芯片硅圓及硅圓芯片計算

1、晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料，半導(dǎo)體集成電路最主要的原料是硅，因此對應(yīng)的就是硅晶圓。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在于巖石、砂礫中，硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先是硅提純，將沙石原料放入一個溫度約為2000 ，并且有碳源存在的電弧熔爐

2、中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)（碳與氧結(jié)合，剩下硅），得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)特性對雜質(zhì)的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進(jìn)行進(jìn)一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進(jìn)行氯化反應(yīng)，生成液態(tài)的硅烷，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%，成為電子級硅。接下來是單晶硅生長，最常用的方法叫直拉法。如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400 ，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形

3、成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn)，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的，在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。用直拉法生長后，單晶棒將按適當(dāng)?shù)某叽邕M(jìn)行切割，然后進(jìn)行研磨，將凹凸的切痕磨掉，再用化學(xué)機(jī)械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡，晶圓片制造就完成了。單晶硅棒的直徑是由籽晶拉出的速度和旋轉(zhuǎn)速度決定的，一般來說，上拉速率越慢，生長的單晶硅棒直徑越大。而切出的晶圓片的厚度與直徑有關(guān)，雖然半

4、導(dǎo)體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內(nèi)完成，但是晶圓的厚度一般要達(dá)到1 mm，才能保證足夠的機(jī)械應(yīng)力支撐，因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片，這就是“晶圓”?；驹瞎枋怯墒⑸八毘鰜淼?，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，

5、切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。制造工藝表面清洗晶圓表面附著大約2um的Al2O3和甘油混合液保護(hù)層,在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗初次氧化由熱氧化法生成SiO2 緩沖層，用來減小后續(xù)中Si3N4對晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和濕法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。干法氧化通常用來形成，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)SiO2膜較薄時，膜厚與時間成正比。SiO2膜變厚時，

6、膜厚與時間的平方根成正比。因而，要形成較厚SiO2膜，需要較長的氧化時間。SiO2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過SiO2膜到達(dá)硅表面的O2及OH基等氧化劑的數(shù)量的多少。濕法氧化時，因在于OH基SiO2膜中的擴(kuò)散系數(shù)比O2的大。氧化反應(yīng)，Si 表面向深層移動，距離為SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜為透明，通過光干涉來估計膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm，如果預(yù)告知道是幾次干涉，就能正確估計。對其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計算出(dSiO2)/(dox)=(nox)/(nSiO2)。SiO2膜很薄時，看不到干涉色，但

7、可利用Si的疏水性和SiO2的親水性來判斷SiO2膜是否存在。也可用干涉膜計或橢圓儀等測出。SiO2和Si界面能級密度和固定電荷密度可由MOS二極管的電容特性求得。(100)面的Si的界面能級密度最低，約為10E+10- 10E+11/cm ?2.eV-1 數(shù)量級。(100)面時，氧化膜中固定電荷較多，固定電荷密度的大小成為左右閾值的主要因素。熱CVD熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)此方法生產(chǎn)性高，梯狀敷層性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦產(chǎn)生反應(yīng)，及氣體可到達(dá)表面而附著薄膜)等，故用途極廣。膜生成原理，例如由揮發(fā)性金屬鹵化物(MX)及金屬有機(jī)化合物(MR)等在高溫中氣相化

8、學(xué)反應(yīng)(熱分解，氫還原、氧化、替換反應(yīng)等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔點(diǎn)金屬、金屬、半導(dǎo)體等薄膜方法。因只在高溫下反應(yīng)故用途被限制，但由于其可用領(lǐng)域中，則可得致密高純度物質(zhì)膜，且附著強(qiáng)度極強(qiáng)，若用心控制，則可得安定薄膜即可輕易制得觸須(短纖維)等，故其應(yīng)用范圍極廣。熱CVD法也可分成常壓和低壓。低壓CVD適用于同時進(jìn)行多片基片的處理，壓力一般控制在0.25-2.0Torr之間。作為柵電極的多晶硅通常利用HCVD法將SiH4或Si2H。氣體熱分解（約650oC）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反應(yīng)

