材料可產(chǎn)生較大的應變和應力，所以它擔負著響應和控制的任務。常用有效驅變和應力，所以它擔負著響應

29、和控制的任務。常用有效驅動材料如形狀記憶材料、壓電材料、電流變體和磁致伸縮動材料如形狀記憶材料、壓電材料、電流變體和磁致伸縮材料等。材料等。3.3.智能材料智能材料種類種類 功能：光導纖維、形狀記憶、壓電、電流變體、電功能：光導纖維、形狀記憶、壓電、電流變體、電（磁）致伸縮材料等。（磁）致伸縮材料等。 來源：金屬（形狀記憶合金、形狀記憶復合材料）、來源：金屬（形狀記憶合金、形狀記憶復合材料）、無機非金屬（電流變體、壓電陶瓷、光致變色和電無機非金屬（電流變體、壓電陶瓷、光致變色和電致變色材料）、高分子（凝膠、膜材、粘合劑）。致變色材料）、高分子（凝膠、膜材、粘合劑）。 六、磁致伸縮材料六、磁致伸

30、縮材料 目前磁致伸縮智能材料的主流是稀土磁致伸縮材料，目前磁致伸縮智能材料的主流是稀土磁致伸縮材料，稀土超磁致伸縮材料是近期才發(fā)展起來的一種新型功稀土超磁致伸縮材料是近期才發(fā)展起來的一種新型功能材料。能材料。 這種材料在電磁場的作用下可以產(chǎn)生微變形或聲能，這種材料在電磁場的作用下可以產(chǎn)生微變形或聲能，也可以將微變形或聲能轉化為電磁能。也可以將微變形或聲能轉化為電磁能。 特點：磁致伸縮值大、機械響應速度快、功率密度高。特點：磁致伸縮值大、機械響應速度快、功率密度高。七、形狀記憶材料七、形狀記憶材料 形狀記憶材料：具有形狀記憶效應形狀記憶材料：具有形狀記憶效應（Shape Memory Effect）的材料。）的材料。 形狀記憶效應：將材料在一定條件下進行一定限度以形狀記憶效應：將材料在一定條件下進