9、面生成的，作為層間絕緣的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400-4500oC的溫度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750oC左右的高溫下反應(yīng)生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有臺階側(cè)面部被覆性能好的優(yōu)點(diǎn)。前者，在淀積的同時導(dǎo)入PH3 氣體，就形成磷硅玻璃（ PSG： phosphor silicate glass）再導(dǎo)入B2H6氣體就形成BPSG(borro ? phosphor silicate glass)膜。這兩種薄膜材料，高溫下的流動性好，廣泛用來作為表面平坦性好的層間絕緣膜。熱處理在

10、涂敷光刻膠之前，將洗凈的基片表面涂上附著性增強(qiáng)劑或?qū)⒒旁诙栊詺怏w中進(jìn)行熱處理。這樣處理是為了增加光刻膠與基片間的粘附能力，防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg時產(chǎn)生側(cè)面腐蝕(sideetching)。光刻膠的涂敷是用轉(zhuǎn)速和旋轉(zhuǎn)時間可自由設(shè)定的甩膠機(jī)來進(jìn)行的。首先、用真空吸引法將基片吸在甩膠機(jī)的吸盤上，把具有一定粘度的光刻膠滴在基片的表面，然后以設(shè)定的轉(zhuǎn)速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或X線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質(zhì)，同時具有耐腐蝕性

11、的材料。一般說來，正型膠的分辨率高，而負(fù)型膠具有感光度以及和下層的粘接性能好等特點(diǎn)。光刻工藝精細(xì)圖形(分辨率，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來決定，因此有良好的光刻膠，還要有好的曝光系統(tǒng)。除氮化硅此處用干法氧化法將氮化硅去除離子注入離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成P型阱離子注入法是利用電場加速雜質(zhì)離子，將其注入硅襯底中的方法。離子注入法的特點(diǎn)是可以精密地控制擴(kuò)散法難以得到的低濃度雜質(zhì)分布。MOS電路制造中，器件隔離工序中防止寄生溝道用的溝道截斷，調(diào)整閥值電壓用的溝道摻雜， CMOS的阱形成及源漏區(qū)的形成，要采用離子注入法來摻雜。離子注

12、入法通常是將欲摻入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)在離子源中離子化， 然后將通過質(zhì)量分析磁極后選定了離子進(jìn)行加速，注入基片中。退火處理去除光刻膠放高溫爐中進(jìn)行退火處理 以消除晶圓中晶格缺陷和內(nèi)應(yīng)力，以恢復(fù)晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴(kuò)散到替代位置，產(chǎn)生電特性。去除氮化硅層用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷 (P+5) 離子，形成 N 型阱，并使原先的SiO2 膜厚度增加，達(dá)到阻止下一步中n 型雜質(zhì)注入P 型阱中。去除SIO2層退火處理，然后用 HF 去除 SiO2 層。干法氧化法干法氧化法生成一層SiO2 層，然后LPCVD 沉積一層氮化硅。此時P 阱的表面因SiO2 層的生長與刻蝕已低于N 阱的表面水平面。這里的

13、SiO2 層和氮化硅的作用與前面一樣。接下來的步驟是為了隔離區(qū)和柵極與晶面之間的隔離層。光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層。濕法氧化生長未有氮化硅保護(hù)的 SiO2 層，形成 PN 之間的隔離區(qū)。生成SIO2薄膜熱磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除柵隔離層位置的 SiO2 ，并重新生成品質(zhì)更好的 SiO2 薄膜 , 作為柵極氧化層。氧化LPCVD 沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成 SiO2 保護(hù)層。形成源漏極表面涂敷光阻，去除 P 阱區(qū)的光阻，注入砷 (As) 離子，形成 NMOS 的源漏極。用同樣的方法

14、，在 N 阱區(qū)，注入 B 離子形成 PMOS 的源漏極。沉積利用 PECVD 沉積一層無摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退火處理。沉積摻雜硼磷的氧化層含有硼磷雜質(zhì)的SiO2 層，有較低的熔點(diǎn)，硼磷氧化層(BPSG) 加熱到800 oC 時會軟化并有流動特性，可使晶圓表面初級平坦化。深處理濺鍍第一層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞，濺鍍鈦+ 氮化鈦+ 鋁+ 氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu)，并用PECVD 在上面沉積一層SiO2 介電質(zhì)。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦，加熱去除SOG 中的溶劑。然后再沉積一層介電質(zhì)，為沉積第二層金屬作準(zhǔn)備。（1） 薄膜

15、的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。有絕緣膜、半導(dǎo)體薄膜、金屬薄膜等各種各樣的薄膜。薄膜的沉積法主要有利用化學(xué)反應(yīng)的CVD(chemical vapor deposition) 法以及物理現(xiàn)象的PVD(physical vapor deposition) 法兩大類。CVD 法有外延生長法、HCVD ， PECVD 等。PVD 有濺射法和真空蒸發(fā)法。一般而言， PVD 溫度低，沒有毒氣問題； CVD 溫度高，需達(dá)到1000 oC 以上將氣體解離，來產(chǎn)生化學(xué)作用。PVD 沉積到材料表面的附著力較CVD 差一些， PVD 適用于在光電產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體制程中的金屬導(dǎo)電膜大多使用PV

16、D 來沉積，而其他絕緣膜則大多數(shù)采用要求較嚴(yán)謹(jǐn)?shù)腃VD 技術(shù)。以PVD 被覆硬質(zhì)薄膜具有高強(qiáng)度，耐腐蝕等特點(diǎn)。（2） 真空蒸發(fā)法（ Evaporation Deposition ）采用電阻加熱或感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料蒸發(fā)淀積到基片上的一種常用的成膜方法。蒸發(fā)原料的分子（或原子）的平均自由程長（ 10 -4 Pa 以下，達(dá)幾十米），所以在真空中幾乎不與其他分子碰撞可直接到達(dá)基片。到達(dá)基片的原料分子不具有表面移動的能量，立即凝結(jié)在基片的表面，所以，在具有臺階的表面上以真空蒸發(fā)法淀積薄膜時，一般，表面被覆性（覆蓋程度）是不理想的。但若可將Crambo真空抽至超高真空（ <10 8 t

17、orr ），并且控制電流，使得欲鍍物以一顆一顆原子蒸鍍上去即成所謂分子束磊晶生長（ MBE ： Molecular Beam Epitaxy ）。（3） 濺鍍（ Sputtering Deposition ） 所謂濺射是用高速粒子（如氬離子等）撞擊固體表面，將固體表面的原子撞擊出來，利用這一現(xiàn)象來形成薄膜的技術(shù)即讓等離子體中的離子加速，撞擊原料靶材，將撞擊出的靶材原子淀積到對面的基片表面形成薄膜。濺射法與真空蒸發(fā)法相比有以下的特點(diǎn)：臺階部分的被覆性好，可形成大面積的均質(zhì)薄膜，形成的薄膜，可獲得和化合物靶材同一成分的薄膜，可獲得絕緣薄膜和高熔點(diǎn)材料的薄膜，形成的薄膜和下層材料具有良好的密接性能。

18、因而，電極和布線用的鋁合金（ Al-Si, Al-Si-Cu ）等都是利用濺射法形成的。最常用的濺射法在平行平板電極間接上高頻（ 13.56MHz ）電源，使氬氣（壓力為1Pa ）離子化，在靶材濺射出來的原子淀積到放到另一側(cè)電極上的基片上。為提高成膜速度， 通常利用磁場來增加離子的密度， 這種裝置稱為磁控濺射裝置（ magnetron sputter apparatus ），以高電壓將通入惰性氬體游離，再藉由陰極電場加速吸引帶正電的4004的50mm晶圓和Core 2 Duo的300mm晶圓離子，撞擊在陰極處的靶材，將欲鍍物打出后沉積在基板上。一般均加磁場方式增加電子的游離路徑，可增加氣體的解

19、離率，若靶材為金屬，則使用DC 電場即可，若為非金屬則因靶材表面累積正電荷，導(dǎo)致往后的正離子與之相斥而無法繼續(xù)吸引正離子，所以改為RF 電場（因場的振蕩頻率變化太快，使正離子跟不上變化，而讓RF-in 的地方呈現(xiàn)陰極效應(yīng)）即可解決問題。光刻技術(shù)定出 VIA 孔洞沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用 PECVD 法氧化層和氮化硅保護(hù)層。光刻和離子刻蝕定出 PAD 位置。最后進(jìn)行退火處理以保證整個 Chip 的完整和連線的連接性。專業(yè)術(shù)語編輯1 1.Wafer Probe晶圓針測工序2.waferballing process晶圓球狀化工藝3.bonded wa

20、fer已粘接晶圓4.cassette, wafer晶圓匣5.tray, wafer晶圓承載器6.wafer tray晶圓承載器7.wafer cassette晶圓匣8.wafer acceptance (WAT)晶圓驗(yàn)收測試9.wafer晶圓10.Wafer Mapping晶圓映射11.Wafer burn-in晶圓老化12.Multi Project Wafer多項(xiàng)目晶圓一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數(shù)目？這個要根據(jù)你的die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個吋是估算值。     

21、;   實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。國際上Fab廠通用的計算公式：聰明的讀者們一定有發(fā)現(xiàn)公式中 *（晶圓直徑/2）的平方 不就是圓面積的式子嗎？再將公式化簡的話就會變成：X就是所謂的晶圓可切割晶片數(shù)（dpw die per wafer）。那麼要來考考各位的計算能力了育！假設(shè)12吋晶圓每片造價5000美金，那麼NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公厘，在良率50%的情況下，平均每顆成本是多少美金？答案：USD.87.72為了使計算更為容易，點(diǎn)擊閱讀原文可下載專用數(shù)計算器科普

22、：wafer die chip的區(qū)別我們先從一片完整的晶圓（Wafer）說起：一塊完整的wafer名詞解釋：wafer 即為圖片所示的晶圓，由純硅（Si）構(gòu)成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個wafer上生產(chǎn)出來的。Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學(xué)名die，封裝后就成為一個顆粒。一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經(jīng)過切割，然后測試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩(wěn)定，要不就是部分損壞所以不足容量，要不就是完全損壞。原廠考慮到質(zhì)量保證，會將這

23、種die宣布死亡，嚴(yán)格定義為廢品全部報廢處理。die和wafer的關(guān)系品質(zhì)合格的die切割下去后，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。篩選后的wafer這些殘余的die，其實(shí)是品質(zhì)不合格的晶圓。被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝制作為成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當(dāng)做廢品處理掉。晶圓尺寸發(fā)展歷史（預(yù)估）一顆集成電路芯片的生命歷程就是點(diǎn)沙成金的過程：芯片公司設(shè)計芯片芯片代工廠生產(chǎn)芯片封測廠進(jìn)行封裝測試整機(jī)商采購芯片用于整機(jī)生產(chǎn)。芯片供應(yīng)商一般分為兩大類：一類叫IDM，通俗理解就是集芯片設(shè)計、制造、

24、封裝和測試等多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身的企業(yè)。有些甚至有自己的下游整機(jī)環(huán)節(jié)，如Intel、三星、IBM就是典型的IDM企業(yè)。另一類叫Fabless，就是沒有芯片加工廠的芯片供應(yīng)商，F(xiàn)abless自己設(shè)計開發(fā)和推廣銷售芯片，與生產(chǎn)相關(guān)的業(yè)務(wù)外包給專業(yè)生產(chǎn)制造廠商，如高通、博通、聯(lián)發(fā)科、展訊等等。與Fabless相對應(yīng)的是Foundry（晶圓代工廠）和封測廠，主要承接Fabless的生產(chǎn)和封裝測試任務(wù)，典型的Foundry（晶圓代工廠）如臺積電、格羅方德、中芯國際、臺聯(lián)電等，封測廠有日月光，江蘇長電等。        全球30強(qiáng)晶圓代工廠1、臺灣積體電路

25、制造股份有限公司（臺積電TSMC）總部：臺灣主營：各種晶圓代工。2、格羅方德（GlobalFoundries）總部：美國主營：為ARM、Broadcom、NVIDIA、高通公司、意法半導(dǎo)體、德州儀器等晶圓代工。3、三星（Samsung）總部：韓國主要客戶：蘋果、高通和賽靈思等4、中芯國際集成電路制造有限公司（SMIC）總部：上海主營：非易失性存儲器，模擬技術(shù)/電源管理，LCD驅(qū)動IC，CMOS微電子機(jī)械系統(tǒng)。5、臺灣聯(lián)華電子（UMC）總部：臺灣主營：各種晶圓代工。6、力晶半導(dǎo)體（PSC）總部：臺灣主營：DRAM、C-RAM、M-RAM、Flash、CMOS影像傳感器等多元化晶圓代工。7、Tow

26、erJazz總部：美國主營：CMOS影像傳感器、非揮發(fā)性內(nèi)存、射頻CMOS、混合訊號電路、電源管理和射頻等特種晶圓代工。8、世界先進(jìn)集成電路股份有限公司（VIS）總部：臺灣主營：邏輯、混合信號、模擬、高電壓、嵌入式存儲器和其他工藝9、Dongbu總部：韓國主營：非存儲半導(dǎo)體純晶圓代工廠。10、美格納（MagnaChip）總部：韓國主營：顯示驅(qū)動集成電路、CMOS影像傳感器與應(yīng)用解決方案處理器、晶圓代工。11、上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（HHNEC）總部：上海主營：標(biāo)準(zhǔn)邏輯、嵌入式非易失性存儲器、電源管理、功率器件、射頻、模擬和混合信號等領(lǐng)域。12、華潤上華科技有限公司（CSMC）總部：江蘇

27、無錫，北京主營：CMOS/ANALOG，BICMOS，RF/Mixed-SignalCMOS，BCD，功率器件和Memory及分立器件。主要客戶：歐勝微電子13、IBM總部：美國主要客戶：華為海思14、天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司（TJSemi）總部：天津主營：研發(fā)、生產(chǎn)半導(dǎo)體節(jié)能產(chǎn)業(yè)和高效光伏電站。15、吉林華微電子股份有限公司總部：吉林主營：集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體，主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC。主要客戶：NXP、FAIRCHILD、VISHAY、PHILIPS、TOSHIBA16、上海華力微電子有限公司（HLMC）總部：上海主營：邏輯和閃存芯片，CMOS

28、，數(shù)模混合CMOS，RFCMOS，NORFlash。主要客戶：MTK17、武漢新芯集成電路制造有限公司（XMC）總部：武漢主營：閃存存儲器（NORflashmemory），2.5D及3D集成和影像傳感器等。18、無錫海力士意法半導(dǎo)體有限公司總部：韓國主營：存儲器、消費(fèi)類產(chǎn)品、移動、SOC及系統(tǒng)IC。19、英特爾半導(dǎo)體（大連）有限公司總部：美國主營：電腦芯片組產(chǎn)品。20、上海先進(jìn)制造股份有限公司（ASMC）總部：上海主營：模擬半導(dǎo)體的雙極型、BiCMOS及HVMOS加工、未來智能身份證的非揮發(fā)性存儲內(nèi)存技術(shù)。21、和艦科技（蘇州）有限公司（HJTC）總部：蘇州主營：多項(xiàng)目晶圓（MPW）服務(wù)，IP

29、服務(wù)，BOAC，Mini-library等。22、天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司總部：甘肅主營：生產(chǎn)雙極型數(shù)字集成電路和肖特基二極管，提供半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計、生產(chǎn)、封裝、測試等。23、深圳方正微電子有限公司總部：深圳主營：功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HVCMOS）等。24、杭州士蘭（Silan）總部：杭州主營：BIPOLAR、CMOS、BICMOS、VDMOS、BCD等工藝技術(shù)的集成電路產(chǎn)品和開關(guān)管、穩(wěn)壓管、肖特基二極管等特種分立器件。25、中國南科集團(tuán)總部：珠海主營：集團(tuán)主要從事高新技術(shù)集成電路生產(chǎn)包括：單晶硅晶圓制造（SILICONWAFER）、晶圓加工（WAFERFOUNDRY）、集成電路設(shè)計（IC.DESIGN）及集成電路測試（TESTING）與封裝（PACKAGE）。26、茂德科技ProMOS總部：臺灣主營：存儲器SDR、DDR、DDR2、DDR3、MoblieDRAM等系列研發(fā)生產(chǎn)。27、上海力芯集成電路制造有限公司總部：上海主營：是由外資BCD半導(dǎo)體控股公司（BCDSemiconductorManufacturingL